Figure 3 (a) Rangkaian penyearah. (b) Bentuk gelombang masukan. (c) Rangkaian ekivalen
ketika vI 0. (d) Rangkaian ekivalen ketika vI 0. (e) Bentuk gelombang keluaran.
5
Contoh soal 1:
Gambar 4(a) menunjukkan sebuah rangkaian untuk mengisi sebuah
batere 12 V. Jika vs adalah sebuah gelombang sinusoida yang
mempunyai amplitudo 24 V, carilah bagian dari setiap perioda
dimana dioda terkonduksi. Hitung juga harga puncak arus dioda
dan harga maksimum tegangan balik yang muncul pada terminal
dioda
Jawab:
Dioda terkonduksi ketika vs melebihi 12 V, seperti yang terlihat pada
gambar 4(a). Sudut konduksi = 2, dimana:
24 cos = 12
Jadi = 60 dan sudut konduksi = 120, atau sepertiga dari perioda.
Harga puncak dari arus dioda:
24 12
Id
0,12 A
100
Harga tegangan balik yang muncul pada terminal dioda terjadi pada
saat vs mencapai harga puncak negatif dan sama dengan
24 +12 = 36 V
Figure 5. Gerbang logik dioda: (a) Gerbang OR; (b) Gerbang AND (dalam
sistem logik positif).
8
Contoh soal 2:
Asumsikan dioda adalah dioda ideal, carilah harga I dan B dari
rangkaian pada gambar 6.
Jawab:
Dalam menyelesaikan soal, pertama buat asumsi, kemudian buat
analisis berdasarkan asumsi ini dan periksa apakah asumsi ini
benar.
Untuk rangkaian pada gambar 6(a), asumsikan kedua dioda
terkonduksi VB = 0 dan V = 0, maka arus melalui D2:
ID 2
10 0
1 mA
10
I 1
0 10
5
Jadi I = 1 mA dan V = 0V
10
10 0
2 mA
5
0 10
10
I 1 mA
I 2
10 10
1,33 mA
15
11
12
13
Daerah forward-bias
Hubungan arus tegangan pada daerah forward bias:
i IS (ev / nVT 1)
(1)
IS arus jenuh
VT
kT
q
(2)
Untuk i IS
i IS ev / nVT
v nVT ln
(3)
i
IS
(4)
I2
I1
V2 V1 2,3nVT log
I2
I1
(5)
16
17
18
19
Daerah breakdown
Dioda memasuki daerah breakdown, jika besaran tegangan balik
melebihi tegangan ambang dari sebuah dioda, yang disebut
tegangan breakdown, VZK.
Pada daerah breakdown, arus balik meningkat secara cepat
dengan perubahan tegangan yang sangat kecil.
Tegangan breakdown tidak merusak dioda, jika daya disipasi
dibatasi pada level aman oleh rangkaian luar.
Hubungan arus tegangan pada daerah breakdown hampir
merupakan garis vertikal. Karakteristik ini dapat dipakai dalam
pengatur tegangan.
20
21
Model eksponensial
Ini adalah model yang paling akurat dan merupakan yang paling
sukar digunakan.
Perhatikan gambar 10. Asumsikan VDD > 0,5 V, arus dioda >> IS,
hubungan arus dan tegangan dinyatakan dalam persamaan (6).
ID IS eVD / nVT
(6)
VDD VD
R
(7)
23
VDD VD
R
5 0,7
4,3 mA
1
ID
24
I2
I1
I2
I1
4,3
0,762 V
ID
25
Gambar 13. Model garis lurus dari karakteristik dioda di daerah forward dan
rangkaian ekivalennya.
27
Contoh soal 4:
Ulangi soal pada contoh soal 3 menggunakan model garis lurus
dengan parameter yang diberikan pada gambar 12: VD0 = 0,65 V
dan rD = 20 .
Jawab:
Rangkaian pengganti terlihat pada gambar 14:
ID
VDD VD 0
R rD
5 0,65
4,26 mA
1 0,02
VD VD 0 ID rD
ID
29
31
ID
DD
R
5 0,7
ID
4,3 mA
1
ID
VDD 0
5 mA
R
32
Gambar 17. Rangkaian pengganti model sinyal kecil dan karakteristik arus 33
tegangan
ID IS ev D / nVT
(9)
(10)
34
iD (t ) IS ev D / nVT
(11)
i D (t ) IS e(VD v d ) / nVT
i D (t ) IS ev D / nVT ev d / nVT
i D (t ) IDev d / nVT
(12)
vd
1
nVT
(13)
Maka:
I
i D (t ) ID 1 D v d
nVT
(14)
35
Ini disebut pendekatan sinyal kecil dan berlaku untuk sinyal yang
mempunyai amplitudo kira-kira 10 mV. (Ingat VT = 25 mV)
i D (t ) I D
ID
vd
nVT
(15)
Dimana
iD = I D + i d
(16)
ID
vd
nVT
(17)
i d (t )
36
ID
nVT
nVT
rd
ID
(18)
i D
v
D
rd 1/
(19)
i D I D
Contoh soal 5:
Pada rangkaian pada gambar 18(a), R = 10k. Catu daya V+
mempunyai harga dc = 10 V yang ditumpangi sinyal ac 60 Hz
dengan amplitudo = 1 V. (sinyal ini dikenal dengan power-supply
ripple. Hitunglah tegangan dc pada dioda dan amplitudo dari
gelombang sinusoida yang muncul pada dioda. Asumsikan dioda
mempunyai penurunan tegangan 0,7 V pada arus 1 mA dan n = 2.
Jawab:
10 0,7
ID
0,93 mA
10
nV
2 25
rd T
53,8
ID
0,93
v d (puncak ) V s
rd
RD rd
0,0583
1
5,35 V
10 0,0583
38
Gambar 18. (a) Rangkaian contoh soal 5, (b) rangkaian untuk menghitung
titik kerja dc, (c) rangkaian ekivalen sinyal kecil.
39
40
41
Jawab:
Tanpa beban, harga arus nominal pada dioda:
10 2,1
7,9 mA
1
rd
nVT
I
Untuk n = 2
rd
2 25
6,3
7,9
v O 2
r
0,0189
2
37,1 V
r R
0,0189 1
43
Ringkasan:
Model eksponensial
i D I S e v D / nVT
i
v D 2,3nVT log D
IS
i
VD 2 VD1 2,3nVT log D 2
I D1
2,3nVT 60 mV untuk n 1
2,3nVT 120 mV untuk n 2
Catatan:
IS= 10-12 A - 10-15 A
tergantung dari luas
junction
VT 25 mV
n = 1 sampai 2
Model yang paling akurat
44
Untuk vD VD0:
iD = 0
Untuk vD VD0:
iD = (vD VD0)/rD
45
46
Untuk iD > 0 : vD = 0
47
Catatan:
Berguna untuk
mencari komponen
tegangan dari dioda
Dipakai sebagai
dasar pemodelan
sinyal kecil transistor
48
Dioda Zener
V rZ I
VZ = VZ0 + rZIZ
(20)
51
Contoh soal 7:
Penggunaan dioda zener sebagai shunt regulator
Sebuah dioda zener mempunyai spesifikasi: VZ = 6,8 V pada IZ =
5 mA, rZ = 20 dan IZK = 0,2 mA. Tegangan sumber V+ = 10 V
dengan penyimpangan 1 V. Carilah:
a. VO jika tidak ada beban dan V+ pada harga nominal
b. Perubahan harga VO jika ada perubahan 1 V pada V+.
(VO/V+ disebut line regulation)
c. Perubahan pada VO jika terhubung pada beban RL yang
menghasilkan arus IL= 1 mA. (VO/IL disebut load regulation)
d. Harga VO jika RL= 2 k
e. Harga VO jika RL= 0,5 k
f. Harga RL minimum agar dioda masih bekerja di daerah
breakdown.
52
Gambar 23. (a) rangkaian contoh soal 7. (b) rangkaian dengan rangkaian
pengganti dioda zener.
53
Jawab:
Tentukan harga VZ0 dari dioda zener.
VZ = VZ0 + rzIZ
VZ0 = 6,8V 20 x 5mA = 6,7 V
a. Tanpa beban:
V VZ 0
IZ I
R rz
10 6,7
6,35 mA
0,5 0,02
VO VZ 0 IZ rz
54
20
38,5 mV
500 20
VO rz IZ
20 1 20 mV
VO
Load regulation
20 mV/mA
I L
55
6,8 V
3,4 mA
2 k
IZ 3,4 mA
IL
VO rz IZ 20 3,4 68 mV
Perhitungan ini hanya pendekatan, karena tidak mengabaikan
perubahan arus I. untuk mendapatkan hasil yang lebih akurat
dapat menggunakan rangkaian pengganti pada gambar 23(b).
Analisis ini menghasilkan VO = 70 mV
56
e. Untuk RL = 0,5 k
6,8
IL
13,6 mA
0,5
Hal ini tidak mungkin karena arus I yang melalui R hanya 6,4 mA
(V+ =10 V), akibatnya zener cut off. Maka tegangan VO akan
ditentukan dengan menggunakan pembagian tegangan antara R
dan RL.
RL
VO V
RL R
10
0,5
5V
0,5 0,5
IZ IZK 0,2 mA
VZ VZK 6,7 mV
9 6,7
arus pada R
4,6 mA
0,5
arus pada beban : 4,6 0,2 4,4 mA
6,7
RL
1,5 k
4,4
58
Efek suhu
Ketergantungan tegangan zener pada suhu ditentukan dengan koefisien
suhu atau TC atau temco yang dinyatakan dengan mV/C.
Harga TC tergantung dari:
Tegangan zener
Arus operasi
VZ < 5 V TC yang negatif,
VZ > 5 V TC yang positif.
TC dari sebuah dioda zener yang mempunyai V Z = 5 V dapat dibuat 0
dengan mengoperasikan dioda pada arus tertentu.
Untuk mendapatkan tegangan rujukan yang mempunyai TC rendah
adalah dengan menghubungkan dioda zener yang mempunyai TC positif
kira-kira 2 mV/C secara seri dengan dioda yang bekerja di daerah
forward. Dioda yang bekerja di daerah forward mempunyai penurunan
tegangan 0,7 V dan mempunyai TC -2 mV/C. Hubungan ini
mempunyai tegangan (VZ+ 0,7) dengan TC = 0
59
Rangkaian penyearah
60
v O 0,
vO
v S VD 0
R
R
v S VD 0
,
R rD
R rD
rD R v O v S VD 0
(21a)
v S VD 0
(21b)
(22)
Cara kerja:
Jika tegangan jala-jala pada lilitan primer positif, kedua sinyal yang
berlabel vS akan positif. D1 akan terhubung dan D2 akan reverse
biased. Arus mengalir pada D1 akan mengalir melalui R dan kembali
ke tengah-tengah lilitan sekunder. Rangkaian merupakan penyearah
setengah gelombang.
Ketika tegangan jala-jala negatif, kedua sinyal yang berlabel vS akan
negatif. D1 akan cut off dan D2 akan terhubung. Arus mengalir pada
D2 akan mengalir melalui R dan kembali ke tengah-tengah lilitan
sekunder. Rangkaian merupakan penyearah setengah gelombang.
Catatan: arus yang mengalir melalui R selalu mempunyai arah yang
sama, jadi vO akan unipolar.
Untuk menghitung PIV:
Pada saat setengah siklus positif, D1 terhubung dan D2 cut off.
Tegangan pada katoda D2 adalah vO dan pada anoda vS. Jadi
tegangan balik pada dioda D2 akan menjadi (vO + vS), yang akan
mencapai nilai maksimum pada harga (Vs VD) dan vS akan
mencapai puncak pada Vs, jadi:
64
PIV = 2 V V
Penyearah Jembatan
65
Cara kerja:
Pada setengah siklus positif sinyal masukan, vS positif, dan arus
mengalir melalui D1, resistor R, dan dioda D2, sedangkan D3 dan D4
dalam keadaan reverse biased. Dalam jalur ini ada dua dioda yang
terhubung seri sehingga vO akan lebih rendah dari vS sebanyak dua
penurunan tegangan dioda.
Pada setengah siklus negatif sinyal masukan, vS akan negatif,
sehingga vS akan positif, dan arus mengalir melalui D3, R, dan D4,
sedangkan D1 dan D2 dalam keadaan reverse biased.
Catatan: pada kedua kondisi, arus mengalir dengan arah yang sama,
sehingga vO selalu positif.
Untuk menghitung PIV, perhatikan rangkaian pada setengah siklus
positif. Tegangan balik pada dioda D3 dapat ditentukan pada loop
yang dibentuk oleh D3, R, dan D2:
vD3 (reverse) = vO + vD2 (forward)
Harga maksimum dari vD3 terjadi pada puncak vO, jadi:
66
Gambar 28. (a) rangkaian sederhana yang menunjukkan efek dari kapasitor
filter (b) bentuk gelombang masukan dan keluaran
67
Cara kerja:
Sinyal masukan vi adalah sinyal sinusoida dengan amplitudo Vp dan
asumsikan dioda adalah dioda ideal.
vi positif dioda terhubung dan kapasitor terisi dan vO = vI.
Keadaan ini berlangsung terus sampai vI mencapai Vp. Setelah
sinyal masukan mencapai puncak, vI menurun, dioda dalam
keadaan reverse biased, dan tegangan keluaran tetap pada Vp.
Harga ini akan tetap konstan, karena tidak ada jalur untuk
pengosongan kapasitor.
Jadi rangkaian menghasilkan tegangan keluaran sama dengan
amplitudo sinyal masukan sinusoida.
Pada keadaan praktis, rangkaian dihubungkan dengan beban R
paralel dengan C seperti yang terlihat pada gambar 29
68
69
Cara kerja:
Asumsikan dioda adalah dioda ideal.
Dengan sinyal masukan sinusoida, kapasitor akan terisi sampai
tegangan mencapai Vp. Kemudian dioda menjadi cut off, kapasitor
akan dikosongkan melalui resistansi beban R. Pengosongan
kapasitor akan berlangsung sampai vI lebih tinggi dari tegangan
pada kapasitor. Dioda akan terhubung lagi dan mengisi kapasitor
sampai Vp. Proses ini akan berulang.
Agar penurunan tegangan keluaran tidak terlalu besar selama
pengosongan kapasitor, harga CR jauh lebih besar dari interval
pengosongan.
Gambar 29(b) adalah bentuk gelombang masukan dan keluaran
dengan asumsi CR >> T, di mana T adalah perioda dari sinyal
masukan sinusoida.
70
(23)
i D iC i L
C
dv I
iL
dt
(24)
(25)
Catatan:
1. Dioda terhubung pada interval yang singkat, t.
2. Asumsikan dioda ideal, dioda mulai terhubung pada t1, pada
saat vI = vO. Dioda off pada t2 . Harga t2 dapat dicari dari
persamaan di atas dengan iD = 0
3. Selama dioda off, kapasitor C discharge melalui R, dan vO
berkurang secara eksponensial dengan konstanta waktu CR.
Selang discharge mulai beberapa saat setelah amplitudo vI.
Pada akhir selang discharge, vO = Vp Vr, Vr adalah tegangan
ripple puncak-ke-puncak. Ketika CR >> T, Vr kecil.
71
IL
(26)
(27)
v O Vpe t / CR
Pada akhir selang pengosongan:
Vp Vr Vpe T / CR
72
Untuk CR T e
Vr Vp
t / CR
T
1
CR
T
CR
Vp
Vr
fCR
I
Vr L
fC
(28)
(29a)
(29b)
Vp cos t Vp Vr
2f 2 / T
73
(30)
i Dav IL 1 2Vp / Vr
(31)
74
i D max IL 1 2 2Vp / Vr
(32)
75
76
Vp
Vr
2fCR
(33)
i Dav IL 1 Vp / 2Vr
i D max IL 1 2 Vp / 2Vr
(34)
(35)
78
79
80
82
83
84
86
87
Cara kerja:
Karena polaritas dioda terhubung sedemikian rupa maka kapasitor
akan terisi sampai tegangan vC seperti yang terlihat pada gambar 36
dan besarnya sama dengan amplitudo negatif dari sinyal masukan.
Selanjutnya dioda off dan tegangan pada kapasitor akan konstan.
Jika masukan sinyal segiempat mempunyai tegangan maksimum
-6V dan +4V, maka vC akan sama dengan 6V. Tegangan keluaran vO:
vO = vI + vC
Bentuk gelombangnya akan sama hanya tergeser ke atas sebanyak
vC.
Cara lain melihat cara kerja rangkaian ini adalah, karena dioda
terhubung sedemikian, maka akan mencegah tegangan keluaran
lebih rendah dari 0V. Jadi bentuk gelombang keluaran mempunyai
harga terendah 0V atau terjepit pada tegangan 0V. Itulah sebabnya
rangkaian disebut rangkaian kapasitor penjepit.
88
90
91
Voltage Doubler
93
97
Gambar 43. A silicon crystal doped with a trivalent impurity. Each dopant atom
gives rise to a hole, and the semiconductor becomes p type.
98
N N
V0 VT ln A 2 D
n
i
99
Arus difusi ID
Konsentrasi holes yang tinggi di daerah p dan yang rendah di
daerah n menyebabkan holes merembas melalui junction dari
sisi p ke sisi n.
Sebaliknya, elektron merembas dari sisi n ke sisi p.
Jumlah kedua arus ini membentuk arus difusi ID dengan arah
dari sisi p ke sisi n.
100
Daerah deplesi
Holes yang merembas melalui junction ke daerah n akan berrekombinasi dengan mayoritas elektron di daerah n, sehingga
holes ini menghilang demikian juga sebagian elektron bebas
pada daerah n juga menghilang.
Sebagian dari muatan positif tidak lagi dinetralkan oleh elektron
bebas. Muatan ini disebut uncovered
Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah
dekat junction yang kekurangan elektron bebas (depleted of free
electrons) dan mengandung muatan positif yang uncovered
Elektron yang merembas melalui junction ke daerah p akan berrekombinasi dengan mayoritas holes di daerah p, sehingga
elektron ini menghilang demikian juga sebagian holes bebas
pada daerah p juga menghilang.
Sebagian dari muatan negatif tidak lagi dinetralkan oleh holes.
Muatan ini disebut uncovered
Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah
dekat junction pada daerah p yang kekurangan holes (depleted
of holes) dan mengandung muatan negatif yang uncovered
101
Dari penjelasan di atas, daerah deplesi pembawa (carrierdepletion region) atau daerah deplesi akan terdapat di kedua sisi
junction, pada sisi n bermuatan positif dan di sisi p bermuatan
negatif.
Muatan pada ke dua sisi daerah deplesi akan menyebabkan
adanya medan listrik pada daerah deplesi, sehingga ada
perbedaan tegangan pada daerah deplesi, dengan tegangan
positif pada sisi n dan tegangan negatif pada sisi p.
Perbedaan tegangan pada daerah deplesi merupakan
penghalang (barrier) yang harus diatasi oleh holes untuk
berdifusi ke daerah n dan elektron berdifusi ke daerah p.
Makin besar tegangan penghalang, makin kecil jumlah
pembawa yang dapat mengatasi barrier sehingga makin kecil
arus difusi.
Arus difusi tergantung pada perbedaan tegangan V0 pada
daerah deplesi.
102
103
104
xn N A
x p ND
Wdep xn x p
2 s
q
1
1
V0
N A ND
105
109
110
Efek avalanche
Terjadi ketika pembawa minoritas yang melewati daerah
deplesi karena pengaruh medan listrik mempunyai energi
kinetik yang dapat memecahkan ikatan kovalen pada atom
yang ditabraknya.
Pembawa yang terbentuk pada proses ini mempunyai energi
yang tinggi yang dapat menyebabkan proses ionisasi
berlanjut.
Proses avalanche disebabkan oleh rangkaian luar, dengan
perubahan penurunan tegangan junction yang bisa
diabaikan.
Breakdown pada pn junction tidak bersifat merusak dengan
syarat disipasi daya tidak melebihi dari batas yang ditentukan.
Disipasi daya maksimum menentukan harga maksimum arus
balik.
111
113
SBD dapat di-switch (on off) lebih cepat dari dioda biasa.
115
3.
116
4.
117