Anda di halaman 1dari 14

TRIAC

Triac atau dikenal dengan nama Bidirectional Triode Thyristor, dapat mengalirkan arus listrik ke kedua arah ketika
ditrigger (dihidupkan). Triac dapat ditrigger dengan memberikan tegangan positif ataupun negatif pada elektroda
gerbang. Sekali ditrigger, komponen ini akan terus menghantar hingga arus yang mengalir lebih rendah dari arus
genggamnya, misalnya pada akhir paruh siklus dari arus bolak-balik. Operasi triac sangat mirip dengan SCR.
Perbedaannya adalah apabila SCR dihubungkan ke dalam rangkaian ac, tegangan output disearahkan menjadi arus
searah sedangkan triac dirancang untuk menghantarkan pada kedua tengahan dari bentuk gelombang output. Oleh
karena itu, output dari triac adalah arus bolak-balik, bukan arus searah. Triac dibuat untuk menyediakan cara agar
kontrol daya ac ditingkatkan.

Gambar Bentuk fisik triac


Operasi Triac
Kontruksi triac diperlihatkan pada Gambar 2. Triac beroperasi sebagai dua SCR dalam satu bungkus dan dipasang
paralel berkebalikan. Rangkaian ekivalen triac diperlihatkan sebagai dua SCR yang dihubungkan paralel terbalik
seperti diperlihatkan pada Gambar 3. Dengan demikian, triac mampu menghantarkan dengan salah satu polaritas
tegangan terminal. Triac dapat juga ditrigger dengan salah satu polaritas sinyal gerbang.

Gambar Konstruksi Triac

Gambar Struktur, simbol dan rangkaian ekivalen triac


Triac mempunyai tiga terminal; dua terminal utama (MT 2) dan terminal utama 1 (MT1) dan gerbang (G). Terminal
MT2 dan MT1 dirancang demikian sebab aliran arus adalah dua arah. Karena aliran berinteraksi dengan gerbang,
MT1 digunakan sebagai pengukuran terminal referen. Arus dapat mengalir antara MT 2 dan MT1 dan juga antara
gerbang dan MT1. Triac dapat ditrigger agar konduksi pada salah satu arah dengan arus gerbang bergerak masuk
atau keluar dari gerbang. Apabila aliran arah arus terminal utama ditentukan, triac pada dasarnya mempunyai
karakteristik pengoperasian internal yang sama dengan SCR. Triac mempunyai empat kemungkinan mode
pentriggeran. Sehubungan dengan MT1 yaitu:

MT2 adalah positif dan gerbang positif

MT2 adalah positif dan gerbang negatif

MT2 adalah negatif dan gerbang positif

MT2 adalah negatif dan gerbang negatif

Gambar Mode pentriggeran triac


Dua mode pentriggeran tersebut digambarkan pada GamBAR. Karena triac dapat menghantarkan pada kedua
tengahan siklus, maka sangat bermanfaat untuk mengontrol beban yang beroperasi pada arus searah. Efisiensi penuh
dapat dicapai dengan menggunakan kedua tengahan gelombang dari tegangan input ac.
Aplikasi Triac
Skema rangkaian penghubungan triac yang dioperasikan dari sumber ac diperlihatkan pada Gambar 5.

Gambar Rangkaian penghubungan triac ac


Jika tombol tekan PB1 dipertahankan tertutup, arus trigger terus-menerus diberikan pada gerbang. Triac
menghantarkan pada kedua arah untuk menghubungkan semua tegangan ac yang diberikan pada beban. Jika tombol
tekan dibuka, triac kembali OFF atau mati, apabila tegangan sumber ac dan penahanan arus turun menjadi nol atau
polaritas terbalik. Perhatikan bahwa tidak seperti output dari rangkaian SCR yang sama, output rangkaian ini adalah
arus bolak-balik, bukan arus searah.

Gambar Aplikasi triac pada rangkaian penghubungan arus pada motor


Satu aplikasi umum dari triac adalah penghubungan arus ac pada motor ac. Rangkaian penghubungan motor triac
pada Gambar 6 menggambarkan kemampuan triac untuk mengontrol jumlah arus beban yang besar dengan jumlah
arus gerbang yang kecil. Aplikasi ini akan bekerja seperti relay solid-state. Transformator penurun tegangan 24 V
digunakan untuk mengurangi tegangan pada rangkaian thermostat. Tahanan membatasi jumlah aliran arus pada rangkaian gerbang-MTl ketika thermostat terhubung kontaknya untuk menswitch triac dan motor ON. Ukuran kerja arus
maksimum dari kontak thermostat jauh lebih rendah dibandingkan dengan arus kerja triac dan motor. Jika thermostat
yang sama dihubungkan seri dengan motor untuk mengoperasikan motor secara langsung, kontak akan dihancurkan
dengan aliran arus yang lebih besar.
Pengertian SCR (Silicon Controlled Rectifier) dan Prinsip Kerjanya
Silicon Controlled Rectifier atau sering disingkat dengan SCR adalah Dioda yang memiliki fungsi sebagai
pengendali. Berbeda dengan Dioda pada umumnya yang hanya mempunyai 2 kaki terminal, SCR adalah dioda yang
memiliki 3 kaki Terminal. Kaki Terminal ke-3 pada SCR tersebut dinamai dengan Terminal Gate atau Gerbang
yang berfungsi sebagai pengendali (Control), sedangkan kaki lainnya sama seperti Dioda pada umumnya yaitu
Terminal Anoda dan Terminal Katoda. Silicon Controlled Rectifier (SCR) merupakan salah satu dari anggota
kelompok komponen Thyristor.
Silicon Controlled Rectifier (SCR) atau Thrystor pertama kali diperkenalkan secara komersial pada tahun 1956.
SCR memiliki kemampuan untuk mengendalikan Tegangan dan daya yang relatif tinggi dalam suatu perangkat
kecil. Oleh karena itu SCR atau Thyristor sering difungsikan sebagai Saklar (Switch) ataupun Pengendali
(Controller) dalam Rangkaian Elektronika yang menggunakan Tegangan / Arus menengah-tinggi (Medium-High
Power). Beberapa aplikasi SCR di rangkaian elektronika diantaranya seperi rangkaian Lampu Dimmer, rangkaian
Logika, rangkaian osilator, rangkaian chopper, rangkaian pengendali kecepatan motor, rangkaian inverter, rangkaian
timer dan lain sebagainya.
Pada dasarnya SCR atau Thyristor terdiri dari 4 lapis Semikonduktor yaitu PNPN (Positif Negatif Positif Negatif)
atau sering disebut dengan PNPN Trioda. Terminal Gate yang berfungsi sebagai pengendali terletak di lapisan
bahan tipe-P yang berdekatan dengan Kaki Terminal Katoda. Cara kerja sebuah SCR hampir sama dengan
sambungan dua buah bipolar transistor (bipolar junction transistor).

Bentuk dan Simbol SCR


Berikut ini adalah Diagram fisik dan Simbol dari SCR (Silicon Controlled Rectifier) :

Prinsip Kerja SCR


Pada prinsipnya, cara kerja SCR sama seperti dioda normal, namun SCR memerlukan tegangan positif pada kaki
Gate (Gerbang) untuk dapat mengaktifkannya. Pada saat kaki Gate diberikan tegangan positif sebagai pemicu
(trigger), SCR akan menghantarkan arus listrik dari Anoda (A) ke Katoda (K). Sekali SCR mencapai keadaan ON
maka selamanya akan ON meskipun tegangan positif yang berfungsi sebagai pemicu (trigger) tersebut dilepaskan.
Untuk membuat SCR menjadi kondisi OFF, arus maju Anoda-Katoda harus diturunkan hingga berada pada titik
Ih (Holding Current) SCR. Besarnya arus Holding atau Ih sebuah SCR dapat dilihat dari datasheet SCR itu sendiri.
Karena masing-masing jenis SCR memiliki arus Holding yang berbeda-beda. Namun, pada dasarnya untuk
mengembalikan SCR ke kondisi OFF, kita hanya perlu menurunkan tegangan maju Anoda-Katoda ke titik Nol

Gambar Aplikasi triac untuk merubah arus


Triac dapat digunakan untuk merubah arus ac rata-rata menjadi beban ac seperti terlihat pada Gambar 8. Rangkaian
trigger mengontrol titik dari bentuk gelombang ac di mana triac yang dihubungkan ON. Bentuk gelombang yang
terjadi adalah masih arus bolak-balik, tapi arus rata-rata diubah. Pada rangkaian penerangan, perubahan arus menjadi
lampu pijar akan merubah jumlah cahaya yang dipancarkan oleh lampu. Jadi, triac dapat digunakan sebagai
pengontrol keredupan cahaya. Pada rangkaian motor yang sama, perubahan arus itu akan merubah kecepatan motor.
Diac adalah alat seperti transistor dua terminal yang digunakan untuk mengontrol trigger SCR dan triac.
Tidak seperti transistor, dua sambungan diac diberi bahan campuran yang sama kuat dan sama. Simbol diac
memperlihatkan bahwa diac bertindak seperti dua dioda yang menunjuk pada arah yang berbeda. Arus mengalir
melalui diac (pada salah satu arah) ketika tegangan antaranya mencapai tegangan breakover yang diratakan. Pulsa
arus yang dihasilkan ketika diac berubah dari status non-induksi ke status konduksi digunakan untuk pentriggeran
gerbang SCR dan triac.

Gambar Aplikasi diac/triac sebagai peredup lampu


Rangkaian eksperimental peredup lampu triac/diac diperlihatkan pada Gambar 8. Ketika tahanan variabel R, ada
pada harga terendahnya (terang), kapasitor C1mengisi dengan cepat pada permulaan dari masing-masing setengah
siklus dari tegangan ac. Jika tegangan antara C 1, mencapai tegangan triac over dari diac, C 1dikosongkan pada
gerbang triac. Jadi, triac ON (lebih awal) pada tiap setengah siklus dan bertahan hidup (ON) sampai akhir triac
setengah siklus. Oleh karena itu. arus akan mengalir lewat lampu untuk sebagian besar dari diac setengah siklus dan
menghasilkan kecerahan (terang) yang penuh. Pada saat tahanan R 1 naik, waktu yang diperlukan untuk mengisi C1,
sampai tegangan breakover dari diac bertambah. Hal ini menyebabkan triac menyala kemudian pada setiap setengah
siklus. Sehingga panjang waktu arus mengalir pada lampu menjadi berkurang dan cahaya yang dipancarkan juga
berkurang.
Pada metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), lapisan tipis SiO2 ditambahkan antara kontak G
dengan saluran. Transistor n-channel enhancement-mode seperti disimbolkan pada gambar dibawah menawarkan
kinerja yang sangat baik. Simbol Dan Karakteristik N-Channel MOSFET Pada piranti ini tidak dibuat saluran; di
sini saluran konduksi akibat adanya medan listrik antara G dan substrat tipe-n. Dengan tanpa adanya tegangan G,
arus rendah mengalir melalui dua sambungan p-n. Dengan adanya sedikit tegangan G positif, lubang di dekat
material p akan ditolak dan terbentuklah lapisan deplesi. Jika tegangan bertambah positif, elektron yang bergerak
akan membentuk lapisan inversion pada permukaan material p dan menjadi tipe-n. Jika kerapatan lubanh diperkecil
maka elektron yang bergerak akan meningkat. Saat tegangan G mencapai harga ambang vT (sekitar 4 V pada
gambar diatas), konduktivitas pada daerah tersebut telah dinaikkan (enhanced) dan transistor telah dihidupkan
(turned on) dan arus siap mengalir dari D ke S. Arus D tidak proporsional terhadap besarnya vDS. Saat tegangan
pada ujung D dari saluran menjadi lebih positif, secara efektif tegangan G terhadap saluran dan medan listrik yang

terjadi akan menurun. Arus listrik pada lapisan inversi akan menurun. Demikian halnya untuk piranti dengan
saluran-p, dimana lubang sebagai muatan yang bergerak, juga banyak digunakan. Namun perlu diingat bahwa
karena elektron lebih ringan atau mobilitas elektron lebih besar, maka diperlukan saluran yang lebih sempit pada
tipe-n. Transistor saluran-n memberikan kecepatan yang lebih tinggi dan banyak digunakan untuk sistem digital dan
penguat frekuensi respon tinggi. Grafik Deplesi Chanel N MOSFET Bentuk lain dari MOSFET adalah dengan
menambahkan satu lapisan tipis konduksi dengan doping rendah pada daerah saluran antara kontak konduktifitas
tinggi n+ . Pada saat = 0 vGS , maka arus D yang cukup besar akan mengalir. Kita dapat membuat saluran konduksi
berupa deplesi atau enhancement dengan memberikan tegangan yang cukup pada G. Pada piranti dengan saluran-n,
pemberian tegangan G negatif akan membuat saluran menyempit; sebaliknya tegangan positif akan membuat saluran
melebar. Kurva karakteristik gambar s=diatas mirip dengan JFET hanya terdapat satu tambahan kontrol tegangan
positif atau negatif. Terlihat pada gambar diatas bahwa tegangan pinch-off terjadi pada harga sekitar -4 V. Transistor
jenis MOSFET ini tersedia dengan saluran jenis n maupun p. Berbagi Artikel "Metal-Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor (MOSFET)": 0
0 25 Artikel Terkait "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
(MOSFET)" Semiconductor Tipe P dan Tipe NOscilator ColpittsPengertian Dan Struktur ThyristorAtom Dan
Terjadinya Arus ListrikPengoperasian TransistorHistori Transistor BipolarMeningkatkan
Konsep dasar dari struktur Junction Field-Effect Transistor (JFET) dapat di uraikan sebgai berikut. Dibuat saluran
tipis dari sumber (source) S ke saluran/pembuangan (drain) D. Sekeliling saluran (channel) berupa sambungan p-n
dengan panjar mundur pada daerah deplesi. Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan dibuat
lebih negatif. Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n) tergantung lebarnya. Lebar saluran
dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah deplesi yaitu sepanjang sambungan panjar-mundur. Lebar dari
daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada saluran dapat dikontrol dengan memberikan tegangan eksternal
pada gerbang (gate) G. Simbol Dan Kontruksi JFET Arus yang mengalir pada saluran adalah berupa pembawa
muatan yang bergerak (mobile), yaitu dalam hal ini berupa elektron. Perhatikan bahwa tanda panah pada simbol
selalu mengarah ke material tipe-n; dengan demikian dapat dibuat juga jenis saluran-p. Dengan vDS > 0, ujung D
akan positif terhadap S dan elektron akan mengalir dari S ke D atau muatan positif mengalir dari D ke S dan arus
drain iD berharga positif. Dengan vGS = 0 dan tegangan sangat rendah dikenakan pada D, arus yang mengalir akan
berbanding lurus dengan besarnya tegangan vDS. Gambar dibawah memperlihatkan besarnya resistansi v/i =
0,05/0,0002 = 250. Jika tegangan G-S berubah menjadi -2 V, daerah deplesi akan melebar, saluran akan
menyempit, dan resistansi menjadi v/i = 0,05 / 0,0001 = 500. Kita melihat bahwa untuk suatu harga tegangan
D-S, besarnya saluran arus dapat dikontrol melalui tegangan luar. Untuk arus yang mengalir dari D ke S, harus
positif; untuk memberi panjar mundur sambungan p-n harus negatif. Gambar dibawah memperlihatkan karakteristik
JFET untuk vDS berharga rendah. Karakteristek Depletion Junction Field-Effect Transistor JFET Pada tegangan
yang lebih tinggi, karakteristik diperumit oleh adanya ketidak simetrian daerah deplesi. S akan lebih positif terhadap
G dan D akan lebih positif terhadap S. Karenanya dekat ujung D dan saluran menjadi paling positif terhadap G,
panjar mundur menjadi terbesar, dan daerah deplesi menjadi paling lebar. Dengan menurunnya vDS, panjar mundur
meninggi sampai kedua daerah deplesi hampir bertemu, terdapat kecenderungan untuk mencomot (pinch-off)
saluran konduksi. Pada gambar diatas, tegangan pinch-off vp untuk = 0 vGS adalah sekitar 5 V. Di atas pinch-off ,
kenaikan vDS akan menurunkan lebar saluran, membuat offset kenaikan kerapatan arus akibat kenaikan tegangan
D-S, dan kurva iD akan menjadi datar. Karena tegangan saluran-G menentukan lebar lapisan deplesi, dengan adanya
tegangan negatif yang dikenakan pada G, pinch-off terjadi tegangan D-S yang rendah dan arus D berharga rendah.
Perhatikan bahwa untuk vGS = 0 pada gambar diatas, harga vDS 5V memberikan tegangan saluran-G sebesar 5 V
dan pinch-off terjadi; jika vGS = -4V, pinch-off terjadi pada vDS 2V dimana tegangan saluran-G sama dengan Vp.
Di atas pinch-off kurva arus relatif datar sampai tegangan G-D mencapai suatu harga terjadinya patahan avalanche.
Bagian kurva karakteristik i-v dimana iD hampir tidak tergantung pada vDS disebut arus-tetap atau daerah
jenuh
(saturation
region).
Transistor
Pengertian Transistor

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, pemotong (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus
inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
sumber listriknya.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus
yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia
elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog

meling kupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital,
transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa
sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
Cara kerja semikonduktor
Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus
listrik.Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor
dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah
menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge
carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi
arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan
konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah nonkonduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas.Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun
jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah
yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas
dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya,
sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan
elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah
elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk
membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan
yang baru, dinamakan lubang (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.
Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang
dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole).
Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya
gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor.
Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah
semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah

sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang
berlawanan dari seberangnya.
Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan
tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki
jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan
basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.
Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus
juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan
adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi
isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat
tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu
pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan
dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah
inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas
yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.
Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun
dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion
zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang
diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan,
sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagianbagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis.

Cara kerja transistor


Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT
atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa
muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi
dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya

menggunakan satu jenis pembawa muatan(elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik
utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan
transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini
dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat
artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.
Jenis-jenis transistor
Simbol Transistor dari Berbagai Tipe
PNP P-channel
NPN N-channel
BJT JFET
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain
Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta
pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain
plikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain

BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan
sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal
tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis
dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari
penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya
dilambangkan dengan atau hFE. biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai
Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET
membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini
membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda
antara antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di depletion mode, keduanya
memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. FET
lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari
tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai
contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement
mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan
drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe
enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

MOSFET
MOSFET, singkatan dari Metal Oxyde Semi Conductor atau Transistor efek medan, adalah jenis transistor yang
bekerja dengan adanya modulasi dari medan listrik di dalam bahan semikonduktor. Antara FET dan MOSFET tidak
ada perbedaan, hanya yang membedakan:Adanya lapisan S1O2 yang mambatasi gate dan channel.Arus listrik yang
masuk sangat kecil sekali.
Jenis-jenis transistor
efek
medan adalah MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, dan TFT.
Transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan
sebuah
transistor
bipolar (BJT) dan
sebuah
transistor
efek
medan (MOSFET).
Input dari IGBT adalah terminal Gate dari MOSFET, sedang terminal Source dari MOSFET terhubung ke terminal
Basis dari BJT. Dengan demikian, arus drain keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena
besarnya tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber.
Di pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukuo besar untuk membuat BJT mencapai
keadaan saturasi. Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal
sebagai sebuah sakelar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu
menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya.Komponen utama di dalam aplikasi
elekronika daya (power electronics) dewasa ini adalah sakelar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan
dengan peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (BJT),transistor efek medan (MOSFET), maupun
Thyristor. Sebuah sakelar ideal di dalam aplikasi elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
pada saat keadaan tidak menghantar (OFF), sakelar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak
berhingga.
Dengan
kata
lain,
nilai
arus
bocor
struktur
sakelar
sangat
kecil
Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (ON), sakelar mempunyai tahanan menghantar(R_on) yang sekecil
mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin,
demikian pula dengan besarnya daya lesapan (power dissipation) yang terjadi, dan kecepatan
pensakelaran (switching speed) yang tinggi.Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis
peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya
mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena
tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan menghantar (ON) dapat dibuat sekecil mungkin
dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh (saturasi).Sebaliknya, untuk unsur kinerja
nomor (3) yaitu kecepatan switching, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai divais yang bekerja
berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas (majority carrier), pada MOSFET tidak dijumpai aruh penyimpanan
pembawa muatan minoritas pada saat proses pensakelaran, yang cenderung memperlamnat proses pensakelaran
tersebut.Sejak tahun 1980-an telah muncul jenis divais baru sebagai komponen sakelar untuk aplikasi elektronika
daya
yang
disebut
sebagai
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor (IGBT).
Sesuai dengan yang tercermin dari namanya, divais baru ini merupakan divais yang menggabungkan struktur dan
sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat
kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal gate dari IGBT, sebagai
terminal kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET.
Dengan demikian, terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga tidak
membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan
rancangan rangkaian pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari IGBT.Di samping itu, kecepatan
pensakelaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang
setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektoremitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan menghantar (R_on) dari IGBT sangat
kecil,
menyerupai
R_on
pada
BJT.
Dengan demikian bila tegangan jatuh serta resapan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifatsifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan amper, tanpa terjadi
kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor
Listrik (Drive).

TUGAS
MEKATRONIKA

Disusun Oleh:
Saeful Anam (10313026)

UNIVERSITAS KOMPUTER INDONESIA


2015