Modulo I Ecus y Potenciacion

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UNIDADES DE CONTROL ELECTRONICO, ECM

Una unidad de control est compuesta por diversos componentes que
permiten que un Procesador pueda realizar funciones a alta velocidad.
Gran parte de los circuitos que se encuentran al interior de una unidad de
control estn destinados, para que se pueda tener estabilidad en este proceso, el
siguiente es un resumen de las partes ms bsicas de un mdulo de control ECM.
CIRCUITO FUENTE.
Est diseado para regular la tensin a un valor constante de 5V, est
compuesto por una serie de circuitos los cuales buscan mantener estabilidad a la
entrada de tensin del mdulo de control.
CIRCUITO PROCESAMIENTO DE DATOS.

Est diseado para manejar toda la parte lgica del ECM, es el encargado
de decidir que se debe hacer a cada momento, cuenta con un Procesador y una
Memoria, cada uno de ellos, trabaja de acuerdo a una frecuencia constante, que
opera un componente llamado Cristal o reloj, la memoria almacena toda la
informacin de operacin del ECM.
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Informacin Ing. Armado Donado 0414-0379589 / 0414-1667123 / 0424-6730643
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CIRCUITOS DRIVER O SALIDAS.

Este conjunto de componentes est diseado para operar las salidas de
comando hacia los actuadores, su misin es manejar la corriente de inyectores,
bobinas, rels, y todos los elementos que tengan un consumo importante de
Amperaje, principalmente estn compuesto por uno o varios transistores.
ENLACE DE DATOS Y PERISFERIA.

Esta parte del ECM, est diseada principalmente para preparar seales de
entrada y comunicacin con la red, tambin gran parte de estos circuitos est
diseada para filtrar muchas seales que
manejan en la unidad de control,
ejemplo la entrada de los sensores.
1. COMPNENTES DE UN MODULO.
En el interior del mdulo encontramos la electrnica est compuesta por
una gran variedad de componentes y el arreglo del circuito es un trabajo muy
delicado de ingenieros especializados que realizan muchos clculos Matemticos
para poder llevar todos esos elementos a la final consecucin, algunos circuitos
pueden ser de fcil compresin para el Tcnico pero otros por el contrario
requieren un poco ms de preparacin y esfuerzo, pero l no entender el diseo
del circuito, no quiere decir que el Tcnico no pueda llevar a cabo una buena
reparacin utilizando el mejor componente para su reemplazo, dentro de los varios
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elementos que se van a encontrar en un MODULO lo primero que se debe tener

en cuenta es si el componente se clasifica como PASIVO o ACTIVO el concepto
de esta identificacin se lista a continuacin.
COMPONENTES PASIVOS:
Se puede definir a los componentes pasivos como aquellos que no
producen amplificacin y que sirven para controlar la electricidad, colaborando al
mejor funcionamiento de los elementos activos (los cuales son llamados
genricamente semiconductores). Los componentes pasivos estn formados por
elementos de diversas clases y se tendrn que considerar independientemente,
ya que son diferentes sus objetivos, construccin y resultados, de modo que se
pueden dividir en tres grandes grupos:
1. Resistencias.
2. Condensadores.
3. Bobinados.
1. Resistencias.
Las resistencias se pueden
definir
como aquel componente que pone
cierta dificultad al paso de la corriente elctrica. Es decir, ofrece resistencia a

dejarse atravesar por la corriente elctrica en los ms variados valores segn el
tipo de componente, de modo que pueden cumplir diversas funciones.
Las resistencias, son los elementos que ms abundan en los circuitos
electrnicos. Cuando destapemos cualquier caja que contenga semiconductores
las veremos con profusin, distinguidas en seguida por aros de vivos colores que
las envuelven y que, indican el valor de su resistencia hmica, de acuerdo con su
cdigo.
Clases de Resistencias:
Estableceremos una clasificacin de las resistencias de acuerdo con la
forma de estar construidas, y tambin de acuerdo con los materiales con los se
lleva a cabo esta construccin.
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Resistencias aglomeradas.
Resistencias de capa o pelcula.
Resistencias Bobinadas.
Las resistencias aglomeradas se componen de una masa homognea de
grafito mezclado con un elemento aglutinante, fuertemente prensado en forma

cilndrica y encapsulada en un manguito de material aislante como el plstico. El
valor hmico de una resistencia de carbn, es decir, su mayor o menor facilidad
para dejar pasar la corriente elctrica depende de las proporciones del grafito y
aglutinante empleadas en su fabricacin.
En las resistencias de capa o pelcula, el elemento resistivo es una finsima
capa de carbn sobre un cuerpo aislante, de forma tambin cilndrica. El cuerpo
central es, en algunos casos, un minsculo tubo de cristal con los terminales de
conexin conectados a cada extremo. Una variante de este tipo de resistencias
son las llamadas resistencias de pelcula metlica, en las que la capa de carbn
ha sido sustituida por una aleacin metlica de alta constante resistiva (nquel,
cromo u oro-platino) o un xido metlico como el xido de estao.
En las resistencias bobinadas se emplea un hilo conductor que posee una
resistencia especfica especialmente alta. El hilo conductor se arrolla encima de un
cuerpo, generalmente un tubo de cermica. En cuanto a los extremos del hilo, se
fijan generalmente con abrazaderas que a su vez pueden servir como conexiones
para el montaje e incluso, si las abrazaderas son desplazables se pueden obtener
valores de resistencia parciales. En muchas ocasiones se hallan tambin
colocadas dentro de un prisma cermico de seccin cuadrada y se sellan con una
silicona especial para que se hallen debidamente protegidas.
Valor hmico y tolerancia de las resistencias:

Lo ms importante de las resistencias es su valor hmico, es decir, la
oposicin que ofrece al paso de la corriente elctrica. Este valor no tiene ninguna
relacin con el tamao, sino que los materiales constituyentes de la resistencia. En
cuanto al valor hmico hay que tener en cuenta que ste queda afectado por el
calor, el calor se produce siempre que la corriente elctrica pasa a travs de una
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resistencia, y este aumento de la temperatura modifica el valor de las resistencias.

Por este motivo, en algunos aparatos de medida hay que esperar hasta que
se hayan calentado las resistencias antes de hacer la medicin para que cese la
variacin de resistencia que estos elementos provocan. Tngase en cuenta que,
despus de cierto tiempo, se establece un estado de equilibrio entre el calor
producido y el calor irradiado, con lo que la temperatura no sigue aumentando. De
todos modos, el valor asignado a una resistencia es siempre aproximado, y de ah
que deba contarse siempre con una tolerancia, de modo que el valor nominal
puede variar dentro de ciertos lmites.
Para qu sirven las resistencias

En los circuitos electrnicos, tanto las tensiones como las corrientes es
preciso controlarlas para conseguir los efectos deseados. No podemos, por
ejemplo, mandar indiscriminadamente corriente a la base de un transistor; por el
contrario, estas bases precisan siempre tensiones de polarizacin para que
puedan funcionar dentro de los lmites correctos, lo cual quiere decir que la tensin
de base de un transistor debe mantenerse a una tensin constante con respecto el
emisor.
Indicacin del valor de las resistencias

Es muy importante conocer el valor de cada una de las resistencias que
forman parte de un circuito, ya que si alguna vez se ha de cambiar alguna
resistencia que la sepamos sustituir por otra del valor adecuado.
El valor de las resistencias va grabado sobre ellas y puede venir indicado
por medio de cifras, por anillos de color o bien por puntos de color, grabado todo
ello, como decimos, sobre la superficie exterior del componente y de acuerdo con
un cdigo que se debe conocer. El uso de anillos de color pintados es el sistema
ms corriente utilizado en electrnica, y es el que vamos a estudiar en esta
pgina.
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Cdigo de Colores.
Es el cdigo con el que se regula el marcado del valor nominal y tolerancia
para resistencias fijas de carbn y metlicas de capa fundamentalmente.
Se puede resaltar que con estos cdigos lo que obtenemos es el valor
nominal de la resistencia pero no el valor real que se situar dentro de un margen
segn la tolerancia que se aplique.
Cdigo de colores para tres o cuatro bandas.
Tolerancia: sin indicacin +/- 20%

Cdigo de colores para cinco bandas
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Resistencias de montaje superficial SMD (Surface Mounted Devices)

Identificar el valor de una resistencia SMD es ms sencillo que para una
resistencia convencional, ya que las bandas de colores son reemplazadas por sus
equivalentes numricos y as se imprimen en la superficie de la resistencia, la
banda que indica la tolerancia desaparece y se la "reemplaza" en base al nmero
de dgitos que se indica, es decir; un nmero de tres dgitos nos indica en esos
tres dgitos el valor del resistencia, y la ausencia de otra indicacin nos dice que
se trata de una resistencia con una tolerancia del 5%. Un nmero de cuatro dgitos
indica en los cuatro dgitos su valor y nos dice que se trata de una resistencia con
una tolerancia del 1%.
Figura 2
Figura 1
Nmero
Exponente
10
100
1000
10000
100000
1000000
10000000
100000000
1000000000
Primer dgito: corresponde al primer dgito del valor

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Segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor
Tercer dgito: (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a

agregar. (figura 1)
Tercer dgito: (1%): corresponde al tercer dgito del valor. (figura 2)
Cuarto dgito: (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a

agregar.
Ejemplo 1: Resistencia con 3 dgitos (5%)
650
332
472
1 dgito = 6 1 dgito = 3 1 dgito = 4

=1
= 100
= 100
65 x 1 =
33 x 100 =
47 x 100 =
65 ohms
3300 ohms 4700 ohms
Ejemplo 2: Resistencia con 4 dgitos (1%)
1023
1000
2492

= 1000
=1
= 100
102 x 1000 =
100 x 1 =
249 x 100 =
102 Kohms
100 ohms
24.9 Kohms
Debido a que en los dispositivos de montaje superficial el espacio

disponible es muy reducido se intenta en lo posible aprovechar este espacio
optimizando la informacin presentada.
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Esta clase de optimizacin puede en algunos casos causar confusin, sin

embargo veamos que todos los valores son interpretables.
Ejemplo 3: resistencias (Leyendas poco usuales)
Primer caso: La resistencia con la leyenda 47, se le ha aplicado una costumbre

comn en muchos fabricantes que es la de la supresin del cero innecesario. Es
decir estamos ante un resistor que normalmente debera tener estampado el
nmero 470 (47ohms), pero que se le ha quitado el 0 por conveniencia. Este es un
caso comn en prcticamente todos los resistores con 2 cifras. Note que el valor
de resistencia indicado no hubiese cambiado, an cuando tuviera estampado el
nmero 470 o 4700, solo su porcentaje de tolerancia o error.
Segundo caso: En la resistencia con la leyenda 1R00 la R representa al punto
decimal, es decir, deberamos leer "uno-punto-cero-cero". Aqu el cuarto dgito no
solo nos dice que se trata de un exponente cero sino que tambin su existencia
manifiesta la importancia de la precisin (1%). Se trata simplemente de un resistor
de 1 ohm con una desviacin mxima de error de +/- 1%
Tercer caso: (1R2) es similar al anterior, sin embargo a diferencia de este se le ha
aplicado la supresin del cero por lo que deberamos entender que se trata de un
resistor de 1.2 ohms con una tolerancia del 5% de error.
Cuarto caso: (R33), tenemos el valor 0.33 al cual se le suprimi el cero. La
ausencia de un cuarto dgito nos dice que se trata de un resistor "comn" de 0.33
ohm 5%.
Quinto caso: es uno de los ms comunes y en general abundan en muchas
placas con dispositivos SMD. El 000 nos dice que se trata de un resistor de cero
ohm, es decir un simple conductor. Esto es debido a que la densidad del trazado
es tan alta que no queda otro remedio que recurrir al viejo "puente". En otros
casos estos componentes son usados como proteccin fusible aprovechando las
dimensiones reducidas del material conductor.
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CONDENSADORES.
Si se quiere entender un poco el significado de los condensadores, se tiene
que en el Automvil el condensador ms grande que se tiene es la batera, ella
absorbe un incremento en el voltaje generado por el
alternador y estara en
capacidad de luego entregarlo en un momento que el generador cargue menos

que ese voltaje que anteriormente cargo, manteniendo as lo mas constante
posible la tensin del sistema.
Bsicamente un condensador es un dispositivo capaz de almacenar energa
en forma de campo elctrico. Est formado por dos armaduras metlicas paralelas
(generalmente de aluminio) separadas por un material dielctrico.
Va a tener una serie de caractersticas tales como capacidad, tensin de
trabajo, tolerancia y polaridad, que deberemos aprender a distinguir.
Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan

grande que se suelen utilizar varios de los submltiplos, tales como
microfaradios (F=10-6 F), nano faradios (nF=10-9 F) y pico faradios (pF=1012
F).
Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un

condensador, que depende del tipo y grosor del dielctrico con que est
fabricado. Si se supera dicha tensin, el condensador puede perforarse
(quedar cortocircuitado) y/o explotar. En este sentido hay que tener cuidado
al elegir un condensador, de forma que nunca trabaje a una tensin
superior a la mxima.
Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error mximo que

puede existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad
indicada sobre su cuerpo.
Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad

superior a 1 F tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensin
prestando atencin a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los
inferiores a 1F, a los que se puede aplicar tensin en cualquier sentido, los
que tienen polaridad pueden explotar en caso de ser sta la incorrecta.
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Tipos de Condensadores.
Se presentan a continuacin una serie de condensadores de los ms tpicos
que se pueden encontrar.
1. Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en

electrolito. Siempre tienen polaridad, y una capacidad superior a 1 F.
Arriba observamos claramente que el condensador n 1 es de 2200 F, con
una tensin mxima de trabajo de 25v. (Inscripcin: 2200 / 25 V).
Abajo a la izquierda vemos un esquema de este tipo de condensadores y a
la derecha vemos unos ejemplos de condensadores electrolticos de cierto
tamao, de los que se suelen emplear en aplicaciones elctricas (fuentes de
alimentacin, etc.).
2. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima

pelcula de xido de tantalio amorfo, que con un menor espesor tiene un
poder aislante mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1
F. Su forma de gota les da muchas veces ese nombre.
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3. De polister metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 F

y tensiones de trabajo a partir de 63v. Ms abajo vemos su estructura: dos
lminas de poli carbonato recubierto por un depsito metlico que se
bobinan juntas. Aqu al lado vemos un detalle de un condensador plano de
este tipo, donde se observa que es de 0.033 F y 250v. (Inscripcin: 0.033
K/ 250 MKT).
4. De polister. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de
fabricacin algo diferente. En ocasiones este tipo de condensadores se
presentan en forma plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas
de color, recibiendo comnmente el nombre de condensadores "de
bandera". Su capacidad suele ser como mximo de 470 nF.
5. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma

normal, sin aplastar.
6. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes.

Sus valores de capacidad estn comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En
ocasiones llevan sus datos impresos en forma de bandas de color.
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7. Cermico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los pico
faradios y generalmente ya no se usan, debido a la gran deriva trmica que
tienen (variacin de la capacidad con las variaciones de temperatura).
Identificacin del valor de los condensadores

Codificacin por Bandas de Color
Hemos visto que algunos tipos de condensadores llevan sus datos
impresos codificados con unas bandas de color. Esta forma de codificacin es
muy similar a la empleada en las resistencias, en este caso sabiendo que el valor
queda expresado en pico faradios (pF). Las bandas de color son como se observa
en esta figura:
En el condensador de la izquierda se aprecian los siguientes datos:

verde-azul-naranja = 56000 pF = 56 nF (recordemos que el "56000" est
expresado en pF). El color negro indica una tolerancia del 20%, tal como
veremos en la tabla de abajo y el color rojo indica una tensin mxima de
trabajo de 250v.
En el de la derecha se Observa:
amarillo-violeta-rojo = 4700 pF = 4.7 nF. En los de este tipo no suele
aparecer informacin acerca de la tensin ni la tolerancia. Cdigo de
colores en los Condensadores
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COLORES
Banda Banda
Negro
--
Multiplicador Tensin
x1
Marrn
X 10
100 V.
Rojo
X 100
250 V.
Naranja
X 1000
Amarillo
X 104
Verde
X 105
Azul
X 106
Violeta
Gris
Blanco
COLORES
400 V.
630 V.
Tolerancia (C > 10 Tolerancia (C < 10

pF)
pF)
Negro
+/- 20%
+/- 1 pF
Blanco
+/- 10%
+/- 1 pF
Verde
+/- 5%
+/- 0.5 pF
Rojo
+/- 2%
+/- 0.25 pF
Marrn
+/- 1%
+/- 0.1 pF
Codificacin mediante letras

Este es otro sistema de inscripcin del valor de los condensadores sobre su
cuerpo. En lugar de pintar unas bandas de color se recurre tambin a la escritura
de diferentes cdigos mediante letras impresas.
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A veces aparece impresa en los condensadores la letra "K" a continuacin

de las letras; en este caso no se traduce por "kilo", o sea, 1000 sino que significa
cermico si se halla en un condensador de tubo o disco.
Si el componente es un condensador de dielctrico plstico (en forma de
paraleleppedo), "K" significa tolerancia del 10% sobre el valor de la capacidad, en
tanto que "M" corresponde a tolerancia del 20% y "J", tolerancia del 5%.
LETRA
Tolerancia
"M"
+/- 20%
"K"
+/- 10%
"J"
+/- 5%
Detrs de estas letras figura la tensin de trabajo y delante de las mismas el

valor de la capacidad indicado con cifras. Para expresar este valor se puede
recurrir a la colocacin de un punto entre las cifras (con valor cero), refirindose en
este caso a la unidad microfaradio (F) o bien al empleo del prefijo "n" (nano
faradio = 1000 pF).
Ejemplo: un condensador marcado con 0,047 J 630 tiene un valor de 47000 pF =
47 nF, tolerancia del 5% sobre dicho valor y tensin mxima de trabajo de 630 v.
Tambin se podra haber marcado de las siguientes maneras: 4,7n J 630, o 4n7 J
630.
Codificacin "101" de los Condensadores.

El cdigo 101 utilizado en los condensadores cermicos como alternativa al
cdigo de colores. De acuerdo con este sistema se imprimen 3 cifras, dos de ellas
son las significativas y la ltima de ellas indica el nmero de ceros que se deben
aadir a las precedentes. El resultado debe expresarse siempre en pico faradios
pF.
As, 561 significa 560 pF, 564 significa 560000 pF = 560 nF, y en el ejemplo
de la figura de la derecha, 403 significa 40000 pF = 40 nF.
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Ejemplos de Identificacin con Condensadores

0,047 J 630
C = 47 nF 5%
V = 630 V.
0,068 J 250
C = 68 nF 5%
V = 250 V.
403
C = 40 nF
47p
C = 47 pF
22J
2200
C = 22 pF 5%
C = 2.2 nF
10K +/-10% 400 V
3300/10 400 V
C = 10 nF 10%
C = 3.3 nF 10%
V = 400 V
V = 400 V.
amarillo-violeta-
330K 250V
naranja-negro
C = 0.33 F
C = 47 nF 20%
V = 250 V.
n47 J
C = 470 pF 5%
0,1 J 250
C = 0.1 F 5%
V = 250 V.
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verde-azulnaranja-negro-rojo
C = 56 nF 20%
V = 250 V.
22K 250 V
C = 22 nF
V = 250 V.
1 250
C = 0.1 F
V = 250 V.
n15 K
C = 150 pF 10%
azul-gris-rojo y
marrn-negronaranja
C1 = 8.2 nF
amarillo-violeta-rojo
C = 4.7 nF
C2 = 10 nF
amarillo-violeta-rojo, rojo.02 F 50V
C = 20 nF
V = 50 V.
negro-marrn y amarillovioleta-marrn
C1=4.7 nF
C2=200 pF
C3=470 pF
VARISTORES.
Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra
transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por
relmpagos, conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o
CORRIENTE ALTERNA.
Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios)
que, al igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas)
pero adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos.
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Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor

alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo
de esa manera los componentes sensibles del circuito.
Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio).
CARACTERISTICAS
1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una
seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica.
2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del
componente.
3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el
instante que ocurre.
4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la
proteccin de circuitera en conmutacin digital.
6. Alto grado de aislamiento.
Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la
forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de
corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente
no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del
impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la
norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no
lo hace cambiar ms del 10% como mximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o
ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el
circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.
Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin ms
larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los
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fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el

varistor con 1 mA.
En la imagen se puede observar un circuito fuente el cual contiene un gran

varistor que permite realizar la estrategia de proteccin comentada.
COMPONENTES ACTIVOS.
Dentro de lo que respecta a la electrnica de mdulos en automotriz la gran
evolucin de los sistemas se presento cuando se implementaron en los controles
los Semiconductores.
Estos componentes tienen un gran nmero de virtudes porque simplifican
los circuitos, sus propiedades permiten que cambien su caractersticas de
operacin como ningn otro material lo podra hacer, para brindar un ejemplo muy
simple se podra decir que este tipo de elementos podra comportarse en un
momento similar a un alambre de cobre que conduce la corriente elctrica y en
otro momento
se podra comportar en un plstico que no conduce bien la
corriente elctrica, todo esto lo hace el mismo componente y se podra conseguir

este cambio tan notable con solo invertir la polaridad del circuito.
TEORIA DE LOS SEMICONDUCTORES.

Los
semiconductores
son
materiales
generalmente
de
SILICIO
GERMANIO cuyas caractersticas de conduccin elctrica han sido modificadas

para esto han sido combinados sin formar un compuesto qumico con otros
elementos.
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A este proceso de combinacin se le denomina DOPADO, en este proceso

se consiguen bsicamente dos tipos de componentes un Material denominado tipo
P y un Material denominado tipo N.
Tipo N: Bsicamente se presenta un exceso de electrones.
Tipo P: Bsicamente se presenta un dficit de electrones.
Los diferentes Semiconductores se forman por la combinacin de

materiales tipo P y tipo N y las caractersticas fsicas de estos estn determinadas
por la cantidad de dopado que se realice en las secciones de los semiconductores
y as como en la organizacin fsica y el tamao de los materiales. Esto permite
fabricar por ejemplo un diodo para corrientes bajas y un diodo para corrientes altas
pero el principio es el mismo.
DIODOS.
La explicacin del diodo es la caracterstica predominante en los
semiconductores aunque existen varios tipos de estos elementos todos parten del
funcionamiento del DIODO SEMICONDUCTOR.
Como su nombre lo indica son dispositivos fabricados con dos tipos de
material semiconductor uno tipo N y otro tipo P. su nombre proviene de la
contraccin de las palabras (Dos Electrones) en ingles.
A la seccin de material tipo P se le denomina nodo y a la seccin de material
tipo N se le denomina Ctodo.
En un diodo, su seccin de material tipo N tiene impurezas que le permiten
poseer un exceso de electrones libres en su estructura as esta parte se hace de
cierta forma negativa. Y luego en su seccin tipo P se encuentra un dficit y esta
parte se torna positiva.
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Cuando no hay voltaje en el diodo se logra un efecto interesante en la

Unin P N los electrones libres de la seccin N se unen
con los huecos
cercanos a la unin tipo P.

A esta Recombinacin en la unin del diodo se le denomina DIPOLO, la
formacin de dipolos en la zona de unin hace que en este lugar se de un dficit
de portadores creando una zona de DEPLEXION algo as como una zanja en la
mitad de un camino. A este lugar se le denomina zona de deplexin.
Cada dipolo tiene un campo elctrico entre los Iones Positivos y Negativos.
Los electrones son repelidos por este campo, cuando tratan de cruzar la zona de
deplexin para recombinarse con huecos ms alejados del otro lado. Con cada
recombinacin aumenta el campo elctrico hasta que se logra el equilibrio es decir
se detiene el paso de electrones del material tipo N al material tipo P.
El campo elctrico formado por los iones se denomina BARRERA DE
POTENCIAL para los diodos de Germanio es 0.3 V y para los diodos de Silicio es
0.7 V.
Si se conecta una fuente de potencial elctrico (Ej. la batera del auto) a las
terminales del diodo, de forma que el polo positivo de la batera coincida con el
material tipo P y el polo negativo con el material tipo N, se dice que el diodo se
encuentra en polarizacin Directa si es en caso contrario la polarizacin es
Inversa.
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Cuando el diodo se encuentra en polarizacin Directa los electrones libres

de la seccin N y los huecos de la seccin P son repelidos hacia la unin P-N
debido al voltaje aplicado por la fuente externa. Si el voltaje de polarizacin es
ms grande que la barrera de potencial entonces un electrn de la seccin N
cruzara a la seccin para recombinarse con un hueco de la seccin P. El
desplazamiento de los electrones hacia la unin genera iones positivos dentro de
la seccin N, los cuales atraen a los electrones del conductor externo hacia la
zona del cristal.
Una vez dentro los electrones pueden desplazarse tambin hacia la unin
para recombinarse con los huecos de la seccin P, mismos que se convierten en
electrones de valencia y son atrados por el polo positivo del conductor externo
entonces salen del cristal (semiconductor P) y de ah se dirigen hacia la batera
como lo muestra la figura.
Si el diodo es polarizado de forma Inversa los huecos de la seccin P son

atrados hacia el polo negativo de la batera y los electrones de la seccin N son
atrados hacia el polo positivo.
Puesto que Huecos y Electrones se alejan de la unin, la zona de deplexin
crece de acuerdo al voltaje inverso aplicado a las terminales del diodo.
Por tanto la zona de deplexin deja de aumentar cuando tiene una
diferencia de potencial igual al valor de tensin inversa aplicado.
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Con la zona de deplexin aumentada no circula entonces corriente

elctrica. El hecho es que el dispositivo en cierta forma aumento al mximo su
resistencia interna.
DIODOS RECTIFICADORES
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:
En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua,
tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se
polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se
alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento
drstico
de
la
corriente
que
puede
llegar
destruir
al
dispositivo.
Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores,

limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc...
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Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las

siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas
por el fabricante):
1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o

no (VRRR
mx.
o VR
mx.,
respectivamente) ha de ser mayor (del
orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar.

2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al
componente, repetitiva o no (IFRM mx. e IF mx. respectivamente), he
de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a
soportar.
3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia
nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima
que este va a soportar.
DIODO ZENER
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de
tensin continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre
la tensin de codo y la tensin Zenner (Vz
nom)
lo podemos
considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de disrupcin se puede

considerar
como
un
generador
de
tensin
de
valor
V f=
-Vz.
El Zenner se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona

de disrupcin.
Podemos distinguir:
1. Vz nom, Vz: Tensin nominal del Zenner (tensin en cuyo entorno trabaja
adecuadamente el Zenner).
2. Iz min.: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir
de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de
disrupcin (Vz min.).
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3. Iz mx.: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de

la cual el dispositivo se destruye (Vz mx.).
4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de V z nom y Iz mx.
Cuando usamos un diodo Zenner en un circuito se deben tener en cuenta

las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas
suministradas por el fabricante):
1. Para un correcto funcionamiento, por el Zenner debe circular una
corriente inversa mayor o igual a Iz min.
2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que
Iz mx.
3. La potencia nominal Pz que puede disipar el Zenner ha de ser mayor
(del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el
circuito.
DIODO LED
El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo
rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de
codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V.
Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el
infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cul sea la
longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
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Entre
sus
aplicaciones
podemos
destacar:
pilotos
de
sealizacin,
instrumentacin, opto acopladores, etc.

Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as
como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar
y que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando
se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo
atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy
vlida.
Clculo de R resistencia de polarizacin del LED

R = (Vs - Vd) / Id
Vd entre 1.2 - 1.5V
Id entre 10 - 20 mA
Ejemplo para Vs = 12 V, Vd = 1,5 V, Id = 10 mA -------> R = 1 K
IDENTIFICACIN DE DIODOS
Los diodos de unin p-n y los Zenner tienen caractersticas constructivas
que los diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una
resistencia de capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de
menor longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existen gran variedad de
tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el
tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico
encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo
tipo concreto viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es
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marcado mediante un anillo en el cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan

cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms
prximo a la banda de color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo
con la letra "K" o el nodo con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen
encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados
en resinas de distintos colores, segn sea la longitud de onda con la que emita. El
nodo de estos diodos es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del
encapsulamiento prxima al ctodo es plana.
TRANSISTOR BJT (BIPOLAR).
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Cuando se selecciona un transistor se debe
conocer el tipo de
encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales.

Tambin se deber conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo.
El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente
crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que
crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un
radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los
fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro:
Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro
para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su
orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta
como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base
(ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante
dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic);
adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con
la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor.
Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay
que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este
parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el
BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de
conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un
cortocircuito entre el colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia,
circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
prcticamente nulas (y en especial Ic).
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4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes
y corrientes son opuestos a los del transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:

Se sustituye el transistor NPN por un PNP y se invierten todos los voltajes y
corrientes.
Un ejemplo de la configuracin de este tipo de transistores el la imagen
inferior que muestra la geometra e identificacin de sus pines tal cual como es
representado en el manual correspondiente de cada fabricante.
En el esquema se pueden identificar la Base el Colector y el Emisor.

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En el caso de este tipo de transistores la capacidad de conmutacin es baja

comparada con los transistores de compuerta aislada.
Un transistor de este tipo comnmente llevara entre sus terminales una
corriente usual de 1A y voltajes de 60 V.
TRANSISTOR DARLINTONG.
En muchos mdulos de control electrnico se utiliza un transistor
denominado Darlington, el cual lo podemos analizar como dos transistores
convencionales BJT unidos, obteniendo as ms capacidad de conmutacin de
corriente, en el escrito inferior se da el fundamento fsico que demuestra esta
operacin, son unas ecuaciones muy sencillas que pueden ampliar el concepto de
este transistor.
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta
ganancia de corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se
conectan es cascada. Ver la forma en la figura.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del

transistor T2.
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es:
IE= x IB
(Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el grfico:
Ecuacin del primer transistor es:
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IE1 = 1 x IB1 (1),

Ecuacin del segundo transistor es:
IE2 = 2 x IB2 (2)
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma
que la corriente de base del transistor T2. Entonces
IE1= IB2 (3)
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene:
IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se
obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor
que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos
transistores. (Las ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (b = 100) conectados
como un transistor Darlington y se utilizara la formula anterior, la ganancia sera,
en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande.
En la realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.
Muy importante: la cada de tensin entre la base y el emisor del transistor
Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a
emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo
transistor B2 y E2 (0.7
Voltios).
En
los
manuales
de
los
componentes
podemos
encontrar
una
representacin para este transistor como muestra la imagen inferior.
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El encapsulado es una de las caractersticas en las que este transistor

cambia respecto a los convencionales BJT. Con las hojas de informacin
DATASHETS es muy fcil identificar sus terminales. En el caso de requerir sus
propiedades normales de operacin este mismo catalogo provee la informacin
normal de operacin, o los valores mximo de parmetros de funcionamiento
como serian por ejemplo.
Voltaje C E
Corriente Colector normal y mxima.
Frecuencia de Trabajo Mxima.
Temperatura Mxima de Trabajo.

En el cuadro inferior se muestra una
tabla usual para una referencia
especfica de un transistor tipo DARLINTONG.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.

El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un
dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de
aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al
transistor BJT.
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La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de

que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la
corriente Ic la es una funcin directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID
ser una funcin del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso la
corriente de la salida del circuito se controla por un parmetro del circuito de
entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado
As como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener en
cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el
nivel de conduccin es una funcin de dos portadores de carga, electrones y
huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente ya sea de la
conduccin por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p). El termino "efecto
de campo" en el nombre elegido amerita una explicacin.
Todos estamos
familiarizados con la habilidad de un imn permanente de atraer limaduras de

metal sin necesidad de un contacto fsico directo.
El campo magntico de un imn permanente acta sobre las limaduras y
las atrae hacia el imn a travs de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo
magntico, para mantenerlas a tan corta distancia como sea posible. Para el FET
se establece un campo elctrico por medio de las cargas presentes
que
controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un

contacto directo entre la cantidad que controla y la que es controlada.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones
semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a
comparar algunas de las caractersticas generales de uno contra el otro.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones
semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a
comparar algunas de las caractersticas generales de uno contra el otro.
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CONSTRUCCIN DE LOS JFET.

El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de
controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el
transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las
secciones de anlisis y diseo, con una seccin
dedicada a los efectos
resultantes de emplear un transistor pnp.

Para el transistor
JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el
dispositivo predominante sobre todo en los controles realizados en los diferentes

mdulos especialmente el PCM.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura inferior.
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma

el canal entre las capas difundidas en material tipo p.
El extremo superior del canal tipo n, se conecta mediante contacto hmico
a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la terminal
llamada la fuente (source) (S).
Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo
tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q).
Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los
extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos
uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin.
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El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra

en la figura anterior, que se parece a la misma regin de un diodo bajo
condiciones sin polarizacin
Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin
carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a
travs de la regin.
Este tipo de transistores permiten que los mdulos de control puedan
controlar cada vez mas circuitos con alta corriente, a este efecto se le denomina
ganancia, en el momento de diagnostico de uno de estos componentes podemos
encontrar que no existe cada de tensin en la excitacin de su base. Presentando
generalmente voltajes cercanos a 5V a travs siempre de una resistencia.
El principal de estos transistores se denomina MOSFET M: Metal O:Oxido
S: Semiconductor.
En la grafica inferior se puede apreciar la presentacin comercial de unos
de estos transistores en ella se puede apreciar la denominacin de sus terminales
y tambin su configuracin externa donde es importante recalcar la caracterstica
de compuerta Aislada, el encapsulado en el caso Automotriz es tipo To 220 200
2P 3P
Pero las diferencias principales se generan en cunto a poder de

conmutacin en donde este tipo de transistores puede tener mayor ganancia en la
tabla inferior se presenta una especificacin general para este tipo de transistor.
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Es importante observar por ejemplo el valor de corriente mximo y pulsante entre

Drain Source, y el voltaje mximo soportado en estos terminales.
En el valor de corriente se encuentra que en condiciones normales puede

comandar 20 A y en conmutacin pulsante llegara hasta 80 A y en el Voltaje D
S sin problemas 450 V con lo cual un sistema de encendido podra ser activado
por este componente, en la grafica de los terminales se puede apreciar que el
montaje del componente es superficial SMD.
TRANSISTORES IGBT.
El transistor IGBT (Insulated Gated Bipolar Transistor) es un componente
utilizado cada vez ms en aplicaciones Automotrices en el cual la conmutacin de
altas corrientes es un requisito importante , este tipo de transistores aprovechan la
ventaja de un transistor MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).
En el caso de la excitacin de este transistor se utiliza una compuerta
aislada tipo MOSFET con lo cual se controla la conmutacin por voltaje y no por
corriente llevando esto mucha eficiencia a la llave electrnica.
En el caso de la llave electrnica se usa un transistor BIPOPOLAR con lo
que se gana conmutacin sin el valor de resistencia descrito en los transistores
Mosfet, este valor de resistencia presentara un aumento en la cada de tensin a
medida que aumente la corriente, mientras que en un Bipolar la cada de tensin
es constante independiente de cuanta corriente conmute as que se vuelve en una
unin perfecta de dos tipos de transistores en un solo encapsulado.
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Como se trata de una activacin por medio de un Mosfet se tendr Gate en

la excitacin, y como se tiene un bipolar en la llave electrnica ah se tendr
Colector para la fuente y Emisor para el circuito a conmutar, en la grafica se puede
apreciar este arreglo.
En la estructura interna de este transistor se encuentra una organizacin

qumica que usa las propiedades de los dos transistores que se comento en el
prrafo anterior.
En Automotriz una de las cargas ms complicadas para operar son las

cargas inductivas estas son caractersticas de los sistemas de encendido por
ejemplo.
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En este caso la corriente tiene una caracterstica muy interesante porque

presenta un aumento a medida que el tiempo de circuito cerrado aumenta, lo que
lleva a que el conductor de esta corriente debe tener una muy eficiente conduccin
de lo contrario colapsara.
El oscilograma superior presenta una caracterstica para esta afirmacin.

Este fenmeno de la corriente viene acompaado en el momento de su
corte con un efecto de elevacin de tensin, Pico inductivo en ese momento la
tensin presenta un pico que podra perjudicar una juntura dbil, se podra pensar
que en el momento del pico inductivo fuese como si un diodo se polarizara de
forma inversa.
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Este valor debe ser un ponto importante en la seleccin del transistor.

En la grafica inferior se muestra la imagen de este fenmeno en donde a
medida que la corriente va disminuyendo el pico de tensin aparece.
Todos estos valores estarn en la respectiva tabla de manual de los

fabricantes de componentes, en la grafica inferior observaremos la identificacin
de de los pines de uno de estos elementos y la tabla comn de valores mximos a
soportar por parte de este transistor.
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Es importante apreciar que aunque la corriente continua es de 16 A, la

corriente mxima pulsante es de 58 A, en el caso automotriz la mayora de
consumos altos (Casos PCM), se da por corriente que pulsan a alta frecuencia.
REGULADORES DE TENSION.
Un regulador tiene como funcin mantener la tensin de salida Vo en un
valor predeterminado, sobre el rango esperado de corriente de carga,
independientemente de las variaciones de la corriente de la carga, la tensin de
entrada al regulador Vi y la temperatura T.
Si se quisiera plasmar un regulador en un diagrama de bloques lo ms
prximo a lograrlo en lneas generales seria lo siguiente:
Cada uno de estos bloques ser explicado posteriormente, antes se quiso

hablar de los parmetros ms importantes que caracterizan un regulador de
tensin; estos son la regulacin de carga, la regulacin de lnea y el coeficiente de
temperatura.
Regulacin de carga
Es el cambio de tensin de salida para un cambio especfico de la corriente
de carga, manteniendo constantes la tensin de entrada y la temperatura, la
formula general es:
REG-CARGA (%) = (Vo, cargamin - Vo, cargamx) x 100% / (Vo, cargamin);
donde Vo, cargamin es la tensin de salida con carga mnima (tensin nominal) y
Vo, cargamx es la tensin de salida con carga mxima.
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Regulacin de lnea
Es el cambio en la tensin de salida para un cambio dado a la tensin de
entrada, manteniendo constantes la corriente de salida y la temperatura la formula
general es:
REG-LINEA (%) = "Vo / ("Vi x Vo) x 100%; donde "Vo es el cambio en la tensin
de salida para un cambio en la entrad "Vi y vo es la tensin nominal de salida. La
regulacin de lnea es comparable a otras especificaciones como el rechazo al
ripple o a la regulacin de entrada
Coeficiente de temperatura
Es el cambio promedio en la tensin de salida para cada 1 Celsius de
cambio en la temperatura del regulador, usualmente se especifica como:
T.C. (% / C) = +/- (Vomx - Vomin) / (Vo ref. x Tmx -Tmin) x 100%
Siendo Vomx la tensin de salida a la mxima temperatura especificada Tmx,
Vomin la tensin de salida a la temperatura mnima Tmin y Vo ref. la tensin
nominal de salida especificada a un temperatura predeterminada, en la mayora de
los casos 25 C.
Como se dijo un regulador de tensin est constituido por una serie de
bloques funcionales que permiten estabilizar la tensin de salida, el diagrama que
se mostr antes est formado por referencia, circuito de muestreo, amplificador de
error y un elemento de control, en teora una variacin de la tensin de salida Vo
es detectada por el amplificador de error al comparar la referencia de tensin y el
circuito de muestreo, este amplificador opera sobre el elemento de control en serie
para restaurar la Vo. Antes de adentrarnos en el tema se debe hacer mencin de
algunas de estos bloques constituyentes de un regulador en serie.
Voltaje de referencia: esto constituye una parte fundamental de los reguladores

de tensin al proporcionar una tensin de continua, muy precisa y estable con la
temperatura y con el tiempo, para minimizar los errores debidos al auto
calentamiento, las referencias de tensin proporcionan una corriente de salida
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moderada, tpicamente en el orden de unos pocos miliamperios, estn referencias

estn basadas en diodos zener y transistores bipolares o de salto de banda,
Un diodo zener es el dispositivo ms barato y simple para obtener una
tensin de referencia ms o menos estable, sin embargo, hay que adaptarse a los
valores de tensiones zener presentes en el mercado, adems estos presentan
fuertes deriva trmica y el ruido de avalancha es muy elevado; estas limitaciones
pueden ser resueltas en parte co0n la ayuda de un amplificador operacional,
resultando un circuito con caractersticas de autorregulacin. Ejemplo de esta
mejora lo constituye el siguiente circuito.
Existen circuitos integrados monolticos con caractersticas similares a la

estructura anterior como el REF102 de Burr-Brown que proporcionan una tensin
de referencia de tensin de 10 V compensado trmicamente que utiliza un diodo
Zener de Vz = 8.2 V, la corriente mxima de salida es de 10mA su estructura
interna es algo similar a lo siguiente:
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En un los PCM generalmente el Regulador de tensin debe mantener una

tensin de salida constante a 5V independientemente del valor de entrada que
podra variar de valores entre 12 y 15 V.
Este tipo de reguladores estn construidos a base de monolticos
integrados montado en un encapsulada TO 220 esta regulacin adems ofrece
ventajas adicionales como una proteccin trmica y una proteccin contra sobre
corrientes, en el caso de una sobre temperatura simplemente el circuito se abre.
Una de las ventajas de estos componentes es:
Salidas de Tensin alrededor de 1 A.
No requieren componentes Externos.
Proteccin interna por sobre cargas de temperaturas.
Proteccin interna por sobre corriente.
Salida a travs de un transistor Safe Area.

El conexionado usual para los pines de estos componentes es como el
mostrado en la figura inferior.
Este tipo de componentes tambin tienen su propia carta de referencia

de valores DATASHETS. El cuadro inferior se puede apreciar una de ellas para
un regulador muy usual denominado 7805.
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CIRCUITO PROCESAMIENTO DE DATOS.

MICROCONTROLADORES.
El microcontrolador es una de las formas ms bsicas de un sistema con
microprocesador. Aunque son mucho ms pequeos que los microprocesadores
personales y los grandes ordenadores, se construyen microcontroladores con los
mismos elementos bsicos. En el sentido ms simple, los microprocesadores
producen un modelo especfico basado en unas entradas y unas salidas, con las
instrucciones en un programa con microprocesador.
Como la mayora de microprocesadores, los microcontroladores son
simplemente ejecutores de instrucciones de propsito general. La estrella real de
un sistema con microprocesador, es un programa de instrucciones que son
proporcionadas por un programador. Este programa le dice al microprocesador
que realice largas secuencias de acciones muy simples para lograr tareas tiles
como las pensadas por el programador.
La inferior proporciona una vista global de un sistema con microprocesador.
Simplemente cambiando los tipos de dispositivos de entrada y de salida, ste
diagrama de bloques podra ser el de un microprocesador personal, un PCM O
un simple un microcontrolador (MCU) de cualquier modulo del auto. Los
dispositivos de entrada y de salida (E/S) mostrados en la figura son lo tpicos
encontrados en un sistema con microprocesador.
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Entradas de un Sistema con Microprocesador

Los dispositivos de entrada proporcionan informacin del mundo exterior al
sistema con microprocesador. En un ordenador personal, el dispositivo de entrada
ms comn es el teclado, igual que una mquina de escribir. Los sistemas con
microprocesadores normalmente usan dispositivos de entrada mucho ms simples
como interruptores o pequeos teclados, aunque los dispositivos de entrada ms
exticos se encuentran en los sistemas basados en microprocesador. Un ejemplo
de un dispositivo de entrada extico para un microprocesador es el sensor de
oxgeno en un automvil que mide la eficacia de la combustin tomando muestras
en el tubo de escape.
La mayora de entradas del microprocesador pueden procesar slo seales
de entrada digital, al mismo nivel de voltaje que el de la fuente de alimentacin. El
nivel 0 V o tierra se le llama VSS y el nivel positivo de la fuente de alimentacin se
le llama VDD y es tpicamente de 5 Vdc. Un nivel aproximado de 0 voltios indica
una seal lgica 0 y un voltaje aproximadamente igual al nivel positivo de la
fuente de alimentacin indica una seal lgica 1.
Por supuesto, el mundo real est lleno de seales analgicas o seales que
son de otros niveles de voltaje. Algunos dispositivos de entrada traducen los
voltajes de seal de algn otro nivel a los niveles VDD y VSS, necesarios para el
microprocesador. Otros dispositivos de entrada convierten las seales analgicas
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en seales digitales (a valores binarios 1 y 0) para que el microprocesador los

pueda entender y manipular.
Algunos
microprocesadores
incluyen
circuitos
convertidores
analgicos/digitales en el mismo circuito integrado. Los transductores se pueden

usar para traducir otras seales del mundo real a niveles de seal lgica (Ej. un
sensor). Que un microprocesador puede entender y manipular. Algunos ejemplos
que incluyen transductores, como los sensores de temperatura, sensores de
presin, detectores de nivel de luz y otros. Con estos transductores, casi cualquier
propiedad fsica se puede usar como entrada a un sistema con microprocesador.
Salidas de un Sistema con Microprocesador

Se usan dispositivos de salida para comunicar la informacin o acciones del
sistema con microprocesador al mundo exterior. En un ordenador personal, el
dispositivo de salida ms comn es la pantalla CRT (tubo de rayos catdicos). Los
sistemas con microprocesador usan a menudo dispositivos de salida mucho ms
simples como los LEDs, lmparas, o zumbadores. Circuitos convertidores (a veces
construidos en el mismo circuito integrado microprocesador) pueden convertir
seales digitales a niveles de voltaje analgicos. Del controlador en
microcontrolador viene del hecho de que estos pequeos sistemas con
microprocesador normalmente controlan algo en comparacin con un ordenador
personal que normalmente procesa informacin. En el caso del ordenador
personal, la mayora de las salidas es de informacin (cualquier informacin en
una pantalla CRT o en el papel de la impresora). Por otro lado, en un sistema con
microprocesador, la mayora de las salidas son seales de nivel lgico digital, que
se usan para manejar LEDs o dispositivos elctricos como rels o actuadores Ej
Inyectores.
Unidad Central de Proceso (CPU)

La CPU (Central Processor Unit) es el centro de cada sistema
microprocesador. El trabajo de la CPU es ejecutar obedientemente las
instrucciones de un programa que le fue proporcionado por un programador. Un
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programa con microprocesador le dice a la CPU que lea (read) la informacin de

las entradas y que la escriba (write) a la memoria de trabajo o que lea la
informacin de la memoria de trabajo y la escriba a las salidas. Algunas
instrucciones del programa involucran decisiones simples que causan al programa
continuar con la siguiente instruccin o saltar a un nuevo lugar del programa. En
un captulo posterior, se vern de cerca el juego de instrucciones disponibles para
un microcontrolador en particular.
En un ordenador personal, hay varios niveles de programas, empezando
con el programa interno, que es el control ms bsico del funcionamiento del
microprocesador. Otro nivel incluye programas de usuario que se cargan en la
memoria del sistema cuando estn a punto de ser usados. Esta estructura es muy
compleja y no sera un buen ejemplo para mostrar a un principiante cmo trabaja
el microprocesador.
En un microcontrolador normalmente, solamente un programa en particular
est trabajando para el control de una aplicacin. Por ejemplo, la CPU MC68HC05
slo reconoce 60 instrucciones diferentes, pero stas son representativas del
juego de instrucciones de cualquier sistema con microprocesador. Este tipo de
sistema con microprocesador es un buen modelo para aprender el fundamento de
funcionamiento de un microprocesador, porque es posible saber lo que est
pasando exactamente en cada paso de la ejecucin de un programa en la CPU.
Reloj (Clock)
Salvo excepciones, los microprocesadores usan un pequeo oscilador del
reloj (clock) para activar la CPU, para mover de un paso a la secuencia siguiente.
En el captulo de arquitectura de un microprocesador, se puede ver que incluso las
instrucciones simples de un microcontrolador estn compuestas de una serie de
pasos an ms bsicos. Cada uno de estos pasos diminutos en el funcionamiento
del microprocesador toma un ciclo del reloj de la CPU.
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Memoria del Microprocesador

Se usan varios tipos de memoria para los diferentes propsitos en un
sistema con microprocesador. Los tipos principales de memoria encontrados en un
microcontrolador son:
Memorias para almacenar el Programa:
ROM (Read Only Memory): memoria slo de lectura, este tipo de memoria se
programa en fbrica y se llama Mscara.
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): memoria slo de lectura,
programable elctricamente y se borra por luz ultravioleta a travs de una ventana
en la parte superior del dispositivo.
OTP (One Time Programmable): memoria slo de lectura, programable
elctricamente una sola vez.
FLASH: memoria programable y borrable elctricamente, por bloques. Estos tipos
se usan principalmente para almacenar los programas y los datos permanentes
que deben permanecer inalterados incluso cuando no hay ninguna alimentacin
aplicada al microcontrolador.
Memoria para almacenar Datos:
RAM (Random Access read/write Memory): memoria de acceso a lectura o
escritura aleatorio, se usa para el almacenamiento temporal de datos y el clculo
intermedio de los resultados durante las operaciones. Este tipo de memoria pierde
los datos cuando se queda sin alimentacin.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): memoria slo
de lectura programable y borrable elctricamente.
La unidad ms pequea de una memoria, es de un solo bit, que puede guardar
uno valor lgico 0 o 1.
Estos bits se agrupan en conjuntos de ocho bits para hacer uno byte. Los
microprocesadores ms grandes utilizan grupos de 16 o 32 bits, llamados
palabras o word. El tamao de una palabra (word) puede ser diferente para
cada microprocesador, pero un byte siempre es de ocho bits. Los ordenadores
personales trabajan con programas muy grandes y con grandes cantidades de
datos, para ello usan formas especiales de dispositivos de almacenamiento,
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llamados almacenamiento en masa, como los discos blandos, los discos duros, y
los discos compactos. No es raro encontrar varios millones de bytes de memoria
RAM en un ordenador personal, con discos duros con varios gigabytes o discos
compactos muy similares a los usados para las grabaciones de msica con una
capacidad de 640 millones de bytes de memoria de slo lectura. En comparacin,
los sistemas con microcontrolador tpico tienen una memoria total entre 1,000 y
64,000 bytes.
Programa de un Microprocesador
La Figura inferior muestra el programa como una nube, porque se origina
en la imaginacin del ingeniero o programador del microprocesador. Esto es
comparable a un ingeniero elctrico que piensa en un nuevo circuito o un
ingeniero mecnico que deduce un nuevo ensamblaje. Los componentes de un
programa son las instrucciones del juego de instrucciones de la CPU. As como el
diseador del circuito puede construir un circuito sumador con simple puertas
AND, OR y NOT, un programador puede escribir un programa para sumar
nmeros con simples instrucciones.
Los programas se guardan en la memoria de un microprocesador donde
pueden ser ejecutados de modo secuencial por la CPU. En el captulo de
programacin, se aprender a escribir programas y prepararlos para ser cargados
en la memoria de un microprocesador.
El Microcontrolador
Hasta ahora se han visto varias partes de un sistema con microprocesador
y ya se est preparado para hablar sobre los microcontroladores. En la mitad
superior de la figura inferior se muestra un sistema con microprocesador genrico,
con una parte adjunta de contorno punteado. Esta parte, es un microcontrolador y
la mitad inferior de la figura es un diagrama de bloques que muestra su estructura
interior con ms detalle. El cristal no se contiene dentro del microcontrolador, pero
es una parte necesaria del circuito oscilador. En algunos casos, se puede sustituir
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el cristal por un resonador cermico que es ms econmico o un an menos caro

con un conjunto RC (resistencia-condensador).
Un microcontrolador puede definirse como un sistema microprocesador
completo, que incluye la CPU, la memoria, un oscilador del reloj, las E/S y otros
perifricos en un solo circuito integrado. Cuando algunos de estos elementos
como las E/S o la memoria no estn incluidos, al circuito integrado se le llama
microprocesador. La CPU de un ordenador personal es un microprocesador.
En la imagen se puede observar un ejemplo de un PCM, donde se puede

ver:
1. Procesador (y en el caso de no ser esta su memoria principal
Microcontrolador).
2. Memoria.
3. Cristal.
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UNIDADES DE CONTROL ELECTRONICO, ECM

CIRCUITO PROCESAMIENTO DE DATOS.

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CIRCUITOS DRIVER O SALIDAS.

ENLACE DE DATOS Y PERISFERIA.

manejan en la unidad de control,

ejemplo la entrada de los sensores.

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elementos que se van a encontrar en un MODULO lo primero que se debe tener

como aquel componente que pone

cierta dificultad al paso de la corriente elctrica. Es decir, ofrece resistencia a

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Resistencias de capa o pelcula.

grafito mezclado con un elemento aglutinante, fuertemente prensado en forma

Valor hmico y tolerancia de las resistencias:

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resistencia, y este aumento de la temperatura modifica el valor de las resistencias.

Para qu sirven las resistencias

Indicacin del valor de las resistencias

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Tolerancia: sin indicacin +/- 20%

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Resistencias de montaje superficial SMD (Surface Mounted Devices)

Primer dgito: corresponde al primer dgito del valor

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Segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor

Tercer dgito: (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a

Tercer dgito: (1%): corresponde al tercer dgito del valor. (figura 2)

Cuarto dgito: (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a

Ejemplo 1: Resistencia con 3 dgitos (5%)

1 dgito = 6 1 dgito = 3 1 dgito = 4

3300 ohms 4700 ohms

Ejemplo 2: Resistencia con 4 dgitos (1%)

1 dgito = 1 1 dgito = 1 1 dgito = 2

Debido a que en los dispositivos de montaje superficial el espacio

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Esta clase de optimizacin puede en algunos casos causar confusin, sin

Primer caso: La resistencia con la leyenda 47, se le ha aplicado una costumbre

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capacidad de luego entregarlo en un momento que el generador cargue menos

Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan

Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un

Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error mximo que

Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad

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1. Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en

2. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima

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3. De polister metalizado MKT. Suelen tener capacidades inferiores a 1 F

5. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma

6. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes.