PERCOBAAN XII
GARIS BEBAN DC TRANSISTOR
NAMA PRAKTIKAN
: SIFA ANISA
: 1. DINY RETNO
2. RIZKI FADILLAH
KELAS / KELOMPOK
TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM
: TT 3-A / KELOMPOK 04
: JUMAT, 6 NOVEMBER 2015
DAFTAR ISI
1
JUDUL..................................................................................................................................1
DAFTAR ISI.........................................................................................................................2
TUJUAN...............................................................................................................................3
DASAR TEORI..................................................................................................................3
ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN.............................................................3
PROSEDUR PERCOBAAN..............................................................................................3-4
DATA HASIL PERCOBAAN..........................................................................................4
ANALISA DATA DAN PEMBAHASAN......................................................................4-6
KESIMPULAN...................................................................................................................6
DAFTAR PUSTAKA.........................................................................................................7
LAMPIRAN...................................................................................................................8-11
1. TUJUAN
2
2. DASAR TEORI
Garis beban dc mengandung informasi semua kemungkinan
titik pengoerasian Q transistor. Ujung atas disebut titik saturasi
sedangkan ujung bawah disebut titik cut off. Untuk menentukan
arus saturasi(titik perpotongan dengan sumbu Ic), maka kolektor
dihubungsingkatkan dengan emitter. Tegangan cut off(titik
perpotongan dengan sumbu Vce ) diperoleh dengan cara
membuka kolektor dengan emitter.
Titik pengoperasian Q sebuah transistor berada pada garis
bebannya. Lokasi yang tepat ditentukan oleh besarnya arus
kolektor dan tegangan antara kolektor dengan emitter. Dengan
base bias, titik Q akan berpindah tempat ketika ada perubahan
nilai R atau V rangkaian.
3. ALAT
4. PROSEDUR PERCOBAAN
1. Buatlah garis beban dc transistor pada kurva karakteristik
output transistor dengan configurasi common basis dari
percobaan IX pada VCC= 8 V ,Rc=1 K.
2. Carilah titik Q ,lalu tentukan nilai Vcb(q), Ie(q), dan Ic(q) dari
grafik.
3. Tentukan dari grafik nilai Ic(1) dan Ie(1) pada saa Vcb=6V dan
tentukan pula nilai Ic(2) dan Ie(2) saat Vcb=2V
4. Buatlah rangkaian seperti gambar dibawah ini.
VE
E
(V
)
4,
4
2,
3
7,
1
Vcb(V)
gra
ukur
fik
Ic(mA)
gra
ukur
fik
Ie(mA)
gra Ukur
fik
4,06
3,9
3,7
3.5
6,26
1,7
1,6
1,55
1,46
6,3
6,4
6,1
0,9
5
1,4
5
Vcb(V)
gra
ukur
fik
4
4,1
6
6,1
2,05
Ic(mA)
gra
ukur
fik
0,7
0,65
5
0,4
0,36
1,2
5
0,84
Ie(mA)
gra Ukur
fik
0,5
0,4
0,2
5
0,7
5
0,25
0,55
perbedaan
yang
sedikit.
Hal
tersebut
bisa
suatu
Vcb
.titik
operasi
dari
transistor
berdasarkan
nilai
RC 1K
Hob=
Ic
Vcb
Veb
hib = Ie
4
Hob = 4 =1
0,7
hib = 3,7 = 0,19
2
Hob= 6 =0,33
0,7
hib= 1,6 =0,44
6
Hob = 2 = 3
0,7
hib= 6,4 =0,11
RC 5,1 K
Hob =
0,75
4 =0,1875
0,7
hib= 0,5 =1,4
Hob =
0,4
6 = 0,066
hib=
Hob =
1,25
2 = 0,625
hib=
0,7
0,25 =2,8
0,7
0,75 =0,93
RC = 1 K
Hrb =
Veb
Vcb
Hrb =
0,7
4 = 1,4
Hrb=
Hrb =
0,7
6
Ic
Hfb= Ie
=0,12
0,7
2 = 0,35
hfb=
4
3,7 =1,08
2
hfb= 1,6 =1,25
6
hfb= 6,4 =0,94
RC = 5,1K
Hrb =
0,7
4 = 1,4
0,75
hfb= 0,5 =1,5
0,7
Hrb= 6
Hrb =
0,4
=1,6
hfb= 0,25
=0,12
0,7
2 = 0,35
1,25
hfb= 0,75 = 1,67
7. KESIMPULAN
Dari praktikum kali ini, dapat disimpulkan bahwa :
1. Besar nilai Ic dan Ie dipengaruhi oleh nilai Rc.
2. penggambaran garis beban dc pada suatu transistor untuk
mengetahui kondisi kerja dari transistor dan agar dapat
dianalisis
dengan
mudah
mendapatkan
nilai/parameter
DAFTAR PUSTAKA
Susanti, Anna . Laboratorium Elektronika Semester III . Jakarta : Politeknik
Negeri Jakarta.2006
LAMPIRAN
10
11
12