Anda di halaman 1dari 5

BAND GAP ( CELAH PITA ) SEMIKONDUKTOR

Nurul Dwi Anggraeni ( 140310120033 )


Program Studi Fisika FMIPA Universitas Padjadjaran
18 November 2014
Asisten : Agtri Henboral
Abstrak
Suatu material dapat diklasifikasikan berdasarkan sifat kelistrikannya. Material tersebut dapat
dibagi menjadi 3, yakni bahan isolator, konduktor dan semikonsuktor. Selain dari koefisien
konduktifitasnya, sifat kelistrikan suatu bahan juga dapat ditentukan oleh celah pita yang dimiliki
oleh bahan tersebut. Band gap ( celah pita ) adalah suatu celah yang berada diantara pita valensi
dan pita konduksi pada setiap bahan. Percobaan yang dilakukan adalah untuk mengetahui
seberapa besar energi gap yang dimiliki oleh suatu bahan semikonduktor, bahan yang digunakan
adalah germanium (Ge). Percobaan dilakukan dalam 2 tahap, tahap pertama adalah mengukur
tegangan pada saat temperature naik sebesar 3oC. Tahap kedua adalah mengukur tegangan pada
saat terperatur mulai turun setiap 3oC. Percobaan dilakukan untuk setiap variasi nilai arus 4mA
7mA. Dari hasil percobaan diperoleh pada saat suhu 69C - 70C energi gap dari germanium
adalah -0.028902 eV , - -0.029749 eV, -0.029653 eV, dan -0.030902 eV untuk masing masing
variasi nilai arus 4mA, 5mA, 6mA, dan 7mA.
Kata kunci : band gap, semikonduktor, energi gap germanium
Abstract
A material can be classified based on the electrical properties. These materials can be divided into
three, namely insulators, conductors and semiconductors. Apart from the coefficients of
conductivity, the electrical properties of a material can also be determined by the bandgap of the
material which is owned by. The band gap (band gap) is a gap that lies between the valence band
and the conduction band in each material. Experiments carried out is to find out how much energy
gap which is owned by a semiconductor material, the materials used are germanium (Ge).
Experiments were carried out in two stages, the first stage is to measure voltage when the
temperature rises by 3 C. The second step is to measure the voltage at the time terperatur started
down every 3 C. The experiments were performed for each variation of the rated current of 4mA 7mA. From the experimental results obtained when the temperature is 69 C - 70 C the energy
gap of germanium is -0.028902 eV, - -0.029749 eV, eV -0.029653 and -0.030902 eV for each
variation of the rated current of 4mA, 5mA, 6mA, and 7mA.
Keywords : band gap, semiconductors, gap energy germanium
I. Pendahuluan
II. Suatu
material
dapat
diklasifikasikan dari sifat sifat yang
dimilikinya.
Suatu
sifat
dapat
diklasifikasikan berdasarkan sifat
kelistrikannya.
Yakni
bahan
konduktor,
isolator,
dan
semikonduktor. Selain dilihat dari
koefisien
konduktifitasnya,
sifat
kelistrikan suatu bahan juga dapat
ditentukan dari energi gap yang
dimiliki oleh celah pita yang antara
pita konduksi dan pita valensi yang

dimiliki oleh suatu bahan. Setiap cela


pita memiliki energinya masing
masing sesuai dengan bahannya. Pada
bahan semikonduktor energy gap
dipengaruhi oleh temperature pada
bahan tersebut. Dalam praktikum band
gap, akan diketahui bagaimana
hubungan antara tegangan yang
dihasilkan oleh bahan semikonduktor
terhadap suhunya.
III.

Teori Dasar
IV.

2.1. Semikonduktor

V.
Bahan semikonduktor
adalah bahan yang memiliki daya
hantar diantara konsuktor dan isolator.
Bahan jenis semikonduktor memiliki
tahanan antara 10-3 103 m. Menurut
bahan
penyusunnya
bahan
semikonduktor
terbagi
atas
semikonduktor intrinsic dan ekstrinsik
yang dipengaruhi oleh suhu. Jika
bahan
semikonduktor
tersebut
diberikan suhu yang tinggi, maka
electron akan berppindah dari pita
valensi ke pita konduksi dengan
mudah.
VI.

2.1.1. Semikonduktor intrinsik


VII. Semikonduktor
intrinsik
atau
murni
adalah
semikonduktor yang berasal dari
golongan 4A yang tidak terkotori oleh
atom lain. Pada 0C pita valensi terisi
penuh sedangkan pada pita valensi
kosong. Dengan energy gap yang
relative kecil yakni sekitar 1.1 eV.

VIII. 2.1.2. Semikonduktor Ekstrinsik


IX.
Semikonduktor
ekstrinsik terdiri atas Tipe-P dan TipeN yang masing masing tipe tersebut
telah terkotori oleh atom dari unsur
lain. Tipe-p adalah tipe dengan
konsentrasi hole yang lebih banyak
dibandingkan dengan tipe lainnya, tipe
ini terkotori oleh golongan 5A.
sedangkan
tipe-N
adalah
semikonduktor dengan konsentrasi
electron yang lebih banyak karena
terkotori oleh unsur 3A.
X.

menghitung tegangan yang dihasilkan


oleh bahan semikonduktor.
XVII.
Percobaan dilakukan
dalam dua tahap. Percobaan pertama
dilakukan untuk mengukur tegangan
pada
saat
temperature
bahan
semikonduktor mengalami kenaikan
sebesar 3oC hingga modul mati secara
otomatis pada suhu 170oC. Percobaan
kedua dilakukan untuk mengukur
tegangan pada saat temperature
mengalami penurunan sebesar 3oC
dari 170oC - 30oC. kedua percobaan
dilakukan untuk setiap variasi arus
listrik 4mA 7mA.
XVIII.
XIX.
XX. Data dan Analisa
a. Data Hasil Percobaan
XXI. Dari hasil percobaan diperoleh
data sebagai berikut
XXII. l = 0.01 m
XXIII. A = 0.0002 m2
XXIV. germanium = 2.173913 (m)-1
XXV. k = 8.62 x 10-5
XXVI. sehingga diperoleh energy gap
germanium
XXIX. E
ga

XXVII.
Arus

XXVIII.
Suhu

XXX.
4
XXXI.
30

XI.
XIII.
XV.

XII.
Gambar 1. Band Gap
Semikonduktor

XIV.
Percobaan
XVI.
Peralatan
yang
digunakan adalah Hall effect modul,
bahan semikonduktor (Germanium),
blower untuk pendingin, suber
tegangan, dan multimeter digital untuk

XXXIV.
69

[
e
V
]
XXXII.
0.
0
1
4
4
0
8
XXXV.
0.
0
2
8
9
0
2

XXXVII.
171

XL.
30

XXXIX.
5

XLIII.
69

XLVI.
171

XLIX.
30

XLVIII.
6

LII.
69

LV.
171

LVII.
7

LVIII.
30

XXXVIII.
0.049370
XLI. 0.
0
1
4
7
4
4
XLIV. 0.
0
2
9
7
4
9
XLVII. 0.
0
4
6
6
9
4
L.
0.
0
1
4
6
3
0
LIII. 0.
0
2
9
6
5
3
LVI. 0.
0
5
4
1
0
4
LIX. 0.
0
1

LXI.
69

LXIV.
171

4
9
6
8
LXII. 0.
0
3
0
9
0
2
LXV. 0.
0
4
7
4
4
7

LXVI.
LXVII.Grafik yang diperoleh dari hasil
percobaan adalah
LXVIII.
LXIX.

LXX.
LXXI.

LXXII.
LXXIII.

LXXIV.

LXXXIII.

LXXV.
LXXVI.

LXXXIV.
LXXXV.

LXXVII.
LXXVIII. Grafik untuk menghitung
energy gap dari grafik, dilakukan
pelinieran sehingga diperoleh
grafik
LXXIX.

LXXX.
LXXXI.

LXXXII.

LXXXVI.
a. Analisa
LXXXVII. Dari hasil percobaan
diperoleh data data tegangan untuk
setiap kenaikan dan penurunan
temperature. Tegangan diukur pada
saat suhu ruangan 30C hingga modul
mati secara otomatis. Dari hasil
percobaan diketahui bahwa nilai
tegangan yang diperoleh akan
menurun seiring dengan bertambahnya
suhu, atau sebaliknya. Dari hasil
tersebut dapat dianalisa bahwa
tegangan akan berbanding terbalik
dengan nilai suhu. Nilai arus yang
diubah akan memberikan pengaruh
pada tegangannya, juga nilai energy
gapnya. Semakin besar arus, maka
akan sebesar energy gapnya.
LXXXVIII. Perhitungan dilakukan
dengan merata-ratakan nilai tegangan
yang diperoleh pada saat suhu yang
sama. Dari hasil perhitungan energi
gap akan naik seiring dengan naiknya
temperature. Hal tersebut sesuai
dengan teori , energy gap, dimana
energy gap sebuah bahan akan
semakin besar seiring dengan naiknya
temperature, hal tersebut dikarenakan

electron di dalam pita valensi bergerak


semakin
cepat
karena
adanya
pengaruh suhu, sehingga electron
electron tersebut semakin banyak yang
loncat ke pita konduksi, sehingga nilai
konduktifitasnya
semakin
besar.
Untuk nilai konduktifitas germanium
adalah 2,17. Ari grafik diperoleh
hubungan antara tegangan dan
termperatur berbanding terbalik dan
nilainnya menrun secara eksponensial
sesuai dengan teorinya. Namun pada
saat percobaan perubahan suhu dan
tegangan berlangsung sangat cepat
sehingga
dapat
menimbulkan
kesalahan pengamatan.
LXXXIX.
XC. Simpulan
XCI. Setelah melakukan percobaan dapat
disimpulkan bahwa :
1. Energy gap germanium akan semakin
besar seiring bertambahnya suhu.

2. Tegangan dan suhu berbanding terbalik


dengan nilai yang menurun secara
eksponensial.
3. Ketidakmurnian bahan akan berpengaruh
pada energy gap, dan memperbesar energy
gapnya.
4. Nilai energi gap untuk I= 4 mA, I= 5 mA,
I= 6mA, dan I= 7 mA yang diperoleh dari
peritungan secara berturut-turut adalah
0.087838; 0.013140; -0.109322; dan
-0.049748
XCII.
XCIII. Daftar Pustaka
XCIV.

XCV. [1] Vlack, Lawrence H. Van.


Elemen-Elemen
XCVI. Ilmu
Material. 2001.

dan

XCVII.
Erlangga

Jakarta:

XCVIII.

Rekayasa