Anda di halaman 1dari 18

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

BIPOLAR

NAMA/NIM : MUH. ARIEF FITRAH
I.A/1412141005
KELAS

:C

HARI/TANGGAL
2015

: KAMIS/ 7 APRIL

Transistor bipolar terbuat dari bahan semikonduktor tipe-n dan tipe-p. 2. Memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar. Kaki emittor berfungsi sebagai gudang elektron sebelum dialirkan ke collector dan basis. . Kaki basis berfungsi sebagai pengatur jalannya elektron dari emittor ke collector sehingga mempengaruhi kerja dan fungsi dari transistor. komputer dan kebangakan elektronik modern sekarang dapat tercipta. Sedangkan kaki collector berfungsi sebagai tempat berkumpulnya elektron yang berasal dari emittor sehingga tidak heran jika terkadang di kaki collector terasa panas.KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR Muh. karakteristik output dan karakteristik transfer arus konstan dari transistor bipolar. transistor digunakan sebagai penguat arus. *). karena ketika seluruh elektron berkumpul pada kaki collector lama-kelamaan akan kelebihan electron sehingga electron dikonversi keluar sebagai panas. Warren Christopher M Laboratorium Fisika Unit Eletronika Dan Instrumentasi Universitas Negeri Makassar Tahun 2016 LATAR BELAKANG Dalam dunia elektronik sudah tidak asing lagi yang namanya transistor. William Schoktly menemukan transistor pertama yang merupakan komponen semikonduktor yang dapat menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal radio dan televisi. Transistor bipolar memiliki tiga kaki yang memiliki fungsi tersendiri. TUJUAN Mahasiswa diharapkan dapat : 1. Transistor merupakan salah satu komponen aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor. IC merupakan suatu komponen kecil yang mengandung ribuan transistor miniatur. Transistor ini terbagi dua macam yaitu transistor bipolar atau yang sering dikenal dengan Bipolar Juction Transistor (BJT) dan transistor efek medan atau Field Effect Transistor (FET). Arief Fitrah I. Linda. Transistor telah banyak menghasilkan penemuan alat semikonduktor lain termasuk rangkaian terpadu atau yang dikenal sebagai IC. A. Dengan adanya IC. Transistor bipolar atau yang sering dikenal dengan Bipolar Junction Transistor (BJT) merupakan transistor yang paling sering digunakan dalam rangkaian elektronik sebagai contoh pada dunia audio. Transistor ini terbagi atas dua jenis yaitu PNP atau NPN. Membedakan karakteristik input. Pada tahun 1951.

Menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar. Transistor digunakan di dalam rangkaian untuk memperkuat isyarat.2 berikut. . yang disusun seperti pada gambar 7. Ketiga sambungan tersebut memiliki nama kolektor. Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor. 1986). transistor terdiri dari satu lapisan bahan tipe-p diapit oleh dua lapisan transistor yang pertama disebut transistor p-n-p dan yang terakhir disebut transistor n-p-n. Ada dua macam transistor. yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect Transistor-FET). dan Collector (Tim Penyusun Elektronika. Gambar 7. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b) Transistor npn Ketiga bagian transistor ini disebut emitter. Suatu transistor persambungan terdiri dari kristal silikon (atau germanium) dimana satu lapisan silikon tipe-n diapit di antara dua lapisan silikon tipe-p. Dengan notasi atau simbol. basis. Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor ekstrinsik jenis p dan jenis n. 1986).1 berikut. artinya isyarat lemah pada masukan diubah menjadi isyarat yang kuat pada keluaran (Sutrisno. skema dasar bias transistor bipolar ditunjukkan pada Gambar 7. yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect Transistor-FET). emitor (Richard blocher. Sistem lapisan semikonduktor ini sangat kecil dan ditutup rapat-rapat terhadap uap air dalam kotak logam atau plastic (Milman dan Halkias. Kemungkinan lain. KAJIAN TEORI Satu transistor adalah satu komponen elektronik yang memilikoi tiga sambungan. Ada dua macam transistor. base.1.3. 2013). 2004).

Karakteristik transfer arus konstan. Karakteristik input. Basis ditanahkan (Common Base – CB) 2. METODE PERCOBAAN Alat dan Bahan 1. 2. yaitu : 1. Rangkaian bias transistor. yang digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan pada transistor. Emiter ditanahkan (Common Emitter – CE) 3. 1. (b) transistor PNP Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk mengoperasikan transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Karakteristik output.CC) Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik.Gambar 7. 1 buah . Transistor bipolar NPN. Kolektor ditanahkan (Common Collector . 2016). (a) transistor NPN. Ada tiga karakteristik yang sangat penting dari suatu transistor. (Tim Penyusun Elektronika. 2 buah 2. 3.2. Multimeter digital.

Kabel penghubung. Tegangan Base – Emitor (VBE) adalah beda potensial dari power supply yang dihubungkan pada kaki basis dengan potensial tinggi dan kaki emittor dengan potensial rendah dan dibaca melalui multimeter digital serta dinyatakan dalam satuan Volt (V).3. Variabel manipulasi : Tegangan collector-emittor VCE (Volt) 2. Variabel kontrol : VCC (Volt). 4. 8 buah Identifikasi Variabel Kegiatan 1 : Karakteristik input 1. Mencatat nilai-nilai tersebut. Variabel manipulasi : Arus basis IB (μA) 2. Arus collector (IC) adalah arus yang berasal dari tegangan Collector – Emitor (VCE) melalui kaki Collector – Emitor dan dibaca melalui multimeter digital serta dinyatakan dalam satuan mA. 3. mengulangi untuk nilai VCE yang lebih besar. 2. VBE (Volt) Kegiatan 1 : Karakteristik input 1. Tegangan Collector – Collector (VCC) adalah tegangan input dari power supply yang dibaca melalui multimeter digital yang dinyatakan dalam satuan Volt (V) 5. Merangkai dan mempelajari kit percobaan Common Emitter (CE) berikut. Variabel respon : Arus collector IC (mA) 3. b. Resistor. Variabel respon : Arus basis IB (mA) 3. . Arus basis (IB) adalah arus yang berasal dari tegangan Base – Emitor (VBE) melalui kaki Base – Emitor dan dibaca melalui multimeter digital serta dinyatakan dalam satuan µA. Variabel respon : Arus collector IC (mA) 3. Variabel kontrol : VCC (Volt). Selanjutnya. 2 buah 4. VCE (Volt) Devinisi operasional variabel 1. tegangan VCE dibuat konstan dengan suatu nilai tertentu lalu memvariasikan VBE dan IB akan meningkat dalam setiap rentang nilai. Pertama. Mengukur karakteristik input menyatakan bagaimana arus base IB bervariasi dengan tegangan base – emitter VBE ketika tegangan Collector – emitter VCE dibuat konstan. Variabel kontrol : VCC (Volt). Power Supply dc. Prosedur kerja a. Variabel manipulasi : Tegangan basis-emittor VBE (Volt) 2. 2 buah 5. VCE (Volt) Kegiatan 2 : Karakteristik output 1. Tegangan Collector – Emitor (VCE) adalah beda potensial dari power supply yang dihubungkan pada kaki collector dengan potensial tinggi dan kaki emittor dengan potensial rendah dan dibaca melalui multimeter digital serta dinyatakan dalam satuan Volt (V).

1. Hubungan IC dan VCE untuk nilai VBE 10 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0.10 0.3.04.1.10-3 4. Mengukur karakteristik Output menunjukkan bagaimana arus Collector IC bervariasi dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan.10-3 0.1 0 3 0.2 0 5 0.3. menset IB pada suatu nilai yang konstan lalu memvariasikan VCE secara linier.10-3 1.8.10-3 1.10-2 12 Kegiatan 2: Karakteristik Output nilai IB (mA) untuk VCE 2V 4V 6V 8V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -3 -3 -3 0.1.4.1.35 0.10-3 8 0.15 0 4 0.10-3 0.c.3. Pertama.1.25 0 6 0.10-3 4.5 2.1.1.10 0.1.10-3 4.2.05 0 2 0.1.3.10-3 1.10-3 .10 0. d. Selanjutnya.0.3.10-3 9 0.1.10-3 10 0. mengembalikan VCE ke keadaan nol dan menset IB pada nilai yang lain dan seterusnya. Mengukur karakteristik ciri alih atau transfer arus konstan menunjukkan bagaimana IC bervariasi dengan perubahan IB dengan membuat VCE konstan. HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS DATA Hasil Percobaan VCC = 12 V RC = 100 Ω RB = 100 kΩ β = 80 Kegiatan 1: Karakteristik Input Tabel 1.10-3 1.55 9. IC akan menunjukkan nilai tertentu dan mencatat nilai ini. Hubungan IB dan VBE untuk nilai VCE No VBE (V) 0V 0 0 1 0.10-3 1.1.4 0.10-2 11 0.10-3 4.10-3 0.8.10-3 0.38.6.10-3 Tabel 2.10-3 4.3 0 7 0.45 3.3.10-3 0.

68 5.23 6.96 0.No VCE (V) 0 µA 1 0 0 2 0.34 3.04 2.80 80 µA 0.10-3 0.41 4.92 0.43 4.99 2.2 2.5 0.001 23 11 0.45 4.93 0.5 0.94 0.09 6.0002 7 3 0.95 0.21 2.0011 Kegiatan 3 : Karakteristik Transfer 20 µA 0.35 3.95 0.0005 13 6 0.29 VCC = 5 V Tabel 3.94 5.05 5.0009 21 10 0.94 0.01 6.45 4.11 2.02 2.93 0.44 4.89 5.14 2.96 2.36 3.85 5.5 0 3 1 0.95 2.98 2.04 2.5 0.95 0.05 5.96 0.0003 9 4 0.0004 12 5.05 6.48 4.92 5.0005 14 6.0011 25 12 0.0001 4 1.0008 20 9. Hubungan antara IB dan IC pada saat VCE konstan IB(µA) 0 20 40 60 80 100 IC(mA) 0.97 2.95 0.73 5.0001 5 2 0.96 0.94 2.0007 17 8 0.5 0.0001 6 2.44 4.4 4.24 2.5 0.47 4.93 0.38 4.7 5.86 5.01 0.02 0.4.26 2.15 6.41 4.5 0.26 2.64 5.34 3.0003 10 4.001 24 11.75 5.11 6.46 4.47 4.0002 8 3.37 3.49 4.0007 18 8.93 0.39 4.0006 16 7.95 0.0009 22 10.21 6.0007 19 9 0.5 0.08 2.94 0.94 0.1 2.44 4.28 .5 0.27 2.94 2.41 4.05 2.96 0.25 6.94 0.5 0.89 7.66 5.5 0.41 4.12 2.95 0.17 2.97 nilai IC (mA) untuk IB 40 µA 60 µA 0.79 5.0003 11 5 0.96 0.01 2.5 0.0006 15 7 0.37 3.97 6.96 0.

02 0. Hubungan antara arus basis IB (mA) terhadap tegangan basis-emitor VBE (Volt).4 0.5 0.06 0V IB (mA) 2V 0.03 0.1 0.1 0.09 0.05 3V 4V 0.0.04 5V 6V 0.01 0 0 0.07 0. 0.2 0.08 0.6 .3 VBE (Volt) Grafik 1.

10 9 8 7 6 0 μA IC (mA) 20 μA 5 40 μA 60 μA 4 80 μA 100 μA 3 2 1 0 0 2 4 6 8 VCE (Volt) Grafik 2. Hubungan antara arus collector I C (mA) terhadap tegangan collector-emittor VCE (Volt). 10 12 14 .

5 | ¿ .9495 mA 20 ×10−3 mA ¿ 47.48 63.0005 mA 20 μA – 0 μA ¿ 0.95 mA – 0. Pada saat IB = 20 μA dan 0 μA β ac = Δ IC Δ IB ¿ 0.52 63.74 | ¿ × 100 |32.02 2.46 mA −3 20 ×10 mA ¿ 73 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−73 76.41 mA – 0.48 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = × 100 |80−47. Pada saat IB = 40 μA dan 20 μA β ac = Δ IC Δ IB ¿ 2.74 | ¿ ¿ 51.95 mA 40 μA – 20 μA ¿ 1.Analisis grafik Faktor Penguatan βac 1.

Pada saat IB = 80 μA dan 60 μA β ac = Δ IC Δ IB ¿ 5.7 mA 20 ×10−3 mA ¿ 85 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−85 82.15 3.06 4.2 mA 60 μA – 40 μA ¿ 1.94 mA – 4.84 mA 20 ×10−3 mA ¿ 92 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = .1 mA – 2. Pada saat IB = 60 μA dan 40 μA β ac = Δ IC Δ IB ¿ 4.5 |× 100 ¿ ¿ 6.|76.1 mA 80 μA – 60 μA ¿ 1.5 | ¿ −5 |82.57 |×100 ¿ ¿ 9.

×100 |80−92 86 | ¿ ×100 |−12 86 | ¿ ¿ 13.96 mA – 5.5 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = .95 mA 20 ×10−3 mA ¿ 47.2 Faktor Penguatan βdc 1.5| ¿ ¿ 23.95 5.02 mA 20 ×10−3 mA ¿ 101 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−101 90. Pada saat IB = 100 μA dan 80 μA β ac = Δ IC Δ IB ¿ 7.5 | ¿ × 100 |−21 90. Pada saat IB = 20 μA β dc = ¿ IC IB 0.94 mA 100 μA – 80 μA ¿ 2.

67 |74. Pada saat IB = 40 μA β dc = ¿ IC IB 2.165 | ¿ 11.165 |×100 ¿ ¿ 15.75 | ¿ ¿ 50.74 4.25 63.1mA −3 60 × 10 mA ¿ 68. Pada saat IB = 80 μA .41mA 40 ×10−3 mA ¿ 60.33 74.5 63. Pada saat IB = 60 μA β dc = ¿ IC IB 4.× 100 |80−47.16 3.33 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−68.75 | ¿ ¿ 28.25 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−60.98 2.

2 77.β dc = ¿ IC IB 5.1 | ¿ ¿ 7.2 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−74. Pada saat IB = 100 μA β dc = ¿ IC IB 7.5 .96 mA 100 ×10−3 mA ¿ 79.8 | ¿ ¿ 0.52 5.6 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−79.94 mA −3 80 × 10 mA ¿ 74.6 79.

1 0.08 0.9 8 7 6 5 IC (mA) 4 3 2 1 0 0 0. Hubungan antara arus collector I C (mA) terhadap arus basis IB (mA).12 . 0.04 0.06 IB (mA) Grafik 3.02 0.

04.35 V.8 mA −4.10-2 mA untuk 0. Di percobaan ini terdapat tiga kegiatan. diperoleh faktor penguatan (β ac) secara berturut-turut untuk arus basis 20μA-0μA. Di kegiatan kedua untuk karakteristik output.35 V. 40μA-20μA. Di kegiatan pertama yaitu karakteristik input. V BE yang dikonstankan dan VCE yang divariasikan sehingga IC bervariasi. VCE dikonstankan dan VBE divariasikan sehingga IB bervariasi. dapat membedakan karakteristik input.08 mA −0. Dari grafik 2.4 V. arus perlahan mulai naik menjadi 0. dan . karakteristik output dan karakteristik transfer. Dan untuk tegangan collector-emittor 2 V .0 mA 0. arus basis konstan dari 0 V – 0. 60μA-40μA.3 V. arus basis konstan terhadap tegangan basis-emittor dari 0 V – 0.Analisis Grafik Faktor penguatan secara teori β = 80 Faktor penguatan secara praktikum β= ΔI C ΔI B ¿ 5. Dari percobaan kegiatan pertama diperoleh data untuk tegangan collector-emittor 0 V.8 0. output dan transfer dan dapat menginterpretasikan kurva karakteristik transistor bipolar. Ketiga kegiatan tersebut adalah karakteristik input.10-3 mA – 9. 80μA-60μA.55 V.76 PEMBAHASAN Telah dilakukan praktikum mengenai karakteristik transistor bipolar yang bertujuan agar mahasiswa dapat memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar.06 mA ¿ 1.10 V dengan kenaikan 2 V. untuk 0. arus basis mulai naik pada tegangan basis-emittor 0.02 ¿ 90 praktikum ×100 |teori− rata−rata | %diff = ×100 |80−90 85 | ¿ ¿ 11.1.

60 μA. Sebagai contoh grafik 1.41 . nilai yang paling mendekati nilai teori adalah 85 untuk arus basis 60 μA-40 μA. Dari grafik 2. Namun. arus basis konstan atau tidak berubah dari nilai awal untuk beberapa nilai tegangan basis-emittor tertentu. Juga diperoleh factor penguatan (β dc) secara berturutturut untuk nilai arus basis 20 μA. 2. Karakteristik Output Arus collector berbanding lurus terhadap tegangan collector-emittor. Ketika tegangan basisemittor divariasikan dari 0 V. diperoleh faktor penguatan sebesar 90 sedangkan secara teori adalah 80 sehingga % yang diperoleh adalah 11. 80 μA dan 100 μA secara berturut-turut adalah 0.10 -3. arus sama sekali tidak berubah atau 0. Ketika kabel bergeser sedikit. 73. Dari semua faktor penguatan yang diperoleh. 60 μA. karakteristik output. 20 μA. 74. Dari basis ke emittor mengalami bias maju dan dari basis ke collector mengalami bias mundur. 68. 40 μA. Pada karakteristik input yang dikonstankan adalah V CE dan yang divariasikan adalah VBE dan IB. 3.33 .4.48 . %diffnya adalah 6. Kabel penghubung menjadi masalah utama dalam percobaan ini. Untuk karakteristik output yang dikonstankan adalah VBE dan yang divariasikan adalah VCE dan IC.2 . Sampai tegangan basis-emittor naik menjadi 0.1. 85.25 . Terdapat 3 kegiatan dalam percobaan ini yaitu karakteristik input.35 V.100μA-80μA adalah 47.06%. 79. arus mulai naik menjadi 0.5 . 5. yang paling mendekati nilai teori adalah untuk nilai arus basis 100 μA yaitu 79. untuk nilai V CE = 0 V.76%. Setelah menganalisis grafik.6. Diyakini faktor yang mempengaruhi hal tersebut adalah resistor variabel yang digunakan kurang baik. 4. sama halnya dengan kabel penghubung.89 dan 7. V CE dikonstankan dan IB divariasikan sehingga nilai IC bervariasi. Di kegiatan ketiga yaitu karakteristik transfer. Untuk pemberian bias tegangan transistor bipolar. 2. 0. sedangkan untuk karakteristrik transfer yang dikonstankan adalah V CE dan yang divariasikan adalah IB terhadap IC. b. Sehingga %diff yang diperoleh adalah 0.05 . 60. 80 μA dan 100 μA adalah 47.94 . a. menyebabkan pembacaan pada multimeter juga berubah sehingga data yang diperoleh ada yang menjauhi nilai teori.6. 92 dan 101. 40 μA. Karakteristik Input Arus basis berbanding lurus terhadap tegangan basis-emittor.0.3 V. Dari semua faktor penguatan yang diperoleh. Semakin besar tegangan collector-emittor. Data-data yang diperoleh hanya beberapa yang mendekati nilai teori. maka semakin besar pula arus . Dari percobaan diperoleh arus collector untuk arus basis 0 μA.80. KESIMPULAN Dari praktikum yang telah dilakukan dapat disimpulkan: 1. Semakin besar tegangan basis-emittor semakin besar pula arus basis. dan karakteristik transfer.10 -3 mA.5.

Richard. Yogyakarta : ANDI Yogyakarta. 60μA-40μA.5 . Makassar : UNM . Elektronika Terpadu (Integrated Electronics) Jilid 1. 80μA-60μA. Bandung : Penerbit ITB. 60 μA. Milman dan Halkias. DAFTAR PUSTAKA Blocher. 2016. dan 100μA-80μA secara berturut-turut adalah 47. 1986. Dasar Elektronika.33 . 40 μA. Karakteristik Transfer Arus basis berbanding lurus terhadap arus collector.collectornya. 85. 1986. diperoleh faktor penguatan β sebesar 90. Sutrisno. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar 2. Jilid I. Juga diperoleh faktor penguatan β ac dan βdc . Dari grafik 3. Semakin besar arus basis maka semakin besar pula arus collector. βdc yang diperoleh untuk nilai arus basis 20 μA. 2004. Dari grafik 2. 68. Elektronika : Teori dan Penerapannya.48 . 73. Tim Penyusun Elektronika. Jakarta : Erlangga. 40μA-20μA. βac yang diperoleh untuk nilai arus basis 20μA-0μA. 74.6. 79.2 .25 . 92 dan 101. c. 80 μA dan 100 μA secara berturu-turut adalah 47. 60.