Anda di halaman 1dari 10

LAPORAN PRAKTIKUM LABORATORIUM ELEKTRONIKA

NOMOR PERCOBAAN

11

JUDUL PERCOBAAN

KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASIS

KELAS/GROUP

TEKNIK TELEKOMUNIKASI 3A / 07

NAMA PRAKTIKAN

TASYA SAKILA

NAMA PARTNER

RISKI MARTHA
YOHANES PAOLO

TANGGAL PERCOBAAN

JUMAT, 9-12 OKTOBER 2015

TANGGAL PENYERAHAN

SENIN, 19 OKTOBER 2015

NILAI

DOSEN

BENNY NIXON, AMd.ST

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO


PRODI TEKNIK TELEKOMUNIKASI
POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
2015

PERCOBAAN 11
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASIS

1. TUJUAN
Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi common basis.
Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi common basis.
Mempelajari ciri-ciri harga dari resistansi input, resistansi output dan penguatan
arus transistor dalam konfigurasi common basis.
2. DASAR TEORI
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, pemotong
(switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor dapat
berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang
di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya.
Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam
angkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog
melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam
rangkaian-rangkaiandigital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai
logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
Prinsip yang di pakai didalam transistor sebagai penguat yaitu arus kecil pada
basis dipakai untuk mengontrol arus yang lebih besar yang diberikan ke kolektor melalui
transistor tersebut. Dari sini bisa kita lihat bahwa fungsi dari transistor adalah hanya
sebagai penguat ketika arus basis akan berubah. Perubahan arus kecil pada basis inilah
yang dinamakan dengan perubahan besar pada arus yang mengalir dari kolektor ke
emitter.
Kelebihan dari transistor penguat bukan sekedar bisa menguatkan sinyal, namun
transistor ini juga dapat di pakai sebagai penguat arus, penguat daya dan penguat
tegangan. Di bawah ini gambar yang biasa di pakai dalam rangkaian transistor khususnya
sebagai penguat yang biasa di pakai dalam rangkaian amplifier sedehana.
Pada konfigurasi common base, basis dari transistor terhubung dengan ground
dari input dan output. Pada transistor NPN, input berada pada emitter, sedangkan
outputnya pada kolektor .bagian output memiliki 3 daerah disebut daerah kerja yaitu
daerah aktif, cut off dan saturasi. Agar bekerja padadaerah aktif , kolektor-basis dibias
reverse sedangkan basis-emitter dibias forward. Pada daerah cut off, kolektor-basis dan

basis-emitter dibias reverse, sementara pada daerah saturasi junction tadi dibias forward.
Jika transistor On, maka tegangan antara basis dan emitor(VBE).
Alpha() adalah model dc, Ic dan Ie yang diakibatkan pembawa mayoritas
mempunyai hubungan.
= Ic
Ie
Active Region yaitu saat junction kolektor mendapat bias mundur dan junction
emitor mendapat bias maju. Misalkan arus emitor adalah nolmaka arus kolektor kecil dan
sama dengan arus saturasi balik dan junction ini berlaku untuk diode. Pada active region
arus kolektor independen nterhadap tegangan kolektor dan hanya tergantung pada arus
emitor.
Daerah saturasi adalah dimana junction emitor maupun kolektor mendapat bias
maju. Daerah ini terdapat dibagian kiri ordinat dinamakan VCB = 0 dan diatas
karakteristik IE = 0. Sebenarnya VCB bernilai positif (untuk pnp walau nilainya kecil)
dan bias maju pada kolektor ini menimbulkan perubahan tegangan kolektor yang kecil .
Daerah Cuttoff adalah karakteristik untuk kondisi dimana IE = 0 melewati titik
origin namun dalam hal lain sama seperti karakteristik-karakteristik yang lain.
Karakteristik ini tidak brhimpitan dengan sumbu tegangan, hal ini sulit untuk
diperlihatkan karena IC bernilai hanya beberapa nano atau micro ampere.

3. ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN


No.
1.
2.
3.
4.
5.

Nama Komponen
DC Power Supply
Multimeter
Transistor NPN BC 107
Resistor 1 k
Kabel kabel penghubung

Jumlah
2
3
1
2
Secukupnya

4. CARA MELAKUKAN PERCOBAAN


1. Karakteristik input

Gambar 1. Rangkaian karakteristik input common basis


a. Hubungkan rangkaian seperti Gambar 1.
b. Aturlah Vcc sehingga Vcb = 0 V. Kemudian atur pula Vee = 0 V .
Ukurlah Ie dan Veb, catat hasilnya pada Tabel 1.
c. Ubah Vcc sehingga Vcb = 2 V. Kemudian ukur ulang Ie dan Veb.
d. Ulangi pengukuran ini untuk harga Vcb dan Vee yang lain.

2. Karakteristik output

Gambar 2. Rangkaian karakteristik output common basis


a. Hubungkam rangkaian seperti pada Gambar 2.
b. Aturlah Vcc sehngga Vcb = 0 V. Kemudian atur pula Vee sehingga Ie = 0.
Ukurlah Ic dan catat hasilnya pada Tabel 2.
c. Ubah Vcc sehingga Vcb = 2V. Kemudian atur pula Vee sehingga Ie = 0. Ukurlah
Ic
d. Ulangi pengukuran ini untuk harga Vcb dan Ie yang lain.
5. HASIL PERCOBAAN
Tabel 1. Karakteristik input

VEE
(V)
0
-2
-4
-6
-8

VCB
= 0V
IE
VEB
(mA)
(V)
0
1.39
3.31
5.33
7.34

0.018
0.669
0.706
0.719
0.734

VCB
= 2V
IE
VEB
(mA)
(V)
0.018
0
1
1.4
0.669
3.31
0.705
5.32
0.7
7.35
0.72

Tabel 2. Karakteristik output

VCB
= 4V
IE
VEB
(mA)
(V)
0.018
0
4
1.46
0.667
3.33
0.635
5.37
0.665
7.38
0.704

VCB
= 6V
IE
VEB
(mA)
(V)
0.018
0
6
1.46
0.605
3.41
0.705
5.37
0.724
7.41
0.682

VCB
= 8V
IE
VEB
(mA)
(V)
0.018
0
7
1.46
0.6
3.39
0.629
5.38
0.724
7.34
0.653

VCB
= 0V
IE
IC
(mA)
(mA)
0
0
1
0.5
2
0.7
3
0.7
4
0.73

VCB
= 2V
IE
IC
(mA)
(mA)
0
0
1
1.15
2
1.52
3
3
4
4.1

VCB
= 4V
IE
IC
(mA)
(mA)
0
0
1
1.2
2
1.53
3
3
4
4.1

VCB
= 6V
IE
IC
(mA)
(mA)
0
0
1
1.15
2
1.6
3
3.05
4
4

VCB
= 8V
IE
IC
(mA)
(mA)
0
0
1
1.125
2
1.6
3
3.05
4
4.2

6. ANALISA DAN PEMBAHASAN


Pada percobaan ini yaitu bertujuan untuk mengetahui karakteristik input dan output
transistor dalam konfigurasi common basis. Konfigurasi common basis yaitu basis digunakan
secara bersama sama pada input dan output. Pertama yaitu melakukan percobaan pada
karakteristik input. Membuat rangkaian seperti pada Gambar 1. Mengatur Vcc = 0 V dengan
multimeter, kemudian atur pula Vee= 0 V dengan multimeter. Transistor masih off, karena
transistor akan on jika memiliki tegangan lebih dari nol. Lalu mengukur Ie dan Veb. Syarat
transistor dapat bekerja yaitu pada sisi input VEE harus dibias maju dan disisi output VCC
harus dibias mundur.
Transistor terdiri dari 2 dioda maka pada VEB besarnya sama dengan tegangan pada
dioda yaitu tidak lebih dari 0.5-0.7V. Saat tegangan VCB dan VEE terus dinaikkan maka
arus pada IE dan tegangan pada VEB juga mengalami kenaikkan. Pada input transistor
terdapat resistor, maka pada sisi input memiliki nilai resistansi. Saat Vee diberi tegangan 0V
tidak ada arus yang mengalir maka resistanya menjadi tak hingga. Transistor akan memiliki
resistansi jika VEE > 0. Apabila Ie semakin kecil maka nilai resistansinya semakin besar.
Resistansi bisa didapatkan dengan rumus :
Resistansi input = VBE
IE
Kedua yaitu melakukan percobaan pada karakteristik output. Membuat rangkaian
seperti pada Gambar 2. Mengatur VCC sehinggaVCB mendapat tegangan = 0V. Selanjutnya
mengaatur VEE = sehingga VEB = 0V, dan didapat IE = 0 A. Lalu akan mendapat nilai Ic.
Pada saat IE = 0V maka tidak ada arus yg mengalir pada sisi output yaitu IC. Saat VCB
masih mendapat tegangan 0 Volt dan IE tidak sama dengan nol terdapat arus pada output (IC)
, tetapi arus sangat kecil. Namun saat VCB mendapat tegangan 2 V, 4V, 6V dan 8V arus pada
IC semakin besar, yaitu mendekati nilai arus pada IE. Sesuai dengan Hukum Kirchoff yaitu
arus yang masuk sama dengan arus yang keluar.

Pada output transistor terdapat resistor, maka pada sisi output memiliki nilai
resistansi. Saat IE = 0mA resistansi pada Ic menjadi tak hingga. Semakin besar nilai IE maka
resistansi menjadi semakin kecil dan semakin besar VCB untuk arus IE tetap maka nilai
resistansinya semakin besar. Karena resistansi outputdan arus IC berbanding terbalik,
semakin besar IE maka arus IC menjadi semakin besar maka resistansi semakin kecil.
Resistansi Input
Dengan rumus :

VBE
IE

VEE
(V)
0
-2
-4
-6
-8

VCB
0V
R
()

481.2
213.2
134.8
100

VCB
2V
R
()

477.8
212.9
131.5
97.9

VCB 4 VCB 6
V V
R
R
()
()

456.8
414.3
190.8
206.7
123.8
134.8
95.3
92.3

VCB 8
V
R
()

410.9
185.5
135.5
88.9

Resistansi Output
Dengan rumus : VCB
IC
VCB
= 0V
IE
R
(mA)
()
0

VCB
= 2V
IE
R
(mA)
()
0

1739.
1
1
1315.
2
7

666.6

487.8

VCB
= 4V
IE
R
(mA)
()
0

3333.
1
3
2614.
2
3
1333.
3
3
4

975.6

VCB
= 6V
IE
R
(mA)
()
0

5217.
1
3
2

VCB
= 8V
IE
R
(mA)
()
0

7111.
1
1
2

3750
1967.
2

1500

5000
2622.
9
1904.
7

7. KESIMPULAN

Konfigurasi common basis yaitu basis digunakan secara bersama sama pada input
dan output.
Syarat transistor dapat bekerja yaitu pada sisi input VEE harus dibias maju dan
disisi output VCC harus dibias mundur.
Transistor terdiri dari 2 dioda maka pada VEB besarnya sama dengan tegangan
pada dioda yaitu tidak lebih dari 0.5-0.7V.
Saat tegangan VCB dan VEE terus dinaikkan maka arus pada IE dan tegangan
pada VEB juga mengalami kenaikkan.
Saat VCB mendapat tegangan 2 V, 4V, 6V dan 8V arus pada IC semakin besar,
yaitu mendekati nilai arus pada IE.

Daftar Pustaka
http://www.meka-tronika.blogspot.co.id/2013/12/transistor-sebagaipenguat.html
www.scribd.co.id

LAMPIRAN