Anda di halaman 1dari 32

Bab 2

Fabrikasi Rangkaian Terintegrasi (IC)


Teori Dasar dan Simulasi dengan SUPREM4
Rangkaian terintegrasi (IC) adalah sebuah kristal tunggal silikon yang lazim disebut chip dengan
ketebalan sekitar 0,25 mm serta luas area dari 1 mm 2 sampai dengan 100 mm2. Dalam IC terdapat
sekaligus komponen aktif (misalnya transistor) dan juga komponen pasif (misalnya diode,
resistor, dan kapasitor). Pada bab ini akan dijelaskan proses pembuatan IC secara kualitatif mulai
dari penyiapan wafer, pengotoran lokal (local doping) pelapisan oksida, dan metalisasi melalui
sebuah teknologi yang disebut dengan teknologi planar.

2.1. Teknologi IC Monolitik


Monolitik adalah kosa kata yang diambil dari bahaya Yunani mono (tunggal) dan lithos (batu),
sehingga IC monolitik dapat diartikan sebagai implementasi rangkaian terintegrasi ke dalam
sebuah kristal tunggal atau yang biasa disebut chip. Disebut rangkaian terintegrasi karena
kenyataannya bahwa dalam kristal tunggal tersebut dibuat komponen-komponen rangkaian
misalnya, transistor, diode, resistor, kapasitor juga interkoneksi antar komponen-komponen
tersebut. Selain IC monolitik terdapat rangkaian terintegrasi jenis lain yaitu IC haibrid (hybrid).
Gambar di bawah adalah perbedaan antara IC monolitik dan IC haibrid.

Komponen Rangkaian
(a)

(b)

Gambar (2.1)
a). Rangkaian Terintegrasi monolitik
b). Rangkaian terintegrasi haibrid

2.1.1. Teknologi Planar

Tahap-tahap porses pembuatan rangkaian terintegrasi ke dalam kristal tunggal silikon dilakukan
dengan menggunakan teknologi planar. Contoh sederhana dari IC bipolar dengan menggunakan
teknologi planar ditunjukkan pada Gambar (2.2).
2 -1
n
p(a)
+

Substrat p

n+

Isolasiptipe p+

(b)

Gambar (2.2)
(a). Penampang lintang IC planar yang merupakan realisasi dari
rangkaian Gambar (b).
Seperti yang tampak pada Gambar (2.2) struktur IC planar terdiri atas beberapa lapisan bahan.
Bahan-bahan tersebut antara lain semikonduktor tipe p dan n, lapisan oksida, dan lapisan logam.
Lapisan semikonduktor digunakan substrat atau bodi dimana komponen-komponen IC dibuat.
Lapisan ini juga digunakan sebagai isolasi antar komponen satu dengan komponen lainnya.
Terdapat tiga proses yang digunakan untuk pembentukan lapisan silikon, yaitu epitaksi, difusi,
dan ion implantasi. Lapisan oksida digunakan untuk melindungi permukaan chip dari
kontaminasi serta digunakan untuk pembentukan tipe n atau p pada lapisan semikonduktor pada
derah-daerah tertentu. Lapisan oksida ini dapat di hilangkan dengan menggunakan bahan kimia
(etsa). Lapisan logam tipis biasany diperoleh dengan teknik CVD (chemical vapor deposition)
bahan aluminum dan lapisan ini digunakan untuk interkoneksi antar komponen satu dengan
komponen lainnya..
Dibandingakan dengan rangakaia diskrit, IC memiliki beberapa keunggulan. Di bawah ini adalah
keunggulan rangkaian terintegrasi dibandingkan dengan rangkaian diskrit, antara lain:
(1). Biaya pembuatannya murah (karena produksi masal).
(2). Berukuran kecil.
(3). Keandalannya tinggi. Karena semua komponen dibuat secara bersamaan, tidak dilakukan
penyolderan antar komponen, serta kesalahan mekanis dan elektrisnya rendah.
(4). Kinerjanya baik. Karena biaya pembuatannya murah sehingga memungkinkan untuk
digunakan rangkaian yang lebih komplek untuk memperbaiki karakteristik rangkaian.
(5). Piranti yang cocok. Karena semua transistor dibuat secara bersamaan dengan proses yang
sama, maka karakteristik listrik piranti (terutama pengaruh suhu terhadap karakteristik listrik)
relatif sama.
2 -2

Proses-proses Planar
Terdapat 6 atau 7 tahapan proses independen yang terdapat pada pembuatan IC secara planar,
masing-masing adalah: (1). Penumbuhan kristal semikonduktor yang digunakan sebagai wafer.
(2). Penumbuhan lapisan epitaksi. (3). Oksidasi (4).potolitografi dan etsa secara kimia (5). Diffusi
(6). Ion implantasi (implantation ion) dan (7) tahap metalisasi (pelapisan dengan logam). Berikut
ini dijelaskan tahapan proses tersebut di atas.
2.1.2.1. Penumbuhan Kristal
Terdapat dua teknik yang digunakan untuk menumbuhkan kristal silikon dari bahan lelehan
silikon, yaitu (1) teknik Czochralski dan (2) teknik Bridgman. Di bawah ini adalah penjelasan
dari kedua teknik tersebut di atas.
(1). Teknik Czochralski
Sekitar 90% penumbuhan kristal semikonduktor dilakukan dengan menggunakan teknik
Czochralski, terutama untuk penumbuhan kristal silikon dan kristal galium arsenid diameter
besar. Komponen utama teknik Czochralski adalah peralatan yang disebut puller seperti yang
ditunjukkan pada Gambar 2.1. Pada puller terdapat tiga komponen utama, yaitu: (a) Tungku

Gambar (2.1.)
Crystal puller dengan teknik Czochralski
2 -3

(furnace) yang terdiri atas cawan, seseptor grafit, rotator (searah jarum jam), elemen pemanas,
dan power supply. (b) Crystal pulling yang terdiri atas seed holder, rotator (berlawanan jarum
jam) dan (3) Pengontrol yang terdiri atas sumber gas, pengatur alir, dan sistem pengatur sirkulasi
udara. Pada puller juga terdapat sistem kontrol berbasi microprocessor yang digunakan untuk
mengatur parameter proses seperti suhu, diameter kristal, kecepatan tarikan dan rotasi. Dalam
proses penumbuhan kristal, silikon polikristalin ditempatkan didalam cawan yang dipanaskan
dengan tungku pada suhu di atas titik leleh silikon. Kristal silikon dengan arah kristal yang sesuai
(misalnya <111>) ditempatkan pada seed holder kemudian dimasukkan ke dalam cawan hingga
menyentuh lelehan silikon. Sambil berputar seed holder ditarik keluar secara pelan-pelan
(beberapa millimeter per menit) sehingga diperoleh kristal yang disebut inggot. Kemudian silikon
dalam bentuk inggot ini dipotong hingga menjadi wafer dengan ketebalan tertentu digunakan
sebagai substrat dimana rangkaian terintegrasi dibuat. Sebelum dilakukan proses, salah satu dari
sisi

wafer

dibersihkan

dan

dilapisi

dengan

lapisan

khusus

untuk

menghilangkan

ketidaksempurnaan permukaan.
(2). Teknik Bridgman
Teknik Bridgman sangat populer digunakan untuk penumbuhan kristal GaAs. Secara skematis
perlatan Bridgmen ditunjukkan pada Gambar (2.2).

Gambar (2.2)
2 -4

Skematis peralatan Bridbman yang memiliki dua daerah suhu.


Bahan yang telah dimurnikan dilelehkan pada suhu sekitar 1250 oC pada daerah bersuhu tinggi,
kemudian secara perlaha-lahan dimasukkan ke dalam daerah bersuhu rendah (620oC) sampai
mengeras. Suhu 620oC ini dipilih agar sejumlah kecil arsen (As) tetap melingkupi ruangan
sehingga kristal GaAs terbentuk.
Dari proses penumbuhan kristal ini terbentuklah bahan kristal yang disebut ingot, kemudian
dipotong untuk dibentuk menjadi wafer. Ketebalan wafer ini berkisar antara 0,2 sampai 0,7 mm
dengan diameter berkisar antar 50 sampai 150 mm. Pemotongan ingot menjadi wafer dilakuan
dengan pemotong yang terbuat dari diamond dan diputar dengan kecepatan tinggi. Sebelum
pemotongan bidang datar acuan diletakkan di dasar permukaan selinder untuk mendapatkan arah
kristal yang diinginkan seperti yang ditunjukkan pada Gambar (2.3).

Gambar (2.3)
Wafer dengan identitas bidang datar
Sudut a menandai beberapa karakteristik wafer
2 -5

2.1.2.2. Penumbuhan Lapisan Epitaksi


Dalam pembuatan IC, lapisan epitaksi ini digunakan untuk menumbuhkan lapisan silikon kristal
tunggal sebagai pengembangan dari kristal wafer yang telah ada dengan material yang sama.
Lapisan epitakasi ini ditumbuhkan di dalam sebuah tungku khusus yang disebut reaktor. Bebrapa
bentuk rektor ditunjukkan pada Gambar (2.4)

(a)

Gambar (2.4)
Beberapa reaktor yang digunakan untuk penumbuhan lapisan epitaksi
2 -6
(c)

Terdapat tiga teknik penumbuhan lapisa epitaksi, yaitu: (1). Vapor phase epitaxy (VPE) (2)
Liquid phase epitaxy (LPE), dan (3). Molecular beam epitaxy (MBE). Dengan menggunakan
teknik VPE, lapisan silikon diperoleh berdasarkan reaksi kimia:
2H2 + SiCl4

4HCl + Si

(2.1 )

Proses ini dilangsungkan pada suhu 1200oC (di bawah titik leleh silikon).
2.1.2.3. Oksidasi
Lapisan SiO2 dalam pembuatan IC sering digunakan untuk insulator, dielctric, film pelindung,
masker, pasivator, dan sebagainya. Terdapat dua cara pelapisan oksida pada wafer silikon,
masing-masing adalah:
1). Oksidasi Kering (Dry Oxidation)
Metode ini didasarkan atas reaksi kimia:
SiO2 + O2

SiO2 (2.2)

Laju tumbuh lapisan silikon dioksida dengan metode ini amat lambat, namun lapisan yang
terbentuk sangat merata (uniform), secara relativ bebas dari kecacatan, dan memiliki karakteristik
listrik yang baik. Metode ini biasanya digunakan untuk pembuatan lapisan oksida untuk lapisan
dielektrik tipis seperti yang digunakan dalam pembuatan MOSFET terutam lapisan di bawah area
gate.
2). Oksidasi Basah (Wet Oxidation)
Metode ini didasarkan atas reaksi kimia:
SiO2 + 2H2O

SiO2 + 2H2 (2.3)

Yang menghasilkan laju tumbuh lebih cepat dibandingkan dengan metode oksidasi kering.
Lapisan oksidasi yang dihasilkan cocok untuk lapisan penyekat, lapisan pelindung, masker. Di
bawah ini adalah peralatan yang digunakan untuk penumbuhan lapisan oksidasi.

2 -7

Gambar (2.5)
Peralatan yang digunakan untuk penumbuhan
lapisan oksida
Ketebalan oksida (x) yang terbentuk tegantung pada lama waktu pemrosesan (t) dan diungkapkan
dalam rumus:

A
4 B t
1 1

2
A2

(2.4)

dengan A, B, dan adalah konstanta-konstanta yang tergantung pada karakteristik proses oksidasi
dan dapat dicari dibuku semicoductor device (Mauro Zambuto). Untuk proses oksidasi tipis
(oksidasi tipis: x << A/2 dan waktu oksidasinya pendek), maka nilai 4 B t / A2 1 sehingga
persamaan (2.4) menjadi:

B
t
A

(2.5)

Persamaan di atas memenuhi hukum pertumbuhan linear dan itu terlihat pada ketergantungannya
nilai x pada konstanta laju tumbuh linear B/A.
Untuk proses oksidasi tebal (oksidasi tebal: x >> A/2 dan waktu oksidasinya lama), maka nilai
4B(t + ) >> 1, sehingga persamaan (2.4) menjadi:
2 -8

B (t )

(2.6)

dan persamaan di atas merupakan laju tumbuh parabolis, karena konstanta B bernilai parabolis.
2.1.2.2. Photolitografi dan Etsa Secara Kimia
Dalam pembuatan IC diperlukan pembuatan bukaan SiO2 untuk keperluan doping lokal. Metode
yang digunakan untuk keperluan ini adalah metode photoeching dan diilustrasikan pada Gambar
(2.6).

Gambar (2.6)
Penuangan lapisan photoresist, (b) penyinaran photoresist dengan
sinar UV melalui masker, dan (c) etsa dengan larutan kimia
Selama proses photolitografi , wafer dilapisi dengan film photosensitif serba sama yang disebut
dengan photoresist. Masker dengan pola hitam putih utuk pembuatan bukaan di tempat-tempat
tertentu dilapiskan di atas photoresist lalu diekspose dengan sinar ultra violet (UV) sehingga pola
masker terkopi pada lapisan photoresist. Lalu masker dihilangkan dan wafer etsa dengan
menggunakan larutan kimia (seperti trichloroethylene dan asam hydrofluoric) sehingga terbentuk
seperti Gambar (2.6.c).
2 -9

2.1.2.5. Difusi
Difusi atom-atom pengotor ke dalam silikon merupakan tahap dasar dalam pembuatan IC secara
planar. Proses difusi dilakukan pada suhu sekitar 1000oC yang merupakan titik leleh silikon
selama 1 sampai 2 jam. Dalam sekali proses bisa dimasukkan 20 wafer silikon secara bersamaan
ke dalam tabung quartz. Suhu ruang perlu dikontrol secara cermat untuk menjaga homogenitas
suhu ruangan tungku. Sumber atom pengotor dapat berupa gas (boron, arsenic, dan phosphorus),
cairan, atau padatan yang diekposekan ke permukaan wafer silikon dalam tungku
2.1.2.6. Ion Implantasi
Cara lain untuk memasukkan atom-atom pengotor ke dalam wafer silikon dapat dilakukan
dengan peralatan yang disebut ion implanter. Peralatan ion implanter ditunjukkan pada Gambar
(2.7).

Gambar (2.7)
Sistem ion implantation
Dalam metode ion implantasi ion-ion dopant diimplantasikan ke dalam bahan semikonduktor
melalui berkas ion berenergi tinggi. Metode ini memiliki keunggulan dibandingkan dengan
metode difusi, antara lain: konsentraso dopant dapat dikontrol secara lebih akurat, prifile
impuritas lebih baik, dan suhu prosesnya lebih rendah. Pada Gambar (2.8) adalah perbandingan
penggunaan metode difusi dan ion implantasi.

2 - 10

Gambar (2.8)
Profil doping antar metode difusi dengan metode ion implantasi
Baik metode difusi dan ion implantasi kedua-duanya digunakan dalam pembuatan komponen
diskrit maupun rangkaian terintegrasi, karena kedua teknik ini saling melengkapi satu sama
lainnya. Sebagai contoh, metode difusi digunakan untuk pembentukan deep junction (seperti
pembentukan p-well pada CMOS), sedangkan metode ion implantasi digunakan untuk
pembentukan shallow junction (seperti drain junction dan source junction).
2.1.2.7. Metalisasi
Tahap metalisasi digunakan untuk membentuk interkoneksi antar komponen dalam chip.
(Terkadang juga digunakan sebagai hubungan ohmic (ohmic contact) hubungan penyearah
metal-semikonduktor (rectifier metal-semiconductor contact)) hal ini dilakukan dengan cara
mendeposisikan lapisan aluminum tipis di seluruh permukaan chip. Aluminum dan campurannya
sangat banyak digunakan pada tahap ini karena aluminum memiliki tahanan listrik rendah (2,7
cm untuk Al dan 3,5 cm untuk aluminum campuran).

2 - 11

Lapisan tipis aluminum dapat dilakuan dengan berbagai cara, misalnya physical vapor deposition
(PVD) dan chemical vapor deposition (CVD). Physical vapor deposition dilakukan pada tekanan
hampa dengan teknik evaporasi dan percikan. Pada tabung hampa dilakukan penekanan dari
tekanan atmosfer ke 15 pascal kemudian diikuti penurunan tekanan hingga 5 10-5 pascal atau
lebih kecil. Aluminum dipanasi hingga menguap, molekul-molekul gas menyebar ke segala arah
secara serba sama dan menutupi permukaan wafer. Kemudia pola pada masker digunakan untuk
menentukan pola inter koneksi antar komponen dan aluminum yang tak diingini di etsa.
Teknik CVD lebih sering digunakan untuk pelapisan metal, karena teknik ini mampu digunakan
untuk melapsi sejumlah besar wafer silikon secara bersamaan. Cara kerja teknik CVD adalah
sama dengan cara yang digunakan untuk pelapisan bahan dielektrik dan polysilicon dengan
tahanan listrik lebih rendah dibandingkan dengan teknik PVD.
2.2. Contoh Tahap Pembuatan BJT dan FET
Pada sub ini diberikan contoh pembuatan BJT (Bipolar junction transistor) dan FET (Field Effect
Transistor) dengan struktur seperti pada Gambar (2.9).

Gambar (2.9)
Penampang lintang FET dan BJT
Gambar di atas adalah penampang lintang dari Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor
kanal p (pMOSFET) dan Bipolar Transistor tipe NPN. Berikut ini adalah urutan pembuatan
struktur FET dan BJT yang diambil dari www.ece.uiuc.edu/ece342.

2 - 12

RCA Clean
Pada tahap ini dilakukan pembersihan salah satu sisi wafer silikon untuk persiapan proses
oksidasi. Proses ini dilakukan kurang lebih selama satu jam. Kecuali atom-atom phosphor
sebagai atom pengotor, kemurnian silikon harus tinggi dan semua atom-atom pengotor yang tidak
diinginkan harus dijaga hingga tingkat serendah mungkin. Gambar (2.10) adalah bentuk wafer
silikon.

Gambar (2.10)
Wafer silikon

Initial Oxidation
Pada tahap ini kurang lebih dengan ketebalan 1500 Angstroms ditumbuhkan di atas wafer silikon
pada suhu tungku sekitar 1100oC dengan cara menghembuskan oxygen murni. Gambar (2.11)
adalah penampang setelah tahap ini.

Gambar (2.11)
Penumbuhan lapisa SiO2
Spin on Photoresist

2 - 13

Setelah tahap pelapisan SiO2, beberapa tetes cairan yang mahal (>$ 1,000/gal) yang disebut
photoresist diteteskan di atas wafer. Dengan memutar wafer 3.000 rpm akan diperoleh lapisan
serba sama setebal 3 micron. Gambar (2.12) adalah penumbuhan lapisan photoresist di atas
wafer.

Gambar (2.12)
Penumbuhan lapisan photoresist
Bake and Expose the Photoresist
Setelah pembakar wafer di atas pelat panas sedemikian hingga lapisan photoresist sedikit
mengeras, maka permukaan ini diekspose dengan menggunakan sinar ultra ungu (UV) melalui
suatu masker yang diberi pola dengan chrome. Lapisan photoresist yang terkena UV akan
mengalami reaksi kimia sehingga menjadi lapisan asam. Gambar (2.13) adalah penggambaran
tahap ini.

Gambar (2.13)
Proses penyinaran photoresist dengan UV
2 - 14

Develop the Photoresist


Pada tahap ini dilakukan pengembangan wafer dengan menggunakan larutan yang dapat
menghilangkan lapisan asam (lapisan photoresist yang terekspose oleh sinar UV). Gambar (2.14)
menjelaskan tahap ini.

Gambar (2.14)
Tahap pengembangan photoresist
Bake Photoresist and Etch Oxide
Lapisan photoresist pada tahap ini dibakar lagi di atas pelat panas sehingga dapat menahan
larutan asam kuat yang digunakan untuk menghilangkan lapisan SiO2. Larutan asam
HydroFlouric digunakan untuk menghilangkan oksida ini, tetapi tidak dapat menghilangkan
silikon dan photoresist. Gambar (2.15) menjelaskan tahap ini.

Gambar (2.15)
Tahap etsa oksida
Strip the Photoresist
2 - 15

Pada tahap ini dilakukan pengupasan lapisan photoresist sebelum dilakukan tahap berikutnya.
Gambar (2.16) melukiskan tahap ini.

Gambar (2.16)
Pengupasan lapisan photoresist
Boron Predeposition
Pada tahap ini dilakukan pendopingan atom boron pada suhu tungku 950oC dengan menggunakan
Boron Nitride teroksidasi melalui jendela oksida. Pendopingan ini akan menyebabkan
terbentuknya daerah tipe-p di bawah jendela oksida. Masuknya atom-atom boron ke dalam wafer
semikonduktor tipe-n ini terjadi secara difusi dan di dekat permukaan akan tumbuh lapisan tipis
Borosilicate. Gambar (2.17) di halaman berikut menjelaskan keadaan ini.

Gambar (2.17)
Difusi atom boron dan tumbuhnya lapisan Borosilacate
Remove the Borosilicate Glass

2 - 16

Pada tahap ini dilakukan pengupasan lapisan Borosilicate dengan menggunakan laruatan asam
hydrofluoric dan campuaran antara asam nitride dan asam sulfur. Gambar (2.18) adalah hasil
setelah tahap ini.

Gambar (2.18)
Pengupasan lapisan Borosilicate
Boron Drive
Pada tahap ini dilakukan penumbuhan lapisan silikon dioksida lagi dengan suhu tungku 1100oC
seperti yang dilakukan sebelumnya. Karena pemanasan ini terjadilah penyebaran atom boron.
Penyebaran atom-atom boron ini tidak menyebabkan terjadinya perubahan konsentrasi Boron.
Gambar (2.19) memperlihatkan keadaan ini.

Gambar (2.19)
Penumbuhan lapisan SiO2 dan penyebaran atom Boron
PR2 (scond photoresist step)
Pada tahap ini pola masker yang berbeda hendak dicopikan ke dalam lapisan silikon dioksida
melalui lapisan photoresist seperti yang telah dijelaskan sebelumnya. Pada tahap ini pemasangan
pola masker harus dilakukan secara cermat agar tidak terjadi kesalahan dengan pola yang telah
ada pada wafer sebelumnya. Hasil dari tahap ini dijelaskan pada Gambar (2.20)

2 - 17

Gamabar (2.20)
Pmbuatan jendela oksida dengan masker ke 2
Phosphorous Predeposition
Pada tahap ini dilakukan difusi atom-atom phosphor pada suhu 1000oC melalui jendela oksida
yang telah didefinisikan. Konsentrasi atom-atom phosphor ini mengungguli konsentrasi atom
Boron sehingga mengubah tipe semikonduktor dari tipe-p menjadi tipe-n. Pada daerah lain
pendopingan atom-atom phosphor ini akan menambah konsentrasi atom phsophor dan nanti akan
digunakan sebagai kontak secara listrik. Pada daerah permukaan, akibat adanya lapisan tipis
oksida dengan atom phosphor akan menyebabkan tumbuhnya lapisan Phosphosilicate dan lapisan
ini harus dihilangkan seperti pada lapisan Borosilicate glass setelah tahap predeposisi atom
Boron. Hasil setelah tahap Gambar (2.21)

.
Gambar (2.21)
Difusi atom phosphor
PR3 (third photoresist step)

2 - 18

Pada tahap ini dilakukan pengupasan lapisan oksida dengan menggunakan photoresist ke tiga
untuk membentuk daerah source dan drain Filed Effect Transistor. Hasil dari tahap ini
dijelaskan pada Gamabar (2.22)

Gambar (2.22)
Hasil dari tahap photoresist tahap ke tiga
GateOxydation
Pada tahap ini dilakukan pembuatan lapisan oksida gate dengan ketebalan sekitar 300-500
angstroms pada suhu tungku 1000oC. Gambar (2.23) menjelaskan tahap ini.

Gambar (2.23)
Hasil setelah tahap pembuatan lapisan oksida
PR4 (Fourth photoresist sequence)
Pada tahap ini pembuatan jendela pada lapisan silikon dengan pola masker yang lain. Urutan
pembuatan jendela silikon seperti yang ditrangkan di depan. Jendela-jendela ini nantinya
digunakan sebagai kontak (elektrode) Gambar (2.24) melukiskan keadaan ini.

2 - 19

Gambar (2.24)
Hasil dari pembukaan jendela dengan PR4
Aluminum Evaporation
Pada tahap ini dilakukan pelapisan wafer silikon dengan aluminum. Pelapisannya dilakukan
dengan cara penguapan aluminum di atas permukaan wafer kemudian dipadatkan dengan
ketebalan sekitar 1500 angstroms.Hasil dari tahap ini dilukiskan pada Gambar (2.25)

Gambar (2.25)
Hasil dari pelapisan dengan aluminum

PR5 (fifth photoresist sequence) and contact anneling


Pada tahap ini dilakukan pengupasan lapisan aluminum dengan menggunakan PR5. Setelah
dilakukan pemanasa pada suhu 475oC untuk memperbaiki kontak aluminum dengan silikon
2 - 20

dilanjutkan, maka piranti yang dihasilkan telah siap untuk dilakukan pengetesan. Hasil dari tahap
ini dilukiskan pada Gambar (2.26)

Gambar (2.20)
Hasil dari pengupasan lapisan aluminum dengan menggunakan PR5

Simulasi Pembuatan Piranti Berstruktur MOS dengan Menggunakan SUPREM4


SUPREM4 adalah program simulasi yang dapat mensimulasikan berbagai langkah tahap-tahap
proses dalam pembuatan piranti berstruktur MOS atau piranti lainnya. SUPREM4 merupakan
simulator 2D yang mampu menampilkan profil doping dalam arah lateral dan vertikal. Dalam
SUPREM4 sudah disediakan statemen-statemen atau komando-komando yang diperlukan untuk
pembuatan piranti, dan komando-komando itu diantaranya adalah:
A. GRID
GRID adalah daerah jaring penampang piranti dalam arah vertikal dan horisontal yang
menentukan informasi daerah-daerah sambungan. Setatemen yang diprlukan untuk pendefinisian
GRID adalah LINE, sedang parameter tambahan yang diperlukan adalah:
loc yang menunjukkan letak titik pada sumbu line
spac yang merupakan besar daerah grid antar titik pada sumbu line dan besar
tag yang merupakan penunjuk batas yang akan digunakan oleh setatemen berikutnya.

2 - 21

B. REGION
Region adalah daerah jaring divais yang akan dikenai proses. Setatemen yang digunakan adalah
REGION, sedang sebagai parameter tambahnnya adalah :
silicon yang menunjukkan jenis material yang dipilih pada region. Material lain misalnya
adalah oxide, nitride, poly, gas, oxynitr, photores, aluminum.
xlo, xhi, ylo, dan yhi adalah penunjukkan batas region sedangkan nilainya diambil dari
statemen tag.
C. BOUNDARY
Bondary adalah daerah permukaan substrat yang dikenai proses, sedang statemennya adalah
BOUND, parameter tambahan setatemen ini adalah :
exposed yang menunjukkan batas permukaan substrat
xlo, xhi, ylo, dan yhi adalah penunjukkan batas region sedangkan nilainya diambil dari
setatemen tag.
D. INITIAL
Definisi ini bertujuan untuk menentukan jenis, konsentrasi dan orientasi substrat yang digunakan
dalam proses. Setatemen yang digunakan adalah INIT sedang parameter tambahannya adalah :
phos yang menunjukkan jenis takmurnian yang dipilih. Atom-atom takmurnian lain yang
sering digunakan adalah antimony, arsenic, dan boron.
conc adalah parameter yang menunjukkan besar konsentrasi atom-atom takmurnia.
orient adalah parameter yang menunjukkan orientasi substrat, misalnya, (111), (100),
(110), (101) dan lain sebagainya.
inf adalah parameter yang menunjukkan nama file yang akan dibaca pada program.
E. PROCESS
Tahap ini merupakan langkah untuk menentukan jenis-jenis proses yang akan dilakukan seperti
oksidasi, difusi, implantasi ion, pembuatan masker,

dan lain sebagainya. Setatemen yang

digunakan antara lain DIFFUSE untuk oksidasi dan difusi, IMPLANT untuk implantasi ion,
ETCH untuk membuka daerah-daerah tertentu sebagai jendela. parameter tambahan untuk
statemen ini adalah oxide, start, continue, dan done.
2 - 22

oxide adalah parameter yang menunjukkan jenis material yang akan dietsa.
start, continue, dan done adalah parameter yang menunjukkan titik pada permukaan
divais yang akan dietsa.
F. PLOT
Komando PLOT digunakan untuk memperlihatkan hasil-hasil yang diperoleh dalam simulasi.
Gambar yang dihasilkan dapat ditampilkan dalam 1 dimensi (1D), 2 dimensi (2D), atau 3 dimensi
(3D). Statemen yang digunakan adalah PLOT. parameter tambahan untuk statemen Plot.1D
adalah x.val, line (line.type), symb, y.min, y.max, x.min, dan x.max.
x.val adalah parameter yang menunjukkan nilai pada sumbu x yang akan digambar.
line adalah parameter yang menunjukkan tipe atau warna garis.
symb adalah parameter yang menunjukkan tipe simbol yang akan diikutkan pada gambar
y.min dan y.max adalah parameter yang menunjukkan rentang variabel yang akan
digambar. Jika variabel yang dimaksud berharga logaritmis cukup ditulis dengan nilai
pangkatnya saja, misal untuk menuliskan nilai antara 1016 dan 1010 cukup ditulis 16 dan
10 saja.
x.min dan x.max adalah parameter yang menunjukkan rentang nilai pada sumbu x.
Parameter tambahan yang diperlukan untuk statemen Plot.2D adalah bound, fill, y.min, dan
y.max.
bound adalah parameter yang menunjukkan batas-batas divais dan antar muka material.
fill adalah parameter yang menunjukkan nilai rasio.
y.min dan y.max adalah parameter yang menunjukkan rentang nilai pada sumbu y.
Beberapa statemen lain yang diperlukan dalam menampilkan gambar hasil simulasi adalah Select
z dengan z adalah nilai variabel yang akan digambar, Color, dan Pause. Parameter tambahan
untuk statemen color adalah min.v, max.v, dan silicon
color adalah parameter yang menujukkan warna yang akan digunakan dalam
penggambaran divais.
min.v dan max.v adalah parameter yang menunjukkan rentang konsentrasi.
silicon adalah parameter yang menunjukkan material yang digambarkan.

2 - 23

Sedang statemen Pause bertujuan agar gambar yang akan ditampilkan berhenti sampai ditekan
tombol F1. Berikut ini adalah implementasi urutan pembuatan piranti berstruktur MOS dengan
menggunakan SUPREM4 (dalam bentuk proogram) yang dilakukan dalam 4 tahap.

# TAHAP PERTAMA
# set awal
set echo
option quiet
# definisi dimensi x
line x loc = 0.0 spacing = 1.25 tag = left
line x loc = 7.5 spacing = 1.00
line x loc = 25.0 tag = right
#definisi dimensi y
line y loc = 0.0 spacing = 0.10 tag = top
line y loc = 1.00 spacing = 0.04
line y loc = 1.60 spacing = 0.025
line y loc = 2.00 spacing = 0.03
line y loc = 2.60 spacing = 0.016
line y loc = 3.00 spacing = 0.60
line y loc = 12.00 tag = bottom
# Penyiapan Wafer Silikon
region silicon xlo = left xhi = right ylo = top yhi = bottom
#Definisi Daerah Permukaan yang Akan Diekspus
bound expose xlo = left xhi = right ylo = top yhi = top
#Konsentrasi Awal dan Orientasi Kristal Substrat
init phos conc = 5.20e14 orient = 100
#Pembuatan Lapisan Oksida
diffuse time = 330 temp = 900 weto2
#Pembuatan Jendela dengan Masker I
etch =oxide start x = 7.5 y = 0.276
etch oxide continue x = 39.5 y = 0.276
etch oxide continu x = 39.5 y = -0.324
etch oxide done x = 7.5 y = -0.324
#Proses Predeposisi untuk Memasukkan Atom Impuritas
diffuse time = 32 temp = 1050 boron gas.conc = 2.0e20
2 - 24

#Penggambaran Profil Piranti Tahap I


plot.2d bound fill label y.min = -0.5 y.max = 2.0
color color = 4 silicon
color color = 5 oxide
select z = log10(boron)
color color = 1 min.v = 15 max.v = 17
color color = 2 min.v = 17 max.v = 19
color color = 3 min.v = 19 max.v = 20
pause
sel z=(log10(phos)) title = "Distribusi Phospor Pada x =3.5 (75_a)"
plot.1d x.val = 3.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.max = 1.2
pause
sel z=(log10(abs(boron-phos))) title = "Distribusi Boron Pada x = 6.5 (75_a)"
plot.1.d x.val = 6.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.max = 1.4
pause
sel z=(log10(abs(boron-phos))) title = "Distribusi Boron pada x = 23.5 (75_a)"
plot.1d x.val = 23.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min 12 x.min = 0.0 x.max = 1.6
pause
#Penyimpangan Data
Structure outf = 754a.str
quit
Bila program ini dijalankan akan dihasilkan Gambar (2.27).

Gambar (2.27)
2 - 25

Penampang 2 dimensi hasil tahap pertma


# TAHAP KE DUA
# set awal
init inf = 754a.str
#Pembuatan Lapisan Oksida ke Dua
diffuse time = 37 temp = 900 weto2
etch oxide start x = 0.0 y = 0.30
etch oxide continu x = 7.5 y = 0.35
etch oxide continu x = 7.5 y = -0.40
etch oxide done x = 0.00 y = -0.35
#Pengambaran Profile Piranti Tahap II
plot.2d bound fill label y.min = -0.5 y.max = 2.0
color color = 4 silicon
color color = 5 oxide
select z = log10(boro)
color color = 1 min.v = 15 max.v = 17 silicon
color color = 2 min.v = 17 max.v = 19 silicon
color color = 3 min.v = 19 max.v = 20
pause
sel z = (log10(phos)) title ="Distribusi Phospor Pada x = 3.5 (75_b)"
plot.1d x.val = 6.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.max = 0.0 x.min = 1.2
pause
sel z = (log10(abs(boron-phos))) title ="Distribusi Boron Pada x = 6.5 (75_b)"
plot.1d x.val = 6.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.min = 1.4
pause
sel z=(log10(abs(boron-phos))) title = "Distribusi Boron pada x = 23.5 (75_b)"
plot.1d x.val = 23.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.max = 1.6
pause
#Penyimpanan Data
structure foutf = 745b.str
quit

2 - 26

Gambar (2.28) adalah hasil yang diperoleh dari tahap ini.

Gambar (2.28)
Penampang 2 D piranti setelah tahap 2

# TAHAP KE TIGA
# set awal
init inf = 754b.str
#Pembuatan Oksda Gate I
diffuse time = 10 temp = 1100 dryO2
#Pembukaan Jendela dengan Masker III
etc oxide start x = 21.5 y = 0.38
etch oxide continu x = 25.0 y = 0.38
etch oxide continu x = 25.0 y = 0.15
etch oxide done x = 21.5 y = 0.15
#Penggambaran Profil Piranti Tahap II
plot.2d bound fill label y.min = -0.5 y.max = 2.5
color color = 4 silicon
color color = 5 oxide
2 - 27

select z = log10(boron)
color color = 1 min.v = 15 max.v = 17 silicon
color color = 2 min.v = 17 max.v = 19 silicon
color color = 3 min.v = 19 max.v = 20 silicon
pause
sel z =(log10(phos)) title ="Distribusi Phospor Pada x = 3.5(754c)"
plot.1d x.val = 3.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.max = 1.5
pause
sel z = (log10(abs(boro-phos))) title ="Distribusi Boron Pada x = 6.5(745c)"
plot.1d x.val = 6.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.max = 2.5
pause
sel z = (log10(abs(boron-phos))) title ="Distribusi Boron Pada x=3.5(754c)"
plot.1d x.val = 23.5 line = 1 symb = 1 y.max=21 y.min = 12 x.min 0.0 x.max = 3.0
pause
#Penyimpangan Data
structure outf=754c.str
quit
Hasil dari tahap ini dapat dilihat pada Gambar (2.29).

Gambar (2.29)
2 - 28

Penampang 2D setelah tahap 3


# TAHAP KE EMPAT
# set awal
init inf = 754c.str
#Pembuatan Elektrode Drain, Gate, dan Source
deposit aluminum thick =0.45 div = 8
#Penghapusan Lapisan Aluminum dengan Masker IV
etch aluminu start x = 0.0 y = 0.05
etch aluminum continu x = 25.0 y = 0.05
etch aluminum continu x = 25.0 y = -0.31
etch aluminum done x = 0.0 y = -0.31
etch aluminum start x = 10.0 y=0.18
etch aluminum continu x = 19.0 y = 0.18
etch aluminum continu x = 19.0 y = -0.31
etch aluminum done x = 10.0 y = -0.31
#Pembuatan Etsa yang Sama
structure mirror left
#Penggambaran Profil Piranti Hasil Tahap IV
plot.2d bound fill label y.min =-0.5 y.max = 2.5
color color =4 silicon
color color = 5 oxide
color color = 6 aluminum
select z=log10(boron)
color color = 1 min.v=15 max.v = 17 silicon
color color=2 min.v =17 max.v = 19 silicon
color color = 3 min.v = 19 max.v = 20 silicon
pause
sel z=(log10(phos)) title="Distribusi Phospor Pada x=3.5(754d)"
plot.1d x.val=3.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min =12 x.min = 0.0 x.max=1.5
pause
sel z=(log10(abs(boron-phos))) title ="Distribusi Boron Pada x = 6.5 (754d)"
plot.1d x.val = 6.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min =12 x.min = 0.0 x.max = 2.5
pause
sel z=(log10(abs(boron-phos))) title ="Distribusi Boron Pada x = 23.5 (754d)"
plot.1d x.val = 23.5 line = 1 symb = 1 y.max = 21 y.min = 12 x.min = 0.0 x.max = 3.0
pause
#Penyimpanan Data
2 - 29

struture outf = 754d.str


quit
Hasil dari tahap ini dapat dilihat pada Gambar (2.30)-(2.33).
Gambar (2.31)

Penampang 2D setelah tahap 4


Gambar (2.31)
Profil distribusi konsentrasi atom phospor
pada sumbu x = 3,5 mm

2 - 30

Gambar (2.31)
Prifil distribusi lateral konsentrasi atom boron pada sumbu x = 6,5 mm

Gamabar (2.32)
Profil distribusi vertikal konsentrasi atom boron
pada sumbu x = 23,5 mm

2 - 31

Soal-Soal Latihan
Sebutkan beberapa keunggulan IC dibandingkan dengan rangkaian diskrit
Senaraikan (list) tahap pembuatan IC monolitik
Jelaskan beberapa metoda penumbuhan kristal silikon
Jelaskan metoda-metoda untuk penumbuhan lapisan SiO2 dan tuliskan rumus kiamia yang
digunkan
Jelaskan bagaimana metoda difusi dan ion implantasi direalisasikan.

2 - 32

Anda mungkin juga menyukai