Anda di halaman 1dari 17

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Wahyudin*), Fatmaiinnah, Suharna


Laboratorium Elektronika dan Instrumentasi
Universitas Negeri Makassar
2016
LATAR BELAKANG PERCOBAAN
Alat-alat elektronik yang terdapat dalam kehidupan sehari-hari mempunyai komponen
atau perangkat elektronik yang bermacam-macam, mulai dari yang berukuran kecil, sedang,
hingga yang besar. Dan perkembanagn teknologi atau peralatan elektronik sesuai dengan
perkembangan komponen penyusunnya. Sebagai contoh komputer dari awal mulanya
mempunyai ukuran yang sangat besar bahkan mungkin komputer itu sebesar ruangan
laboraturium elektronika. Itu disebabkan karena komponen yang digunakan juga berukuran
besar sperti tabung diode.
Tetapi dengan perkembangan teknolgi khususnya komponen-komponen elektonika
maka ditemukanlah teknologi yang dapat mengefesiensikan ukuran computer tersebut
menjadi computer yang berukuran kecil. Bukan hanya computer yang diuntungkan berkat
perkembangan komponen elektronika tadi tetapi semua peralatan elektronik yang ada
sekarang. Salah satu komponen elektronika yang menyusun komponen tersebut adalah bahan
semikonduktor.
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di
antara isolator dan konduktor. Bahan yang biasa digunkana untuk membuat semikonduktor
adalah silikon dan germanium Alat-alat semikonduktor dapat ditemukan dalam bentukbentuk dicrete (potongan) seperti transistor,diode,dll atau dapat juga ditemukan sebagai
bentuk terintegrasi dalam jumlah yang sangat besar (jutaan) dalam satu keeping silicon yang
dinamakan IC.
Tetapi dalam percobaan ini, alat elektronik yang dimaksud adalah transistor. Transistor
sendiri terdiri terdiri dari transistor bipolar (BJT) dan transistor efek medan (JFET). Dan
dalam percobaan kali ini transisitor yang dimaksud adalah transistor bipolar. Adalah William
Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.
Transistor bipolar merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu
membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut
emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.
Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari
perpindahan elektron di kutub negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutub positif.
Transistor bipolar mempunyai tiga rangkaian dasar yaitu rangkaian common-base
(basis ditanahkan), common-emitter (emitor ditanahkan), dan common-collector (kolektor
ditanahkan). Ketiga rangkaian tersebut digunakan sesuai dengan kebutuhan karena ketiga
rangkaian tersebut memiliki fungsi yang berbeda.
Tetapi rangkaian yang paling sering digunkan adalah common-emitter karena dapat
meningkatkan arus dan tegangan. Untuk itu akan dipercobakan karakteristik transistor
bipolar khususnya rangkain common-emitter dengan tipe NPN. Tujuan dari percobaan ini
adalah memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar,

membedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik transfer arus konstan
dari transistor bipolar, serta menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar.
TUJUAN PERCOBAAN
1.

Memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor


bipolar,

2.

Membedakan karakteristik input, karakteristik output dan karakteristik


transfer arus konstan dari transistor bipolar,
3.
Menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar.
TEORI SINGKAT
Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor. Ada dua
macam transistor, yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect
Transistor-FET).
Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor ekstrinsik jenis p dan
jenis n, yang disusun seperti pada gambar 1.1 berikut.
E (Emitter)

E (Emitter)
C (Collector)

B (Base)

C (Collector)

B (Base)

Gambar 1.1. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b) Transistor npn
Ketiga bagian transistor ini disebut emitter, base, dan collector.
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk
mengoperasikan transistor.
1.
Basis ditanahkan (Common Base CB)
2.
Emiter ditanahkan (Common Emitter CE)
3.
Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)
Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang digambarkan
dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan pada transistor.
Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari operasi dari suatu
transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik yang sangat
penting dari suatu transistor, yaitu :
1.
Karakteristik input.
2.
Karakteristik output.
3.
Karakteristik transfer arus konstan.
Dengan notasi atau simbol, skema dasar bias transistor bipolar dalam konfigurasi emitter
ditanahkan ditunjukkan pada Gambar 1.2 berikut.

(a)

(b)

Gambar 1.2. Rangkaian bias transistor, (a) transistor NPN, (b) transistor PNP

Analisis setiap konfigurasi BJT selalu mengacu pada hubungan-hubungan dasar


berikut :

VBE = 0,7 V

[1.1]

IE = ( +1) IB IC

[1.2]

IC = IB

[1.3]

Berdasarkan Pers. [1.1], [1.2] dan [1.3], nilai IB, IC dan IE sangat bergantung pada nilai ,
yaitu faktor penguatan arus BJT. Dalam mode dc, nilai IC dan IB dihubungkan oleh kuantitas
ini dan didefinisikan sebagai berikut.

dc

IC
IB

[1.4]

di mana nilai IB dan IC ditentukan dari titik operasi pada kurva karakteristik. Untuk
penggunaan praktis, nilai untuk berbagai jenis transistor berkisar dari 50 sampai 400.
Untuk transistor dengan nilai sebesar 200, arus kolektor sebesar 200 kali dari pada arus
basis berdasarkan Pers. [1.3]. Untuk mode ac, beta didefinisikan sebagai :

ac

IC
IB

VCE Tetap

[1.5]

Penamaan formal untuk ac adalah emitter ditanahkan (common emitter), arus arah maju
(forward current), faktor penguatan. Pada lembar data spesifikasi transistor, dc biasanya
dinyatakan dengan hFE dan ac dengan hfe.
Gambar 1.3 menunjukkan salah satu contoh kurva karakteristik keluaran (Output) transistor
bipolar konfigurasi kolektor ditanahkan.

Gambar 1.3. Penentuan dc dan ac dari karakteristik output

Garis Beban dan Titik Kerja


Selanjutnya akan dibahas bagaimana parameter-parameter rangkaian yang telah dibahas
dapat digunakan untuk menentukan rentang paling mungkin dari titik kerja Q (Quiscent)
sebuah rangkaian transistor emitter ditanahkan.
VCE

IC
RC

RB

+
IB
+
VCC
Gambar 1.4. Rangkaian lengkap BJT emitter ditanahkan.
_
_

Rangkaian dasar pada Gambar 1.2 dapat disederhanakan dengan sebuah sumber tegangan
seperti pada Gambar 1.4.
Rangkaian pada Gambar 1.4 menghasilkan persamaan output yang menghubungkan
antara IC dan VCE sebagai berikut.

VCE = VCC IC RC

[1.6]

Hubungan antara IC dan VCE, yang tidak lain adalah karakteristik output rangkaian BJT
emitter ditanahkan, sebagaimana dinyatakan dalam Pers. [1.6] selanjutnya akan digunakan
untuk menentukan titik kerja terbaik dai rangkaian BJT dengan terlebih dahulu menentukan
sebuah garis lurus pada kurva karakteristik. Metode paling mudah adalah dengan mengambil
masing-masing satu titik pada sumbu IC dan VCE pada kurva karakteristik.

Titik pertama, untuk IC = 0 mA :

VCE VCC
VCE = VCC (0) RC

diperoleh

IC 0 mA

[1.7]

Titik kedua, untuk VCE = 0 V :

IC
0 = VCC IC RC

diperoleh

VCC
RC

VCE 0 V

[1.8]

Dengan menghubungkan keduanya, Pers. [1.7] dan [1.8] pada kurva karakteristik output
BJT, akan diperoleh sebuah garis lurus yang memotong sumbu IC dan VCE yang disebut
sebagai garis beban seperti pada gambar berikut.

Gambar 1.5. Karakteristik output BJT emitter ditanahkan


dengan garis beban dan titik kerja Q.

Posisi titik kerja Q dapat bergeser akibat perubahan nilai RB, RC atau
VCC. Akan tetapi, nilai titik kerja Q yang paling baik umumnya berada
pada tengah-tengah garis beban atau ketika VCE = VCC.
METODE PERCOBAAN
a.
1.
2.
3.
4.
5.
6.

Alat dan Bahan


Power Supply 12 Vdc
2 buah, sebagai sumber tegangan
Voltmeter 0 10 Vdc
1 buah, untuk mengukur nilai tegangan
Amperemeter 0 1 Adc
1 buah, untuk mengukur nilai arus
Transistor Bipolar NPN
1 buah, sebagai bahan yang dipercobakan
Resistor
2 buah, untuk menghambat arus atau mengatur tegangan
Kabel penghubung
secukupnya, untuk meghubungksn antar komponen

b.
Identifikasi Variabel
1. Kegiatan 1:
a. Variable manipulasi: VBE (Volt)
b. Variable respon: IB (Ampere)
c. Variable control: VCE (Volt)
2. Kegiatan 2:
a. Variabel Manipulasi: VCE(Volt)
b. Variabel respon: IC (mAmpere)
c. Variabel Kontrol: IB (Ampere)
3. Kegiatan 3:
a. Variabel Manipulasi: IB (Ampere)
b. Variabel respon: IC (mAmpere)
c. Variabel Kontrol: VCE(Volt)
c. Defenisi Operasional Variabel
1. VCE ialah tegangan yang didapat dari pembacaan voltmeter yang dirangkai paralel dengan
terminal kolektor-emitor.
2. VBE ialah tegangan yang didapat dari pembacaan voltmeter yang dirangkai paralel dengan
terminal basis-emitor.
3. IC ialah arus yang terbaca pada amperemeter yang dirangkai seri dengan kolektor.
4. IB ialah arus yang terbaca pada amperemeter yang dirangkai seri dengan basis.
d. Prosedur Kerja
Pada percobaan ini yang pertama dilakukan adalah merangkai alat dan bahan yang telah
disediakan sesuai gambar berikut

IC
VR1

RB

RC

+
IB
_

VCE

Gunakan : VCC = 12 Vdc, RB = 240 k dan RC = 2,2 k

VR2

+
VCC
_

Setelah itu dilakukan pengukuran terhadap karakteristik input untuk menyatakan


bagaimana arus basis IB bervariasi dengan tegangan basis-emitor V BE ketika tegangan
kolektor-emitor VCE dibuat konstan. Pertama, tegangan VCE dibuat konstan dengan suatu nilai
tertentu lalu memvariasikan VBE dan IB akan meningkat dalam setiap rentang nilai. Kemudian
mencatat setiap nilai yang ditunjukkan oleh setiap perubahan nilai arus variable respon.
Selanjutnya, mengulangi langkah untuk nilai VCE yang lebih besar.
Kegiatan kedua yaitu pengukura karakteristik output untuk menunjukkan bagaimana
arus kolektor IC bervariasi dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan. Pertama, IB diset
pada suatu nilai yang konstan lalu VCE divariasikan secara linier, I C akan menunjukkan nilai
tertentu dan mencatat nilai tersebut. Selanjutnya, V CE dikembalikan ke keadaan nol dan IB
diset pada nilai yang lain dan seterusnya.
Kegiatan ketiga dilakukan pengukuran terhadap karakteristik ciri alih atau transfer
arus konstan untuk menunjukkan bagaimana IC bervariasi dengan perubahan IB dengan VCE
dibuat konstan dan mencatat hasilnya.
HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS DATA
A. Hasil Pengamatan
Resistansi resistor batu 1 =
Resistansi resistor batu 2 =
Tegangan Vcc =

Kegiatan 1. Karakeristik Input

no

Vbe (V)

nilai Ib (A) untuk Vce


0V

2V

4V

6V

8V

10 V

0.05

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.10

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.15

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.20

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.25

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.30

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.35

0.10

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

0.40

0.70

0.10

0.10

0.00

0.10

0.10

0.45

4.10

0.20

0.20

0.20

0.30

0.30

10

0.50

19.10

0.80

0.70

0.80

0.80

1.10

11

0.55

90.70

3.30

2.80

2.90

3.30

4.10

12

0.60

24.80

12.90

12.90

13.70

17.50

Kegiatan 2. Karakteristik output

no

Vce (V)

0.00

nilai Ic (mA) untuk Ib


0 A

20 A

40 A

60 A

80 A

100 A

0.000

0.00

0.00

0.00

0.00

0.00

1.00

0.000

1.54

3.62

5.93

8.21

10.67

2.00

0.001

1.55

3.64

5.95

8.27

10.75

3.00

0.002

1.55

3.65

5.97

8.34

10.86

4.00

0.003

1.56

3.67

8.42

10.95

5.00

0.004

1.56

3.68

6.06

8.47

11.12

6.00

0.005

1.57

3.71

6.16

8.55

11.21

7.00

0.006

1.57

3.72

6.2

8.69

11.35

8.00

0.007

1.58

3.75

6.24

8.81

11.64

10

9.00

0.008

1.58

3.77

6.3

8.94

11.73

11

10.00

0.009

1.59

3.78

6.38

9.2

11.85

Kegiatan 3. Transfer arus konstan


Ib(A)

Ic(ma)

10.00

0.00

20.00

1.56

30.00

2.70

40.00

3.80

50.00

4.98

60.00

6.16

70.00

7.41

80.00

8.69

90.00

9.98

100.00

11.29

B. Analisis Data
Kegiatan 1. Karakteristik Input
25.00

20.00

15.00

0V
2V

Ib (A)

4V

10.00

6V
8V
10 V

5.00

0.00
0.00

0.10

0.20

0.30

0.40

0.50

Vbe (V)

Grafik 1. Hubungan antara VCE dan IB terhadap Nilai Ic

0.60

Kegiatan 2. Karakteristik Output


14.00

12.00

10.00
0 A

8.00
Ic (mA)

Linear (0 A)
20 A

6.00

40 A
60 A
80 A

4.00

100 A
2.00

0.00
0.00

2.00

4.00

6.00

8.00

10.00

12.00

Vce (V)

Grafik 2. Hubungan antara kuat arus pada kolektor terhadap tegangan kolektor (V CE), saat arus basis (IB) konstan

Analisis Perhitungan
1. Karakteristik output
a. Faktor penguat arus Ib saat 20A dan 0 A

I b2 =20 A
I b1 =0 A
I c2=1.56 mA
I c1=0 mA
Teori = 100
1=

Ic
Ib

I c 2I c 1 1.56 mA 0.004 mA
=
I b 2I b 2
20 A0 A

1=77.8
teori

praktikum

teori + praktikum
2
diff =

diff =

10077.8
77.8+100
2

| x 100 %

%diff =25
b. Faktor penguat arus Ib saat 40A dan 20 A

I b3 =40 A
I b2 =20 A
I c3=3.68 mA
I c2=1.56 mA

Teori = 100
2=

Ic
Ib

I c 3I c 2 3.68 mA 1.56 mA
=
I b 3I b 2
40 A20 A

2=106
teori
teori + praktikum
2
diff =
praktikum

diff =

100106
100+106
2

| x 100 %

%diff =5.8
c. Faktor penguat arus Ib saat 60 A dan 40 A

I b 4=60 A
I b3 =40 A
I c4 =6.06 mA
I c3=3.68 mA
Teori = 100
3=

Ic
Ib

I c 4 I c3 6.06 mA 3.68 mA
=
I b 4 I b3
60 A40 A

3=119

teori

praktikum

teori + praktikum
2
diff =

diff =

100119
100+119
2

| x 100 %

%diff =17
d. Faktor penguat arus Ib saat 80A dan 60 A

I b5 =80 A
I b 4=60 A
I c5=8.47 mA
I c4 =6.06 mA
Teori = 100
4=

Ic
Ib

I c 5I c 4 8.47 mA 6.06 mA
=
I b 5I b 4
80 A 60 A

4=120
teori

praktikum

teori + praktikum
2
diff =

diff =

100120
100+120
2

| x 100 %

%diff =18
e. Faktor penguat arus Ib saat 100A dan 80 A

I b6 =100 A
I b5 =80 A
I c6 =11.12 mA
I c5=8.47 mA
Teori = 100
5=

Ic
Ib

I c 6I c 5 11.12 mA 8.47 mA
=
I b 6I b 5
100 A80 A

5=132
teori
teori + praktikum
2
diff =
praktikum

diff =

100132
100+132
2

%diff =26

| x 100 %

Kegiatan 3. Transfer Arus Konstan


12.00
f(x) = 0.12x - 1.09
R = 1

10.00

8.00

Ic (mA)

6.00

4.00

2.00

0.00
0

20

40

60

80

100

Ib A

Grafik 3. Hubungan antara kuat arus pada basis (IB) terhadap arus pada kolektor (IC) saat Vce dibuat konstan

120

2. Karakteristik transfer arus konstan


teori= 100
praktikum=

IC
IB

8.803.80
8040

5.0
40

= 0,125
=123

praktikum
|teori
ratarata |
|100125
112.5 |

%diff =
=

x 100%

x 100%

= 22%
PEMBAHASAN
Percobaan kali ini yang berjudul Karakteristik Transistor Bipolar terdiri dari tiga
kegiatan. Kegiatan pertama mengenai karakteristik input, kegiatan dua mengenai
karakteristik output, dan kegiatan ketiga mengenai karakteristik transfer arus konstan. Dari
ketiga kegiatan tersebut jelas terdapat bahwa ketiganya mempunyai ciri atau karakteristik
yang berbeda.
Pada kegiatan pertama yakni karakteristik input, dilakukan percobaan dengan
memvariasikan VBE dengan IB dan mebuat VCE dibuat konstan. Variasi dari VBE dengan IB
berarti menaikkan nilai VBE dimulai dari 0 V hingga maksimum, tetapi yang pertama
menentukan kenaikannya yakni 0,05 V. Dari setiap kenaikan nilai V BE tersebut maka dilihat
nilai IB. Dan untuk VCE konstan berarti dalam memvariasikan tersebut maka nilai setiap V CE
dibuat konstan mulai dari 0 V hingga 10 V dengan kenaikan 2 V. Dari data yang telah
diperoleh terlihat bahwa pada saat VBE dinaikkan, maka baru pada nilai 0,30 V nilai IB
muncul dengan nilai 0,10 A. Artinya transistor yang digunakan berbahan germanium.
Pada kegiatan kedua yakni karakteristik output dilakukan percobaan dengan
memvariasikan VCE dengan IC dan mebuat IB dibuat konstan. Variasi dari VCE dengan IC berarti
menaikkan nilai VCE dimulai dari 1 V hingga maksimum, tetapi yang pertama menentukan
kenaikannya yakni 1 V. Dari setiap kenaikan nilai V CE tersebut maka dilihat nilai I C. Dan
untuk IB konstan berarti dalam memvariasikan tersebut maka nilai setiap I B dibuat konstan
mulai dari 0 A hingga 100 A dengan kenaikan 20 A. Setelah data diperoleh maka diplot
grafik dari data tersebut. Dari grafik tersebut maka dicari factor penguat dari I B sat 20 A dan
0 A, 40 A dan 20 A, 60 A dan 40 A, 80 A dan 60 A, serta 100 A dan 80 A.
Tetapi sebenarnya hanya satu factor penguat transistor tersebut dan secara teori nilai factor
penguatnya adalah 100. Dan dari lima factor yang telah diperoleh, nilai-nilai berturut-turut
adalah 77,8 (25%), 106 (5,8%), 119 (17%), 120 (18%), 120 (18%), dan 132 (26%). Di dalam
kurung maksudnya adalah %diff dari teori dan praktikum. Karena %diff yang tidak terlalu
besar maka percobaanya dapat dikatakan baik.

Pada kegiatan ketiga takni karakteristik transfer arus konstan,, dilakukan percobaan
dengan memvariasikan IB dengan IC dan mebuat VCE dibuat konstan. Variasi dari IB dengan IC
berarti menaikkan nilai IB dimulai dari 10A hingga 100 A dengan kenaikan 10 A. Dari
setiap kenaikan maka dilihat nilai I C. Setelah data diperoleh maka diplot kurva hubungan I B
dengan IC . Terlihat dari kurva bahwa semakin I C dinaikkan maka nilai IB juga akan naik
secara linear arinya IC berbanding lurus dengan IB. Selanjutnya dari kurva pula akan
ditentukan factor penguat dari transistor tersebut, dan diperoleh nilai 125 sedangkan teori
adalah 100 maka %diff-nya adalah 22%.
KESIMPULAN
Berdasarkan praktikum yang telah dilakukan maka dapat disimpulkan
1. Metode pemberian bias tegangan pada transistor merupakan perpaduan bias pada dua
jenis dioda yang berbeda tipe. Apabila transistor yang digunakan adalah tipe NPN maka
pada sunber positif dan negatifnya masing-masing akan terhubung dengan tipe P dan N
dioda yang sama tipe sehingga akan terjadi bias maju yang mengakibatkan daerah deplesi
menyempit sehingga arus pada basis bisa mengalir dan terkumpul pada collector.
2. Karakteristik input berarti IB divariasikan dengan VBE dan nilai VCE konstan. Karakteristik
outpt berarti IC divariasikan dengan VCE dan nilai IB konstan. Serta karakteristik arus
konstan berarti IB divariasikan dengan IC dan nilai VCE konstan.
3. Dari kurva masing-masing karakteristik maka diinterpretasikan. Karakteristik input,
semakin besar nilai tegangan yang diberikan pada kaki emitor_basis dan kaki
emitor_kolektor maka arus yang mengalir pada basis juga semakin besar karena lapisan
deplesi terdorong hingga menyempit akibat penberian bias maju dari sumber.
Karakteristik output, besar arus yang mengalir pada kolektor berbanding lurus dengan
nilai arus pada basis begitupun dengan faktor penguatnya. Karakteristik transfer arus
konstan, besar arus yang mengalir di kolektor berbanding lurus dengan arus yang
diberikan pada basis.
DAFTAR PUSTAKA
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (1989). Electronic Devices and Circuit Theory, Fourth
Edition. Delhi : Prentice Hall of India.
Malvino, A.P. (2003). Prinsip-Prinsip Elektronika, Buku 1, Jakarta : Salemba Teknika.