Anda di halaman 1dari 22

STRUKTUR PITA DAN

SIFAT LISTRIK BAHAN

Disusun Oleh :

Disusun Oleh :
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Diajeng Rohmatus
Ricno Sumi Maharani
Wawan Darwan
Feliza Abadiyahsari
Sholihatul Amalia
Apreliani Ayu I.
Wahidussilmi
Dyah Ayu Puspita sari

(123224003)
(123224008)
(123224009)
(123224201)
(123224202)
(123224014)
(123224026)
(123224214)

FISIKA REGULER
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI SURABAYA
SURABAYA
2015
STRUKTUR PITA DAN SIFAT LISTRIK BAHAN

I.

Beberapa Sifat Bahan

Sifat Kelistrikan suatu bahan sejauh ini yang diketahui dibedakan dalam tiga
pembagian meliputi konduktor, isolator, dan semikonduktor.
a.

Konduktor dalam rekayasa elektronik adalah zat yang dapat melakukan arus listrik, baik
dalam bentuk padat, cair atau gas. Karena itu konduktif, itu disebut konduktor. Secara
umum, logam konduktif. Emas, perak, tembaga, aluminium, seng, besi baris memiliki
resistivitas yang lebih besar. Jadi emas adalah konduktor yang sangat baik, tetapi karena
sangat mahal, secara ekonomi tembaga dan aluminium yang paling banyak digunakan.

b.

Isolator listrik adalah bahan yang tidak dapat atau sulit untuk mentransfer muatan
listrik. Dalam bahan isolasi terikat erat elektron valensi dalam atom. Bahan-bahan ini
digunakan dalam perangkat elektronik sebagai isolator, atau menghambat aliran arus listrik.
Isolator juga berguna sebagai beban atau pemisahan antara konduktor tanpa membuat arus
yang mengalir keluar atau hanya antara konduktor. Istilah ini juga digunakan untuk nama
alat yang digunakan untuk mendukung kabel transmisi listrik pada tiang-tiang listrik.

c.

Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik antara insulator dan


konduktor. Semikonduktor juga disebut setengah bahan elektrik konduktif. Sebuah
semikonduktor adalah sebagai isolator jika tidak diberi arus listrik dengan cara dan
sejumlah saat ini, tetapi suhu, aliran tertentu, prosedur dan persyaratan fungsi kerja
semikonduktor sebagai konduktor, tertentu seperti penguat saat ini, penguat tegangan dan
power amplifier.
II.

Kekonduktivitassan Semikonduktor
Kekonduktivitassan dilambangkan dengan

Kekonduktivitassan () dari bahan semikonduktor (S / C) dapat dikatakan kebohongan


antara dua kasus ekstrim ( Konduktor dan isolator).
() Logam ~1010 /-cm sedangkan () Isolator ~ 10-22 /-cm
Selain definisi diatas, sifat semikonduktor juga dimaknai sebagai suatu bahan
yang memiilki nilai hambatan jenis ( ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 -6
- 104 -m. Perbandingan hambatan jenis koduktor, semikonduktor dan isolator dapat dilihat
melalui sampel pembanding berikut :
Tabel 1. Perbandingan Hambatan Jenis Bahan

Bahan
Tembaga
Silikon pada 300K

Hambatan Jenis
(ohm.m)
1,7 x 10-8
2,3 x 103

Sifat
Konduktor
Semikonduktor

Gelas

7,0 x 106

Isolator

Selain itu pula dilihat dari sifat kekonduktivitassannya, semikonduktor juga


didefinisikan sebagai bahan yang memiliki pita terlarang (fiorbidden band) atau energy gap
(EG) yang relative kecil,kira kira sebesar 1 eV.

Gambar 1. Energy Gap


Semikonduktor yang dimaksud diatas adalah bahan semikonduktor yan netral,
dengan jumlah proton dan electron sama. Ketia sebuah electron melompat dari pita valensi
ke pita konduksi, maka pita valensi mengalami perubahan. Electron yang berpindah
menimbulkan sebuah kekosongan pada pita valensi (Hole).

III.

Konsep zat padat

Gambar 2. susunan zat padat yang merupakan kumpulan dari atom ,elektron dan inti atom,
proton dan neutron, serta quarks

Zat dapat digolongkan atas zat padat, cair, dan gas. Zat padat terdiri atas susunan
partikel-partikel teratur. Partikel-partikel tersebut berupa atom-atom, molekul-molekul,
atau ion-ion dan seterusnya ( Gambar1).
Setiap zat padat memiliki sifat-sifat tertentu, hal ini di golongkan menjadi 3 (tiga) yaitu:
1. Spesifikasi fisik , berupa warna tekstur, kekuatan, kekerasan, atau kerapuha
2. Sifat terukur , seperti konduktivitas elektrik, konduktivitas termal, suseptiblitas
magnet , dan titik lebur.

3. Spektrum serap dan pancar yang khas, seperti daerah tampak inframerah,
ultraviolet, atau daerah lainnya dari spektrum elektromagnetik
Semua sifat tersebut bergantung pada 2 (dua) segi struktur zat, yaitu :
1. Jenis atom atau molekul yang darinya suatu bahan terbuat
2. Cara atom atau molekul bergabung bersama membentuk zat padat
Banyak bahan yang memiliki susunan atom atau molekul yang teratur dan
berkala yang tidak hanya mencirikan suatu bahan, tetapi juga memberikan sifat-sifat
umumnya. Susunan atom teratur ini disebut kisi, dan bahan yang berstruktur demikian
disebut kristal.
Golongan zat lainnya, zat padat amorf (amorphous berasal dari kata Yunani
berarti tanpa bentuk), ketiadaan bentuk menyebabkan sifat-sifat bahan amorf seperti
gelas dan kertas biasanya lebih bergantung pada sifat ato atau molekulnya secara
tunggal. Salah satu sifat zat padat adalah konduktivitas elektrik, seperti sifat konduktor,
isolator, atau semikonduktor.
IV.

Penerapan Konsep Zat Padat


Pada zat padat sifat konduktivitasnya memerlukan pemahaman tentang PITA

ENERGI (BAND THEORY). Elektron bebas pada logam dapat sifat logam sebagai
konduktor. Namun, dasar-dasar ini tidak mampu menerangkan sifat semikonduktor yang
dapat bertindak sebagai isolator pada suhu rendah dan jika suhu bertambah sebagai
konduktor.

Gambar 3. Tingkat energi untuk elektron-elektron kulit luar

Tampak bahwa pita energi di gambarkan sebagai garis-garis yang lebih banyak,
untuk atom banyak berdekatan. Sesuai dengan teori atom bahwa atom terdiri dari
elektron yang mengelilingi inti dalam tingkat energi tertentu. Energi yang dimiliki
elektron semakin besar, jika posisi elektron semakin jauh dari inti atom. Lintasan
eektron pada tingkat energi yang dalam tidak berubah karena interaksi antar atom hanya
terjadi pada tingkat elektron yang luar.

Gambar 4. Pita energi yang terpisah

Pita-pita energi tersebut dapat terpisah dari pita energi pada tingkat yang lebih
bawah dan dapat juga bertindihan dengan tingkat energi lain. Apabila pita energi
terpisah (pita atas dan pita bawah), ada celah diantara dua pita energi yang disebut
dengan celah terlarang atau pita terlarang atau celah energi.
Dari gambar 3, dapat disimpulkan bahwa :

Lebar celah energi tersebut menggambarkan energi yang diperlukan oleh suatu

elektron untuk berpindahh dari tingkat bawah ke tingkat yang lebih atas
Pita energi menggambarkan tingkat energi yang diperbolehkna dimiliki oleh

sebuah elektron
Lintasan elektron pada tingkat energi yang dalam tidak berubah karena interaksi
antara atom hanya terjadi pada tingkat elektron terluar
Berdasarkan konsep Pita Energi yang telah diuraikan diatas maka dapat

menjelaskan kejadian pada konduktor, isolator, dan semikonduktor merupakan sifat


konduktivitas zat padat yang berkaitan dengan listrik. Untuk itu ketiga sifat
konduktivitas dapat dijelaskan sebagai berikut.
V.

KONDUKTOR
Konduktor atau penghantar merupakan bahan yang memiliki konduktivitas

panas yang tinggi. Salah satu contoh adalah logam. Logam merupakan konduktor yang
baik karena pita valensi dan pita koonduksi hanya terisi setengah, atau karena pita
konduksi saling tumpang tindih dengan pita valensi. Dalam kedua kasusu selalu
ditemukan keadaan kosong. Adapaun peristiwa dapat digambarkan sebagai berikut :

Gambar 5. Peristiwa pita valensi


Pada bagian atas terdapat ita energi yang terisi elektron setengah penuh yang
disebut pita konduksi. Dibagian bawah pita konduksi terdapat pita valensi yang terisi
penuh dengan elektron. Adapun celah terlarang dengan lebar yang tidak terlalu besar
terletak antara pita konduksi dan pita valensi. Dalam pita konduksi yang tidak penuh
elektron dapat memperoleh energi tambahan (pita elektron dapat naik ke tingkat energi
yang lebih tinggi), sehingga terjadi aliran muatan (arus listrik)
Jadi konduktor ditandai dengan pita konduksi yang terisi sebagian seperti dalam
tembaga atau pita konduksi yang kosong bertumpang dengan pita valensi seperti pada
magnesium. Disamping itu, kristal mempunyai pita konduksi setengah penuh juga
merupakan konduktor listrik

VI.

ISOLATOR

Gambar 6. Struktur pita isolator


Pada isolator , pita konduksi dan pita valensi terpisahkan oleh pita terlarang
yang lebar dan elektron tidak memiliki energi yang cukup besar untuk melompat dari
satu pita ke pita lain,. Untuk menaikkan elektron valensi dari pita valensi ke pita
konduksi dibutuhkan energi yang cukup besar (sekitar 5eV). Pita konduksi yang kosong
dan pita valensi yang terisi penuh menyebabkan tidak ada elktron bebas yang bergerak
sehingga praktis tidak akan ada aliran muatan.
Dapat dikatakan bahwa pita konduksi kosong sehingga tidak ada elektron kristal yang
dapat menghantarkan arus listrik. Dengan demikian susunan pita yang sepertai ini
menyatakan bahwa kristalnya merupakan isolator.
VII.

SEMIKONDUKTOR

Gambar 7. Struktur pita semikonduktor


Semikonduktor merupakan zat padat kristalin, seperti silikon atau germanium,
dengan konduktivitas listrik (biasanya 10

10

-7

siemens permeter) yang bernilai

antara konduktivitas konduktor (hingga 10 9 S m-1) dan isolator (hingga serendah 10 -5 S

m-1). Pada suhu sangat rendah, pita konduksinya tidak terisi elektron. Adanya celah
terlarang ini mempunyai jarak yang lebih kecil dibandingkan dengan celah terlarang
pada isolator. Pada temperatur kamar ( T=300K ) elektron yang ada pada pita valensi
akan mendapatkan energi kinetik.
Energi kinetik ini cukup kuat untuk memindahkan elektron ke pita konduksi atau
sudah ada elektron yang dapat melompat dari pita valensi ke pita konduksi. Pindahnya
elektron ke pita konduksi menyebabkan adanya elktron bebas pada pita konduksi
sehingga sudah dapat menghantarkan listrik walaupun konduktivitasnya sangat kecil.
Jadi, pada temperatur kamar semikonduktor mampu menghantarkan arus listrik.
Adapun untuk semikonduktor yang berbahan germanium, pada suhu kira-kira 100 oC
atau lebih, daya hantarnya sangat baik dan bahan silikon keadaan seperti ini terjadi pada
suhu di atas 150 oC.
Konduksi Bipolar
Setelah transisi, Valance Band tidak lagi penuh. Sebagian yang diisi dapat melakukan
arus listrik dan sebagian kosong. Konduktivitas ini karena kedua electron dan lubang. Alat ini
disebut konduktor bipolar atau alat bipolar.
Termal adalah bentuk energy dasar, dimana semua energi dapat dikonversi secara penuh
menjadi energy panas(kalor). Pengonversian dari energi termal ke energi lain dibatasi oleh
hukum termodinamika kedua. Bentuk energi transisi dan energi termal yaitu energi panas dan
energi ini sebagai kalor laten atau kalor sensible yang berbentuk entalpi. Berikut ini adalah
persamaan energi termal:
Energi Termal = k x T = 1.38 x 10-23 J/K x 300K = 25 meV
Exitasi rata-rata = konstan x exp(-Fg/kT)

Meskipun energy panas pada suhu kamar, RT, sangat kecil yaitu 25 MeV, ada
beberapa electron yang dapat dipromosikan ke CB dengan cara energy panas. Hal ini
dapat disebabkan oleh kenaikkan eksponensial dari tingkat eksitasi dengan
meningkatnya suhu.

Electric field(medan listrik)

Medan listrik adalah efek yang ditimbulkan oleh keberadaan muatan listrik
seperti electron, ion, atau proton, dalam ruangan sekitar. Mekanisme pada medan yang
rendah tidak mempromosikan electron ke CB dalam s/c seperti Si dan GaAs.
Medan listrik dari 1018 V/m dapat memberikan energy pada 1 eV. Karena
medan ini sangat besar. Jadi penggunaan medan listrik tidak untuk mempromosikan
electron s/c.
Radiasi Elektromagnetik
Radiasi elektromagnetik adalah hubungan antara medan listrik dan medan magnet yang
berosilasi dapat merambat lewat ruang dan membawa energy dari suatu tempat ke tempat lain.
Salah satu bentuk radiasi elektromagnetik yaitu cahaya. Gelombang tersebut ditemukan oleh
Heinrich Hertz dan termasuk gelombang transversal. Setiap muatan listrik memiliki percepatan
memancarkan radiasi elektromagnetik. Radiasi elektromagnetik dapat bersifat seperti
gelombang atau seperti partikel.

E h h

c
1.24
(6.62 x1034 J s) x(3 x108 m / s) / ( m) E (eV )

(in m)
Sebagai

gelombang dicirikan oleh kecepatan (kecepatan cahaya), panjang gelombang, dan frekuensi.
Kalau sebagai partikel dicikan sebagai foton, masing-masing energi berhubungan dengan
frekuensi gelombang pada hubungan Planck. Persamaan seperti berikut:

h = 6.62 x 10-34 J-s


c = 3 x 108 m/s
1 eV=1.6x10-19 J
Silikon Eg = 1 . 1eV

( m =

1.24
1.1

= 1. 1

m
Persamaan diatas untuk mempromosikan elektron dari VB ke CB Silicon, panjang
gelombang foton harus 1,1 m atau kurang.
Transisi sebaliknya juga bisa terjadi.
Sebuah elektron di CB recombines dengan lubang di VB dan menghasilkan
foton.
Energi foton akan berada dalam Eg.

Jika hal ini terjadi secara langsung band-gap s / c, itu membentuk dasar dari
LED dan LASERS.

Radiasi elektromagnetik
Secara matematis
E=h=E g
Dimana

merupakan frekuensi anguler dari foton (gelombang elektromagnetik)

Koefisien absorpsi pada semikonduktor dengan celah pita energi langsung sebagai
fungsi energi dinyatakan
1

hf = A ( hf Eg ) 2
Dimana
A = konstanta
= koefisien absorpsi (cm-1)
hf = energi (eV)
Eg = energi celah pita material (eV)
Kristal semikonduktor yang akan diukur celah energinya dijatuhi foton
monokromatik dengan energi mulai dari yang kecil sampai yang besar sedemikian rupa
sehingga terjdi penyerapan foton oleh kristal. Apabila monokromatik yang datang pada
kristal semikonduktor masih diteurskan oleh kristal (dideteksi oleh detektor), maka
berarti penyerapan foton oleh kristal belum terjadi.
Jika energi foton itu diperbesar sedikit demi sedikit sehingga mulai ada foton
yang tidak ditangkap oleh ditektor, maka berarti pada daat ini penyerapan foton oleh
kristal mulai terjadi. Jika energi foton ini terus diperbesar, maka penyerapan akan terus
berlangsung.
Pada teknik penyerapan langsung, nilai energi foton yang menyebabkan mulai
tejadi penyerapan foton oleh kristal adalah sama dengan nilai energi celah dari kristal
semikonduktor itu.

Gambar 8. Kurva penyerapan


Pada saat mulai terjadi penyerapan foton oleh kristal berarti elektron-elektron
pada pita valensi mulai memperoleh energi yang cukup untuk meloncati celah energi
Eg, sehingga pada saat ini timbul hole (lubang) di pita valensi dan elektron konduksi di
pita konduksi. Tepat pada saat mulai terjadi penyerapan, energi foton yang diserap
kristal (elektron) adalah tepat sama dengan nilai celah energi dari kristal semikonduktor
tersebut.
Penyerapan tidak langsung
Pada semikonduktor dengan celah pita energi tidak langsung, level energi pita
konduksi tidak berada pada momentum yang sama dengan level teratas pita valensi.
Elektron mengabsorpsi foton sekaligus fonon. Proses ini memenuhi hukum kekekalan
energi. Selain energi foton (partikel dalam gelombag elektromagnetik) terdapat juga
fonon (partikel dalam gelombang elastik) yang dipancarkan maupun yang diserap.

Gambar 9. Proses transisi optik


Proses transisi yang terjadi tidak hanya melibatkan foton, tetapi juga fonon.
Fonon mempunyai momentum yang sangat tinggi, meskipun energinya rendah jika
dibandingkan dengan foton. Fono muncul karena adanya interaksi antar kisi dalam
kristal. Apabila enegri foton yang diberikan lebih kecil dari energi celah pita material,
maka akan terjadi absorbsi fonon. Tetapi jika foton yang diberikan lebih besar dari
energi celah pita material, maka akan terjadi emisi fonon.

Secara matematis
E g h=h
Koefisien absorpsi pada semikonduktor dengan celah pita energi tidak langsung sebagai
fungsi energi dinyatakan :
hf = A ( hf Eg ) 2
Dengan
A = konstanta
= koefisien absorpsi (cm-1)
hf = energi (eV)
Eg = energi calah pita pada material (eV)

Gambar 10. Transisi fonon


Kurva penyerapan sebagai fungsi energi pada teknik penyerapan tidak langsung
Awal penyerapan terjadi pada saat energi foton monokromatik
h=Eg + h
pada proses ini berarti fonon mucul di dalam kristal semikonduktor bersamaan dengan
munculnya hole di pita valensi dan elektron di pita konduksi.
Jika nilai

h=Eg + h

maka berarti bahwa fonon bersama foton diserap oleh kristal

semikonduktor.
Isolator
Pada isolator pita konduksinya kosong, jadi tidak terdapat elektron. Pita
valensinya terisi penuh dengan elektron dan tidak overlap sehingga menimbulkan celah
energi yang sedikit besar dari pada bahan semikonduktor. Celah pita isolator adalah 6

eV sedangkan cela energi untuk semikonduktor adalah 1 eV. Karena celah energi yang
besar inilah atom-atom sulit bergerak menuju pita konduksi.

Gambar 11. Pita semikonduktor


VIII. Logam
Berbeda dengan isolator, logam tidak memiliki celah energi. Pita konduksi dan
pita valensi bersentuhan atau bahkan tumpang tindih, sehingga atom dengan mudah
bergerak dari pita valensi ke pita konduksi. Dengan demikian, logam memeliki sifat
konduktor.
IX.

Konsep massa efektif


Jika besarnya sama medan listrik diterapkan untuk kedua elektron dalam ruang

hampa dan di dalam kristal, elektron akan mempercepat pada tingkat yang berbeda satu
sama lain karena adanya potensi yang berbeda di dalam kristal.Elektron dalam kristal
harus mencoba untuk membuat jalan sendiri.Jadi elektron dalam kristal akan memiliki
massa yang berbeda dibandingkan dengan elektron dalam ruang hampa.Massa berubah
ini disebut sebagai yang efektif-massa.
Dengan elektron dipandang sebagai gelombang , maka elektron akan ada
pengaruh medan listrik. Elektron sebagai gelombang bergerak dengan kecepatan group
seperti yang diberikan oleh persamaan berikutf
v

g=

d
df
=2
dk
dk

Di mana f adalah frekuensi de Broglei dan k bilangan gelombang. Karena energi


elektron adalah f =hf
v

g=

maka persamaan di atas dapat ditulis

2 dE
h dk

Jika electron mendapat percepatan sebesar a, maka percepatan tersebut adalah

a=

dv g 2 d dE 2 d 2 E dk
=
=
dt
h dt dk
h dk 2 dt

( )

( )

Persamaan di atas dapat kita baca bahwa percepatan electron termanifestasikan


sebagai laju perubahan bilangan gelombang serta perubahan energi seiring adanya
perubahan bilangan gelombang. Jika percepatan ini timbul karena medan listrik sebesar
, maka perubahan energi dalam selang dt
dE=edx=e v g dt=e

adalah

2 dE
dt
h dk

Yang memeberikan
dk
2
=e
dt
h
Percepatan yang dialami elektron menjadi
a=

4 2
d2 E
e
h2
dk 2

( )

Dalam persamaan di atas adalah gaya yang bekerja pada elektron dan jika relasi
persamaan dia atas dibandingkan dengan relasi klasik yang sudah dikenal yaitu
F=ma , maka didapat
2

4
2
h

h
2
2
d E
1
4

= ataum = 2
2
m
dk
d E
dk 2

( )

( )

m* merupakan massa efektif elektron. Massa efektif ini merupakan turunan


kedua energi terhadap bilangan gelombang. Kita kembali pada kurva energi terhadap
bilangan gelombang, zona Brillouin

Gambar 12. Kurva energi terhadap bilangan gelombang


Pada terlihat daerah (selang) energi di mana
berarti

d E /d k

dE /dk

cenderung menurun yang

negatif; inilah daerah energi di mana elektron mempunyai massa

efektif negatif. Daerah ini berada sedikit


di bawah celah energi. Di daerah sedikit di atas celah energi
meningkat yang berarti

d 2 E /d k 2

dE /dk cenderung

positif namun dengan nilai lebih kecil dari bagian

kurva yang parabolik; inilah daerah di mana elektron memiliki massa efektif positif
yang kecil.
Jadi massa efektif elektron tergantung dari energinya; elektron dengan energy
sedikit di bawah celah energi mempunyai massa efektif ringan sedangkan yang
memiliki energi sedikit di atas pita energi memiliki massa efektif negatif. Sejumlah
electron yang terstimulasi thermis mampu naik ke pita konduksi dan meninggalkan hole
(tempat lowong) di pita valensi.
Elektron yang mampu naik ke pita konduksi berada sedikit di atas celah energi.
Elentron-elektron ini mempunyai massa efektif positif yang kecil. Sementara itu hole
yang tertinggal di pita valensi berada sedikit di bawah celah energi. Mereka adalah
elektron dengan massa efektif negatif. Hole dan elektron bermassa efektif negatif
adalah dua pernyataan untuk satu pengertian yang sama.
X.

Direct and Indirect Band Gap


Dalam ilmu fisika padat, band gap, yang dikenal juga energy gap, adalah

jangkauan energi padat dimana tidak terdapat elektron. Untuk insulator dan
semiconduktor, band gap maksudnya adalah perbedaan energi (dalam satuan volt

elektron) antara puncak pita valensi, dan dasar pita konduksi, yaitu jumlah energi yang
dibutuhkan untuk membebaskan sebuah elektron di kulit luar dari orbitnya.
Band gap untuk semikonduktor terdiri dari 2 jenis, pita energi langsung dan pita
energi tidak langsung. Keadaan energi minimal dalam pita konduksi, dan keadaan
energy maksimal dalam pita valensi, masing-masing digolongkan berdasarkan k-vector
tertentu dalam zona Brillouin. Jika k-vectornya sama, maka digolongkan dalam band
gap langsung, jika berbeda digolongkan dalam band gap tidak langsung.

Indirect bandgap (Pita energy tidak langsung)


Silikon adalah material dengan struktur pita energi tidak langsung (indirect

bandgap), di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita
valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi
eksitasi dan rekombinasi dari pembawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada
nilai momentumnya atau dapat dikatakan dibutuhkan bantuan sebuah partikel dengan
momentum yang cukup (seperti phonon) untuk mengkonservasi momentum pada semua
proses transisi. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini
menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik.

Direct bandgap (Pita energy langsung)


GaAs adalah material semikonduktor dengan struktur pita energy langsung

(direct bandgap), dimana, nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari
pita

valensi

bertemu

pada

Pada material ini electron bebas

satu

harga

pada minimum pita

momentum
konduksi

yang

dapat

sama.

melakukan

rekombinasi dengan hole di maksimum pita valensi, karena momentum dari kedua
partikel sama, maka, foton dapat diemisikan sebagai konsekuensi dari hukum
konservasi energy.

Gambar 13. Struktur pita direct bandgap (kiri) dan indirect bandgap (kanan)
XI.

FONON
Fonon merupakan

gelombang

getaran

dalam kristal seperti

halnya

pada

gelombang cahaya. Getaran atom dalam kristal tak begitu banyak pada suhu rendah,
gelombang getaran atom harus dipandang seperti fonon, agar dapat diterangkan hasil
pengukuran

perubahan

kapasitas kalor terhadap

suhu

pada

suhu

rendah.Konduksi kalor dalam bahan padat secara mikroskopik hanya dapat diterangkan
dengan adanya benturan antara fonon dengan fonon lainnya.
Fonon dalam fisika adalah kuantum kuantum moda vibrasi padakisi kristal tegar,
seperti kisi kristal pada zat padat. Kristal dapat dibentuk dari larutan, uap, lelehan atau
gabungan dari ketiganya. Pembentukan kristal sangat dipengaruhi oleh laju nukleasi dan
pertumbuhan. Bila pertumbuhan lambat, kristal yang terbentuk akan cukup besar,
disertai dengan penataan atomatom atau molekul-molekul secara teratur dengan
berulang sehingga sehingga energi potensialnya minimum. Fisika zat padat sangat
berkaitan erat dengan kristal dan elektron di dalamnya. Fisika zat padat mengalami
perkembangan pesat setelah ditemukan Sinar-X dan keberhasilan di dalam memodelkan
susunan atom dalam kristal. Atom-atom atau molekulmolekul dapat berbentuk kisi
kristal melalui gaya tarik menarik (gaya coulomb). Kisikisi tersebut tersusun secara
priodik membentuk kristal. Atomatom yang menyusun zat padat bervibrasi terhadap
posisi keseimbanganya sehingga kisikisi kristal pun ikut bervibrasi. Fenomena yang
muncul dari kuantisasi sistem fisika zat padat tetapi memiliki perbedaan energi dengan
panjang gelombang lebih panjang dibanding gelombang elektromagnetik disebut fonon.
Energi kuantum dari vibrasi gerak dalam medan gelombang elastis dapat dianalogikan
seperti dalam foton dalam gelombang elektromagnetik
Photon dan phonon
Pada sebuah material GaAs dibandingkan tipe energi ( gap band ) photon dan
momentum dengan tipe energi phonon dan momentum yang mungkin diharapkan pada
material ini.

Tabel 2. Perhitungan energi photon dan phonon


Photon
Phonon
E = Eg (GaAs) = 1.43 eV
E = h = hVs / = hVs / a0
E = h = hc / , dengan :
~ a0 = lattice constant = 5.65 x 10-10 m
c = 3 x 108 m/s , h = 6.63 x 10-34 J-s
Vs = 5 x 103 m/s
= 1.24 / 1.43 = 0.88 m
E = hVs / a0 = 0.037 eV
-28
P = h / = h / a0 = 1.17 x 10-24 kg-m/s
P = h / = 7.53 x 10 kg-m/s
Sehingga :
E = 1.43 eV
E = 37 eV
-28
P = 7.53 x 10 kg-m/s
P = 1.17 x 10-24 kg-m/s
Pada table diatas terlihat bahwa antara energi dan momentum pada photon dan
phonon berbeda. Photon mampu membawa energy yang besar tetapi mengabaikan
jumlah momentumnya, sedangkan phonon membawa energy yang kecil tetapi
menggunakan banyak pada momentumnya.
XII.

Positif dan negatif massa efektif


Pada sauatu logam yang meninggalkan elektron sisa pada orbitan terakhir akan

member pulang logam tersebut untuk membentuk ikatan logam, karena elektron
valensinya menjadi elektron bebas. Akan tetapi, pada dasarnya elektron tersebut tidak
sepenuhnya bebas tetapi berinteraksi dengan medan kristal.

Sehingga akan

memunculkan energi ( E ) sebagai fungsi K untuk elektron yang bergerak dalam medan
Kristal yang menghasilkan selang energi yang diperbolehkan dan terlarang. Keadaan
energi yang seperti ini disebut struktur pita zat padat. Akibat pergerakan medan kristal
maka elektron mengalami perubahan massa karena pengaruh medan tersebut, sehingga
massanya bisa bertambah besar atau kecil demikian disebut dengan massa efektif.
Perumusan massa efektif adalah :
2

2
d E
dk 2
Dengan E adalah energi elektronnya dan K adalah fungsi bilangan gelombang.
2

Sebagai contoh elektron bebas energinya :


menjadi :

Ek=

2
k
2 m

lalu diturunkan terhadap K

d2 E
2 2
=
k
2
2 m
dk
Sehingga massa efektif elektron sama dengan massa diamnya :
m

2
2
=
=m
d2 E
2
m
dk 2

( )( )

Tabel 3. nilai massa efektif dan energi celah pita dari Germanium, Silicon dan Gallium
Arsenat.

Pada persamaan massa efektif diketahui bahwa grafik nya bergantung pada E
dan K. Dimana E merupakan energi elektron dan K merupakan fungsi bilangan
gelombang. Diperkuat lagi dengan persamaan massa efektif yaitu :
2

m 2
d E
dk 2

Gambar 14. Grafik Massa efektif


Sehingga pada grafik disamping diketahui bahwa partikel ( elektron ) yang
berada dekat di titik minimum disebut dengan massa efektif positif, sedangkan partikel (
lubang ) yang dekat di titik maksimum disebut massa efektif negatif. Pada partikel
negatif akan mampu pergi dari orbit dengan cepat apabila ada faktor eksternal yang
mendorong karena energi yang tersimpan juga rendah.

Gambar 15. Struktur energi band pada GaAs


Pada gambar diatas diketahui bahwa perbedaan energi yang kecil terjadi pada nilai
momentum yang sama, sehingga disebut dengan semikonduktor band gap langsung.

Gambar 16. Struktur energi band Si


Pada gambar diketahui bahwa energy gap yang kecil diantara puncak dari VB pada k =
0 dan salah satu sisi minimal CB yang jauh dari k = 0 disebut dengan semikonduktor
band gap tidak langsung.

Tabel 4. Nilai-nilai minimum dan maksimum dari material Germanium, Silicon dan
Gallium arsenat.