Anda di halaman 1dari 37

Kuliah Elektronika Analog

Materi 7

BIPOLAR JUNCTION
TRANSISTOR
KARAKTERISTIK

Sejarah perkembangan transistor


Transistor berasal dari kata-kata Inggris TRANSfer

resISTOR yang artinya Penghambat Pindah.


Maksudnya adalah perpindahan arus dari rangkaian
yang hambatannya rendah ke rangkaian yang
hambatannya tinggi.
Dahulu alat-alat
elektronik seperti
radio dan televisi
menggunakan
tabung-tabung
hampa sebagai
komponen.

Sejarah perkembangan transistor


Ditemukannya transistor pada tahun 1948 menggantikan

penggunaan tabung-tabung hampa.


Keuntungan
menggunakan
transistor ialah
ukurannya yang
lebih kecil,
hemat dalam
penggunaan
energi listrik, dan
lebil awet.

Sejarah perkembangan transistor

FUNGSI TRANSISTOR
Transistor adalah alat semikonduktor yang
dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus
dan
penyambung
(switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau
sebagai fungsi lainnya.

TERMINAL / KAKI TRANSISTOR


Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu:
Emitor (E) Pemancar, disinilah pembawa muatan berasal
(sebagai pintu masuk arus)
Basis (B) Dasar, basis digunakan sebagai elektroda
mengendali (mengatur besarnya arus yang keluar dari kolektor).
Kolektor (C) Pengumpul, pembawa muatan yang berasal
dari emitor ditampung pada Colector (sebagai pintu keluar arus)

Simbol & Fungsi Kaki Transistor


Emitor sebagai pintu

masuk arus
Kolektor sebagai pintu
keluar arus
Basis berfungsi untuk
mengatur besarnya arus
yang keluar dari kolektor

Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana


berdasarkan arus inputnya atau tegangan inputnya,
memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
sumber listriknya.

force voltage/current
water flow current
- amplification

Understanding of BJT

Transistor action

BJTs Practical Aspects

Heat sink

BJTs Testing

BJTs Testing

Transistor
Bipolar
[ Bipolar Junction
Transistor (BJT)]
Berkaitan dengan pembawa
muatan (elektron dan hole)
Dikontrol berdasarkan arus
input
memberikan penguatan
yang jauh lebih besar
memberikan penguatan
yang jauh lebih besar
Peranan pembawa muatan
mayoritas dan minoritas
adalah sama penting

Unipolar
[Field Effect Transistor
(FET)]

Berkaitan dengan efek


medan yang
ditimbulkan lapisan
deplesi
Dikontrol berdasarkan
tegangan input

JENIS & SIMBOL TRANSISTOR


Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan
berdasarkan banyak kategori simbol transistor dari
berbagai tipe, antara lain:
Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium
Arsenide.
Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole
Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain.
Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT,
MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta
pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated
Circuit) dan lain-lain.

Lanjutan...
Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel.
Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power,

High Power.
Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High
Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain.
Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio,
Tegangan Tinggi, dan lain-lain.

Transistor bipolar
Transistor Bipolar adalah jenis transistor yang paling
banyak di gunakan pada rangkaian elektronika. JenisJenis Transistor ini terbagi atas 3 bagian lapisan
material semikonduktor yang terdiri dari dua formasi
lapisan yaitu lapisan P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan
lapisan N-P-N (Negatif-Positif-Negatif)

PNP

Operasi Kerja PNP

Arus Emitter
iE iB iC
Dimana:

iC
iC iE
iE
iC
iC iB
iB

is the fraction of electrons that


diffuse across the narrow Base region

Penguatan Arus Pada Transistor

Setiap perubahan kecil pada arus basis akan

mempengaruhi perubahan besar pada arus kolektor

BJT Example
Using Common-Base NPN Circuit Configuration

VCB

Solution:
IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA

IB

B
VBE

IC

+
_

Given: IB = 50 A , IC = 1 mA
Find: IE , , and

b = IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20
IE

+
_

= IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238
could also be calculated using the value of
with the formula from the previous slide.
=

= 20 = 0.95238
+1
21

NPN

Operasi Kerja NPN

Struktur Fisik
Doping pada bagian tengah diberikan lebih

sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar


10:1).
Doping rendah ini mengurangi konduktivitas
material dengan membatasi jumlah elektron
bebas.
Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa
elektron dan hole berpartisipasi dalam proses
pembangkitan arus.

Pembiasan Transistor
Mode Operasi Cut-Off
Mode Operasi Saturasi
Mode Operasi Aktif

Pada mode ini tidak ada arus mengalir

pada antar emitor-kolektor (menyumbat)

Pada mode ini aliran arus antara emitor-kolektor

maksimal

Mode Operasi Aktif

Pada mode aktif transistor berfungsi sebagai penguat

Aktif >< cut off >< Saturasi


Daerah aktif adalah daerah dimana penguatan linear

terjadi, dalam daerah aktif, junction emittercollector di bias mundur sedangkan junction
basis-emitter di bias maju.
Daerah cut-off didefinisikan sebagai daerah dimana
arus IC = 0 A, atau Daerah cut-off terjadi jika
junction emitter-collector dan junction basisemitter di bias mundur.
Daerah saturasi adalah daerah dimana nilai
tegangan VCB negatif, Daerah saturasi adalah
daerah dimana junction emitter-collector dan
junction basis-emitter di bias maju.

Operation region summary


Operation
Region

IB or VCE
Char.
Cutoff
IB = Very
small
Saturation VCE = Small

BC and BE Mode
Junctions
Reverse &
Reverse

Open
Switch

Forward &
Forward
Reverse &
Forward

Closed
Switch
Linear
Amplifier

Active
Linear

VCE =
Moderate

Breakdown

VCE = Large Beyond


Limits

Overload

31

Tegangan dan Arus pada Transistor


UCE = UCB + UBE
UCE Tegangan KolektorEmitor
UCB Tegangan KolektorBasis
UBE Tegangan Basis Emitor

Ie = Ib + Ic
Ie arus emitor
Ib arus basis
Ic arus kolektor

Karakteristik Input Transistor

Sama seperti karakteristik dioda


Ic akan mulai naik ketika VBE > 0.7 (Silikon)

Karakteristik Output Transistor

Idealnya kurva perbandingan ib dan ic adalah linear

(penguatan tetap)

Bipolar Transistor Characteristics


Behaviour can be described by the current gain,

hfe or by the transconductance, gm of the device

NPN Common Emitter circuit


Emitter is grounded.
Base-Emitter starts to conduct with VBE=0.6V,IC flows and its IC=IB.
Increasing IB, VBE slowly increases to 0.7V but IC rises exponentially.
As IC rises ,voltage drop across RC increases and VCE drops toward

ground. (transistor in saturation, no more linear relation between I C


and IB)

Common Emitter characteristics


Collector current
controlled by the
collector circuit.
(Switch behavior)
In full saturation
VCE=0.2V.

No current flows

Collector current
proportional to
Base current

The avalanche
multiplication of
current through
collector junction
occurs: to be
avoided