Anda di halaman 1dari 11

LAPORAN PRAKTIKUM

PENGUKURAN SEMESTER 3
No Percobaan

: 05

Judul

: Karakteristrik Transistor

Grup

:4

Nama Praktikan

: REYHAN RAHMAT ADISAPUTRO (1313020040)

Nama Anggota

: a. FEBRIANTO HERMAWAN (1313020051)


b. TIARA EKA ARIYANTI (1313020046)

Kelas

: TL 3A

Tanggal Percobaan

: 28 Oktober 2014

Tanggal Penyerahan

: 4 November 2014
NILAI :

Program Studi

: TEKNIK LISTRIK

Jurusan

: TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA


2014

TUJUAN
Setelah selesai percobaan praktikan diharapkan dapat:
1. Menggambarkan karakteristik transistor
2. Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop
3. Memanfaatkan

rangkaian rangkaian transistor dan prinsip dasarnya dalam dunia

elektronik.
DASAR TEORI
Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip
kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP, konstruksi transistor dapat dilihat pada
Gambar 5.1.

Gambar 5.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP


Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik rangkaian dengan konfigurasi
common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground), seperti ditunjukkan pada Gambar 5.2.

Gambar 5.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor


Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian Gambar 5.2,
yaitu
1.

Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 5.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

Grafik di atas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda emitter
basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut tegangan emitter ke basis
akan serupa dengan karakteristik maju dari dioda hubungan p-n.

Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-nya, maka
arus bias (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barrier-nya, arus bias
(IB) akan naik secara cepat.

2.

Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VC


Gambar 5.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN
Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor.
Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah
breakdown.
Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus I C konstan
terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus I C hanya tergantung dari
besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).
Jika hukum Kirchoff mengenai tegangan dan arus ditetapkan pada loop kolektor (rangkaian CE),
maka dapat diperoleh hubungan:
VCE = VCC ICRC
Dapat dihitung disipasi daya transistor adalah:
PD = VCE . IC
Disipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya
untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi P D max.

Spesifikasi ini

menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolahkan agar transistor masih bekerja
normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya P D max, maka transistor dapat
rusak atau terbakar.
Daerah Saturasi

Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt sampai kira-kira 0.7 Volt (transistor
silicon), yaitu akibat dari efek dioda koleltor-base karena tegengan V CE belum mencukupi untuk
dapat menyebabkan aliran electron.
Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinakkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu
tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada
daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai
pada sisitem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
direpresentasikan oleh status transistor juga dapat dimanfaatkan sebagai saklar elektronik untuk
komputer dan aplikasi kontrol.

DAFTAR PERALATAN
1. Power supply DC
2. Power supply AC
3. Multimeter
4. Dioda Silikon
5. Potensiometer 10k; 1k; 470k
6. Resistor 33k; 100k; 3k3; 10
7. Transistor BC 109; BC 160
8. Osiloskop

DIAGRAM RANGKAIAN

Gambar 4.1 Rangkaian transistor NPN BC 109

Gambar 4.2 Rangkaian transistor PNP BC 160

Gambar 4.3 Skema Rangkaian transistor NPN BC109 untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output)

Gambar 4.4 Skema Rangkaian transistor PNP BC 160 untuk melihat karakteristik IC sebagai
fungsi VCE (karakteristik output)

PROSEDUR PERCOBAAN
1.

Kita rangkai Gambar 4.1, lalu kita buat agar V CE tetap 5 Volt. Kita mengubah nilai I B
mulai dari 10 A sampai 100 A. Lalu terukurlah nilai IC dan VBE.

Dan kita hitung nilai HFE dengan rumus HFE =

IC
IB

Hasil dari pengukuran dan perhitungan ada pada Tabel 1.


2.

Kita memperhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan satu multimeter


sebagai berikut:

Titik-titik pengukuran arus harus di hubung singkat pada saat multimeter


digunakan untuk mengukur titik yang lain.

Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada saat multimeter


digunakan untuk mengukur titik yang lain.

3.

Masih dengan gambar yang sama Gambar 4.1, kita ubah V CE mulai dari 0.1V sampai 5 V
dan kita ubah juga nilai IB dari 25 A sampai 100 A sesuai dengan Tabel 2. Lalu kita ukur nilai
IC. Hasil pengukuran ada pada Tabel 2.

4.

Kita ulangi langkah 1, 2, 3 untuk rangkaian Gambar 4.2. Hasil pengukuran ada pada Tabel
3 dan 4.
Kita memperhatikan bahwa polaritas pada multimeter harus disesuaikan.

5.

Kita merangkai Gambar 4.3, Kita ubah VCE mulai dari 0.1V sampai 5 V dan kita ubah juga
nilai IB dari 25 A sampai 100 A sesuai dengan Tabel 5. Kita ukur nilai I C dan hasil pengukuran
ada pada Tabel 5.

6.

Untuk menampilkan karakteristik, kita ubahlah format YT menjadi XY. Lalu kita
Gambarkan grafik yang tampak pada layar osiloskop di kertas milimeter blok.

7.

Kita ulangi langkah 5 dan 6 untuk rangkaian Gambar 4.4 dan hasilnya ada pada Tabel 6.

TUGAS DAN PERTANYAAN


1. Berdasarkan tabel 1, buatlah grafik karakteristik:
IC = f (IB)
IB = f (VBE)
IC = f (VCE)
2. Apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan output pada rangkaian transistor!
3. Mengapa kurva karakteristik output transistor IC = f (VCE) mempunyai beda panjang!
4. Apa yang dimaksud dengan disipasi daya? Pada grafik IC = f (VCE), gambarkanlah
daerah kerja transistor yang diperbolehkan jika PDmax = 100mW!
5. Jelaskan bagaimana menentukan baik tidaknya transistor dan menentukan jenis
NPN/PNP transistor!
6. Buatlah rangkaian transistor untuk menghidupkan lampu dan jelaskan cara kerjanya!

TABEL EVALUASI

TABEL 1
NPN BC109
VCE = 5 Volt Tetap
IB (A)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

HFE (IC/IB)

IC (mA)

(mA)
126
193
234.67
249
265.2
268.33
277.14
282.5
290
295

1.26
3.86
7.04
9.96
13.26
16.10
19.40
22.60
26.10
29.50

VBE(Volt)
0.65
0.66
0.66
0.66
0.66
0.67
0.67
0.68
0.68
0.68

TABEL 2
IC (mA)
VCE (Volt)
0.1
0.2
0.3
0.5
1

IB = 25A
2.70
4.00
4.20
4.30
4.30

IB = 50A

IB = 75A

IB = 100A

5.20
9.00
9.80
10.30
10.40

7.10
13.40
14.90
16.50
17.30

9.40
16.80
18.80
21.30
23.60

TABEL 3
PNP BC 160
VCE = 5 Volt Tetap
IB (A)
10
20

IC (mA)
0.70
1.70

HFE (IC/IB)
(mA)
103
117

VBE(Volt)
0.57
0.57

30
40
50
60
70
80
90
100

2.80
4.20
5.40
6.60
7.80
8.90
10.10
11.40

128.33
132.25
137.4
140.17
143.86
148
150.44
154.4

0.57
0.58
0.59
0.59
0.60
0.60
0.60
0.60

TABEL 4
IC (mA)
VCE (Volt)
0.1
0.2
0.3
0.5
1

IB = 25A
1.30
1.90
1.90
1.90
2.00

IB = 50A

IB = 75A

IB = 100A

3.10
4.70
4.80
4.80
4.90

4.90
7.00
7.20
7.30
8.40

7.00
10.00
10.20
10.30
10.40

IB = 50A

IB = 75A

IB = 100A

11.44
5.05

16.21
7.45

19.97
10.02

TABEL 5
IC (mA)

Jenis
Transistor
NPN BC 109
PNP BC 160

IB = 25A
5.80
2.47