Anda di halaman 1dari 6

ProsedingPer/emuandon Presen/asil/miah

P3TM-BATAN. Yogyakarla25 -26 Juli 2000

Buku J

281

PENGARUH
PARAMETER
SPUTTERING
TERHADAP
PERUBAHAN STRUKTUR LAPISAN TIPIS ZoO
Tono Wibowo, Trl Mardjl Atmono, Suryadl
PusatPenelitiandon Pengembangan
TeknologiMajuBatan Yogyakarta

ABSTRAK
PENGARUH PARAMETER SPUTTERING TERHADAP PERUBAH-AN STRUKTUR LAPISAN TIPIS
ZnO. Telah dilakukan pengamatan pengaruh parameter sputtering terhadap struktur lapisan tipis ZnO.
Lapisan tipis ZnO dibuat diatas substrat gelas. plastik dan stainless steels dengan metoda sputtering DC.
Parameter sputtering yang divariasi adalah waktu deposisi. suhu substrat. tekanan dan prosentase gas
oksigen. Perubahan struktur lapisan Zno terbentuk diamati dengan defraktometer sinar-X dengan panjang
gelombang J.54 A. Teramati denganXRD bahwa sudut puncak difraksi lapisan tipis ZnO tersputter bergeser
dibandingkan dengan sudut puncak difraksi target. Dibandingkan pula perubahan struktur pada cuplikan
yang diberikan penekanan secara relatif Deformasi jarak antar bidang yang terjadi diperkirakan karena
adanya penegangan akibat perubahan parameter atau koefisien muai lapisan tipis dan substrat yang
berbeda.

ABSTRACT
INFLUENCE OF THE SPUTTERING PARAMETER TO THE CHANGING OF THE STRUCTURE
OF ZnO THIN FILMS. Investigation ofthe influence ofthe spullering parameter on the structuture ofZnD
thin films has been done. The 2nD thin film was made on the glass. plastic as well as stainless steels
substrats using DC sputtering methode. The variated sputtering pnrameters were deposition time. substrat
temperature. pressure and oxygen content. The structures changing of the spullered ZnD film ,.was
investigated using X-ray difractometer of /.54 A wave length. It was observed with the XRD that the peak
angle of the sputtered thin film ZnD shifted compared to that ofthe target. The changing of the structure was
also compared between the samples which were pressed relatively one to the other. Deformation of the
distance between planes may be caused by strains due to the parameter changing or the diferem in tension
coeficiem between thin film and substrat.

PENDAHULUAN

sifat piezoelektrik, faktor kopling elektro-mekaniknya besar.

Pembuatan film ZnD dengan sputtering


merupakan suatu proses yang sangat rumit karena
terpengaruh oleh beberapa parameter sputtering
seperti tekanan, laju deposisi, temperatur substrat,
komposisi gas. Bahan target (Zn atau ZnD) yang
atom-atomnya didongkel dengan partikel berat tak
reaktif (gas Argon dalam sistem sputtering) akan
terpancar keluar clan sebagian menuju substrat
membentuk lapisan di permukaannya. Pada awal
pembentukan film, sifat fisika/kimia substrat clan
interaksi antara substrat clan partikel target
memegang perananpenting. Tetapi, setelah lapisan
awal ini terbentuk interaksi yang terjadi adalah
interaksi antar partikel pembentuk film itu sendiri(I).
Namun demikian, oleh karena adanya kondisi fisis
yang berbeda antara substrat dengan bahan pelapis
(setelah terjadi pelapisan) seringkali juga akan
mengakibatkan perubahan struktur dari hasil lapisan
yang tidak cocok dengan sifat-sifat fisis yang
dikehendaki. Di dalam laporan ini dikemukakan

apisan tipis (film) ZnO yang dibuat di atas


substrat dengan ketebalan beberapa mikron
memiliki sifat fisis yang sangat berguna. Yakni
sebagai bahan varistor, transdukser ultrasonik,
sensor gas, clan sebagai filter gelombang elektromagnerl). Dalam bentuk polikristal, film ZnO
terdeposit dengan orientasi kristal sumbu-c tegak
lurus substrat mempunyai sifat piezoelektrik(2).
Terdapat beberapa metode untuk pembuatan film
ZnO antara lain dengan sublimasi vakum ZnO,
evaporasi Zn dengan berkas Oksigen, oksidasi
setelah evaporasi Zn clan sputering(I). Dari sekian
banyak cara tersebut pada umumnya metode
sputtering dapat menghasilkan lapisan ZnO dengan
sifat piezoelektrik clan optik yang terbaik karena
permukaan filmnya rata clan transparan(3). Film
basil sputtering berupa polikristal yang pertum.
buhannya cenderun~ terorientasi pada sumbu-c
tegak turns substrar). Terorientasi pada sumbu-c
tegak ini dikehendaki agar film ZnO mempunyai

3.

282

ProsedingPerlemuandon Presenlasillmiah
Buku I

P3TM-BATAN.

Yogyakarla 25 -26 Juli 2000

mengenai basil pengamatan pengaruh perubahan

HASIL DAN PEMBAHASAN

beberapa parameter sputtering terhadap perubahan


struktur dari film ZnD yang terbentuk di atas
substrat kaca, plastik daDstainlesssteels.

A. Pe/lgaruh Wak/u Deposisi

TATA KERJA DAN PERCOBAAN


1. Pembuatan
target
a. Serbuk Zn (95%) atau ZnO (99%) spesifikasi
Merck disiapkan sebagaitarget.
b. Untuk target Zn, dipelet dengan penekanan
hidrolik 16 x 103kg, kemudian disinter pacta
suhu 400 c selama 1jam.
c. Untuk target ZnO dipelet dengan penckanan
hidrolik 16 x 103kg dengan pemanasanawal
850 DC,kemudian disinter pactasuhu 900 DC
selama 1jam.
d. Target Zn atau ZnO dibentuk silinder dengan
diameter 6 cm, tebal 0,3 cm.

2. Pembuatanlapisan tipis ZnO

Pengaruh waktu deposisi terhadap sudut


puncak dirraksi (002) film ZnO yang tcrbcntuk pada
temperatur substrat 140 c ditunjukkan dalam
Gambar 2. Jika puncak dirraksi (002) film dibandingkan dengan puncak dirraksi (002) targct
(puncak difraksi (002) target pada sudut 28 34,3450
denganjarak bidang d(OO2)
2,6089 A) , maka puncak
dirraksi film yang terbentuk selalu mengalami
pergeseran ke arah sudut 28 yang lebih kecil,
pergeseran terbesar terjadi pada waktu deposisi
maksimum (5 jam). Hal ini kemungkinan karena
adanya deformasi jarak antar bidang pada butir
(grains) penyusun film. Film ZnO yang terbentuk
dengan waktu deposisi 5 jam menunjukkan permukaan film yang mempunyai ukuran butir lebih
kecil dan tidak seragam apabila dibandingkan
dengan film yang terbentuk pad a waktu deposisi I
jam. Pengaruh srtuktur film ZnO terhadap variasi
waktu deposisi selengkapnya ditunjukkan dalam
Tabell.

a. Film ZnO dibuat pada substrat kaca, plastik


(tahan panas) dan stainles steels.

3.3

b. Digunakan sistem sputtering DC, blok


diagram ditunjukkan dalam Gambar I.
c. Parameter sputtering yang divariasi : Tekanan 7 x 10.2 -10.1 Torr; temperatur substrat
100 c -500 C; waktu deposisi 1- 5 jam;
campuran gas O2 0% -50%.

A)

SJ

('J

()j

33i

Pengamatanstruktur lapisan
Struktur film ZnO yang terbentuk diamati
menggunakan Difraktometer Sinar-X (XRD),
radiasi Cu K alfa, panjang geloTl1bang1,54 A.
Orientasi ditentukan berdasarkan tabel HANW AL, Join Committee on Powder Difraction

Gambar 2. Pengaruh waktu deposisi terhadap suo


dut puncak difraksi (002) film 2nD.

Standards
.
Tabell.

Pengaruh waklu deposisi t terhadap sudut


puncak difraksi 28. jarak antar bidang
d(OO2} lebar setengah puncak (20) don
intensitas puncak difraksi I pada struktur
film 2nD.

Gambar 1. Blok diagramalat sputteringDC pada pembentukanlapisantipis 2nD.


Tono Wibowo. dkk

ISSN 0216-3128

ProsedingPertemuandan PresentasiI/miah
P3TM-BATAN, Yogyakarta 25 -26 Juti 2000

Buku I

283

B. PengaruhSuhu Subs/rat.
Dengan naiknya suhu substrat menghasilkan
struktur film dengan arah (002) yang cenderung
makin banyak, baik untuk waktu deposisi 2 jam
maupun 4 jam (Tabel 2-3). Namun demikian keadaan ini juga diikuti dengan terjadinya pergeseran
sudut puncak difraksi (002) yang menunjukkan
adanya perubahan jarak antar bidang d(OO2)
seperti
ditunjukkan dalam Gambar 3. Hal ini kemungkinan
disebabkan oleh adanya tegangan sisa yang terjadi
pada film saat proses pertumbuhan atau karena
akibat koefisien muai film dan substrat yang tidak
sarna. Pergeseran jarak bidang (002) terkecil
diperoleh ketika suhu substrat dinaikkan menjadi
500 c, Gambar 4. Pada keadaan ini kemungkinan
telah terjadi pengaturan kembali dari keadaan
struktur yang telah terdeforrnasi menjadi struktur
yang lebih baik pada saatproses rekristalisasi.
Tabel 2. Pengaruh suhu substrat T terhadap sudut
puncak difraksi 20 .jarak antar bidang
d(OO2). lebar setengah puncak (2 0) dan
intensitas puncak difraksi J pada struktur
film ZnO yang terbentuk dengan waktu
deposisi t = 2 jam.

Gambar3. Pengaruh suhu substrat T terhadap


jarak antar bidang d(OO2).,filmZnO
dengan waktu deposisi 2 jam,

'IS
2(.4

PI ~~1

~
"0

,~)

'Gf

,~~

fJJ

=':OJ

]))

!;)j

T (derajat cek:ius)

Gambar 4. PengaruhsuhusubstratT terhadapjarak antar bidang drOO2)film ZnO


denganwaktudeposisi4jam.

C. PengaruhTekananGas

Tabcl 3. Pengaruh suhu substrat T terhadap sudut


puncak difraksi 28, jarak antar bidang
d(OO2)- lebar setengah puncak (2 0) don
intensitas puncak difraksi I pada struktur
film ZnO yang terbentuk dengan waktu
deposisi t = 4 jam.

Pengaruh tekanan gas dalam tabung sputtering terhadap struktur film ZnO yang. terbentuk
ditunjukkan dalam Tabel 4. Perubahan jarak antar
bidang ~OO2)
yang terjadi seperti ditunjukkan dalam
Gambar 5, di samping karena pengaruh faktor suhu
juga karena pada saat pertumbuhan film dipengaruhi
oleh rapat gas yang ada di dalam tabung sputtering.

Tabel4. Pengaruh tekanangas P terhadapsudut


puncak difraksi 20, jarak antar bidang
d(OO2)-lebar setengahpuncak L(2 8) don
intensitaspuncak difraksi I pada struktur
film 2nD yang terbentuk dengan waktu
deposisit = 2 jam.
No

P Torr
-

ISSN 0216 -3128

280

d(OO2)
A
-

L(19)

7x1O.2

34.195 2.6200

0.40

500

8x10'2

34.050 2.6308

0.08

1815

9x I 0.2

34.065 2.6297

0.18

3758

1x I 0.'

34.145 2.6237

0.06

655

Tono Wibowo, dkk.

284

Proseding Pertemuan dan Presentasi I/miah


P3TM-BA TAN, Yogyakarta 25 -26 Juti 2000

Buku I

1b31

2.~

//"""""'
/

~ 2,ros

"""""""""
"

""

1,6".~

~
lJ

--0

'1.G27
2m

~.61

UI7
2~'6

c~

0,07

o.~

4J

0.1

P~rr)

Gambar 5. Pengaruhtekanangas P terhadapja.


rak antar bidang d(OO2)film 2nD
denganwaktudeposisi2jam.

prOl:enb~ 02

Gambar 6. Pengaruhcampurangas 02 /erhadap


perubahanjarak an/or bidang d(OO2)
film 2nO.

E. Pengaruh Pef,ekanan

D. PengaruhCampuranGasOksigen
Gas O2 yang dicampurkan ke dalam gas
sputer Ar mempunyai energi yang sangat tinggi.
Rerata dalam daerah lucutan plasma sekitar
beberapa ratus eV atau lebih.
Energi O2 ini
dihasilkan di depan target sebagai ion negatif
selama sputtering. Ion ini dipercepat dalam daerah
jatuh katoda dan kemudian dinetralisir setelah
sampai ke anoda (substrat) melalui pemindahan
muatan dengan molekul gas Ar. Penambahan gas
O2 menghasilkan struktur film dengan puncak
difraksi (002) yang tergeser kekiri (ke sudut yang
lebih kecil), Tabel 5. Terjadi pelebaranjarak bidang
d(OO2)
yang semakin menurun dengan kenaikan
prosentase02.. Gambar 6. Keteganganpada struktur
film ini diperkirakan karena faktor penekanan
oksigen ikut menyumbang pada deformasi film.

Tabel 5. Pengaruh campuran gas 02 /erhadap sudu/ difraksi 28, jarak an/ar bidang d(OO2).
/ebar se/engah puncak (2 e) dan in/ensilas puncak difraksi I padafi/m ZnO.

No. 2%
0

200

d(OO2)
A

33.960 2,6376

(19)

0,20

90

Pada Tabel 6 dan 7. ditunjukkan perubahan


struktur film ZnO akibat adanya penekanan relatif
yang dikenakan pada cuplikan dengan substrat
plastik dan stainless steels. Terlihat bahwa akibat
adanya penekanan, struktur film terdefom1asi yang
mengakibatkan ketegangan (strain) sehingga merubah jarak bidang (002), O"mhl\i 7 dan 8.
J!'i

J~

~. J~
~

"tI

2.578

~S1.
~I.;e

40

33,985 2,6357

0,24

59

50

34,215 2,6185

0,28

96

Tono Wibowo,dkk

P\'

PI

P1

tekan3l1 relatip

Gambar 7. Pengaruh penekanan (rela/if) padafilm


2nD /erhadap perubahan jarak an/ar
bidang d(OO2) film 2nD, subs/rat

plas/ik.

Tabel 6. Pengaruh penekanan (relatif) terhada.


sudut difraksi 28, jarak antar bidan.
d(OO2).lebar setengahpuncak (2 0)don
mtensitas puncak difraksi I pada film
ZnO dengan substrat plastik.

No.
2

J!83

Pi relatif

280

d(OOI)
A

L(lE!)
.

Po

34,540

2,5947

0,12

2510

PI

34,555

2,5936

0,20

1747

Pz

34,875

2,5705

0,10

1024

ISSN 0216 -3128

l_--~-~

Proseding Pertemuan don Presentasi I/miah


P3TM-BA TAN. Yogyakarta 25 -26 Juti 2000

DAFTARPUSTAKA

2A

-.
",

,~
'2~

'Q

1..25

I. FRANS CM. VAN DE POL, "Thin 'film ZnOProperties ang Applications", Ceramic Bulletin,
Vol 69, No.12, 1990.

/'

2I.e

p~

PI

tekanan relaip

Gambar

8. Pengaruh penekanan (re/a/if) padaji/m

ZnO /erhadap perubahan jarak an/or


bidang d(OO2)ji/m ZnO, subs/rat SS.

Tabe! 7.

No

285

Buku I

Pengaruh penekanan (rela/if) /erhadap


sudu/ difrakS'i 28, jarak an/ar bidang
d(OO2).lebar se/engahpuncak L(2 0)dan
intensi/as puncak difrakS'i 1 pada film
ZnO dengan substrat SS.
290

Pi relatif

d(OO1)
A

(19)
.

Po

34,725

2,5813

0,20

420

l.

PI

34,680

2,5845

0,24

299

P2

34,535

2,5951

0,06

182

KESIMPULAN

2. GREGORY J. EXARHOS, SHIV K. SHARMA,


"Influence Of Processing Variables On The
Structure and Properties of ZnO Film", Thin solid
film 270, 1995.
3. RG. HEIDEMAN dkk, "High Quality ZnO Layer
,..,With, .Adj~table Refractive Indices For Integrated Optics Applications", Optical Material 4,

1995.
4. YONG EUI LEE and JAE BINLEE dkk,
"Microstructural Evolution and PrefelTed Orientation Change Of Radio Frequency Magnetron
Sputtered ZnO Film", J. Vac. Sci. Technol. A

14(3),1996.

TANYAJAWAB
Budiarto
-Bagaimana tara menentukan orientasi bidang dari
lapisan tipis ZnO? Mana gambar difraktogram
sinar-X dari lapisan tipis ZnO tersebut?
-Apakah sudah dibandingkan dengan peneliti yang
du1u pada penelitian lapisan tip is ZnO yang
sarna?

Berdasarkan hasil dan pembahasan yang


telah dilakukan dapat diambil beberapa kesimpulan
sementaraantara lain:

-Kondisi

I. Kondisi parameter sputtering mempengaruhi


struktur lapisan tipis 2nD yang terbentuk.

Tono Wibowo

2. Penambahan tekanan dan campuran gas oksigen


ke dalam tabung sputter dapat memperkecil pergeseranpuncak difraksi (002) lebih konsisten.
3. Adanya ketegangan pada struktur lapisan tipis
2nD dapat mengakibatkan pergeseran puncak
difraksi (002)
4. Parameter suhu terkait dengan bahan substrat
mempengaruhi struktur lapisan.

optimum dicapai pada suhulwaktu?

-Orientasi bidang dari lapisan tipis ZnO


ditentukan berdasarkan hasil pengamatan
puncak-puncakdifraksi lapisan tersebutdengan
menggunakan
XRD, panjang gelombang1,54A.
Untukmenentukanorientasibidangpola difraksi
(sudut 20) dibandingkandengan label HANAWAL. Gambardifraktogramsinar x lapisan tipis
ZnO ada.

UCAPAN TERIMA KASIH

-Ya, hasil penelitian sudah dibandingk"andengan


hasil penelitian terdahulu,menunjukkankondisi
optimumyang tidak selalu soma. Hal ini dapat
dimak/um karena dimensi tabung sputtering
berpengaruh
pada kondisiparameteroptimum.,..)1"";.;",

Penulis mengucapkal1 terima kasih kepada


Bambang Siswanto yang telah banyak membantu
dalam penelitian ini.

-pergesran jarak bidang d(002)terkecil diperoleh


pada suhu 500 oC, sedangkan untuk waktu
deposisidiperolehselama2jam.

286

Buku I

Yunanto
-Mengapa dilakukan variasi penambahan oksigen
dan variasi penekanan.
-Pengaruh
kedua
perlakuan itu
apakah
memberikan pengaruh yang besar terhadap arah
orientasi sumbu C.

Proseding Perlemuan don Presenlasi Ilmiah


P3TM-BATAN. Yogyakarla 25 -26 Juli 2000

sumbuC, begitupula variasi tekananpada saat


prosessputtering.

Supriyono
-Oisebutkan hahwa L. T ZoO dapat digunakan
se~agai tranduser, mengapademikian.

Tono Wibowo
-Variasi penambahan oksigen dilakukan karena
ZnD mempunyai sifat non stokiometrik dengan
perbandingan Zn dan D berkisar antara 1-1,2,
jumlah oksigenyang ado dalam lapisan tipis ZnD
juga akan berpengaruh terhadap karakter fisis
dari lapisan ZnD yang terbentuk. Sedangkan
variasi penekanan yang dilakukan terhadap
lapisan
yang telah terbentuk dimaksudkan
sebagai pembanding.
-Perlakuan

terhadap variasi penambahan oksigen

berpengaruh besar lerhadap arah orientasi

Tono Wibowo
-Pada krista/-krista/ tertentu, adanya stress dari
/uar mengakibatkan muncu/nya momen dipo/
yang seterusnya menghasi/kan po/arisasi /istrik
dengan
muncu/nya
po/arisasi
muatan
dipermukaan krista/. Krista/ seperti itu disebut
krista/ piezoe/ektrik. Sijat yang sedemikian itu
dimi/iki pula o/eh /apisan tipis 2nD, sehingga
/apisan tipis 2nD dapat digunakan sebagai
tranduser, meruaah geja/a mekanik menjadi
e/ektrik atau seba/iknya.

.1

Tono Wibowo,dkk

ISSN 0216 -3128