Anda di halaman 1dari 33

PHOTOLITHOGRA

PHY

PROSES PHOTOLITHOGRAPHY
Diagram blok ini merupakan gambaran proses
photolithography secara keseluruhan.

SUBSTRATE
CLEANING

SPINCOAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

1. Substrate Cleaning

Tujuannya adalah agar wafer dalam kondisi yang benar-benar


murnii tanpa
mengandung
t
g d g pengotor
g t sedikitpun.
dikit
Wafer yang sudah didiamkan dalam waktu yang cukup lama,
membutuhkan pembersihan menggunakan cairan asam.
SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST BAKE
POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

2. Wafer Coating

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Tujuannya adalah agar wafer diselimuti photoresist yang seragam.


Caranya adalah dengan memutar wafer dengan kecepatan yang
konstan.

Proses Spin Coating

Before spin

After spin

PR

Wafer

PR

Chuck

Kita dapat menggunakan proses spin coating dengan


kecepatan 1000 - 6000 rpm dalam waktu 20 - 60 detik
untuk menghasilkan thin film yang seragam dengan
ketebalan 0.3 - 2.5 m.

3. Pre-Bake ( Soft-Bake )

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

TTujuannya
j ann a adalah meng
menguatkan
atkan ikatan adhesi pada
photoresist
Temperatur
p
kerjanya
j y berkisar 90-100C

4. Expose
SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Tujuannya adalah untuk


menentukan photoresist yang
tidak dibutuhkan dengan cara
menyinari photoresist
menggunakan sinar UV.

5. Develop

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Proses ini adalah mengangkat bagian photoresist yang


tidak dibutuhkan menggunakan cairan tertentu sebagai
pelarutnya.
U t k positive
Untuk
iti photoresist,
h t
i t bagian
b gi photoresist
h t
i t yangg
terkena sinar UV akan terangkat setelah dilarutkan
dengan cairan tertentu.
Sedangkan untuk negative photoresist, bagian
photoresist yang tidak terkena sinar UV akan terangkat
setelah dilarutkan dengan cairan tertentu.

6. Post-Bake
SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Proses ini berjalan selama 30


menit dengan temperatur kerja
100 120C
100-120C

7. Inspection

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE
PRE
BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Tujuannya adalah agar mengetahui apakah wafer sudah


siap untuk proses selanjutnya, etching.

Apabila, ada bentuk photoresist yang tidak sesuai dengan


keinginan / mask yang digunakan, maka harus dibuat
ulang dari langkah awal.
10

8. Etch

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Proses etching dibagi 2,


2 yaitu Dry Plasma Etch dan Wet
Chemical Etch.

Sesuai dengan namanya,


namanya dry plasma etch memanfaatkan
metode ion bombardment untuk melepaskan ikatan antar
atomnya Sedangkan wet chemical etch menggunakan
atomnya.
cairan kimia tertentu untuk melarutkannya.
11

9. Strip

SUBSTRATE
CLEANING

SPIN COAT

PRE-BAKE

POST BAKE
POST-BAKE

DEVELOP

EXPOSE

INSPECTION

ETCH

STRIP

Strip adalah proses terakhir dalam photolithography, yaitu di


mana photoresist dilepas seluruhnya.

Sama seperti proses etch, strip dapat dibagi menjadi dry


plasma strip dan wet chemical strip.
12

Contoh proses Photolithography


SILICON P-N JUNCTION DIODE WITH BOTH ELECTRICAL
CONTACTS ON THE TOP
SURFACE OF THE WAFER

Cross
section
:

Al
n

SiO2

p-type substrate

Top
view:

13

Dimulai dari wafer p-doped silicon biasa yang kemudian


dioksidasi.

Cross
section:

SiO2

p-type substrate

Top
view:

14

Yang kita butuhkan pertama-tama adalah membuat lubang pada SiO2


agar silicon tersebut dapat kita difusikan dopant n.

SiO2

Cross
section:

p-type
p
type substrate

Top
view:

15

Bagian penting dari proses lithography itu


sendiri adalah mask.
mask
Mask adalah sebuah kaca yang dilapisi
dengan thin film yang tidak tembus cahaya.
cahaya
Guna dari mask ini sendiri adalah untuk
menentukan cahaya UV akan menyinari bagian
mana dari wafer. Sehingga akan terbentuk
pola yang sesuai dengan kita inginkan.

16

Untuk contoh kali ini, berikut adalah mask yang kita


gunakan
opaque
Cross
section
:

metal,e.g.,Cr
glass plate

Top
view:

17

Pertama-tama kita lapisi wafer dengan photoresist secara


keseluruhan.

Photoresist

Cross
section:

p-type
t
substrate
b t t

Top
view:

18

Wafer ini dipanaskan dengan temperatur 70 -90C (soft bake or pre-bake)


untuk menguatkan ikatan adhesi pada photoresist itu sendiri.

Cross
sectio
n:

Photoresi
st
p-type substrate

Top
view:

19

Kemudian, mask yang kita miliki tadi, kita letakkan sesuai dengan tempat
yang diinginkan untuk melewatkan cahaya UV nya.

Mask
glass plate

Cross
section
ti
:

p-type substrate

Top
view:

20

Bagian dari photoresist yang tidak tertutup oleh opaque metal pada mask
akan terkena cahaya UV.

Mask
glass plate

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

21

Kemudian, dalam proses develop, bagian dari photoresist tersebut yang


terkena sinar UV dilarutkan dengan cairan kimia sehingga terbentuklah
semacam lubang pada tempat tersebut.
tersebut

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

22

Kemudian, wafer dipanaskan lagi dengan temperatur 120 180C. Tujuannya adalah untuk kembali menguatkan ikatan
pada photoresist tersebut.
tersebut

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

23

Bagian dari SiO2 yang tidak terselimuti photoresist maka


dihilangkan dengan proses etching dengan larutan kimia HF
(secara wet chemical etch) ataupun dengan dry plasma etch
(menggunakan CF4 ).

Cross
section
:

p-type substrate

Top
view:

24

Bagian photoresist sekarang sudah tidak digunakan lagi dan


dapat dihilangkan dengan menggunakan aseton (wet strip)
ataupun plasma O2 (dry strip).
strip)

Cross
section
:

window

SiO2

p-type substrate

Top
view:

25

Sekarang, kita dapat mendifusikan Fosfor, sebagai donor


dopant melewati window yang sudah dibuat sebelumnya.

window
Cross
section:

n-type

SiO2

p-type substrate

Top
view:

26

Dengan cara yang sama, kita buat window terhadap psubstratnya. Kemudian, kita sekarang akan membuat contact
pada substrat dan n-dopant
n dopant yang kita gunakan.
gunakan

Cross
section
:

SiO2
n

p-type substrate

Top
view:

27

Bahan contact yang kita gunakan adalah aluminium (Al). Pada awalnya,
aluminium akan tersebar secara merata pada wafer. Selanjutnya kita
tentukan 2 tempat yang akan digunakan sebagai contact kemudian dengan
proses sputtering akan membuat sedikit
sedikit lubang
lubang pada aluminium tersebut.
tersebut

Cross
sectio
n:

Al
n

SiO
2

p-type substrate

Top
view:
28

Dengan cara yang sama seperti sebelumnya, kita buat photoresist kita
sedemikian rupa sehingga terbentuk seperti pada gambar di bawah ini.

Cross
C
sectio
n:

Al
n

SiO2

p-type substrate

Top
view:

29

Bagian aluminium yang tidak terlindungi oleh photoresist kemudian kita


dapat etch, baik secara dry plasma maupun wet chemical.

Al

Cross
section
:

SiO2

p-type substrate

Top
view:

30

Yang terakhir adalah photoresist tersebut kita strip.

Al

Cross
section:

SiO2

p-type substrate

Top
view:

31

PERKEMBANGAN SELAMA INI

Silicon Nanowire

Carbon Nano Tube

Prosesor
berkecepatan tinggi
32

POTENSI KE DEPAN
Kecepatan prosesor yang terus bertambah
dengan semakin kecilnya lebar gate yang dapat
dibuat.
Kemampuan partikel emas (Ag) yang dapat
membawa obat lewat peredaran darah ke titiktitik
titik penyakit tertentu dalam tubuh.

33

Anda mungkin juga menyukai