Nanocrystalline (2012)

Abstrak:
Film Nanokristal silikon yang terhidrogenisasi nc-Si:H ditumbuhkan dengan
menggunakan metode Plasma enhanced chemical vapour deposition
(PECVD), dengan pengoperasian plasma dibawah tekanan gas sebesar 30
mbar. Efek pemanasan dalam menntukan ukuran kristal dan volume fraksi
kristal dapat dieksklusikan sebagaimana suhu maksimum substrat dibawah
80 C pada akhir pertumbuhan. Inisiasi kristalite terjadi pada celah plasma,
dan nanokristal Si muncul hanya ketika tekanan gas diatas 10 mbar. Dengan
naiknya tekanan ke 30 mbar, volume fraksi fase nanokristal meningkat
secara stabil, dan ukuran kristal berubah dari 7,8 menjadi 4,5 nm. Bandgap
optikal bervariasi dari 2.30 eV ( at 15 mbar) dan 2,03 ev (at 30 mbar), yang
dapat dijelaskan dari efek pengurangan konten hidrogen (reduced hydrogen
content). Penelitian ini membuka kemungkinan akan tumbuhnya film nc-Si:H
dengan fitur kristalite yang terkontrol dengan baik pada substrat didekat
ruang temperatur.

Prosedur Experimen:
Film armorf yang terhidrogenisasi dan film nanokristalin silicon ditumbuhkan
pada kaca silica dan jaringan (wafer) substrat c-Si menggunakan PECVD yang
terkustomisasi dengan frekuensi 27.12 MHz. Elektroda dipisahkan pada jarak
20 mm. Gas SiH4 dicampur (diluted) dengan H2 pada rasio 1:100, dimana
akan menghasilkan ruangan dengan aktivitas elektroda yang rendah dengan
lubang 2 mm. Substrat dimasukkan pada ground elektroda dimana
kontaminasi debu plasma, yang biasanya hadir dibawah tekanan dan
penggunaan daya yang tinggi, dapat dihindari.
Untuk pertumbuhan dari sampel, total aliran gas dijaga pada 20 sccm dan
tekanan gas di set pada rentang 2,5 dan 30 mbar (dengan alat Pfeiffer
CMR362). Karena tidak ada kenaikan suhu yang diinginkan, temperatur
substrat pada akhir pertumbuhan dapat dilihat, dengan power supply 50W,
temperaturnya ada pada 30-50 C tergantung pada tekanan gas.
Untuk semua kondisi, film didepositkan pada kaca quartz dan substrat wafer
c-Si, dimana yang didepositkan pada c-Si wafer digunakan untuk pengukuran
inframerah transformasi Fourier, dan spektrum Raman serta pengukuran
transmisi pada kristal yang tumbuh di kaca quartz.
Kristal yang terdeposit dievaluasi berdasarkan spektrum Raman, yang
didapatkan pada ukuran garis 532 nm dari laser semikonduktor (Horiba JY
HR800). Untuk menghindari kristalisasi induksi laser, daya eksitasi dijaga

dibawah 1 mW. Transformasi fourirer spektrum inframerah (Bio-Rad, FTS-60V)

direkam untuk menentukan ikatan Si-H pada deposits. Transmisi di range
visible-UV diukur dengan spektrometer transmisi (Princeton instruments
SP2500i), dan ketebalan film ditentukan dengan profilometer Talystep.

Hasil Eksperimen :
Spektroskopi Raman adalah alat yang efektif untuk mengevaluasi kekristalan
deposit silikon. Pergeseran sekitar 521,6 cm-1 mengacu pada mode TO dari
satu kristal Si, dimana maksimumnya 5 cm-1, sangat efektif untuk berbagai
variasi fonon pada berbagai kepadatan densitas. Pada sampel armorf Si,
puncak raman meluas dan bergeser kebawah memusat pada 480 cm-1.
Puncak Raman yang meningkat dari mode TO suatu film nc-Si:H dapat
dipecah menjadi 3 bagian : Ic didekat 521 cm-1 untuk fraksi kristal, Ia sekitar
480 cm-1 untuk fase armorf dan Im sekitar 510 cm-1 untuk efek dari domain
kristal.
Volume fraksi kristal, Xc, dapat diestimasi dengan relasi Xc= (Ic+Im) / (Ic +
Im +Ia). Pada waktu yang sama, ukuran rata-rata kristal, d nm, dapat
diperoleh dengan formula
dimana (delta omega) adalah puncak pergeseran komponen nanokristal dari
suatu satu kristal Si (single-cristalline Si), dan B= 2,0 cm-1 nm2 diperoleh
dari referensi [24,25].

Figur 1 menampilkan spektrum raman dari film Si:H yang tumbuh pada
tekanan 2,5 - 30 mbar. Dapat dilihat bahwa untuk sample dengan tekanan
gas rendah, spektra Raman memiliki puncak yang luas dengan pusat +- 480
cm-1, mengidikasi bahwa deposit adalah suatu film a-Si:H yang tipikal. Pada
tekanan 10 mbar, lihat puncak, bergeser ke 520,3 cm-1, dan separuh
ketebalannya hanya berukuran 17 cm-1. Sehingga dapat disimpulkan disini
bahwa deposit sekarang mengandung beberapa nanokristal Si.
Mengacu pada pergeseran puncak (delta omega) dari 521,6 cm-1, rata-rata
kuran kristal, d, diestimasikan sekitar 7,8 nm. Dengan meningkatnya tekanan
lebih jauh, maka puncaknya menjadi lebih intensif, dan bergeser secarfa
kontinyu kebawah menjadi 518,1 cm-1 (dengan separuh ketebalannya 15,2
cm-1) pada 15 mbar, dan k 517,7 cm-1 pada 30 mbar (half width 11,7 cm-1),
dengan ukuran rata-rata kristal 4,7 nm dan 4,5 nm. Dengan jelas, tekanan
gas lebih tinggi memfasilitasi pembentukan bagian kristal deposit, dan pada
30 mbar volume fraksi kristal adalah 65%, secara kasar terestimasi dari
dekomposisi puncak. Tekanan 10 mbar dapat diambil secara aman sebagai
ambang batas tekanan gas, dengan parameter lain yang harus diberikan,
untuk hasil pertumbuhan nc-Si:H dari suatu film a-Si:H.

Untuk film Si:H yang ditumbuhkan dari PECVD, laju deposisi dari tekanan gas
(figure 2), relevan pada struktur natural deposit. Pada tekanan 2,5 - 10 mbar,
dimana tekanan didominasi dari deposisi a-Si:H, laju pertumbuhan menurun
tajam seiring bertambahnya tekanan--berganti dari 0,12 nm s-1 (2,5 mbar) ke
0,08 (5 mbar) dan 0,07 nm s-1 (10 mbar). Ketika masuk pada domain
pertumbuhan nc-Si:H, ada stabilitas laju pertumbuhan, 0,42 nm s-1 (30
mbar). Hal ini dapat dipahami dari basis fakta bahwa pertumbuhan film Si:H
di plasma hidrogen dipengaruhi kompetisi dari partikel dan proses pengukiran
yang dilakukan atom H. Atom H di dalam plasma dapat melemahkan ikatan

Si-Si dan mengukirnya, menjadi suatu faktor deposisi. Pada tahap awal dalam
peningkatan tekanan gas, hal itu mengakibatkan pengukiran yang efektif dari
pada meningkatkan secara deposisi, mengingat bahwa konten SiH4 didalam
campuran gas hanya 1%. Efek lain dalam meningkatnya rapat atom H adalah
memperjelas ikatan dari atom Si pada permukaan, bersama-sama dengan
bombardir lokal melalui tumbukan H pada pertumbuhan. Momentum
pertumbuhan dari atom H akan membantu perkmebangan difusi dari radikal
Si-H pada permukaan. Untuk informasi dari film nc-Si:H , energi kinetik dari
lilyl radikal (terutama SiH3) terserap pada permukaan yang cukup lebar
dimana permukaan tersebut mampu mendifusi dan menjadi terkombinasi
baik secara energetik untuk nukleasi dan pertumbuhan nanokristal [27-29].
Generasi dari atom hidrogen dengan kerapatan tinggi pada plasma adalah
faktor penting pada pertumbuhan kristal film Si pada temperatur rendah.
Untuk pertumbuhan secara konvensional pada film nc-Si:H dengan PECVD
dibawah 0,1 mbar, pemanasan substrat menjadi 150 C biasanya diperlukan.
Dengan tekanan tinggi pada pekerjaan ini, densitas dari atom hidrogen pada
plasma dapat menyukseskan kristalisasi, berujung hasil pada pertumbuhan
film nc-Si:H pada termperatur ruang tanpa perlu pemanasan lebih lanjut.
Dengan tekanan gas yang tinggi, radikal silyl akan lebih tersedia untuk
menyukseskan pertumbuhan, yang akan menuju pada laju deposisi yang
lebih besar.
Secara umum, pertumbuhan film nc-Si:H dapat dideskripsikan sebagai total
lapisan tipis layer armorf Si:H yang terinisiasi pada substrat, dimana nukleasi
mungkin terjadi pada beberapa tempat dan nukleus ini tumbuh menjadi
nanokristal. Pada tahap berikutnya, film secara kontinyu akan tumbuh
menjadi fase campuran [27]. Hal inilah mengapa ketergantungan ketebalan
dari kekirstalan film diobservasi [17].

Dalam kasus ini, kejadian nukleasi secara dominan terjadi pada partikel kecil
dari plasma, yang terjadi lebih sering pada plasma dari silane dan hidrogen
yang bertekanan tinggi. Untuk dua sampel a-Si:H terdeposit pada 2,5 mbar,
satu pada 0,5 h (ketebalan ~205 nm) dan yang lain 1,5 h (ketebalan ~610
nm), spektrum Raman tidak mendapati perubahan, hanya menampakkan
fitur sekitar pada 480 cm-1 (figur 3a). Dapat dikatakan bahwa deposit Si:H
tinggal sebagai armorf dari proses pertumbuhan ketebalan film yang
terekspansi sampai 600 nm. Tidak ada inisiasi pertumbuhan kristal pada
kasus ini.

Investigasi lebih lanjut pada proses pertumbuhan film nc-Si:H dengan

tekanan tinggi dapat dilihat pada beberapa sampel yang terdepositkan pada
tekanan 30 mbar selama 5, 15 dan 30 menit. Spektrum raman dengan mode
phonon TO untuk 3 sampel (figur 3b) menampilkan transisi dari deposit
seiring meningkatnya fraksi nc-Si -- semakin lama waktu pertumbuhan, maka
semakin tebal sampel, semakin banyak komponn nc-Si pada deposit. Ini
mengingatkan kita bahwa proses pertumbuhan nc-Si:H disini termodifikasi
dan perbesaran nukleus dari plasma.
Spesifikasi Fitur Kimia

Properti elektrik dan optikal dari film Si:H dipengaruhi secara kuat oleh ikatan
konfigurasi silikon-hidrogen. Untuk karakterisasi deposit Si:H, Spektrum FTIR
direkam dalam mode transmisi seperti pada figur 4. Spektrum ini
dinormalisasi sebanding dengan ketebalan film untuk kejelasannya. Dari figur
4, deposit biasanya memiliki ikatan absorbsi yang bsar pada ~630, 700-1000,
1100 dan 2100 cm-1. Absorpsi Infrared IR pada film a-Si:H dan nc-Si:H dapat
diinvestigasi. Sebut saja pada pita absoprsi 630 cm-1 dan 2000 cm-1 dengan
diatribusikan pada mode peregangan ikatan mono-hidrogen (Si-H). Puncak
pada range 700-1000 cm-1, terutama dua puncak kecil pada pusat 840 dan
890 cm-1, berkaitan pada mode peregangan dari di-hydride (Si-H2) dan polyhydride ((Si-H2)2). Puncak pada 2100 cm-1 berkaitan dengan peregangan SiH2.
Karena spektrum ini ternormalisasi berbanding dengan ketebalan film, maka
konten isi dari perbedaan ikatan konfigurasi silikon-hidrogen dapat
dibandingan dengan investigasi pada bagian tekanan gas pada status ikatan
deposit flm Si:H. Pada Spektrum FTIR, semua pita absorpsi (absorption band)
menjadi lemah seiring bertambahnya tekanan gas, mengindikasi bahwa
adanya pengurangan konten hidrogen pada deposit. Secara umum, Si-H2
dengan mode getaran terkait berkurang secara signifikan. Pada film Si:H
bertekanan rendah, hanya ikatan Si-H2 menunjukkan penurunan yang
signifikan, dimana konten ikatan Si-H berubah hanya sedikit (slightly
changes).
Pada studi ini, laju pertumbuhan deposit film Si:H pada 2,5 mbar lebih tinggi
dari deposit pada 5 mbar (figure 2), lebih rapat densitas Si-H2. Hal ini berarti
bahwa untuk pertumbuhan di temperatur ruang, properti fotoelektrik deposit

film a-Si:H dibawah tekanan yang tinggi mungkin akan relatif lebih baik,
terutama ketika terfokus pada degradasi.
Seiring pergeseran pertumbuhan dari a-Si:H ke nc-Si:H, konten H pada film
berkurang, dan suatu nomor atom besar Si mengkombinasi Hidrogen lebih
lanjut. Walaupun pada temperatur yang ada disekitar suhu ruang (<80 C),
tekanan gas yang tinggi mengakibatkan film nc-Si:H lebih resistif pada
degradasi fotoinduksi. Kehadiran pita absorpsi pada 1000-1200 cm-1
melengkapi Si-O mode yang mengindikasi efek oksidasi yang disebabkan
pori-pori mikrostruktur. Seiring tekanan deposisi meningkat, intensitas dari SiO smakin berkurang, mengimplikasi bahwa tekanan tinggi akan memberikan
pertumbuhan yang lebih compact pada struktur deposit.
Spesifikasi Fitur Optik
Spektrum transmisi dari deposit Si:H pada panjang gelombang yang rendah
(dibawah 550 nm seperti pada figur 5a) dapat digunakan untuk mencari
bandgap optical.

Karena ketebalan film sama, maka beberapa refleksi koheren mengakibatkan

adanya garis interferensi pada spektrum. Pada bagian dengan panjang
gelombang yang lebih pendek, dimana transmisinya kecil, efek interferensi
hampir tertekan sepenuhnya sehingga transmisi menunjukkan kurva yang
mulus yang muncul seiring dengan naiknya panjang gelombang. Pada daerah
tersebut, kurva tranmisi menunjukkan secara eksklusif absorpsi pada ujung
pita, walaupun koefisien absopsi deposit pada absorption edge dapat
dikalkulasi dari transmisi yang diukur.
Gambar 5b menunjukkan
point
data
pertama,

versus kurva hv, yang, kecuali dari beberapa

menunjukkan
linieritas.
Dari
rlasi
Tauc

bandgap optikal dapat ditentukan. Untuk dua

contoh armorf, optikal bandgap yang didapat menyisakan keakuratan
metode, yaitu 2.13 eV. Untuk sampel yang diperoleh pada 7,5 mbar, dimana
ada nanokristal, optikal bandgap nya 2.295 eV. Kemudian menjadi 2,25 EV
untuk tekanan 10 mbar untuk mencapai maksimumnya yaitu 2,30 eV pada
15 mbar, selanjutnya menurun. Untuk sampel dengan deposit 30 mbar
energi bandgap nya turun dari 2.03 eV yaitu 0,1 eV lebih kecil dari bentuk
armorfnya. Fluktuasi nilai bandgap mencerminkan bahwa adanya perubahan
mikrostruktur pada deposit dengan kondisi deposisi yang bervariasi.
Pada film a-Si:H, bandgap optikal dikenal bergantung pada konten hidrogen,
yang dapat dihitung dari mode wagging karna itu meningkat bergantung
pada konten hidrogen [36]. Seperti pada Figur 2, konten hidrogen pada
sampel terdeposit pada 2,5 dan 5 mbar memiliki mode wagging 630 cm-1,
sehingga dua film tersebut memiliki bandgap optikal yang sama.
Untuk nc-Si:H, optikal bandgapnya tidak hanya sebagai fungsi dari konten
hidrogen, tetapi juga dipengaruhi oleh partikel nc-Si yang ada didalam
matriks armorf. Kristal nc-Si lebih kecil dari 10 nm menyebabkan efek
kurungan kuantum, yang menuju pada pelebaran bandgap. Fakta bahwa
optikal bandgap dari filn nc-Si:H diperoleh pada 7,5-20 mbar lebih besar dari
pada sampel a-Si:H. Pada film yang didepositkan di 30 mbar, optikal bandgap
direduksi mungkin dikarenakan efek dari hilangnya hidrogen-----pengurangan
konten hidrogen dapat mengakibatkan ketidakseimbangan kurungan
kuantum.
Kesimpulan
Film nanokristal nc-Si:H tumbuh pada substrat yang dingin (bersuhu rendah),
dengan temperatur substrat dibawah 80 C pada akhir pertumbuhan, dengan
menggunakan PECVD yang dioperasikan dibawah gas bertekanan tinggi. Efek
dari tekanan gas dan kondisi plasma pada struktur dan fitur optikal dari film
Si:H yang didepositkan berhasil diinvestigasi. Seiring dengan nukleasi yang
terjadi di celah plasma, tekanan gas pada ambang batas, disini +- 10 mbar,
harus diaplikasikan untuk mendapatkan dposit-deposit nc-Si:H.
Volume fraksi fase nanokristal meningkat seiring meningkatnya tekanan gas
pada 30 mbar, sehingga mencapai total 65%. Pada saat yang sama, ikatan
Si:H2 pada sampel armorf berkurang. Kristalisasi silikon pada ruang
temperatur dapat diatribusikan pada atom hidrogen dengan kerapatan
densitas yang tinggi di dalam plasma.
Bandgap optikal dari sampel nanokristalline bervariasi dari 2.30 Ev ke 2.03
eV,yang dapat dieksplanasi dari konten Si-H dan ikatan kuantum. Penelitian
ini mendemonstrasikan bahwa film nc-Si:H dapat secara sederhana
ditumbuhkan dengan PECVD yang dioperasikan pada tekanan tinggi pada
substrat yang dijaga pada suhu ruang.
Source:

[1] Funde A M, Bakr N A, Kamble D K, Hawaldar R R,

Amalnerkar D P and Jadkar S R 2008 Sol. Energy Mater.
Sol. Cells 92 1217
[2] Floglietti V, Mariucci L and Fortunato G 1999 J. Appl. Phys.
85 616
[3] Toyama T, Matusi T, Kurokawa Y, Okamoto H and
Hamakawa Y 1996 Appl. Phys. Lett. 69 1261
[4] Meier J, Dubail S, Fluckiger R, Fischer D, Keppner H and
Shah A 1994 IEEE 1st World Conf. on Photovoltaic Energy
Conversion/24th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.
(Waikoloa, HI) vol 1 p 409
[5] Acciarri M, Binetti S, Bollani M, Comotti A, Fumagalli L,
Pizzini S and Von Kanel H 2005 Sol. Energy Mater. Sol.
Cells 87 11
[6] Yue G Z, Yan B J, Ganguly G, Yang J, Guha S and Teplin C W
2006 Appl. Phys. Lett. 88 263507
[7] Raniero L, Ferreira I, Pereira L, Aguas H, Fortunato E and
Martins R 2006 J. Non-Cryst. Solids 352 1945
[8] Song D Y, Cho E C, Conibeer G, Flynn C, Huang Y D and
Green M A 2008 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92 474
[9] Kondo M, Matsui T, Nasuno Y, Sonobe H and Shimizu S 2006
Thin Solid Films 501 243
[10] Finger F, Carius R, Dylla T, Klein S, Okur S and Gunes M
2003 IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 150 300
[11] He Y L, Wei Y Y, Zhen G Z, Yu M B and Liu M 1997 J. Appl.
Phys. 82 3408
[12] Kondo M, Nasuno Y, Mase H, Wada T and Matsuda A 2002
J. Non-Cryst. Solids 299302 108
[13] Goncalves C, Charvet S, Zeinert A, Clin M and Zellama K
2002 Thin Solid Films 403404 91
[14] Waman V S, Funde A M, Kamble M M, Pramod M R,
Hawaldar R R, Amalnerkar D P, Sathe V G, Gosavi S W
and Jadkar S R 2011 J. Nanotechnol. 2011 242398
[15] Bhattacharya K and Das D 2008 J. Phys. D: Appl. Phys.
41 155420
[16] Son J I, Kim H H and Cho N H 2011 J. Korean Phys. Soc.
58 1384
[17] Son J I, Nam H J and Cho N H 2012 Inter. J. Photoenergy
2012 643895
[18] Cao Z X 2007 Visible light emission from innate silicon
nanoparticles in silicon compounds grown at a low
temperature Electronic and Photonic Nanostructures ed F
Rahman (Singapore: Pan Stanford Publishers) p 267
[19] Huang R, Ma L B, Du Y, Song R, Ye J P, Lin Y, Wang Y Q and
Cao Z X 2007 Nanotechnology 18 445605
[20] Wang Y Q, Wang YG, Cao L and Cao Z X 2003 Appl. Phys.
Lett. 83 3474
[21] Wang Y Q and Cao Z X 2003 Nanotechnology 14 1235
[22] Smit C, van Swaaij R, Donker H, Petit A, Kessels W and van
de Sanden M 2003 J. Appl. Phys. 94 3582

[23] Li W, Xia D, Wang H and Zhao X 2010 J. Non-Cryst. Solids

356 2552
[24] He Y L, Yin C Z, Cheng G X, Wang L C, Liu X N and Hu G Y
1994 J. Appl. Phys. 75 797
[25] Kaneko T, Wakagi M, Onisawa K and Minemura T 1994 Appl.
Phys. Lett. 64 1865
[26] Matsuda A 2004 J. Appl. Phys. 43 7909
[27] Shah A, Meier J, Vallat-Sauvain E, Wyrsch N, Kroll U, Droz C
and Graf U 2003 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78 469
[28] Matsuda A 1983 J. Non-Cryst. Solids 5960 767
[29] Shah A, Meier J, Buechel A, Kroll U, Steinhauser J, Meillaud
F, Schade H and Domine D 2006 Thin Solid Films
502 292
[30] Lucovsky G 1980 Sol. Cells 2 431
[31] Knights J C, Lucovsky G and Nemanich R J 1979 J. Non-Crys.
Solids 32 393
[32] Nozawa R, Takeda H, Ito M, Hori M and Goto T 1999 J. Appl.
Phys. 85 1172
[33] Xu L, Li Z P, Wen C and Shen W Z 2011 J. Appl. Phys.
110 064315
[34] Brodsky M H, Cardona M and Cuomo J J 1977 Phys. Rev. B
16 3556
[35] Robertson J 1991 J. Phil. Mag. B 63 47
[36] Cody G D, Wronski C R, Abels B, Stephens R B and Brooks B
1980 Sol. Cells 2 227