Anda di halaman 1dari 8

Scanning Electron Microscope &

Energy dispersive X-ray


Spectroscopy (SEM-EDS)
Scanning Electron Microscope dan Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (SEM EDS)
Oleh
MUNAWIRUL QULUB
A. Manfaat dan Fungsi Alat
Scanning Elekron Microscope dan Energy-Dispersive X-Ray Spectroscopy (SEM-EDS) merupakan alat yang
memiliki kemampuan memberikan informasi secara langsung tentang topografi (teksture permukaan sampel),
morfologi (bentuk dan ukuran ), komposisi (unsur penyusun sampel), serta Informasi kristalografi (susunan atom
penyusunan sampel).
B. Teori Dasar
Elektron memiliki resolusi yang lebih tinggi daripada cahaya. Resolusi cahaya hanya mampu mencapai 200 nm
sedangkan elektron mencapai 0,1 0,2 nm. Berikut ini diberikan perbandingan gambar hasil mikroskop cahaya
dengan gambar hasil mikroskop elektron.

Gambar 1 Perbandingan resolusi hasil Mikroskop Optik dengan SEM


(Vick Guo, 2005)

Scanning Electron Microscope (SEM) merupakan piranti yang menggunakan elektron untuk menguji suatu obyek.
Elektron ditembakan dan berinteraksi dengan bahan sehingga menghasilkan sinyal yang berisi informasi tentang
permukaan bahan meliputi topografi, morfologi, komposisi serta informasi kristalogafi.
Interaksi elektron dengan atom sampel akan menghasilkan berbagai macam sinyal termasuk diantaranya secondary
electron (SE), back-scattered electron (BSE), sinar-X karakteristik, elektron Auger serta cathodaluminance (Gambar
1). Sebuah alat biasanya tidak memiliki kelengkapan untuk memindai semua sinyal tersebut. SEM-EDS
menggunakan secondary electron, back-scattered electron, sinar-X karakteristik sebagai dasar pemindaian bahan.
Interaksi elektron dengan atom sampel ketika tumbukkan terjadi akan menimbulkan dua jenis pantulan elektron
yaitu pantulan non-elastis dan pantulan elastis seperti pada Gambar 3.

Gambar 3 Jenis pantulan elektron hasil interaksi dengan atom sampel


(Vick Guo, 2005)
Pantulan non-elastis terjadi pada secondary electron sementara pantulan elastis terjadi pada back-scatered electron.
Dua jenis elekron tersebut akan menghasilkan gambar yang berbeda. Secondary electron menghasilkan informasi
tentang perbedaan topografi dari sampel yang dianalisa. Back-scatered electron memberikan informasi tentang
perbedaan berat molekul dari atom atom yang menyusun permukaan sampel.
Mekanisme kontras secondary electron dijelaskan melalui Gambar 4. Permukaan yang tinggi akan lebih banyak
melepaskan elektron dan menghasilkan gambar yang lebih cerah dibandingkan permukaan yang rendah atau datar.
Mekasime kontras backscattered electron dihasilkan oleh perbedaan jumlah pantulan elektron. Atom atom dengan
densitas atau berat molekul lebih besar akan memantulkan lebih banyak elektron sehingga tampak lebih cerah dari
atom berdensitas rendah. Teknik ini sangat berguna untuk membedakan jenis atom. Lebih jelasnya dapat dilihat pada
Gambar 5

Gambar 4 dan 5

EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) digunakan untuk mengenali jenis atom pada permukaan yang mengandung
multi atom. Sebagian besar alat SEM dilengkapi dengan kemampuan ini, namun tidak semua SEM memiliki fitur
ini. Informasi yang dihasilkan EDS didapatkan dari sinar-X karakteristik, yaitu sinar-X yang dihasilkan ketika
elektron dari kulit luar berpindah ke kulit yang lebih dalam. Setiap kulit atom memiliki energi tertentu, untuk
memenuhi aturan tersebut maka elektron dari kulit luar harus melepaskan sebagian energi untuk dapat berpindah ke
kulit atom yang lebih dalam. Energi yang dilepas dipancarkan dalam bentuk sinar-X.

Energi pancaran elektron dalam bentuk sinar X akan dideteksi dan dihitung oleh energy-dispersive spectrometer
(EDS) dan akan dihasilkan keluaran berupa grafik puncakpuncak tertentu yang mewakili unsur yang terkandung.
EDS juga memiliki kemampuan untuk melakukan elemental maping (pemetaan elemen) dengan memberikan warna
berbedabeda dari masing masing elemen di permukaan bahan. EDS juga dapat digunakan untuk menganalisa
secara kuantitatif dari persentase masingmasing elemen.
C. Prinsip Kerja Instrumen
Elektron yang digunakan sebagai pemindai dihasilkan oleh sebuah pistol elektron melalui proses Thermionik. Arus
elektron tersebut kemudian dipercepat dengan memberikan beda potensial. Lensa elektromagnetik dan kondenser
digunakan untuk membentuk , memusatkan serta untuk mengeliminasi elektron yang memiliki sudut cukup besar.
Kondenser kedua digunakan untuk membentuk arus elektron menjadi lebih terpusat, lebih tipis dan lebih koheren.
Apartur obyektif diset dan digunakan untuk menghilangkan keberadaan elektron yang memiliki sudut besar.
Kumparan scan diatur untuk menentukan besar petak (grid) yang berkaitan dengan kecepatan pindai yang umumnya
dalam orde mikrosekon. Lensa obyektif digunakan untuk mefokuskan arus elektron pada daerah yang dikehendaki.
Ketika berkas elektron menumbuk sampel maka sinyal hasil interaksi akan dideteksi, dan sebelum berkas elektron
selanjutnya menumbuk petak (grid) lain, hasil interaksi akan ditampilkan pada CRT dalam bentuk pixel. Proses ini
akan berulang sampai seluruh petak terpindai.
D. Aplikasi
SEM-EDS dapat diaplikasikan sesuai dengan tujuan penggunaanya yang berkaitan dengan topografi, morfologi,
komposisi, serta Informasi kristalografi sampel. Berikut akan diberikan beberapa contoh aplikasi SEM EDS.
SEM dapat digunakan untuk melihat morfologi dan topografi kristal Fe3O4 Oktahedron akibat variasi konsentrasi
NaOH dan variasi pemanasan. Dikutip dari jurnal dengan judul Formation,characterization,and magnetic properties
of Fe3O4 microoctahedrons (L.Chitu dkk, 2006).

Gambar 7. Aplikasi SEM untuk melihat morfologi (bentuk ) dan topografi (ukuran)
kristal suatu sampel dengan perlakuan berbeda (sumber gambar : Junhao
Zhang dkk, 2007 )
Gambar 7 memperlihatkan bentuk kristal Fe3O4 yang dihasilkan melalui metode kopresipitasi dengan konsentrasi
basa (NaOH) yang berbeda (Gbr. 7.a), dan dengan pemanasan yang berbeda (Gbr.7.b). Perbedaan morfologi
(bentuk) dan topografi (ukuran) kristal dapat terlihat jelas. Gambar tersebut diperoleh melalui SEM dengan
mengunakan secondary electron (SE).
SEM dapat digunakan untuk melihat kristalogarfi dan topografi bentuk kristal CoFe2O4 dan Fe3O4. Dikutip dari
jurnal dengan judul Structure and magnetic properties of CoFe2O4 and Fe3O4 nanoparticles (L.Chitu dkk, 2006).

Gambar 8 Aplikasi SEM untuk melihat kristalografi dan topografi kristal suatu
sampel dengan perlakuan berbeda (sumber gambar : L.Chitu dkk,
2006)
Gambar di atas memperlihatkan kristalografi kristal Fe3O4 (gbr.a) dan kristalografi kristal CoFe2O4 (gbr.b) yang
dihasilkan melalui pemberian doping Si/Si2N4. Kristal Fe3O4 membentuk rangkaian spherical sedangkan kristal
CoFe2O4 membentuk rangkaian heksagonal. Gambar tersebut dihasilkan oleh SEM dengan menggunakan
secondary electron (SE).
Salah satu manfaat dari penggunaan SEM-EDS adalah untuk mengetahui komposisi suatu bahan baik secara
langsung melalui gambar (sebaran suatu unsur pada permukaan bahan atau pemetaan elemen), juga secara kuantitas
melalui output yang dihasilkan EDS berupa grafik dan angka.

Gambar 9. Aplikasi SEM-EDS untuk melihat komposisi dan membuat pemetaan


elemen suatu bahan (sumber gambar : http//www.material cerdas
Indonesia.com )
Gambar 9.a didapatkan melalui SEM dengan menggunakan backscattered electron. Elemen yang berwarna cerah
menggambarkan unsur dengan berat molekul tinggi sedangkan elemen yang berwarna gelap mengambarkan unsur
dengan berat molekul rendah sehingga diketahui keberadaan dan sebaran dari suatu unsur.
Mekanisme kontras hasil SEM tidak dapat digunakan untuk mengidentifikasi jenis suatu unsur. EDS digunakan
untuk mengenali jenis unsur sehingga dapat diketahui secara pasti jenis unsur yang terkandung dalam sampel beserta
kuantitasnya (Gbr. 9.b dan Gbr. 9.c)

Transmission Electron Microscopy (TEM)


Perbedaan mendasar dari TEM dan SEM adalah pada cara bagaimana elektron yang ditembakkan oleh pistol
elektron mengenai sampel. Pada TEM, sampel yang disiapkan sangat tipis sehingga elektron dapat menembusnya
kemudian hasil dari tembusan elektron tersebut yang diolah menjadi gambar. Sedangkan pada SEM sampel tidak
ditembus oleh elektron sehingga hanya pendaran hasil dari tumbukan elektron dengan sampel yang ditangkap oleh
detektor dan diolah. Skema perbandingan kedua alat ini disajikan oleh gambar dibawah ini.

Prinsip kerja dari TEM secara singkat adalah sinar elektron mengiluminasi spesimen dan menghasilkan sebuah
gambar diatas layar pospor. Gambar dilihat sebagai sebuah proyeksi dari spesimen. Skema dari TEM lebih detil
dapat dilihat pada gambar berikut ini.

(sumber: hk-phy.org)
Sedangkan sinyal utama yang dapat dihasilkan oleh TEM dideskripsikan pada gambar berikut.

Sinyal utama yang dapat ditangkap atau dihasilkan dari TEM cukup banyak antara lain:
1. Diffraction Contrast

Dipakai untuk mengkarakterisasi kristal biasa digunakan untuk menganalisa defek, endapan, ukuran butiran dan
distribusinya.
2. Phase Contrast
Dipakai untuk menganalisa kristalin material (defek, endapan, struktur interfasa, pertumbuhan kristal)
3. Mass/Thickness Contrast
Dipakai untuk karakterisasi bahan amorf berpori, polimer, material lunak (biologis)
4. Electron Diffraction
5. Characteristic X-ray (EDS)
6. Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS + EFTEM)
7. Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM)
Sehingga aplikasi utama TEM adalah sebagai berikut: analisis mikrostruktur, identifikasi defek, analisis interfasa,
struktur kristal, tatanan atom pada kristal, serta analisa elemental skala nanometer.
Sementara itu kelebihan dari analisa menggunakan TEM adalah:
1. Resolusi Superior 0.1~0.2 nm, lebih besar dari SEM (1~3 nm)
2. Mampu mendapatkan informasi komposisi dan kristalografi dari bahan uji dengan resolusi tinggi
3. Memungkinkan untuk mendapatkan berbagai signal dari satu lokasi yang sama.
Sedangkan kelemahannya adalah:
1. Hanya meneliti area yang sangat kecil dari sampel (apakah ini representatif?)
2. Perlakuan awal dari sampel cukup rumit sampai bisa mendapatkan gambar yang baik.
3. Elektron dapat merusak atau meninggalkan jejak pada sampel yang diuji.

10 / 0

POPULAR ANSWERS

Robin Rajan Japan Advanced Institute of Science and Technology

HI Neha, these are some of the differences


SEM is based on scattered electrons while TEM is based on transmitted electrons.
SEM focuses on the samples surface and its composition whereas TEM provides the details about
internal composition. Therefore TEM can show many characteristics of the sample, such as
morphology, crystallization, stress or even magnetic domains. On the other hand, SEM shows only
the morphology of samples.
The sample in TEM has to be cut thinner whereas there is no such need with SEM sample.
TEM has much higher resolution than SEM.
SEM allows for large amount of sample to be analysed at a time whereas with TEM only small
amount of sample can be analysed at a time.
SEM is used for surfaces, powders, polished & etched microstructures, IC chips, chemical
segregation whereas TEM is used for imaging of dislocations, tiny precipitates, grain boundaries and
other defect structures in solids
In TEM, pictures are shown on fluorescent screens whereas in SEM, picture is shown on monitor.
SEM also provides a 3-dimensional image while TEM provides a 2-dimensional picture.