Circuitos reativos e osciloscópios

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Apresentao da disciplina__________________________4
Mdulo I ____________________________________5 - 83
Mdulo II __________________________________ 85 - 164
Mdulo III _________________________________167 - 217
Mdulo IV _________________________________220 259
Mdulo V __________________________________261 a 272
Mdulo VI __________________________________273 a 287
Mdulo VII _________________________________290 a 312
Mdulo VIII _________________________________314 a 329
Caro aluno,
A disciplina de Eletrnica I dar a voc conhecimentos para compreender os

princpios bsicos dos fundamentos da eletrnica, facilitando assim a anlise
e interpretao de complexos e sofisticados sistemas eletrnicos existentes
atualmente nas aeronaves.
Esta disciplina se divide em oito mdulos:
Mdulo I: Circuitos reativos e osciloscpios;

Mdulo II: Anlise de circuitos, semicondutores e fontes de fora eletrnica;
Mdulo III: Transistores de juno e polarizao de transistores;
Mdulo IV: Amplificadores e osciladores transistorizados; Transistores
especiais;
Mdulo V: Circuitos Integrados e Sensores;
Mdulo VI: Reguladores de Tenso;
Mdulo VII: Diodos Especiais;
Mdulo VIII: Decibis e Amplificadores Operacionais.
Vamos dar incio a essa fantstica viagem no mundo da eletrnica, presente

nos modernos circuitos das aeronaves.
Bons estudos!
Fonte: http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/harmo/fpCAP7/Image151.gif
MDULO I
CIRCUITOS REATIVOS
INTRODUO
Caro aluno,
Na disciplina de eletrnica I, iniciaremos nossos estudos falando de circuitos reativos e
osciloscpios, objeto do mdulo I.
Para que os equipamentos eletrnicos possam funcionar, os circuitos resistivos, indutivos e
capacitivos so combinados em associaes RL, RC e RLC. Devido a essas associaes
conterem reatncias, so chamadas de circuitos reativos.
O osciloscpio um instrumento de medida eletrnico que cria um grfico bidimensional
visvel de uma ou mais diferenas de potencial. O eixo horizontal do (monitor) normalmente
representa o tempo, tornando o instrumento til para mostrar sinais peridicos. O eixo
vertical comumente mostra a tenso.
Ento convido voc a seguir comigo nesta viagem.
Bons estudos...
1.1 CIRCUITO REATIVO EM SRIE

Para que os equipamentos eletrnicos (rdio, radar etc.) possam desempenhar suas funes,
os circuitos resistivos, indutivos e capacitivos so combinados em associaes RL, RC e RLC.
Em virtude de tais associaes conterem reatncias, as mesmas so chamadas de circuitos
reativos. Todo circuito constitudo por resistores e que no contenham quantidades
apreciveis de indutncia ou capacitncia, so considerados como circuitos resistivos.
Quando uma corrente alternada (CA) aplicada a um circuito resistivo, a corrente e a tenso
do circuito estaro em fase, conforme figura 1-1.
Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional
Figura 1-1
Ao se ligar um indutor em srie com um resistor, a queda de tenso no resistor (

em fase com a corrente ( ); porm, a tenso no indutor (
) estar
) est adiantada de 90.
A figura 1-2A nos mostra um circuito RL em srie e a figura 1-2B, a relao de fase entre a
corrente e a tenso no indutor e resistor.
Figura 1-2
Desse modo, pode-se ver que a presena do indutor no circuito, resulta uma defasagem de
90 entre as tenses.
A tenso resultante de qualquer circuito RL pode ser determinada por meio de vetores. Assim
sendo, por intermdio do grfico da figura 1-3, podemos achar a tenso resultante, que vem
a ser a prpria tenso aplicada.
Figura 1-3
A tenso no resistor tomada sobre o vetor horizontal e a tenso no indutor, sobre o vetor
vertical: como as tenses esto defasadas de 90, o ngulo entre elas ser reto.
Traando um paralelogramo baseado nestes dois vetores, teremos um vetor resultante (Ea)
que a hipotenusa de um tringulo retngulo. Segundo o teorema de Pitgoras o quadrado
da hipotenusa igual soma dos quadrados dos catetos; logo:
Impedncia
Quando um resistor e um indutor esto ligados em srie, a oposio total passagem da
corrente no uma simples soma aritmtica, mas sim uma soma vetorial, em virtude da
defasagem de 90 existente entre as tenses no circuito.
Suponha-se, por exemplo, que um resistor de 400 ohms esteja ligado em srie com um
indutor, cuja reatncia indutiva seja de 300 ohms.
A oposio total passagem da corrente no ser de 700 ohms mas sim de 500 ohms.
Clculo da Impedncia
Por intermdio da lei de Ohm, a queda de tenso num resistor ( ) o produto da resistncia
(R) pela corrente ( ), ou seja:
Como XL representa a oposio ao fluxo da corrente, a tenso no indutor (
) ser:
J que, a tenso aplicada ( ) no circuito o produto da corrente ( ) pela oposio total (

), logo:
Uma vez que:
Logo teremos:
Desse modo, a impedncia de um circuito
em srie, igual a raiz quadrada da soma dos
quadrados da resistncia e da reatncia indutiva.
Figura 1-4
Assim, podemos traar o diagrama vetorial, conforme figura 1-4, uma vez que
corresponde hipotenusa e
, soma dos quadrados dos catetos.
ngulo de Fase
Denomina-se ngulo de fase (), ao ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada ao circuito
( ), com o vetor da tenso (ER), conforme a figura 1-5.
Tomando-se por base o valor da corrente, o ngulo de fase ser positivo, contando no
sentido inverso dos ponteiros do relgio, a partir dessa referncia. Uma vez conhecido o
ngulo, podemos tambm determinar se o circuito resistivo, indutivo ou capacitivo, da
seguinte forma: o circuito ser resistivo quando, for igual a zero, indutivo quando for
positivo e capacitivo quando for negativo.
Figura 1-5
O ngulo de fase poder ser determinado por meio das funes trigonomtricas dos
diagramas das figuras 1-6 e 1-7.
Figura 1-6
Figura 1-7
Potncia Eltrica
No estudo dos circuitos resistivos, a potncia dissipada por um resistor, foi determinada pelo
produto de tenso (
) pela corrente ( ), ou seja:
isto, porm no acontece
num circuito de CA que contenha resistncia e indutncia.

A corrente no circuito fluir, sendo limitada pela impedncia, mas a energia utilizada para
produzir o campo magntico ser desenvolvida fonte no desenvolvimento do mesmo.
Portanto, num circuito de CA que contenha resistncia, parte da potncia dissipada no
resistor sob a forma de calor e parte devolvida fonte.
Assim sendo, o produto,
no s d a potncia que realmente est sendo
consumida pelo circuito, mas sim uma potncia que aparenta estar sendo absorvida.
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Este produto chamado de potncia aparente (
), sendo expresso volt/ampre (VA), e no
em watts, para diferenciar da potncia real.

A potncia aparente ( ) poder ser calculada por qualquer uma das equaes abaixo:
Sempre que a corrente circula num circuito que contenha resistncia e reatncia, haver
sempre por parte do resistor, uma dissipao de potncia, que chamada potncia real ( ),
verdadeira ou efetiva do circuito, sendo expressa em watts.
Portanto, para se achar a potncia real de um circuito que contenha resistncia e reatncia,
basta calcular apenas a potncia dissipada pelo resistor, a qual ser o produto da tenso no
resistor (
) pela corrente ( ), ou seja:
Fator de Potncia
O fator de potncia de um circuito muito importante, porque ele nos permite converter a
potncia aparente, em potncia real ou efetiva.
Define-se como fator de potncia ( ), a relao entre a potncia real ( ) e a potncia
aparente ( ) de um circuito.
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Em consequncia, o fator de potncia poder ser calculado por qualquer uma das trs
equaes apresentadas.
O fator de potncia usualmente expresso em frao decimal ou percentagem.
Exerccio resolvido:
Calcular o fator de potncia de um circuito, sabendo-se que a potncia aparente de 400 VA
(Volt/Ampre) e a potncia real de 200 Watts.
Lei de Ohm
A lei de ohm para circuitos de CA, diz que, a corrente (

tenso ( ) e inversamente proporcional impedncia (
) diretamente proporcional
). Logo, teremos:
Exerccio resolvido
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Calcule a corrente total do circuito da figura 1-8.

Dados:
R = 60 ohms
= 100 V
= 80 ohms
Figura 1-8
Frequncia de Corte
Qualquer circuito que contenha reatncia, no responder igualmente a todas as frequncias.
Ao analisarmos um circuito RL, vimos que seu comportamento foi diferente nas altas
frequncias em relao s baixas. No processo de anlise, somente uma simples frequncia
de cada vez foi aplicada ao circuito.
Contudo, se um sinal contendo uma faixa de frequncias aplicado ao circuito srie RL, a
reao do circuito ser diferente para cada frequncia individual contida neste sinal.
Por exemplo, conforme a frequncia diminui, a corrente total aumenta. Haver mais corrente
circulando para as baixas frequncias do que para as altas frequncias.
O valor da resistncia de um circuito, todavia no afetada por uma variao de frequncia,
mas XL uma funo direta da frequncia. Portanto, num circuito de CC, a oposio da
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bobina desprezvel e o circuito considerado resistivo; o ngulo de fase zero e a potncia

real estar no seu mximo valor.
Exemplo:
Considere o circuito srie consistindo de um resistor de 80 ohms e uma bobina de 12,73 mH,
com uma tenso aplicada de 100 vcc.
Desde que o ngulo de fase zero, a impedncia do circuito ser igual a 80 ohms. A corrente
ser:
A potncia real do circuito ter como valor:
A fonte de CC substituda por uma fonte de CA de frequncia varivel, com 100v RMS de
sada. Ao se aumentar a frequncia de sada da fonte, a reatncia indutiva ( ) aumentar,
enquanto o valor do resistor permanecer em 80 ohms.
Quando a frequncia atingir a 500Hz,
ter aumentando para 40 ohms.
Calculando os valores teremos:
Usando os valores acima observaremos que a potncia real do circuito diminui com o
aumento da frequncia:
Conforme a frequncia aumentada ainda mais, a corrente continuar a diminuir e

continuar a aumentar.
Eventualmente atingiremos uma frequncia na qual
ser igual resistncia.
Por exemplo em 1 KHz:

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Portanto em
. O ngulo de fase do circuito de 45 e a impedncia total de
113 ohms.
Desde que
, as tenses
tambm so iguais.
A potncia real do circuito :
Nota-se que a potncia real foi diminuda para a metade de seu valor mximo de 125W. A
frequncia em que
e a potncia real foi diminuda para metade de seu
valor mximo, denominada de frequncia de corte, ponte de meia potncia, ou ponto 0,707.
O termo frequncia de corte usado porque, para frequncias abaixo do ponto de corte, a
resposta do circuito considerada (em muitos casos) abaixo de um valor utilizvel.
Na frequncia de corte, a tenso de corte (
) assim como a corrente de corte (
), ser
respectivamente:
Uma frmula pode ser deduzida para determinar a frequncia de corte (
) da seguinte
maneira:
Na frequncia de corte:
Onde:
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= frequncia de corte (Hertz)

R = Resistncia (Ohms)
L= indutncia em (Henry)
1.2 CIRCUITO RC EM SRIE
As consideraes bsicas feitas para o circuito RL em srie continuam a ter valor para o
circuito RC em srie que agora vamos estudar e no qual temos um resistor e um capacitor
associados, como mostra a figura 1-9.
Figura 1-9
Num circuito srie contendo resistor e capacitor, a queda de tenso no resistor (
fase com a corrente, porm, a queda de tenso no capacitor (
relao a
) est em
) est atrasada de 90, em
, conforme nos mostra a figura 1-10.
Figura 1-10
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Assim, por intermdio do grfico da figura 1-11, podemos achar a tenso resultante ( ) que
vem a ser a prpria tenso aplicada, atravs da composio vetorial entre
Figura 1-11
Do grfico, tiramos a seguinte equao para o clculo da tenso aplicada (
Ainda, podemos concluir que a tenso resultante (
) ao circuito:
) est atrasada em relao a
de um
ngulo 0 negativo.
Impedncia
Num circuito contendo resistor e capacitor, a oposio passagem da corrente no uma
soma aritmtica, mas sim uma soma vetorial semelhante ao circuito RL em srie.
De acordo com o grfico da figura 1-12, a impedncia ou oposio total ao fluxo da corrente
no circuito, ser expressa pela equao:
Figura 1-12
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ngulo de Fase
O ngulo de fase , como j vimos, o ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada (
com o vetor da tenso (
), conforme nos mostra a figura 1-13. fcil de verificar que o
ngulo de fase negativo.
Figura 1-13
O ngulo de fase poder ser determinado por meio das funes trigonomtricas dos
diagramas das figuras 1-14 e 1-15.
Como:
Figura 1-14
Como:
Figura 1-15
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Potncia Eltrica
Todo circuito que contenha resistncia e reatncia, parte de potncia dissipada no resistor
sob a forma de calor e parte devolvida fonte. Portanto, o produto
, no
nos d a potncia que est sendo consumida pelo circuito.

Este produto chamado de potncia aparente (
).
A potncia aparente poder ser calculada por qualquer uma das equaes abaixo:
Sempre que a corrente circule num circuito que contenha resistncia e reatncia, haver
sempre por parte do resistor, uma dissipao de potncia, que chamada de potncia real,
verdadeira ou efetiva do circuito.
Podemos calcular a potncia real de um circuito, por intermdio das equaes abaixo:
Fator de Potncia
Fator de potncia a relao entre a potncia real (
) e a potncia aparente (
) de um
circuito. O fator de potncia ( ) poder ser calculado por qualquer uma das equaes
seguintes:
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Frequncia de Corte
Um circuito srie RC apresentar uma discriminao de frequncia similar, em muitos
aspectos, quela encontrada em um circuito srie RL.
Os termos frequncia de corte, ponto de meia potncia e frequncia crtica tem o mesmo
significado, conforme previamente definidos.
Nos circuitos sries, a tenso desenvolvida nos componentes reativos, depende da reatncia
do componente a qual, por sua vez, depende da frequncia.
Como
uma funo inversa da frequncia, logo, medida que a frequncia for
aumentada, a reatncia do capacitor diminuir e a tenso ser dividida entre o resistor e o

capacitor.
A frequncia de corte ser atingida quando a tenso estiver dividida igualmente entre R e C.
A frequncia de corte de um circuito srie RC pode ser determinada da seguinte maneira:
Desde que a frequncia de corte (
Substituindo a equao para
Substituindo f por
Onde:
) ocorre quando: R =
, teremos:
, teremos:
= frequncia de corte (Hertz)
R = resistncia (ohms)
C = capacitncia (Farad)
1.3 CIRCUITO RCL EM SRIE
Quando se aplica uma CA em um circuito srie contendo resistor, capacitor e indutor,
conforme figura 1-16, necessrio levar em considerao o fato de que os ngulos de fase
entre a corrente e a tenso diferem em todos os trs elementos.
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Figura 1-16
Tomando-se a corrente de um circuito srie como referncia, temos: No resistor, a tenso (
) est em fase, no indutor, a tenso (
) est adiantada de 90 e no capacitor, a tenso (
) est atrasada de 90. Como em qualquer circuito srie, a corrente a mesma, atravs de
todos seus componentes, podemos concluir que
, atrasada de 90 de
est adiantada de 90 de
, conforme nos mostra a figura 1-17A.
Logo, podemos compor o diagrama vetorial, conforme figura 1-17B:
Figura 1-17
A soma vetorial das tenses

a tenso no capacitor
e igual tenso aplicada (
e a tenso no indutor
resultante da composio vetorial entre
) ao circuito. Como
esto defasadas 180, logo, a tenso
a diferena, j que so vetores diretamente
opostos entre si. Esta tenso resultante ser somada vetorialmente com a queda de tenso
no resistor (
), para a determinao da tenso aplicada ( ) ao circuito. Isto expresso pelo
grfico da figura 1-18.

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Pelo teorema de Pitgoras, teremos:
Figura 1-18
Impedncia
O raciocnio para o clculo da impedncia de um circuito RCL em srie de CA semelhante
ao que foi visto para o clculo da impedncia utilizada em circuitos RC em srie de CA
tambm.
Assim tenso aplicada, a primeira operao ser a diferena entre
, em virtude de
serem vetores diretamente opostos entre si, conforme nos mostra a figura 1-19.
Este resultado ser composto vetorialmente com o valor da impedncia.
Figura 1-19
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ngulo de Fase
O ngulo de fase , como j vimos, o ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada (
com o vetor da tenso (
),
) e poder ser determinado por meio das funes trigonomtricas
dos diagramas das figuras 1-20 e 1-21.

Como:
Figura 1-20
Logo:
Como:
Figura 1-21
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Classificao dos Circuitos RCL em Srie
a) Quando
for maior que
ou
maior que
b) Quando
for maior que
ou
maior que
c) Quando
for igual a
ou
igual a
temos: positivo, circuito RL;
temos: negativo, circuito RC;
temos: igual a zero, circuito resistivo.
Potncia Aparente, Real e Fator de Potncia

Empregam-se as mesmas equaes j vistas nos circuitos RL ou RC, ou seja:
Exerccio resolvido:
Determine no circuito da figura 1-22, a impedncia, o fator de potncia, a intensidade da
corrente, a potncia aparente, real e a tenso em cada um dos elementos.
Dados:
= 900 ohms
= 500 0hms
R = 300 ohms
= 125 V
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Figura 1-22
Clculo da impedncia
Clculo do fator de potncia:
Clculo da intensidade da corrente:
Clculo da potncia aparente:
Clculo da potncia real:
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Clculo da tenso no resistor:
Clculo da tenso no indutor:
Clculo da tenso no capacitor:
1.4 RESSONNCIA EM SRIE

Os fenmenos de um circuito ressonante constituem uma caracterstica muito significativa
dos circuitos eletrnicos. So encontrados em rdio, radar, televiso, aplicaes em projteis
teleguiados, etc. A forma que um aparelho de rdio pode sintonizar uma estao desejada,
encontra sua resposta no estudo dos circuitos ressonantes.
Quando estabelecida a igualdade entre a reatncia indutiva e a reatncia capacitiva
, a qual determina a igualdade entre as tenses
, dizemos que o circuito
est em ressonncia.
Esta condio desejvel em vrios circuitos usados em eletrnica, mas pode trazer
consequncias desagradveis, com danos para os elementos de um circuito, quando no
prevista.
Sabemos que a reatncia indutiva diretamente proporcional frequncia e que a reatncia
capacitiva inversamente proporcional mesma.
Assim, quando aplicamos uma CA a um circuito RCL em srie e fazemos a frequncia variar
desde um valor praticamente nulo a um valor alto, podemos observar o crescimento da
reatncia indutiva e a queda da reatncia capacitiva.
Numa determinada frequncia, as duas grandezas tornam-se iguais, veja a figura 1-23, e o
circuito apresenta caractersticas que correspondem condio denominada ressonncia.
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Figura 1-23
Impedncia
Quando o circuito RCL em srie entra em ressonncia, a reatncia total do circuito zero,
uma vez que
se anulam mutuamente porque esto 180 defasadas. claro,
portanto, que quando
a impedncia (
) do circuito ser a prpria resistncia
(R), uma vez que:
Do exposto, evidente, que quando um circuito RCL em srie entra em ressonncia, a

corrente do circuito mxima, uma vez que a impedncia mnima, pois a nica oposio
que o circuito oferece deve-se somente sua resistncia. Portanto, a corrente de um circuito
RCL em srie atinge seu maior valor no ponto de ressonncia.
Anlise do Circuito Ressonante

O estudo feito at agora registra as condies de um circuito sintonizado no ponto de
ressonncia; contudo, para que se possa entender melhor o comportamento do circuito,
necessrio analisar as condies que nele existem, em ambos os lados da ressonncia.
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Figura 1-24
Na figura 1-24, temos circuito RCL em srie, em que podemos calcular a tenso, a corrente
e a impedncia.
A frequncia do gerador pode ser variada de 100 a 600
, permitindo dessa maneira que
se observe a conduta do circuito ao entrar e ao sair de ressonncia.

A corrente do circuito calculada para as diversas frequncias do gerador. Empregando-se
as equaes j conhecidas, para 100
, tem-se:
A reatncia efetiva ou total do circuito (X) pode ento ser calculada:
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A impedncia do circuito ser:
Como X 200 vezes maior que R, a impedncia pode ser considerada, na prtica, igual
prpria reatncia.
Ento, ter-se-:
A corrente
, calcula-se pela Lei de Ohm, logo teremos:
Em uma anlise do comportamento do circuito, podem-se calcular os valores acima

determinados entre os limites de trabalho do equipamento (100 a 600KHz).
A tabela abaixo (figura 1-25) relaciona os valores das reatncias, a diferena entre elas, a
impedncia e a corrente no circuito, para cada frequncia de operao.
Figura 1-25
A figura 1-26 apresenta o grfico da variao da corrente em funo da frequncia. O
conjunto grfico e tabela mostra claramente que, na frequncia de ressonncia (398), a
impedncia mnima (igual a R), a corrente mxima e as reatncias so iguais.
Portanto, um circuito srie ressonante RCL atua como se fora um circuito simples,
unicamente resistivo. O fluxo da corrente limitado exclusivamente pela resistncia.
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Figura 1-26
Todavia, as tenses nos elementos reativos, embora iguais e opostas, podem atingir valores
bastante elevados. Essas tenses so determinadas pela corrente que percorre o circuito
multiplicado pela reatncia do elemento (Lei de Ohm).
No circuito da figura 1-27, temos o circuito RCL em ressonncia, onde os medidores nos
mostram as leituras das tenses e correntes.
Figura 1-27
A tenso em L ou C igual a 50 vezes a tenso aplicada. A tenso reativa depende da corrente

que percorre o circuito a qual, por sua vez, depende da resistncia hmica.
Desta forma, um circuito ressonante de resistncia pequena capaz de gerar tenses elevadas
atravs das reatncias.
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Isto se aplica a circuitos que necessitam de um ganho de tenso, embora lhes seja aplicada
uma baixa tenso.
Frequncia de Ressonncia
A frequncia em que um circuito RCL em srie entra em ressonncia pode ser determinada
da seguinte maneira:
Como:
Logo teremos:
Onde:
= frequncia de ressonncia (Hertz )
L = indutncia (Henry)
C = Capacitncia (Farad)
Um exame da equao em apreo faz-nos concluir que a resistncia do circuito no influi na
sua frequncia de ressonncia e que esta s depende do produto LC. Isto significa que
circuitos com valores diferentes para L e para C podem entrar em ressonncia na mesma
frequncia, desde que os produtos LC sejam iguais.
Por isto, podem-se fazer num circuito, vrias combinaes de L e C, obtendo-se o mesmo
produto. Sendo constante o produto, constante ser tambm a frequncia de ressonncia.
Exemplo: uma indutncia de 0,5 mH e uma capacitncia de 32 F iro ressonar na mesma
frequncia (398HZ que uma bobina de 2 mH e uma capacitncia de 80 F.
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Curvas de Ressonncia
Como j foi visto, a frequncia de ressonncia independe do valor da resistncia do circuito.
Um circuito que tenha uma resistncia de 100 ohms ter a mesma frequncia de ressonncia
que um circuito com 1 ohm de resistncia, desde que o produto LC seja constante, em ambos
os casos. Entretanto, a intensidade da corrente no circuito cresce medida que a resistncia
diminui.
Se fosse possvel montar um circuito com resistncia nula, a corrente na ressonncia seria
infinitamente grande.
Na prtica, a resistncia nunca nula, mas pode ser elevada e dentro dos limites finitos. Na
figura 1-28, temos algumas curvas tpicas de ressonncia para um circuito que tenha os
mesmos valores L de e C, mas valores diferentes para a resistncia.
A diferena entre os valores de pico de cada um das curvas deve-se ao fato das resistncias
possurem valores diferentes. Observe-se tambm que medida que a resistncia R aumenta,
as curvas de respostas tornam-se mais achatadas e mais largas nas proximidades da frequncia
de ressonncia.
Se a resistncia de um circuito ressonante for muito grande, o circuito perde sua utilidade
como seletor de frequncia, por ser diminuta a discriminao do fluxo de corrente entre as
frequncias que so e as que no o so.
= frequncia ressonante
Figura 1-28
Assim, o circuito perde a vantagem de seletividade de frequncia.
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O "Q" e a Seletividade
A fim de que os receptores de rdio possam desempenhar suas funes, necessrio que
este selecione uma estreita faixa de frequncia, rejeitando as demais.
S assim se conseguir separar emissoras que se acham muito prximas no dial do rdio.
Quanto mais estreita for a faixa de frequncia, maior ser sua seletividade. Portanto,
seletividade a aptido que tem um receptor de selecionar um sinal, entre muitos outros de
frequncias prximas.
A seletividade de um aparelho determinada pelos seus circuitos sintonizados.
Quanto menor possamos fazer a resistncia de uma bobina, com respeito sua reatncia,
maior ser a seletividade.
A seletividade de uma bobina medida pela relao "Q" que igual sua reatncia dividida
pela sua resistncia.
Como a resistncia de um capacitor mais baixa do que a resistncia de uma bobina, esta
constitui o elo mais fraco do circuito sintonizado.
O "Q" do circuito sintonizado o "Q" da bobina.
Como:
Logo: Q =
Portanto, o "Q" de um circuito srie ressonante vem a ser tambm a relao que existe entre
a tenso no indutor ou no capacitor
e a tenso aplicada (
) ao circuito.
A expresso anterior indica que o "Q" varia inversamente com a resistncia do circuito;
quanto mais baixa a resistncia, maior ser o "Q".
As curvas de ressonncia indicam que, quanto mais baixa for a resistncia do circuito, maior
ser sua discriminao de frequncia. Por isto, o "Q" indica a capacidade de um circuito
33
ressonante para selecionar ou rejeitar uma determinada faixa de frequncia, sendo por isso,
conhecido como fator de qualidade ou mrito de um circuito.
Quanto maior for o "Q" de um circuito ressonante em srie, maior ser seu valor como
seletor de frequncia.
Influncia do "Q" no Ganho de Tenso

No circuito da figura 1-27, as tenses nas reatncias por ocasio da ressonncia so de 15000
volts, ao passo que a tenso aplicada (que a mesma da resistncia) de 300 volts. Esta alta
tenso depende diretamente da corrente que percorre o circuito, a qual, por sua vez, depende
da tenso aplicada e da resistncia.
Comparando-se a tenso em uma das reatncias com a tenso aplicada, tem-se uma ideia
exata da qualidade do circuito ressonante.
O circuito ressonante em srie amplifica a tenso aplicada na frequncia de ressonncia. Se
as perdas do circuito so baixas, o "Q" do circuito ser alto e a amplificao de tenso ser
relativamente grande. A amplificao de tenso do circuito da figura 1-27 ser de:
Largura de Faixa
Largura de faixa (Band Width) ou faixa de passagem de um circuito uma faixa de frequncia
na qual a variao da tenso aplicada, produz resposta que no difere muito da obtida na
frequncia de ressonncia.
Os limites mnimos da resposta em geral, so tomados na curva de ressonncia a 0,707 do
valor mximo da corrente ou tenso, conforme o que se esteja calculando.
Na figura 1-29, a rea sombreada representa a faixa de frequncia para a qual a corrente
maior que 0,707 do valor de pico. Observe-se que a metade desta faixa fica acima da
frequncia de ressonncia (
at
) e a outra metade abaixo (
at
).
As duas frequncias, uma acima e outra abaixo da ressonncia, nas quais so obtidas respostas
mnimas, formam os limites da largura da faixa aceita do circuito.
34
Os pontos
so chamados pontos de meia potncia, em virtude desses pontos
corresponderem a 50% da potncia mxima.

A largura da faixa de passagem, tambm conhecida como passa banda (ban pass), pode ser
determinada pela seguinte equao:
Em que:
Bw = faixa de passagem (Hertz)
= frequncia mais alta que passa pelo circuito (Hertz)
= frequncia mais baixa que passa pelo circuito (Hertz)
Todavia, como o "Q" do circuito determina a largura total da curva de ressonncia, a faixa
de passagem tambm pode ser calculada baseando-se na frequncia de ressonncia ( ) e no
"Q" do circuito, ou seja:
Em que:
= faixa de passagem (Hertz)
= frequncia de ressonncia (Hertz)
Q = qualidade ou ganho
Nesta frmula, permite ver-se que quanto maior for o "Q", menor ser a faixa de passagem
e, inversamente, quanto menor for o "Q", maior ser a faixa de passagem.
A frequncia mais baixa que passa pelo circuito (
) assim como a mais alta ( ) pode ser
calculada da seguinte maneira:
Figura 1-29
35
Como:
Logo:
Exerccio resolvido:
Calcule a faixa de passagem do circuito da figura 1-30, sabendo-se que sua frequncia de
ressonncia de 160HZ e monte sua curva de ressonncia.
Dados:
= 400 ohms
= 400 ohms
= 5 ohms
= 160000 Hz
= 50v
Figura 1-30
Clculo da corrente:
Clculo do "Q":
Clculo da Faixa de Passagem:

Faixa de passagem:
36
Para a Curva de Ressonncia, teremos:
Figura 1-31
No rdio, da mesma forma que nos outros equipamentos eletrnicos, muito frequente o
uso e a aplicao dos circuitos reativos em paralelo.
A importncia dos circuitos reativos em paralelo deve-se ao fato de que eles aparecem no
estudo dos amplificadores eletrnicos e, devido a isso, essencial a compreenso das relaes
existentes entre tenses, intensidade de corrente, impedncia e potncia nesses circuitos.
1.5 CIRCUITO RL EM PARALELO
Vimos que, no circuito reativo em srie, por ser a corrente um elemento constante em todos
os pontos do circuito, tomvamos seu vetor como referncia, para representao grfica e
clculos.
No circuito reativo em paralelo, porm, o elemento constante a tenso, ou seja, a tenso
aplicada a mesma em todos os ramos do circuito. Alm de terem o mesmo valor esto em
fase.
Da a razo porque a tomaremos como vetor referncia.
Intensidade de Corrente
Ao se ligar um indutor em paralelo com um resistor, a tenso no indutor (
(
) e no resistor
) idntica tenso aplicada e esto em fase entre si.
37
Todavia, a corrente atravs do indutor est atrasada de 90 em relao tenso aplicada e a

corrente atravs do resistor est em fase com a tenso aplicada. Logo, podemos concluir que
a corrente no indutor (
) est atrasada de 90 em relao a corrente no resistor (
).
A figura 1-32, nos mostra um circuito RL em paralelo e a figura 1-33, sua relao de fase.
A corrente total de qualquer circuito RL em paralelo no pode ser determinada pela soma
aritmtica das correntes nos vrios ramais, por causa da diferena de fase.
Figura 1-32
Figura 1-33
No grfico da figura 1-34, a corrente no resistor

corrente no indutor
representada pelo vetor horizontal e a
, pelo vetor vertical. O vetor
porque est atrasado em relao a
orientado no sentido negativo
38
Figura 1-34
O mdulo do vetor da corrente de linha I sempre maior do que
ou
sempre maior do que
, porque ele a hipotenusa de um tringulo retngulo.
Para se calcular a corrente no resistor e no indutor, emprega-se a Lei de Ohm:
Como:
Logo:
Em que:
= tenso aplicada (volts)
= tenso no resistor (volts)
= tenso no indutor (volts)
Clculo da Impedncia
A impedncia de um circuito RL em paralelo pode ser determinada pela Lei de Ohm, ou seja:
Todavia, nos circuitos CC, vimos que, para efetuar o clculo da resistncia equivalente entre
dois resistores no circuito, empregvamos a seguinte frmula:
Analogamente, nos circuitos reativos em paralelo, podemos calcular a impedncia por

intermdio de uma frmula semelhante a esta. Donde, por analogia, teremos:
39
ngulo de Fase
Denomina-se ngulo de fase (), ao ngulo que a corrente de linha ( ) forma com a tenso
aplicada (
). Veja a figura 1-35.
Figura 1-35
O ngulo de fase () poder ser determinado por meio das funes trigonomtricas do
diagrama vetorial da figura 1-36.
Logo:
Como:
Figura 1-36
40
Logo:
Em funo do diagrama da figura 1-36 temos que, o cos =
Como:
Logo: cos =
cos =
cos =
Potncia Eltrica
Todo circuito que contenha resistncia e reatncia, parte da potncia dissipada no resistor
sob a forma de calor e parte devolvida fonte. O produto
potncia aparente, (
, chamado de
) sendo sua unidade o Volt Ampre (VA).
A potncia aparente poder ser calculada por qualquer uma das equaes abaixo:
A potncia dissipada pelo resistor chamada de potncia real, verdadeira ou efetiva do

circuito, sendo sua unidade o Watt.
41
Podemos calcular a potncia real (
) de um circuito por intermdio da seguinte equao:
Como:
Logo:
Fator de Potncia
Define-se como fator de potncia ( ), a relao entre a potncia real (

aparente (
) e a potncia
) de um circuito.
Como:
Logo:
Porm, como cos =

Logo:
Em consequncia, o fator de potncia poder ser calculado por qualquer uma das equaes
apresentadas.
O fator de potncia usualmente expresso em frao decimal ou percentagem.
42
1.6 CIRCUITO RC EM PARALELO

As consideraes bsicas, feitas para o circuito RL em paralelo, continuam a ter valor para o
circuito RC em paralelo que agora vamos estudar e no qual temos um resistor e um capacitor
associados, como mostra a figura 1-37.
Tratando-se de um circuito em paralelo, a tenso a mesma em qualquer ponto do circuito
e esto em fase entre si.
Contudo, a corrente que atravessa o capacitor est adiantada de 90 em relao tenso
aplicada e a corrente que percorre o resistor est em fase com a mesma tenso, conforme
nos mostra a figura 1-38.
Isto quer dizer que a corrente capacitiva se apresenta defasada de 90, em avano sobre a
corrente resistiva.
Figura 1-37
Figura 1-38
43
No grfico da figura 1-39, a corrente

no indutor
representada pelo vetor horizontal e a corrente
pelo vetor vertical. O vetor
adiantado em relao a
orientado no sentido positivo porque est
Figura 1-39
A corrente resultante (
) ou de linha a soma vetorial destas duas correntes, ou seja:
O mdulo do vetor da corrente de linha (
) sempre maior do que
ou
, porque ele
a hipotenusa de um tringulo retngulo.

Para se calcular a corrente no resistor e no capacitor, emprega-se a Lei de Ohm:
Clculo da Impedncia
A impedncia de um circuito RC em paralelo pode ser determinada pela lei de Ohm, ou seja:
Ou atravs da seguinte equao:
ngulo de Fase
44
O ngulo de fase , como j vimos, o ngulo formado pelo vetor da corrente de linha
( ) com o vetor da tenso aplicada (
).
Figura 1-40
O ngulo de fase poder ser determinado por meio das funes trigonomtricas do
diagrama vetorial da figura 1-41.
Como:
Figura 1-41
Logo: tg =
Porm, como:
Logo: tg =
45
Em funo do diagrama da figura 1-41, temos que, o cos =
Como:
Logo:
Potncia Aparente e Real
Para se calcular a potncia aparente (
) e a potncia real (
), empregam-se as mesmas
equaes j vistas no circuito RL em paralelo, ou seja:
Fator de Potncia
Para o clculo do fator de potncia empregam-se as mesmas equaes vistas no circuito RL
em paralelo, em que:
1.7 CIRCUITO RCL EM PARALELO
46
Quando se aplica uma CA em um circuito paralelo contendo resistor, capacitor e indutor,

conforme mostra a figura 1-42, necessrio levar em considerao o fato de que os ngulos
de fase entre a corrente e a tenso diferem nos trs elementos.
Tomando-se a tenso de um circuito paralelo como referncia, temos: no resistor, a corrente
( ) est em fase: no indutor, a corrente ( ) est atrasada de 90 e no capacitor,
a corrente ( ) est adiantada de 90.
Figura 1-42
Como em qualquer circuito em paralelo, a tenso a mesma em qualquer ponto do circuito

e esto em fase entre si, podemos concluir que
de 90 de
est atrasada de 90 de
adiantada
, conforme nos mostra a figura 1-43.
Logo, podemos compor o diagrama vetorial, conforme figura 1-44.
Figura 1-43
47
Figura 1-44
A soma vetorial das correntes

Como a corrente no capacitor
igual corrente total ou de linha do circuito.

e a corrente no indutor
a corrente resultante da composio vetorial entre
esto defasadas de 180, logo,

a diferena, j que so vetores
diretamente apostos entre si. Esta corrente resultante ser somada vetorialmente, com a
corrente do resistor
, para a determinao da corrente total ou de linha do circuito. Isto
expresso pelo grfico da figura 1-45.
Figura 1-45
Neste tipo de circuito existe uma corrente circulatria que vem a ser a menor entre as duas
correntes
. Esta corrente circula apenas no circuito formado por L e C. Depois da
carga inicial do capacitor, ele descarrega atravs da bobina.

O fluxo da corrente atravs da bobina produz um campo magntico que se mantm,
enquanto a corrente estiver fluindo.
Quando a corrente se reduz a zero, o campo magntico se desvanece, induzindo uma
corrente que carrega o capacitor, mas com polaridade oposta original. A o capacitor se
descarrega em sentido oposto.
48
Figura 1-46
Os ciclos se repetem e o capacitor volta a se carregar ao seu estado original. Esses ciclos se
repetem periodicamente e a sua ao d origem corrente circulatria, veja a figura 1-46.
Para se calcular a corrente no resistor, capacitor e indutor, emprega-se a Lei de Ohm.
Clculo da Impedncia
A impedncia de um circuito RCL em paralelo pode ser determinada pela Lei de Ohm, em
que:
ou atravs da seguinte equao:
Onde:
49
ngulo de Fase
O ngulo de fase poder ser determinado por meio das funes trigonomtricas do
diagrama da figura 1-47.
Como:
Figura 1-47
Logo:
Classificao dos Circuitos RCL em Paralelo:
a) Quando
for menor que
ou
maior que
b) Quando
for menor que
ou
maior que
c) Quando
for igual a
ou
igual a
, temos: negativo, circuito
temos: positivo, circuito
, temos: igual a zero, circuito RESISTIVO.
Potncia Aparente, Real e Fator de Potncia
Para o clculo, empregam-se as mesmas equaes j vistas nos circuitos
ou RC em
paralelo, ou seja:
50
Dado o circuito da figura 1-48, determinar:
Figura 1-48
As intensidades de corrente
A corrente total ou de linha:
51
A impedncia total do circuito:
O fator de potncia:
A potncia real:
A potncia aparente:
A corrente circulante no tanque:

A corrente circulatria a menor entre as duas correntes
Como
ou
a menor corrente, logo, a corrente circulatria ser de
.
.
1.8 RESSONNCIA EM PARALELO E CIRCUITO TANQUE IDEAL
Ressonncia em Paralelo
O circuito sintonizado em paralelo um dos mais importantes da eletrnica, sendo
amplamente empregado em transmissores, radio, radar, etc.
O fenmeno da ressonncia em srie, tambm se presta a uma anlise nos circuitos em
paralelo, entretanto, sua aplicao revela condies diferentes de operao.
52
Um circuito em paralelo encontra-se em ressonncia quando estabelecida a igualdade entre

a reatncia indutiva e a reatncia capacitiva
correntes
a qual determina a igualdade entre as
Circuito Tanque Ideal

Chama-se comumente tanque a qualquer associao LC, particularmente quando as
reatncias so ligadas, conforme a figura 1-49.
Figura 1-49
A designao tanque resulta da capacidade que tm os circuitos LC de armazenar energia.

Embora o circuito tanque ideal no seja exequvel na prtica, uma anlise de seu
comportamento instrutiva.
A figura 1-50 representa o esquema de um circuito tanque ideal (R = 0) em que um indutor
e um capacitor esto associados em paralelo e ligados a uma fonte de CA de frequncia
varivel.
H, portanto, dois caminhos por onde a corrente pode circular; um pelo indutor e outro pelo
capacitor.
Se a fonte de CA operar em baixa frequncia, a maior parte da corrente circular pelo indutor
do que pelo capacitor, porque
menor que
. Se, porm, a fonte de CA operar em alta
frequncia, a maior parte da corrente circular pelo capacitor porque
menor que
Para uma determinada frequncia a reatncia indutiva ser igual reatncia capacitiva
, logo, o circuito entra em ressonncia.
A figura 1-51 mostra o grfico da variao da reatncia indutiva e capacitiva em funo da
frequncia.
53
Figura 1-50
Figura 1-51
Uma vez estando o circuito em ressonncia, a corrente atravs do indutor e do capacitor so
iguais
, porm defasadas de 180. Assim sendo, a corrente total ou de linha que
a soma vetorial de
, igual a zero. Este fato mostrado por intermdio do diagrama
vetorial da figura 1-52. Assim, nesse circuito ressonante em paralelo hipottico, a impedncia
do circuito ser infinita e no haver corrente de linha.
Todavia, haver uma corrente circulatria no tanque apesar de nenhuma corrente ser
fornecida pela fonte.
Depois da carga inicial do capacitor, ele descarrega sobre o indutor, isto , a energia
armazenada no capacitor fornece a corrente que percorre o indutor.
O campo magntico resultante em torno do indutor age como fonte de energia para
recarregar o capacitor.
Essa transferncia de energia entre os dois elementos continua na frequncia de ressonncia
sem qualquer perda.
O sistema est em estado oscilatrio e pode ser comparado com um pndulo em que, no
havendo atrito, oscila continuamente, desde que tenha recebido um deslocamento inicial
devido a uma fonte de energia.
54
Figura 1-52
Mas, da mesma maneira que o pndulo real nunca totalmente desprovido de atrito e dissipa
alguma energia durante a oscilao, os circuitos ressonantes em paralelo, na prtica, incluem
alguma resistncia que absorve energia da fonte original.
Consequentemente apesar da impedncia do circuito ser mxima na ressonncia, tem valor
finito, e no infinito e a corrente de linha, apesar de ser mnima e estar em fase com a tenso
aplicada, no igual a zero.
Na figura 1-53, temos o grfico representativo da impedncia e corrente em relao variao
de frequncia.
A corrente circulatria no tanque tem o mesmo sentido e mxima quando o circuito
encontra-se em ressonncia.
Veja a figura 1-54.
A corrente circulatria, considerada como sendo a corrente do capacitor
, uma vez que
ou do indutor
e pode ser facilmente determinada pela Lei de Ohm:
Figura 1-53
55
Figura 1-54
A ressonncia nos circuitos paralelos chamada de anti-ressonante, por serem seus efeitos
exatamente opostos aos observados nos circuitos em srie.
Frequncia Anti-ressonante
Aplica-se a expresso de frequncia anti-ressonante ao circuito em paralelo e frequncia de
ressonncia ao circuito em srie. Em qualquer caso, uma combinao LC tem uma frequncia
ressonante, qualquer que seja o nome que esta receba.
A frequncia anti-ressonante de um circuito paralelo determinada da mesma maneira que
num circuito em srie, ou seja:
Impedncia no Circuito Tanque Ideal

No circuito ressonante em paralelo a tenso a mesma e as correntes em cada ramo e na
linha so determinadas pela impedncia total da linha. Assim, a corrente no ramo indutivo
ou capacitivo em qualquer instante :
A corrente total
na linha, pela Lei de Ohm, :
56
Alm disso, como j foi visto, a corrente total igual soma vetorial das correntes nos ramos.
Como essas correntes esto defasadas de 180 e
convencionalmente negativo, tem-se:
Donde:
A impedncia de um circuito em paralelo difere de um circuito em srie. Uma reatncia

indutiva grande em um circuito em srie faz com que este haja indutivamente, porm, uma
grande reatncia indutiva num circuito em paralelo faz este agir capacitivamente, pois passa
mais corrente pelo ramo capacitivo.
Um circuito tanque ideal apresenta as seguintes caractersticas:
a) Na ressonncia, a impedncia infinita;
b) medida que a frequncia se afasta da frequncia de ressonncia, a impedncia se
aproxima de zero;
c) O circuito se aproxima indutivamente para as frequncias inferiores de ressonncia e,
capacitivamente, para as frequncias maiores que a de ressonncia. Os pontos precedentes
indicam que o circuito tanque muito verstil. Pode ser usado para substituir um capacitor
ou um indutor.
Exerccio resolvido.
A figura 1-55 mostra o esquema de um circuito RC em paralelo. O gerador de frequncia
varivel entrega 300V.
A frequncia anti-ressonante ser:
Figura 1-55
57
A corrente em qualquer um dos ramos determinada pela reatncia nesse ramo. Como
igual a
, qualquer reatncia pode ser usada.
Logo:
Assim, a corrente circulatria no tanque de 0,03A, mas a corrente na linha praticamente

nula; como j sabemos, a frequncia de ressonncia oferece o mximo de impedncia linha.
Se a frequncia do gerador for mudada para 200 KHz a corrente nos ramos diferir:
Logo:
Assim, a corrente circulatria no tanque de 0,03A, mas a corrente na linha praticamente

nula. Como j sabemos, a frequncia de ressonncia oferece o mximo de impedncia linha.
Se a frequncia do gerador for mudada para 200 KHz a corrente nos ramos diferir:
58
Logo:
Logo:
Como a corrente indutiva maior que a capacitiva, o circuito se conduz indutivamente.

A corrente de linha :
Assim, a corrente na linha de 44 mA, atrasada de 90 em relao tenso aplicada. A figura

1-56, mostra o diagrama vetorial deste circuito na frequncia de 200 KHz.
Figura 1-56
Empregando-se a frmula da impedncia, tem-se:
59
1.9 CIRCUITO TANQUE REAL E CIRCUITO TANQUE COM RESISTOR EM DERIVAO
Circuito Tanque Real

As concluses obtidas no estudo do circuito tanque ideal e os resultados da anlise do circuito
anterior foram baseados na hiptese da resistncia nos ramos em paralelo ser nula ou
desprezvel.
A figura 1-57 apresenta um diagrama esquemtico equivalente a um circuito real. O ramo
capacitivo contm uma resistncia desprezvel, enquanto que o ramo indutivo inclui toda a
resistncia do circuito.
A presena da resistncia no circuito em paralelo significa que as correntes dos respectivos
ramos no esto exatamente defasadas de 180 na ressonncia. A resistncia altera o ngulo
de fase de cada ramo, como visto na figura 1-58.
Assim as correntes dos ramos no se anulam completamente e resulta disso uma corrente de
linha.
Dessa forma, o valor da corrente de linha na ressonncia , pois um indicativo da quantidade
de resistncia presente no circuito.
medida que a resistncia diminui, a corrente de linha tende para uma amplitude mnima e
a entrar em fase com a tenso aplicada.
Figura 1-57
60
Figura 1-58
Fator de Qualidade
O fator de qualidade ou "Q" de um circuito ressonante em paralelo igual ao de um circuito
ressonante em srie, em que:
Porm, no circuito ressonante em srie, a qualidade ou Q do circuito tambm determinada

pela relao entre a tenso em cada reatncia e a tenso aplicada. Como a tenso a mesma
no circuito ressonante em paralelo, o Q do circuito tambm determinado pela relao entre
a corrente no tanque e a corrente na linha, ou seja:
Como a corrente ressonante do tanque igual corrente de menor valor,

virtude de
ser menor que
ou
e em
teremos:
61
Obs.: esta equao, somente deve ser empregada quando o valor de R for muito baixo em
relao a XL.
Assim, o Q de um circuito ressonante em paralelo tambm considerado como sendo a
relao entre a impedncia e a reatncia indutiva ou capacitiva.
Os circuitos de Q elevados so, como j vimos, muito teis nos circuitos eletrnicos
seletivos. Quanto maior for o Q, maior ser a seletividade do circuito.
Curvas de Ressonncia
Nos circuitos ressonantes em paralelo, a curva de impedncia a curva caracterstica de
ressonncia (figura 1-59).
Como j foi visto, a frequncia de ressonncia independe do valor da resistncia do circuito.
Figura 1-59
A agudeza da curva depende do Q do circuito e pode ser aumentada ou diminuda,

respectivamente com o acrscimo ou decrscimo do valor da resistncia. Se a resistncia do
circuito ressonante for muito grande, o circuito perde sua utilidade como seletor de
frequncia.
62
Largura de Faixa
A largura de faixa do circuito ressonante em paralelo segue as especificaes para a largura
de faixa do circuito ressonante em srie.
Portanto, os limites efetivos da faixa de passagem so tomados nos pontos da curva de
ressonncia a 0,707 do valor de pico. Assim, as duas frequncias, uma acima e outra abaixo
da ressonncia (pontos de meia potncia), formam os limites da largura de faixa. Veja a figura
1-60.
Figura 1-60
A largura de faixa de um circuito sintonizado pode ser determinada por meio da frmula:
Onde: Bw = largura de faixa (hertz)

= frequncia anti-ressonante (hertz)
Q = Qualidade
Circuito Tanque com Resistor em Derivao
63
Outro caso que deve ser mencionado o que acontece quando um resistor est ligado em
paralelo com o circuito tanque, conforme a figura 1-61. O resistor R chamado de "resistor
de amortecimento" e aumenta efetivamente a largura de faixa de um circuito, porque ele ser
responsvel por uma parte da corrente de linha que a ressonncia no pode cancelar. O
amortecimento de derivao faz diminuir o Q do circuito e, portanto o circuito fica menos
seletivo.
Figura 1-61
Exerccio resolvido
Estando o circuito da figura 1-62 em ressonncia, calcular:
Figura 1-62
Clculo do Q:
Clculo da impedncia:
Clculo da corrente de linha:
64
Clculo da corrente no tanque:
Clculo da largura de faixa:
1.10 FILTROS DE FREQUNCIA

Comumente, a corrente em um circuito de rdio contm vrios componentes de frequncia.
A funo de um circuito de filtro efetuar uma determinada separao destes componentes.
Assim, um filtro pode ser usado para separar os componentes de corrente contnua dos de
corrente alternada ou para separar grupos de componentes de corrente alternada por faixas
de frequncia.
Para conseguir esta finalidade, o filtro deve apresentar baixa atenuao (oposio) para
componentes de frequncia dentro de uma faixa particular, a faixa de passagem, e alta
atenuao em frequncias dentro de outras faixas atenuadas.
Caractersticas dos Circuitos de Filtros

Os filtros so comumente classificados de acordo com as suas caractersticas de seletividade:
o filtro "passa-baixa" transmite todas as frequncias abaixo de uma frequncia limite,
65
chamada frequncia de corte (
), e barra as frequncias mais altas que a frequncia de corte
e o filtro "passa-alta" faz exatamente o contrrio.

O filtro "passa-faixa" deixa passar as frequncias contidas numa faixa entre duas frequncias
de corte e elimina as frequncias que ficarem acima e abaixo dos limites da faixa.
O filtro "corta-faixa" barra as frequncias que ficam dentro de uma faixa, deixando passar
todas as demais.
O ponto de corte em um circuito de filtro pode ser facilmente determinado pelas equaes
abaixo:
Em que:
= ponto de corte
= tenso aplicada
= corrente total
Desde que, idealmente, um filtro deve deixar passar frequncias escolhidas sem atenuao,
as perdas de energia devem ser baixas.
Em consequncia, os componentes de um circuito de filtro consistem comumente em
elementos reativos.
Pela disposio conveniente de indutores e capacitores, os filtros podem ser construdos de
maneira a permitir qualquer caracterstica de seleo de frequncia.
Filtro Passa-Baixa
A figura 1-63 ilustra um filtro passa-baixa. Na entrada, as altas frequncias encontram uma
reatncia indutiva relativamente elevada em L e uma baixa reatncia capacitiva em C. Assim,
as altas frequncias so detidas por L e postas em curto circuito, por C. As frequncias baixas
encontram fraca oposio em L e alta oposio em C.
Por conseguinte, as baixas frequncias passam da entrada para a sada.
Portanto, um filtro passa-baixa destina-se a conduzir todas as frequncias abaixo de uma
frequncia crtica pr-determinada ou frequncia de corte e a reduzir ou atenuar
consideravelmente as correntes de todas as frequncias acima desta frequncia.
Nesse filtro passar tambm a frequncia que se encontra no ponto de corte.
66
Na figura 1-64 vemos o grfico caracterstico de seu ponto de corte.
Figura 1-63
Figura 1-64
Filtro Passa-alta
Na figura 1-65, temos um filtro passa-alta. As baixas frequncias deparam com uma reatncia
capacitiva relativamente alta em C e uma reatncia indutiva baixa em L. As altas frequncias
encontram diminuta oposio em C e alta oposio em L. Por conseguinte, as altas
frequncias passam da entrada para a sada. Portanto, um filtro desse tipo destina-se a deixar
passar correntes de todas as frequncias acima do ponto de corte e atenuar todas as
frequncias abaixo desse ponto. Neste filtro passar tambm a frequncia que se encontra
no ponto de corte. Na figura 1-66, vemos o grfico caracterstico de seu ponto de corte. Para
melhor a ao seletiva dos filtros passa-alta e passa-baixa, eles so projetados com duas ou
mais seces.
67
Figura 1-65
Figura 1-66
As figuras 1-67 e 1-68 mostram respectivamente filtros passa-baixa e passa-alta e do tipo "",
assim designados por causa de sua semelhana com a letra pi.
Os elementos mais perto da entrada caracterizam o filtro. Assim, as figuras 1-69 e 1-70,
mostram respectivamente, filtros passa-baixa com entrada a indutor e passa-alta com entrada
a capacitor. Todavia, para que estes filtros possam desempenhar satisfatoriamente suas
funes, os componentes reativos, devem ser iguais, ou seja:
Figura 1-67
68
Figura 1-68
Figura 1-69
Figura 1-70
Filtros de Circuitos Sintonizados

Os circuitos ressonantes (sintonizados) possuem caractersticas que os tornam ideais para
filtros, quando se deseja grande seletividade.
O circuito ressonante em srie oferece baixa impedncia corrente de frequncia em que
est sintonizado e uma impedncia relativamente grande s correntes das demais frequncias.
O circuito ressonante em paralelo oferece uma impedncia muito grande corrente de sua
frequncia ressonante e uma impedncia relativamente baixa s outras.
Filtro Passa-Faixa
69
Os filtros passa-faixa ou passa-banda destina-se a deixar passar correntes dentro dos limites
de uma faixa contnua, limitada por uma alta e por uma baixa frequncia de corte e para
reduzir ou atenuar todas as frequncias acima e abaixo desta faixa.
Na figura 1-71, utiliza-se um circuito ressonante em srie como filtro passa-faixa.
Na figura 1-72 vemos o grfico que ilustra a faixa de frequncia desejada.
Figura 1-71
Figura 1-72
Os circuitos sintonizados em srie oferecem dentro dessa faixa, uma pequena impedncia s
correntes dessas frequncias e fora dela uma alta impedncia. Assim, as correntes dessas
frequncias desejadas dentro da faixa circularo pelo circuito sem serem afetadas, mas as
correntes de frequncias indesejadas, isto , fora da faixa, encontraro grande impedncia e
no podero passar.
Na figura 1-73, temos um circuito ressonante em paralelo como filtro passa-faixa.
70
Figura 1-73
Os circuitos sintonizados em paralelo oferecem, dentro dessa faixa, uma alta impedncia s
correntes dessas frequncias e fora dela uma baixa impedncia.
De modo que as correntes das frequncias fora da faixa sero desviadas pelo tanque, ao passo
que as correntes das frequncias dentro da faixa circularo pelo circuito sem serem afetadas
pelo tanque.
Filtro Corta-Faixa
Figura 1-74
Os filtros corta-faixa so destinados a suprimir as correntes de todas as frequncias dentro
de uma faixa contnua limitada por duas frequncias de corte, uma mais alta e outra mais
baixa, e a deixar passar todas as frequncias acima e abaixo dessa faixa.
Na figura 1-74, temos um circuito ressonante em paralelo com filtro corta-faixa e, na figura
1-75, temos o seu grfico caracterstico.
Figura 1-75
71
O circuito ressonante em paralelo sintonizado na frequncia do sinal que no se deseja.

Logo, o filtro apresenta alta impedncia s correntes dessa frequncia e permite a passagem
de todas as outras frequncias.
A figura 1-76 ilustra um circuito ressonante em srie como filtro corta-faixa.
Figura 1-76
O circuito ressonante em srie sintonizado tambm, na frequncia do sinal indesejado, e
estas correntes indesejadas sero eficazmente desviadas, geralmente, para a terra. Porm, as
demais frequncias no sero afetadas.
Fonte: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/54/Osciloscopio.png
1.11 OSCILOSCPIO
O osciloscpio considerado um instrumento bsico de teste em oficinas e na indstria,
assim como em laboratrios de pesquisas e desenvolvimento de projetos eletrnicos.
O osciloscpio permite ao tcnico ou engenheiro observar tanto o valor como a forma do
sinal em qualquer ponto de um circuito eletrnico. Suas principais aplicaes so:
Medies de valores de: potncia, tenso, ngulo de fase etc.

72
Comparao entre uma frequncia desconhecida e uma frequncia padro,

determinando assim o valor desconhecido.
O osciloscpio um instrumento que consiste basicamente de um tubo de raios catdicos e

de circuitos ampliadores auxiliares.
1.12 TUBO DE RAIOS CATDICOS
O tubo de raios catdicos (TRC) um tubo de vidro projetado especialmente para medir
fenmenos eltricos que no podem ser medidos por outros meios.
O tubo de raios catdicos no s a parte principal do osciloscpio como tambm
amplamente usado nos equipamentos de radar para observao visual das informaes
obtidas pelo receptor deste.
Atualmente o TRC largamente difundido podendo ser encontrado em equipamentos de
eletromedicina, terminais de vdeo de microcomputadores etc.
Figura 1-77 Tubo de raios catdicos

Os elementos de operao do tubo de raios catdicos esto encerrados em seu interior que
contm um alto vcuo a fim de preservar o filamento e permitir que o feixe de eltrons seja
bem definido.
Canho Eletrnico
A parte mais importante do TRC o canho eletrnico, que est situado em um de seus
extremos e que tem por finalidade projetar um feixe de eltrons de um extremo a outro do
tubo. Constituem o que denominamos "raio catdico". O canho eletrnico consiste de um
filamento, um ctodo, uma grade de controle, um nodo focalizador (1 nodo) e um nodo
acelerador (2 nodo). Esses elementos so mostrados na figura 1-78.
73
Figura 1-78 Canho eletrnico

As conexes com os diversos elementos so efetuadas por meio de pinos que esto na base
do tubo. Em muitos casos, o ctodo est ligado internamente o filamento.
Os filamentos so aquecidos geralmente por CA, aplicada por um transformador de
filamento, separado.
O ctodo um cilindro de nquel cujo extremo est coberto com xido de brio e estrncio,
de maneira que quando aquecido emite eltrons livremente na direo desejada. O nodo
acelerador tambm um cilindro. Em seu interior h um diafragma que tem uma abertura
em seu centro. Como o nodo acelerador altamente positivo, atrair os eltrons emitidos
pelo ctodo.
As tenses aplicadas ao nodo acelerador variam desde 250V at 10.000 V. Esta alta tenso
faz com que o feixe de eltrons (raio catdico) adquira uma alta velocidade. Embora a maioria
dos eltrons seja atrada e capturada pelo nodo de acelerao, muitos podem passar atravs
da abertura que existe no diagrama do tubo.
A tela do TRC tem por finalidade transformar a energia cintica do eltron em energia
luminosa. A tela composta de uma substncia semitransparente, conhecida como fsforo,
e est situada na parte interior do tubo. Quando o feixe de eltrons atinge a tela, esta emite a
luz cuja cor depende da composio do fsforo.
O revestimento mais comumente usado o silicato de zinco que emite luz verde. Uma
considerao importante a persistncia que indica a quantidade de tempo em que a tela
continuar incandescente, depois de ser atingida pelo feixe.
Pode-se notar que se deve proporcionar algum meio de eliminar os eltrons da tela; do
contrrio, a carga negativa na tela aumentaria a tal que ponto que no chegariam mais eltrons
at ela.
74
O mtodo usado para eliminar tais eltrons, colocar um revestimento de condutor de

AQUADAG, ao longo de toda parte interior do tubo, com exceo da tela, e conect-la ao
ctodo. A emisso de eltrons secundrios pode assumir efeitos graves e, portanto, coletada
pelo revestimento de AQUADAG e devolvida ao ctodo.
O ctodo circundando pela grade de controle, a qual mantida a um potencial mais
negativo que este e serve para controlar o fluxo de eltrons que saem do ctodo.
A intensidade do brilho na tela regulada pelo valor da tenso negativa de polarizao
aplicada grade de controle, quanto mais negativa for a tenso de polarizao, menos intenso
ser o brilho.
Se a grade se tornar suficientemente negativa, no haver mais fluxo de eltrons para a tela e
consequentemente, deixar de haver brilho. O ajuste do potencial feito pelo controle de
intensidade.
Se no houver um meio para proporcionar o foco, os eltrons sero emitidos, mas devido a
repulso mtua se difundiro e golpearo a tela como uma massa dispersa que ter aspecto
embaado.
Os nodos de focalizao e acelerao agem como uma espcie de lente que concentra o
feixe e torna ntida a imagem na tela.
O nodo de focalizao tem um potencial de 1200V e o nodo de acelerao tem 2.000V.
Por causa dessa diferena de 800V, existe um campo eletrosttico muito forte na regio entre
os dois nodos. A intensidade desse campo pode ser variada, mudando-se as tenses do
nodo focalizador.
Figura 1-79 Processo de focalizao

O campo eletrosttico representado pelas linhas curvas.
Os eltrons que passarem por este campo sofrero a ao de uma fora que tentar faz-los
seguir as linhas de fora.
Um eltron que entra na lente tem sobre si duas foras atuantes: uma fora que motivada
pela acelerao dada pela atrao do nodo acelerador e outra motivada pelo campo
75
eletrosttico que existe entre os nodos. A tendncia do eltron desviar-se, e em lugar de

se deslocar em linha reta, desloca-se em uma direo tangencial das linhas de fora.
Esta curvatura por sua vez depende da diferena de potencial que existe entre os dois nodos.
Todos os eltrons que passam pela lente tendem a unir-se em um ponto chamado ponto
focal.
Variando-se o potencial aplicado ao nodo focalizador, pode-se conseguir uma focalizao
correta na tela.
Deflexo Vertical e Horizontal

Se o TRC no possusse outros elementos alm do canho eletrnico e a tela, o feixe de
eltrons atingiria o centro desta e produziria um ponto luminoso.
Para movimentar o feixe e colocar o ponto luminoso em vrias partes da tela, utiliza-se
sistemas de deflexo ou de desvio vertical e horizontal.
Existem dois tipos de deflexo ou desvio: o eletrosttico e o eletromagntico.
Desvio Eletrosttico
Figura 1-80 Placas de desvio eletrosttico
Figura 1-81 Disposio das placas

O desvio eletrosttico utiliza dois pares de placas de desvio, colocadas em ngulo reto entre
si e o feixe de eltrons passa entre elas, como mostrado na figura 1-80.
76
A figura 1-81 mostra a vista de topo do TRC mostrando a disposio das placas defletoras
ao feixe eletrnico, que visto como um ponto no centro.
Se no for aplicada uma tenso externa a nenhum par de placas, o feixe permanecer no
centro da tela produzindo um ponto luminoso.
Se a placa vertical V1 se torna positiva, em relao a V2, o feixe ser atrado em direo a V1
e o ponto luminoso consequentemente tambm subir.
Se a placa vertical V1 negativa com respeito a V2, o ponto se desloca para baixo. Estas trs
situaes so ilustradas na figura 1-80 A, B e C. As trs ilustraes pressupem que no exista
tenso alguma nas placas defletoras horizontais (H1 e H2).
Se as placas verticais estiverem a zero volts e a placa horizontal H1 foi tornada positiva em
relao a H2, o feixe ser atrado em direo a H1e o ponto se mover para a esquerda da
tela. Finalmente se a placa H2 positiva em relao a H1, o ponto ser desviado para a direita
da tela. Estas trs situaes so mostradas na figura 1-80 D, E e F.
Em qualquer caso, a distncia em que o ponto afastado do centro da tela diretamente
proporcional tenso s placas defletoras.
Se forem aplicadas tenses positivas e iguais, simultaneamente s placas V1 e H1, o feixe ser
atrado para cima e para a esquerda, por foras idnticas.
O resultado um desvio do ponto luminoso para uma posio de 45 do centro da tela.
Outras combinaes de tenses aplicadas s placas defletoras faro com que o ponto se
desloque para posies diferentes da tela do TRC.
At agora s estudamos os efeitos de tenses contnuas (CC) aplicadas nas placas defletoras
verticais e horizontais.
A corrente alternada, ao contrrio da corrente contnua, est variando constantemente de
polaridade e valor.
Assim ao ser aplicada uma CA s placas defletoras, o ponto luminoso se mover rapidamente
para vrias posies na tela, proporo que a tenso varia de polaridade e valor. Isto ocorre
Se uma CA aplicada s duas placas de deflexo vertical (V1 e V2), o ponto luminoso se
movimentar para cima e para baixo. Se a frequncia da tenso aplicada for baixa, talvez seja
possvel ver o ponto subir e descer.
Dois fatores, porm no permitem que isso ocorra. A inrcia do olho humano e tambm a
reao da camada do fsforo que reveste o interior da tela do TRC.
Ambos os fatores fazem com que se tenha a sensao de persistncia luminosa na tela, em
forma de um trao luminoso.
77
Se a placa V1 for polarizada positiva em relao a V2, durante o primeiro semiciclo positivo,
o ponto luminoso se movimentar para cima e novamente para baixo, at retornar ao centro.
O semiciclo negativo movimentar o ponto luminoso par baixo e novamente para cima, at
retornar ao centro.
A distncia que o ponto se afasta do centro para cima e do centro para baixo, depende do
valor da tenso de pico.
Em virtude da velocidade com que se move o ponto luminoso, associado aos fatores de
inrcia do olho humano e persistncia luminosa da tela do TRC, fazem com que aquele ponto
surja como um trao reto.
Quando uma CA aplicada s placas horizontais H1 e H2, teremos, pelas mesmas razes j
explicadas, um trao horizontal. Este processo ilustrado na figura 1-82 A e B.
Figura 1-82 Aplicao de CA

Se forem aplicadas tenses alternadas iguais, de maneira que V1 e H1 tenham a mesma
polaridade, assim como V2 e H2, teremos um trao na tela em uma posio de 45 entre a
vertical e a horizontal.
Porm se V1 e H2 forem polarizados igualmente, assim como V2 e H1, o trao ficar
tambm a 45, mas em direo invertida. Este processo descrito est ilustrado na figura 183.
Figura 1-83 Aplicao de tenses alternadas iguais
Desvio Eletromagntico
78
O desvio eletromagntico usado onde no possvel obter uma tenso adequada para o
desvio eletrosttico.
O desvio eletromagntico deve-se ao campo magntico estabelecido dentro do tubo de raios
catdicos pelo conjunto de bobinas que esto colocadas ao redor do tubo. O desvio
eletromagntico mais sensvel do que o eletrosttico.
As bobinas esto colocadas proporcionalmente corrente, como mostrado na figura 1-84.
O deslocamento do feixe de eltrons afastado pelo campo magntico da mesma forma que
afetado pelo campo eletrosttico.
Figura 1-84 Conjunto de bobinas

1.13 CIRCUITO GERADOR DE BASE DE TEMPO
Para reproduzir as formas de onda que surgem na tela de um osciloscpio necessrio que
este tenha, alm do TRC, um circuito gerador de base de tempo, tambm conhecido como
gerador dente de serra.
Sua finalidade fazer com que o feixe eletrnico se mova da esquerda para a direita da tela a
uma velocidade uniforme e logo regresse rapidamente ao lado esquerdo. Este movimento
chamado de varredura linear.
Para se dar a varredura no feixe eletrnico, o gerador produz uma tenso que cresce
uniformemente de zero at um certo ponto e decai rapidamente ao nvel zero, como mostra
a figura 1-85.
79
Figura 1-85 Tenso dente de serra

Este perfil denominado dente de serra ou triangular. Esta tenso aplicada s placas de
deflexo horizontal.
O aumento gradual de tenso faz com que a placa H1 se torne cada vez mais negativa e H2
cada vez mais positiva.
Assim, o feixe eletrnico vai se deslocando da esquerda para a direita com velocidade
uniforme. A queda rpida da tenso faz com que o feixe regresse em muito pouco tempo, e
esse tempo denominado tempo de retorno.
Dependendo da frequncia da tenso de varredura teremos na tela um trao horizontal. Se
bem que uma tenso alternada aplicada s placas horizontais produza tambm um trao
horizontal, esta no adequada com base de tempo linear porque no possui as caractersticas
desejveis de uma tenso que se eleva de zero ao mximo de modo linear e volta a zero quase
instantaneamente.
Para se examinar qualquer forma de onda por intermdio do osciloscpio, necessrio que
apliquemos a tenso que se deseja analisar em suas placas de deflexo vertical e mantenhamos
a tenso que se deseja analisar em suas placas de deflexo vertical e mantenhamos a tenso
de dente de serra em suas placas horizontais. Isto far com que o feixe eletrnico se desloque
para cima ou para baixo e ao mesmo tempo para frente. Quando a frequncia da tenso de
varredura for igual frequncia da tenso aplicada nas suas placas verticais, surge um ciclo
na tela do TRC.
Diz-se que a relao da frequncia entre a tenso de varredura e o sinal de 1:1 (um para
um).
Quando a frequncia da tenso de varredura metade da frequncia do sinal aplicado,
teremos dois ciclos na tela do TRC, conforme mostra a figura 1-86.
80
Figura 1-86
Portanto, para se calcular o nmero de ciclos que aparecem na tela de um osciloscpio
devemos empregar a seguinte equao:
1.14 FUNES BSICAS DOS CONTROLES

a) Intensidade: varia a quantidade de eltrons que chega tela.
b) Focalizao: os nodos ajustam a focalizao do feixe na tela por meio deste comando.
c) Posio vertical e horizontal: desloca o feixe para cima, para baixo, para esquerda ou para
direita respectivamente.
d) Entrada vertical: nessa entrada aplicam-se os sinais a serem medidos pelo aparelho.
e) Entrada horizontal: normalmente s placas horizontais est aplicado um sinal peridico
gerado internamente no osciloscpio, o sinal dente da serra, que tem uma velocidade de
varredura constante na tela e faz com que o feixe v de um lado ao outro e o regresso no
seja observado. Injetando-se nessa entrada um sinal estaremos modificando a varredura; este
procedimento empregado em alguns casos, como na medida de fase entre dois sinais.
f) Atenuador vertical: O sinal aplicado entrada vertical antes de ser levado s placas
defletoras poder ter sua amplitude reduzida de mltiplos de 10.
g) Ganho vertical: permite variar de maneira contnua a amplitude do sinal, antes que ele seja
levado s placas defletoras.
h) Ganho horizontal: permite variar a amplitude ao longo do eixo X.
i) Seletor de varredura: permite a variao discreta na frequncia da varredura interna.
j) Varredura externa: usada quando pretende-se atuar externamente nas placas horizontais.
81
k) Seletor de sincronismo: o sinal estar sincronizado quando tivermos uma configurao

estvel do mesmo na tela, o que corresponde a um sincronismo de varredura com o sinal
aplicado s placas de deflexo vertical. O seletor dever ser colocado na posio LINHA
para o sincronismo com a rede; INTERNO para a varredura interna e, EXTERNO para a
varredura externa de um sinal colocado na entrada horizontal.
l) Chave de sincronismo: uma vez escolhida a referncia de sincronismo, a chave de
sincronismo permite o ajuste desejado.
Figura 1-87 Exemplo de leitura com o osciloscpio

Onde:
Vp = valor de pico de tenso
Vpp = Valor pico a pico da tenso
T = Perodo do sinal.
BRASIL. IAC Instituto de Aviao Civil. Diviso de Instruo Profissional Matrias

Bsicas, traduo do AC 65-9A do FAA (Airframe & Powerplant Mechanics-General
Handbook). Edio Revisada 2002.
Caro aluno,
82
Tratamos aqui dos circuitos reativos e dos osciloscpios. Espero tenha assimilado bem estes
conhecimentos.
No prximo mdulo trataremos de anlise de circuitos, semicondutores e fontes de fora
eletrnica.
Vamos em frente!
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Fonte: http://www.zen35383.zen.co.uk/stnield/usb2psx.gif
MDULO II
REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
83
FONTES DE FORA ELETRNICA
INTRODUO
Caro aluno,
Continuando nossa viagem pelo mundo da eletrnica. Veremos neste mdulo, anlise de
circuitos, que o estudo da passagem da corrente eltrica pelos elementos que compem
um circuito eltrico; dispositivos semicondutores que so slidos geralmente cristalinos
de condutividade eltrica intermediria entre condutores e isolantes.
Os semicondutores so, quando puros e cristalinos, a temperaturas muito baixas,
excelentes isolantes.
Ao contrrio do comportamento observado nos metais, contudo, a condutividade dos
semicondutores puros (intrnsecos) aumenta significativamente com a temperatura.
Usualmente, temperatura ambiente, exibem ainda baixa condutividade, sendo por tal
bons isolantes quando em condies de manuseio. Tornam-se condutores se
consideravelmente aquecidos, contudo; e fontes de fora eletrnica. Os circuitos que
usam transistores, diodos ou circuitos integrados geralmente precisam de uma fonte de
fora para sua operao. Existem basicamente trs tipos de fonte de fora: Pilhas, baterias
e Geradores
Vamos juntos descortinar estes conhecimentos.
Bons estudos...
2.1 REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS

O estudo referente anlise de circuitos sob um ponto de vista completo, normalmente
envolve clculos complicados e so muitos os livros que podem ser encontrados tratando
desse assunto.
Aqui, abordaremos a anlise de alguns circuitos que empregam somente corrente contnua,
onde as impedncias so essencialmente resistncias lineares e as tenses so constantes. Para
o estudo de circuitos eltricos, dois objetivos principais so importantes: um, determinar a
impedncia (ou resistncia, para circuitos de CC) de um dado circuito, entre dois pontos
84
quaisquer; outro determinar a corrente ou tenso atravs de um elemento qualquer do

circuito, quando uma tenso aplicada a outra parte do referido circuito.
2.2 FONTES OU GERADORES DE TENSO CONSTANTE
Uma fonte de tenso , na verdade, um gerador de tenso que possui uma resistncia interna
muito baixa, entregando em sua sada um valor de tenso constante, para uma extensa gama
de valores de carga a ele conectado.
Existe o gerador de tenso ideal e o gerador de tenso real. No primeiro caso, a diferena de
potencial mantida constante, qualquer que seja a caga qual esteja ligado. Um gerador de
tenso ideal, na prtica, no existe, pois todo gerador possui uma resistncia interna fazendo,
com que a tenso nos seus terminais dependa da carga, atuando, portanto, com um gerador
de tenso real. Nas figuras 2-1 e 2-2 ilustramos esquematicamente os dois tipos de geradores
de tenso acima mencionados.
Figura 2-1 Gerador de tenso ideal
Figura 2-2 Gerador de tenso real

Nota-se, em ambos os circuitos, uma seta colocada ao lado da f. e m. A posio da seta
para indicar que, caso a fonte atuasse sozinha, provocaria o movimento de cargas positivas
no sentido mostrado, indicando desta forma, o sentido da f. e. m. do gerador.
85
So vrios os tipos de geradores de tenso e poderamos citar, como exemplos tpicos desses
geradores encontrados na prtica, as fontes de C C reguladas, uma bateria ou circuitos
seguidores de emissor etc.
Os geradores de tenso constante tm grandes aplicaes em circuitos onde desejamos que
a tenso de sada seja estvel ou constante. o caso, por exemplo, dos reguladores de tenso
eletrnicos, cuja finalidade manter uma tenso constante nos seus terminais de sada,
embora varie a tenso de entrada, ou o valor da carga.
Ocorre, entretanto, que geradores de tenso constante, a exemplo dos reguladores de tenso
eletrnicos, so constitudos de dispositivos semicondutores, tais como: diodos comuns,
diodos zener e transistores, isto sem falar de vrios dispositivos totalmente integrados, os
chamados CI (circuitos integrados). Portanto, uma anlise, agora, destes circuitos, certamente
estaria fora dos nossos objetivos iniciais. Circuitos dessa natureza podero ser abordados,
quando tivermos alguns conhecimentos bsicos de dispositivos semicondutores, numa fase
mais adiantada do nosso curso de eletrnica.
No nosso estudo referente anlise de circuitos, faremos utilizao de um dispositivo
gerador de tenso constante, chamado "Equivalente de Thvenin", muito empregado na
resoluo de circuitos considerados complexos.
Este dispositivo eletrnico representa o circuito equivalente de qualquer circuito eletrnico,
que tenha caractersticas de manter uma tenso constante de sada.
2.3 FONTES OU GERADORES DE CORRENTE CONSTANTE
Podemos definir fontes de corrente constante como sendo dispositivos capazes de fornecer
uma corrente de valor constante a qualquer carga, desde um circuito aberto (carga infinita)
at um curto-circuito (resistncia de carga zero).
Um gerador de corrente constante ideal, na prtica, no existe. O que existe o gerador de
corrente real, possuindo certas limitaes, e sendo capaz de manter constante a corrente nos
terminais da carga, dentro de uma faixa de variaes desta referida carga.
As figuras 2-3 e 2-4 ilustram os dois tipos de geradores, que acabamos de mencionar.
Naturalmente, trata-se de uma representao simblica.
86
Figura 2-3 Gerador de corrente ideal
Figura 2-4 Gerador de corrente real

O gerador de corrente ideal teria uma altssima resistncia interna (idealmente infinita). Um
gerador de corrente real compe-se de um gerador ideal em paralelo com sua resistncia
interna.
Outro smbolo muito empregado para as fontes de corrente constante o da figura 2-5.
Figura 2-5 Representao simblica de um gerador de corrente real

Um gerador de corrente constante prtico , portanto, aquele capaz de estabilizar a corrente
em uma carga que varia dentro de uma grande faixa de valores.
Queremos chamar a ateno dos nossos leitores, para o seguinte: embora o assunto em pauta
no se trate propriamente de geradores de corrente constante e geradores de tenso
constante, achamos por bem, dar alguns conceitos bsicos, os quais julgamos de grande
87
utilidade para que, juntando aos demais assuntos que se seguiro, nos deem uma melhor ideia
daquilo que pretendemos expor.
Na prtica, os geradores de corrente podem assumir diversas configuraes. O que vemos
aqui, entretanto, sero alguns circuitos de carter puramente didticos. Ocorre que, como no
caso dos geradores de tenso, os geradores de corrente constante, na prtica, envolvem
dispositivos semicondutores, tais como: transistores, diodos, zener, etc. Uma anlise, agora,
destes circuitos, estaria fora de nossas cogitaes iniciais. O leitor poder ter uma noo bem
melhor de fontes de corrente constante (fontes prticas), no assunto referente a dispositivos
semicondutores.
Conhecemos pelo circuito da figura 2-6.
Figura 2-6 Circuito bsico de um gerador de corrente constante

O circuito da figura 2-6 constitudo de um gerador de tenso, que tem conectado um
resistor em srie. Este dispositivo se aproxima relativamente bem de um gerador de corrente
constante.
A bateria apresenta uma resistncia interna muito baixa. Ns levamos em conta o valor dessa
resistncia interna.
Mas necessrio levarmos em conta a resistncia interna do conjunto, ou seja, do nosso
gerador. Consideraremos essa resistncia, a ttulo de exemplo, como sendo igual a 90 K
(Ri = 90K).
Agora, vamos supor que uma carga foi ligada ao nosso gerador. Esta carga representada
por RL, que neste exemplo assume um valor inicial de 0 (zero) , conforme nos mostra o
circuito da figura 2-7.
88
Figura 2-7 Circuito simplificado de um gerador de corrente constante, com a sada em curtocircuito.
Conforme vemos na figura 2-7, o valor da corrente que circula na carga, pode facilmente ser
obtido pela lei de OHM:
Agora, substituamos RL (0 ), por que uma RL de 90 . Aplicando a lei de OHM, teremos:
Observemos o circuito da figura 2-8.
Figura 2-8 Gerador de corrente constante RL= 90

Calculando, ento, a corrente, temos i = 0,0999 mA. Este valor mudou pouco, em relao
ao anterior (0,1mA).
Para fins prticos, dizemos que a corrente praticamente se manteve constante.
Aumentemos novamente nossa resistncia de carga, agora de 10 de vezes (RL = 9V 900 ).
Aplicando a frmula
teremos i 0,099mA, que tambm um valor bem
prximo de 0,1mA.
Se quisermos calcular o erro quando utilizarmos a RL de 90 a de 900 , em relao
corrente obtida para a condio de curto-circuito, s utilizarmos a seguinte frmula:
Para fixarmos melhor esta nossa sequncia de raciocnio, observemos a tabela da figura 2-9.
89
Figura 2-9 Percentagem de erro da corrente de carga, em funo de RL e em relao a

corrente de curto-circuito.
Se usarmos a frmula, seguindo os dados da tabela da figura 2-9, vamos notar que, no caso
do 90 , o erro de 0,1% enquanto que com RL igual a 900 temos 1% de erro. Entretanto,
se aumentarmos a carga para 9k , a corrente ser 0,0909 mA, que corresponde a um erro
de 9,1%.
importante observarmos que com uma RL de at 900 , seu valor bem pequeno quando
comparado ao valor de Ri (90 k ). Neste caso, a variao de corrente entregue pelo gerador
se situa em 1%.
Com isso, podemos facilmente deduzir que um bom critrio para se obter uma fonte de
corrente constante, fazer com que sua resistncia interna seja, no mnimo, 100 vezes o valor
da maior carga a ser utilizada. Isto nos assegura um erro mximo de 1%.
importante observarmos, aqui, que no o valor absoluto da resistncia interna do gerador,
que ir qualific-lo como um "bom" gerador de corrente, e sim sua resistncia interna (Ri)
comparada resistncia de carga RL.
Ainda, com referncia aos dados da tabela, podemos observar que, se quisssemos utilizar
uma RL = 9K , teramos que dispor de uma Ri = 900 K m no mnimo. Entretanto, para
que a corrente fosse mantida em 0,1 mA, necessitaramos de uma fonte de 90 V, o que nos
levaria a uma soluo no muito prtica.
Queremos lembrar, aqui aos nossos leitores, que qualquer circuito capaz de manter uma
corrente constante, independentemente do valor da carga (dentro de certos limites) estar
sendo representado por um circuito chamado "Equivalente de Norton".
Este ser, portanto, nosso gerador de corrente constante. A exemplo do "Equivalente de
Thvenin", o "Equivalente de Norton" encontra muita aplicao na resoluo de circuitos
considerados complexos, conforme veremos mais tarde nesse assunto referente a anlise de
circuitos.
2.4 ELEMENTOS DE CIRCUITOS
Denomina-se elemento de um circuito o menor componente individual, que considerado
na resoluo de um problema. Tal elemento pode ser uma simples resistncia, uma f. e. m.,
ou ainda um valor equivalente associao de diversas resistncias ou tenses. Na figura 210 temos uma representao esquemtica para ilustrar os elementos de um circuito.
90
Figura 2-10 Diagrama para ilustrar os elementos de um circuito

Na figura 2-10, E1, E2, E3, R1, R2, R3 e R4 so elementos do circuito. importante
ressaltarmos que E1, E2 e E3 podem representar uma simples pilha, um gerador, ou mesmo
uma fonte eletrnica (um retificador, por exemplo).
Da mesma forma, R!, por exemplo, tanto pode ser um simples resistor, quanto a resistncia
CC de um indutor, etc.
Terminologia Usual
Como propsito de facilitar a anlise de circuitos eltricos, existem certos termos com os
quais devemos nos familiarizar.
a) Rede ou Circuito
D-se o nome de rede a um conjunto de condutores, geradores e receptores ligados de uma
maneira qualquer, ou seja, em srie em tringulo, em paralelo, etc.
A figura 2-10 nos mostra um exemplo de uma rede ou circuito.
b) N de Intensidade ou N (ou ainda NODO)
N pode ser definido como a juno de trs ou mais elementos componentes de uma rede.
Se observarmos o circuito da figura 2-10, vamos notar que existem pontos comuns a diversos
condutores, ou geradores, ou receptores. A exemplo temos os pontos a, c, e e f. Portanto, o
N o ponto de concorrncia de trs ou mais braos.
c) Brao ou Ramo
91
Qualquer poro de uma estrutura (de um circuito), ligando diretamente dois ns, sem passar
atravs de um terceiro, chama-se brao ou ramo. Na figura 2-10, podemos observar que os
elementos E1 e R1, por exemplo, constituem um ramo que une os ns a e c; da mesma
forma, o elemento R2 forma o ramo que une os ns c e f. Em um brao ou ramo, todos os
elementos que nele figuram esto em srie. Neste circuito temos seis braos.
d) Lao de Circuito
Observando a figura 2-10, notamos um circuito fechado a, b, c, f, a, incluindo E1, R1, R2 e
R6. Isto constitui exemplo do lao ou "loop". Desta forma podemos dizer que o lao a
combinao de todos os elementos formadores de um circuito fechado. Outros exemplos de
lao: abcdefa, fcdef, etc.
e) Malha
Podemos dizer que a malha o menor lao. A malha nada mais do que um lao, que no
pode ser subdividido em outros. So exemplos de malhas: abcfa, fcdef e afegha.
Portanto, a malha todo circuito fechado que possa ser considerado dentro da rede, que
no pode ser dividido.
2.5 TEOREMAS DAS ESTRUTURAS ELTRICAS
Os teoremas a serem abordados aqui, sero enumerados sem qualquer comprovao.
Existem quatro teoremas largamente empregados na anlise de circuitos, e que constituem a
base para muitos outros teoremas existentes, So eles: Leis de Kirchoff, Teorema de
Thvenin, Teorema de Norton e Teorema de Superposio.
a. Leis de Kirchoff
Fundamentalmente existem duas Leis de Kirchoff para o estudo das estruturas:
a) Primeira Lei de Kirchoff ou Lei dos Ns "
A soma das correntes que entram em um n, igual soma das correntes que saem
do n. o que nos ilustra a figura 2-11.
92
Figura 2-11 Ilustrao da primeira Lei de Kirchoff

Da mesma forma, vlido enunciar que: "a soma algbrica das correntes que entram e saem
de um n nula". Ento podemos escrever inicialmente, que:
ou ento:
b) Segunda Lei de Kirchoff ou Lei das Malhas

Esta lei relativa s tenses, podendo ser enunciada da seguinte maneira:
"Em qualquer circuito eltrico fechado, a soma algbrica das quedas de potencial
deve ser igual soma algbrica das elevaes de potencial".
R . I (Queda de potencial) = E (Elevao de potencial)
Em outras palavras: "a soma algbrica de todas as quedas de potencial e a f.e.m.
devem ser iguais a zero". R x I - E = 0
b. Aplicao das Leis de Kirchoff
Para aplicarmos as leis de Kirchoff aos circuitos eltricos, levamos em conta o sentido do
fluxo de eltrons atravs desses circuitos. Em consequncia usamos normalmente sentidos
arbitrrios de circulao, desde que no sejam evidentes os sentidos reais.
Devemos empregar, por exemplo, a lei das correntes ou lei dos ns, a fim de reduzirmos o
nmero das correntes desconhecidas. Em seguida escrevemos uma equao de Kirchoff
relativa segunda lei, ou lei das malhas, para cada circuito fechado do conjunto e assim
prosseguimos, escrevendo equaes de modo que cada elemento do conjunto seja usado
pelo menos uma vez em uma das equaes. Deste modo, resolveremos as equaes
resultantes, determinando, em seguida, o valor de cada corrente.
93
De um modo geral, possvel prescrever vrias regras que nos levem a escrever equaes de
tenso, ou mesmo de corrente, para qualquer circuito, todas conduzindo-nos a um resultado
correto. Entretanto, para atender nossos objetivos, iremos nos limitar s seguintes regras:
a) Uma rede contendo b ramos, necessita de b equaes para a soluo do problema, j que,
para cada ramo h uma corrente.
b) Comeamos sempre aplicando inicialmente a lei dos ns.
c) Se houver n ns aplicamos a primeira lei n-1 vezes, conseguindo n-1 equaes
independentes entre si.
d) em virtude de serem necessrias b equaes e a primeira lei ser utilizada n-1 vezes,
podemos aplicar a segunda lei, b-(n-1) vezes, ou seja, igual ao nmero de malhas.
e) devemos atribuir, arbitrariamente, um sentido para a corrente em cada brao ou ramo do
circuito.
f) necessrio atribuirmos, tambm, um sentido de percurso para cada malha.
g) a fora eletromotriz ter sinal positivo, desde que no se oponha ao sentido de percurso
adotado, isto , ter sinal positivo quando o sentido do percurso bater no polo positivo da
bateria.
h) quando um resistor for percorrido por uma corrente que tenha o mesmo sentido que
aquele arbitrado para o percurso, o produto I x R ser positivo. Em caso contrrio, esse
produto ser negativo.
i) se obtivermos um resultado negativo de corrente, isto significar que o sentido arbitrado
inicialmente oposto ao verdadeiro; entretanto, o valor numrico no se alterar.
(1) Exerccios de fixao

(a) Seja o circuito da figura 2-12 no qual queremos aplicar as leis de Kirchoff.
Figura 2-12 Circuito para anlise das Leis de Kirchoff

Observando o circuito da figura 2-12, vemos que se trata de um circuito bastante simples.
Trata-se de um circuito srie contendo um nico gerador.
94
Agora, precisamos atribuir um sentido arbitrrio para a corrente, dentro da malha, conforme
ilustrao na figura 2-12. necessrio que atribuamos, tambm, um sentido de percurso,
para o nosso circuito.
Suponhamos, ento que o nosso percurso seja este: ABCDA. Deste modo, partindo do
ponto A, e movendo-se na direo ABCDA, encontramos, inicialmente, a tenso E, que
positiva no ponto A. Da, dizemos que a fonte E tem sinal positivo, porque ela no se ope
ao sentido arbitrado para o percurso. Portanto, o primeiro termo de nossa equao +E.
Vejamos, em seguida, as quedas do potencial (i.R): ora, no nosso exemplo, a corrente que
passa pelos resistores tem o mesmo sentido que o arbitrado para o percurso. Logo, os
produtos iR2 e iR1 so todos antecedidos de um sinal positivo.
Assim, podemos afirmar, para o circuito da figura 2-12, que: +E= iR1+ iR2+ iR3.
Isto est de acordo com a 2 Lei de Kirchoff, que diz: "Em qualquer circuito fechado, a soma
algbrica das quedas de potencial deve ser igual soma algbrica das elevaes de potencial".
Conforme j dissemos anteriormente, as "elevaes de potencial" so as fontes E. No nosso
exemplo, em questo, s existe uma fonte, embora pudesse haver mais de uma, como
teremos oportunidade de ver em exemplos subsequentes.
(b) Seja, agora, o circuito da figura 2-13.
Figura 2-13 - Circuito para anlise das leis de Kirchoff

O circuito da figura 2-13 ainda relativamente simples, contendo dois geradores: E1 e E2.
Observemos o sentido de percurso adotado. o sentido ABCDA. Partindo do ponto A,
95
seguindo a direo ABCDA, notamos que a ponta da seta indicadora do percurso aponta
para o positivo da fonte E1. Esta seta no vai de encontro ao negativo de E1. Assim sendo,
encontramos a partir do ponto A, a primeira tenso E1, que positiva, e vai ser o primeiro
termo da nossa equao. Continuando nosso movimento de acordo com a orientao
indicada, vamos encontrar o segundo termo do primeiro membro de nossa equao. Tratase da fonte E2. S que tem um detalhe: a ponta da seta vai de encontro ao negativo da fonte.
Ento, ns dizemos que a f.e.m. est se opondo ao sentido de percurso adotado. Por este
motivo o 2 termo de nossa equao negativo (-E2). Quanto aos produtos iR, todos sero
positivos, pois a corrente i, que passe pelos resistores, tem sentido igual ao arbitrado para o
percurso.
Portanto, de acordo com a 2 Lei de Kirchoff, podemos dizer que:
Invertendo as posies dos membros da equao e colocando o fator i em evidncia, temos:
Agora, tirando o valor de i, vem:
(c) Vejamos na figura 2-14 um circuito idntico ao anterior, sendo que seus elementos tm
valores numricos.
Figura 2-14 Circuito para comprovao das Leis de Kirchoff

Adotando o sentido ABCDA para o percurso, bem como o sentido adotado para a corrente,
e aplicando a segunda lei de Kirchoff, teremos:
+E1 - E2 = iR1 + iR2 + iR3
Colocando "i" em evidncia e tirando o seu valor na equao, teremos:
Substituindo o numerador e o denominador por seus respectivos valores, vem:

96
Uma vez achada a corrente, as quedas de potencial podem ser facilmente encontradas.
importante observarmos que, se o sentido da corrente fosse arbitrado ao contrrio,
certamente teramos um resultado positivo para a corrente, indicando, desta forma, que o
sentido arbitrado anteriormente para "i", estaria errado. Em ambos os casos, o resultado da
corrente, em mdulo o mesmo.
(d) O circuito que analisaremos, agora, j no to simples quanto os trs primeiros.
Figura 2-15 Circuito para clculo das leis de Kirchoff
Cabem aqui algumas consideraes importantes, a saber:

1. Como existem dois ns, D e C, temos uma equao para a primeira lei, ou Lei dos Ns.
Observando o circuito notamos que a corrente I1 se subdivide em I2 e I3, portanto: I1 = I2 +
I3 (primeira equao).
2. No circuito temos 2 malhas, portanto a segunda lei ser escrita duas vezes.
3. Como no circuito h trs ramos, teremos 3 equaes: uma para a corrente e duas para as
tenses.
4. Aplicando a segunda lei na malha I, adotando o percurso ABDCA, obtemos:
-E1 = -I1R1 - I3R3
-10V = -20I1 - 10I3 (segunda equao)
5. Aplicando a segunda lei na malha II, adotando o percurso CDFEC, obtemos:
+E2 = +I1R1 + I2R2
+10V = 20I1 + 10I2 (terceira equao)
6. Temos ento trs equaes com incgnitas. Para resolvermos devemos fazer uso de um
mtodo simples conforme se segue.
(a) Substitumos a primeira equao (corrente) em uma das equaes de tenso, obtendo uma
quarta equao de tenso. Substitumos o valor de I3 na segunda equao teremos:
97
I3 = I1 - I2
+10 = + 20I1 + 10(I1 - I2)
+10 + 30I1 - 10I2 (quarta equao). Esta quarta equao possui as mesmas incgnitas que a
terceira equao, assim podemos compar-las, arranj-las e som-las, obtendo:
20 = 50I1
2 = 5I1
I1 = 2/5 A = 0,4 A
(b) Substitumos I1 na segunda equao e obtemos:
10 = 20 x 0,4 + 10I3
10 = 8 + 10I3
I3=0,2A
(c) Como I1 = I2 + I3
I2 = I1 - I3 = 0,4 - 0,2 = 0,2A
ou substituindo I1 na terceira equao obtemos:
+10 = 20I1 + 10I2
+10 = 20 x 0,4 + 10I2
I2 = 0,2A
7. Verificando a primeira equao I1 = I2 + I3 ento 0,4 = 0,2A+0,2A. Esta equao est
correta com o resultado que obtemos. Podemos tambm verificar a igualdade de todas as
equaes e chegamos concluso que esto corretas.
e) Analisemos, agora, o circuito da figura 2-16.
Figura 2-16 Circuito para anlise das leis de Kirchoff

Para encontrarmos os valores de I1, I2 e I3, seguiremos os sete passos seguintes.
1. Pela primeira Lei de Kirchoff, ou Lei dos Ns, obtemos a seguinte equao: I3 = I1
+ I2 (equao I)
2.
Na malha I, pela segunda Lei de Kirchoff, obtemos:

-E2 = I1R1 - I2R2
-5V = 5I1 - 5I2 (equao II)
3. Na malha II, pela segunda Lei de Kirchoff, obtemos:

E1 + E2 = I2R2 + I3R3
98
10V = 5I2 + 5I3 (equao III)

4. Substitumos a equao I na equao III:
10V = 5I2 + 5(I1 + I2)
10V = 5I2 + 5I1 + 5I2
10V = 5I1 + 10I2 (equao IV)
Comparamos a equao IV com a equao de tenso que ainda no foi usada, que
a II, que possui as mesmas incgnitas que a equao IV. Se multiplicarmos a equao
II por -1 podemos cancelar I1 e encontrar o valor de I2.
Somando II com IV, obtemos:
5V = - 5I1 + 5I2
10V = +5I1 + 10I2
15V =
15I2
I2 = 1A
5.
Aplicando o valor de I2 na equao II obtemos o valor de I1:

-5V = 5I1 - 5I2
-5V = 5I1 - 5
5I1 = 0
I1 = 0
6. Aplicando o valor de I2 na equao III obtemos o valor de I3

10V = 5I2 + 5I3
10V = 5V + 5I3
5I3 = 10V - 5v
5I3 = 5V
I3 = 1A
7. Fazendo a verificao de cada equao teremos:

a. I3 = I2 + I1
1A = 1A + 0
b. -5V = 5I1 - 5I2

-5V = 5 x 0 - 5 x 1A
-5V = -5V
c. 10V = 5I2 + 5I3
10V = 5 x 1A + 5 x 1A
10V = 5V + 5V
10V = 10V
d. 10V = 5I1 + 10I2
10V = 5 x 0 + 10 x 1A
10V = 10V
99
Todas as equaes formam uma igualdade e chegamos concluso que esto

corretas.
Mtodo para resolver Kirchoff com duas malhas:
1- Tirar uma equao para as correntes;
2- Tirar duas equaes para a tenso, uma equao para cada malha;
3- Substituir a equao das correntes em uma das equaes de tenso obtendo uma
quarta equao;
4- Esta quarta equao possui as mesmas incgnitas que a equao de tenso que no
foi usada;
5- Preparamos esta quarta equao e somamos com a equao ainda no usada
eliminando uma das incgnitas e encontrando o valor de uma das correntes;
6- Por substituio obtemos os outros valores de corrente do circuito;
7- Fazemos a verificao de todas as equaes da resoluo do problema e se todas
formarem uma igualdade os resultados estaro corretos;
8- Observao: Em todas as substituies considere o mdulo e o sinal encontrados.
2.6 DIVISOR DE TENSO E DIVISOR DE CORRENTE

Afim de melhor compreender como surgiro as frmulas de tenso e corrente nos teoremas
de Thvenin e Norton analisaremos os divisores de tenso e corrente, conforme
demonstrado a seguir.
Divisor de Tenso
Figura 2-17 Divisor de tenso

No circuito da figura 2-17 temos:
ET = E1 + E2 e
IT = I1 = I2
100
a) Clculo de E1:
b) Clculo de E2:
c) A finalidade do divisor de tenso nos proporcionar o clculo de queda de tenso

nos resistores sem o uso da corrente do circuito.
Divisor de Corrente
Figura 2-18
No circuito da figura 2-18 temos:
a) Clculo de I1
101
b) Clculo de I2
c) A finalidade do divisor de corrente nos proporcionar o clculo da corrente que

passa por um brao do circuito sem o uso da tenso do circuito.
2.7 TEOREMA DA SUPERPOSIO
Enunciado
O teorema da superposio estabelece que "em qualquer rede contendo uma ou mais fontes
de tenso (e/ou corrente), a corrente em qualquer elemento do circuito a soma algbrica
das correntes que seriam causadas por cada fonte individualmente, estando as demais
substitudas por suas respectivas resistncias internas".
Aplicao
Para ilustrar a aplicao do teorema vamos analisar o circuito da figura 2-19, onde desejamos
encontrar o valor e o sentido das correntes em R1, R2 e R3.
102
Figura 2-19
Primeiramente usaremos E1 e substituiremos E2 por um curto (consideramos E2 com Ri =
0).
Figura 2-20
As correntes no circuito ficam como distribudas a seguir:
Figura 2-21
103
Em seguida usaremos E2 e substituiremos E1 por um curto (tambm consideramos R1 de E1

= 0).
Figura 2-22
As correntes no circuito ficam como distribudas na figura 2-23:
Figura 2-23
Como ltimo passo fazemos a superposio das correntes causadas por E1 e por E2.
Em R1 a corrente real ser a soma algbrica de 0,444A e 0,333A no mesmo sentido, de F
para A, de onde IR1 = 0,777 A.
Em R2 obtemos 0,333A de E para B, e 0,222A de B para E. O resultado final de 0,111A
no sentido de E para B.
Em R3 obtemos 0,222A e 0,666A no mesmo sentido, de C para D, de onde IR3 = 0,888A. O
resultado final est mostrado a seguir na figura 2-24.
Verificao:
IR3 = IR1 + IR2
0,888A = 0,777A + 0,111A.
De acordo com a primeira Lei de Kirchoff est correto.
104
Figura 2-24
2.8 TEOREMA DE THVENIN
Nem sempre as leis de Ohm e de Kirchoff constituem a ferramenta necessria para a
resoluo de circuitos mais complexos.
O teorema de Thvenin faz parte de um grupo de teoremas sobre estruturas eltricas
complexas, possibilitando-nos meios mais eficazes para a anlise simplificada de circuitos
dessa natureza.
A tcnica utilizada possibilita a reduo de um circuito complexo a um circuito equivalente
simples, que passa a atuar como a rede original.
O teorema de Thvenin pode ser enunciado da seguinte maneira: "qualquer rede de dois
terminais pode ser substituda por um circuito equivalente simples, constitudo por um
gerador, chamado gerador de Thvenin, cuja tenso ETH, atuando em srie com sua
resistncia interna RTH, obriga a corrente a fluir atravs de uma carga" (Ver a figura 2-25 b).
b
Figura 2-25
Os circuitos a seguir nos mostram uma sequncia de operaes, que visam a determinar os
dois elementos fundamentais constituintes do teorema de Thvenin, ou seja, ETH e RTH.
105
Figura 2-26
Vejamos agora, algumas regras usadas na determinao de ETH e RTH:
1 - Entendemos por tenso de Thvenin (ETH) aquela tenso vista nos terminais de carga,
no circuito original, estando a resistncia de carga removida, isto , tenso em circuito aberto.
o que nos ilustra a figura 2-26 b.
Conforme observamos na figura 2-26 b, para calcularmos a tenso de Thvenin (ETH),
removemos a carga RL. Neste caso a tenso de Thvenin a tenso vista nos terminais em
circuito aberto A-B. Isto significa que a tenso de Thvenin a prpria queda de tenso em
R3. Assim, basta calcularmos a corrente total do circuito e multiplicamos por R3:
Portanto, temos que: VR3 = VAB =

ETH = 50 V
106
2 - Quanto resistncia de Thvenin (RTH), trata-se da resistncia vista dos terminais de

carga aberta, quando olhamos para a rede original, estando as fontes de tenso do circuito
substitudas por suas resistncias internas.
A figura 2-26 c, ilustra o que acabamos de mencionar. Neste caso, a fonte foi curto circuitada
e o circuito passou a ter: R1 em srie com R2 e as duas em paralelo com R3. Deste modo, a
resistncia equivalente entre os pontos A e B 100 , que a resistncia de Thvenin.
3 - Agora, resta-nos fazer o equivalente de Thvenin, para o circuito da figura 2-26 a. o
que nos mostra a figura 2-26 d.
A temos uma fonte de tenso de 50V, que o gerador de Thvenin; em srie com esta fonte
temos uma resistncia, que a de Thvenin (100 ).
Este circuito, portanto, capaz de fazer fluir uma corrente (iL) atravs de uma carga (RL),
substituindo o circuito da figura 2-9 a.
Para calcularmos a corrente iL no circuito da figura 2-26 d s empregar a Lei de Ohm:
Bem, agora, perguntamo-nos: que vantagem seria empregarmos tal mtodo na resoluo dos
circuitos, uma vez que, aparentemente as coisas se tornaram mais complicadas, pois se trata
de um circuito muito simples, podendo ser resolvido pela aplicao das leis de Ohm e de
Kirchoff?
Realmente, para o circuito que acabamos de analisar, isto constitui uma verdade. Entretanto
a veracidade do teorema de Thvenin torna-se evidente se modificarmos o circuito.
Para isto, vamos supor que quisssemos achar o valor da corrente I L quando RL assumisse
diversos valores, como por exemplo:
RL1 = 20
RL2 = 50
RL3 = 100
RL4 = 1200
Se fssemos aplicar as leis de Ohm e de Kirchoff, por exemplo para calcular a IL em cada RL
diferente, no resta dvida que seria um trabalho bem laborioso. Entretanto, calculando o
equivalente de Thvenin, facilmente determinamos os valores de corrente para cada valor
diferente de RL, uma vez que ETH e RTH, so grandezas independentes do valor de RL.
Vejamos mais um exemplo bem simples, de aplicao do teorema de Thvenin, para em
seguida entrarmos na anlise de circuitos mais complexos.
107
Figura 2-27
Para calcularmos a tenso de Thvenin (ETH), basta acharmos a tenso entre os pontos A e
B. Portanto, ao retirarmos RL do circuito, a E R2 tenso
equivale f.e.m. do gerador equivalente de Thvenin.

Agora, com a fonte "E" em curto-circuito, passemos ao clculo de RTH, que por natureza
R1 R2 do circuito, ser:
Finalmente, teremos o circuito equivalente de Thvenin, seguido dos seus elementos
fundamentais, (RTH e ETH), conforma a figura 2-28 a seguir.
Figura 2-28
Vamos supor que quisssemos calcular a potncia dissipada no resistor R 2 do circuito da

figura 2-29, aplicando o teorema de Thvenin.
Figura 2-29 Ilustrao do teorema de Thvenin
108
Precisamos encontrar o equivalente de Thvenin para o circuito da figura 2-29. Vamos abrir
o circuito nos pontos A e B, pois R2 representa nossa RL. O circuito passa a ser como o da
figura 2-29.
Figura 2-30 R2 removida do circuito

As fontes E1 e E2 esto em oposio. Logo a corrente total ser:
Esta corrente, passando em R3 produzir uma queda de tenso de 2,5 V e passando em R1

produzir uma queda de tenso de 7,5 V. Assim, j podemos achar a tenso V AB que ser
12,5 V, conforme ilustrado na figura 2-31.
Figura 2-31 Potencial entre os pontos A e B, igual a 12,5 V

Pelo exposto no circuito da figura 2-31, observamos que a fonte E1 que determina o fluxo
de corrente, pois esta fonte tem valor maior que E2. Assim sendo, de acordo com o sentido
de corrente estabelecido, temos que, pelo lado de E2, a tenso VAB = E2 + VR3, pois estas
duas tenses esto em srie e se somam, dando VAB = 12,5 V.
Pelo lado de E1, a tenso VAB = E1 - VR1, pois estas duas tenses esto se opondo.
Logo: VAB = 20V - 7,5V; ou VAB = 12,5V. Portanto, sendo VAB = 12,5V, conclumos que a
tenso de Thvenin 12,5V.
Agora vamos calcular a resistncia de Thvenin. E s abrir o circuito da figura 2-29 nos
terminais A e B e curto-circuitar as fontes E1 e E2.
O circuito ficar como o da figura 2-32 a e 2-32 b.
109
Figura 2-32
Assim, podemos fazer o equivalente de Thvenin para o circuito da figura 2-29, usando o
circuito da figura 2-33.
Figura 2-33 Equivalente de Thvenin

Deste modo, ficou fcil calcularmos a potncia de R2. s achar a corrente total, elevar ao
quadrado e multiplicar por R2. Isto pode ser feito da seguinte maneira:
Outros exemplos
Exemplo 1
Vamos encontrar o equivalente Thvenin do circuito da figura 2-34 a.
110
Figura 2-34 a
Figura 2-34 Ilustrao do teorema de Thvenin

Soluo:
Primeiro removemos a carga. Ento, determinamos a Resistncia de Thvenin (RTH),
substituindo o gerador pela sua resistncia interna, conforme nos mostra a parte "b". A rede
fica ento simplificada (parte c).
A tenso em circuito aberto, ETH, determinada deixando-se a carga desconectada (circuito
aberto em A-B). Nestas condies temos 3V em A-B (parte d).
111
Esta tenso de circuito aberto representada como um gerador de tenso constante (parte
e). Finalmente, temos os circuitos das partes "c" e "e", que so combinados para produzir o
Equivalente de Thvenin, conforme a parte "f".
Exemplo 2
Vamos encontrar o Equivalente de Thvenin do circuito da figura 2-35 a.
Figura 2-35 a
Figura 2-35 b
Figura 2-35 c
Figura 2-35 d
Figura 2-35 e
112
Figura 2-35 f
Figura 2-35 Ilustrao do Teorema de Thvenin
Soluo:
Vamos remover a carga. Em seguida, olhando para dentro dos terminais A e B,
determinemos a resistncia de Thvenin (b). Deste modo, o gerador de corrente de 10A foi
substitudo por uma resistncia infinita (circuito aberto). Utilizando a frmula a seguir,
, podemos encontrar a resistncia equivalente, que a resistncia de
Thvenin. Pela parte "b" podemos observar que R1 e R2 esto em srie, e ambas esto em
paralelo com R3. A resultante deste conjunto est em srie com R4. Ento, substituindo na
frmula os valores das resistncias, teremos (na parte "c"):
Na parte "d" observamos que uma poro da corrente do gerador produz uma queda de
voltagem em R3. Alis, no flui corrente em R4, pois o circuito est aberto neste ponto. Em
consequncia, a corrente de R2 a mesma de R3. Assim, a queda de tenso em R3 a tenso
de Thvenin, pois a tenso em circuito aberto. Observando, portanto, a parte "d", notamos
que 10A entram no circuito pelo gerador. Temos dois ramos de corrente, I1 e I2, uma vez
que A-B est aberto, conforme j mencionamos.
O ramo de I2 possui uma resistncia de 700 e o outro 100. O ramo de R3 o que nos
interessa, uma vez que precisamos conhecer a queda de tenso em R3. Sabemos que correntes
em ramos paralelos se dividem inversamente proporcionais s resistncias. Portanto,
podemos afirmar que em R1 passa uma corrente sete vezes maior que a do ramo de R2 com
R3, pois R1 = 100 , e R2 + R3 = 700 . Isto nos leva a escrever o seguinte:
113
Na parte "f" temos o equivalente de Thvenin, constitudo por um gerador de tenso

constante e sua resistncia interna.
2.9 TEOREMA DE NORTON
At aqui observamos o uso do teorema de Thvenin na simplificao da anlise dos circuitos
de malhas complexas, pela substituio do circuito original por um circuito equivalente
envolvendo uma fonte de tenso constante, e o gerador de Thvenin (ETH), atuando em srie
com uma resistncia interna (RTH).
O gerador de Thvenin fornece corrente resistncia de carga RL.
Estudaremos agora, o teorema de Norton, que emprega uma tcnica bem semelhante
empregada pelo teorema de Thvenin, e que pode ser enunciado do seguinte modo: "Dois
terminais de uma rede podem ser substitudos por um circuito equivalente, que consiste de
um gerador de corrente constante In, em paralelo com sua resistncia interna Rn".
Na figura 2-36 vemos uma malha original atuando como um bloco bem como seu circuito
equivalente.
Figura 2-36
Pela figura 2-36 b observamos que a corrente de Norton (In) distribuda entre a resistncia
de Norton (Rn) e a resistncia de carga (RL). Podemos observar pelo circuito da figura 2-36
b, que: ERL = ERn. Ora, ERL = IL x RL; ERn = I1 x Rn e In = I1 + IL. Assim sendo,
podemos estabelecer a seguinte proporo:
Aplicando uma das propriedades das propores, teremos:

114
ou, ento, IL(Rn + RL) =
Portanto, para calcularmos a corrente em RL, basta usarmos a frmula:
Seja agora, o circuito da figura 2-37
Figura 2-37 a
Figura 2-37 b
Figura 2-37 c
Figura 2-37 d
Vamos determinar o equivalente de Norton para o circuito da figura 2-37.
115
Para isto, inicialmente, coloquemos A e B em curto-circuito, ou seja, daremos um curto em

RL.
Deste modo, a corrente externa ser:
Em seguida achemos a resistncia de Norton:
, estando a fonte em curto-circuito
(2-37 c).
Assim, podemos escrever duas regras simples, para determinao da corrente e da resistncia
de Norton:
a) A corrente de Norton IN uma corrente constante que flui num curto-circuito entre os
terminais da resistncia de carga, quando esta substituda por um curto-circuito (figura 237 b).
b) A resistncia de Norton RN aquela resistncia vista dos terminais da carga aberta, olhandose para a malha, quando sua fonte de tenso substituda por sua resistncia interna (R N
definida da mesma maneira que a resistncia de Thvenin - RTH), conforme a figura 2-37 c.
Na figura 2-37 d temos o equivalente de Norton: um gerador de corrente constante IN com
sua resistncia interna, em paralelo RN.
Consideremos o circuito da figura 2-38, no qual desejamos calcular a IN, RN e IL.
Figura 2-38
Inicialmente, estabelecendo um curto-circuito em RL, forosamente R3 ficar em curto, o que
nos permite empregar a seguinte frmula:
Figura 2-39
116
O circuito da figura 2-39 ilustra o que acabamos de mencionar. A corrente IN a corrente

que flui no curto-circuito (RL = 0).
Em seguida, calculamos a resistncia de Norton. Para tal, podemos utilizar o circuito da
figura 2-40.
Figura 2-40
Desta forma, teremos:
Finalmente, observando o circuito da figura 2-41, temos o circuito equivalente, contendo a

corrente de Norton, a resistncia de Norton e a corrente IL.
Figura 2-41
Pelo que j conhecemos, IL facilmente pode ser calculada da seguinte maneira:
Vejamos mais um exemplo simples de aplicao do Teorema de Norton, ilustrado na figura

2-42.
Figura 2-42 a
117
Figura 2-42 b
Primeiramente daremos um curto-circuito em RL, no circuito da figura 2-42 a, para
calcularmos a IN. Deste modo, teremos R3 em paralelo com R4 e a resultante das duas, em
srie com R1 e R2. Assim, teremos uma Rt =
A corrente de Norton, na realidade, a corrente que passa em R4, estando RL em curto.

Sendo It = 1,8 A, IN ser: It - IR3. Ou ento,
Passemos agora ao clculo de RN, que a resistncia vista dos terminais da carga aberta:
E, agora, de acordo com a figura 2-42 b, passemos ao clculo de It.

Portanto, IL =
Outros exemplos:
Vamos achar o equivalente de Norton da figura 2-43 a.
Soluo: Inicialmente vamos encontrar a resistncia de Norton que, conforme j
mencionamos anteriormente, definida da mesma maneira que a resistncia de Thvenin
(RTH). Portanto, abrindo o circuito da parte "a" nos pontos A e B, temos dois resistores de
6 em paralelo, conforme nos mostra a figura 2-43 b. Na figura 2-43 c temos a resistncia
equivalente (RN).
118
Figura 2-43 a
Figura 2-43 b
Figura 2-43 c
Figura 2-43 d
Figura 2-43 e
119
Figura 2-43 f
Figura 2-43 Ilustrao do Teorema de Norton
Para calcularmos a corrente de Norton (IN) basta colocarmos um curto entre os pontos A e
B da figura 2-43 d. A corrente no curto-circuito a corrente de Norton. Neste caso, IN
igual corrente total, podendo ser calculada assim:
. Ento, na parte "c" temos a
corrente equivalente de Norton (IN). Juntando a resistncia equivalente (parte "c") corrente
equivalente (parte "e"), formamos o equivalente de Norton (figura 2-43f).
Vamos encontrar o equivalente de Norton da figura 2-44 a.
Figura 2-44 a
Figura 2-44 b
Figura 2-44 c
Figura 2-44 d
120
Figura 2-44 e
Figura 2-44 f
Figura 2-44 Ilustrao do Teorema de Norton
Soluo: Na figura 2-44 b a carga foi removida. A, temos R1 em srie com R2. Estes dois
resistores esto em paralelo com R3. Este conjunto est em srie com R4. Portanto, o clculo
da resistncia equivalente de Norton (RN) pode ser feito do seguinte modo:
A parte "c" nos mostra o que acabamos de demonstrar.

Ao colocarmos a fonte de corrente no circuito (10A), e substituirmos RL por um curtocircuito (figura 2-44 d), vamos procurar a corrente de Norton (IN). A corrente de Norton
a mesma que flui nos terminais da carga em curto.
Fazendo uma observao da figura 2-44 d vemos que a corrente total "It" se distribui do
seguinte modo: It = I1 + I2. E que I2 = I3 + I4.
Ocorre que I4 = IN, ou seja, I4 igual corrente de curto-circuito equivalente. Resolvendo,
inicialmente, o circuito da figura 2-44 d por I2, temos:
Agora, resolvendo por I4, teremos:
121
Logo, I4 = IN = 0, 217 A
O gerador equivalente de Norton mostrado na figura 2-44 f.
2.10 CONVERSO DO EQUIVALENTE DE NORTON PARA O DE THVENIN E VICE-VERSA

s vezes, por questes de convenincia, torna-se mais fcil solucionar certos problemas de
anlise de circuitos empregando um mtodo de equivalncia entre geradores de corrente e
de tenso.
Para isto, recomendvel adotarmos uma equivalncia entre uma fonte de tenso e uma
fonte de corrente.
Considerando os circuitos da figura 2-45, vamos observar que em "a" temos um gerador de
tenso e em "b", um gerador de corrente.
Nestes dois circuitos, h uma carga RL que alimentada, portanto, por um gerador de tenso
e por um gerador de corrente.
Recordemos, agora, as frmulas j vistas anteriormente para o clculo de IL, em ambos os
circuitos da figura 2-41.
Figura 2-45 Converso Norton para Thvenin e vice-versa

Na figura 2-45, por exemplo, temos na parte "a" IL =
e na parte "b" temos:
Uma vez que nos propomos a estabelecer uma equivalncia entre "a" e "b" da figura 2-45,
teremos:
122
Fazendo RTH = RN = r , teremos:
Agora, eliminando o denominador da equao, vem:

(IN x r) (r + RL) = E (r+RL).
Tirando o valor de IN, temos:
Simplificando o numerador e o denominador, temos:
. Esta frmula nos d o valor da
corrente de Norton, em funo da tenso de Thvenin, no esquecendo que, para tal,

consideraremos as resistncias internas iguais, isto : RTH = RN = r.
Portanto, da frmula
, podemos r tambm tirar o valor de "E", ou seja: E = IN x r, que
a frmula que nos dar o valor da tenso de Thvenin, em funo da corrente de Norton.
Exerccios de Aplicao
Suponhamos, um gerador de tenso, cuja "E" (ETH), seja igual a 20V sabendo-se que RTH(r)
igual a 10. Queremos saber o valor do equivalente de Norton.
Soluo: neste caso, a fonte ou o gerador de corrente equivalente ser:
Seja o circuito da figura 2-48 que queremos converter num equivalente de Norton.
Figura 2-46 Equivalente de Thvenin

Soluo: vamos colocar um curto-circuito nos terminais A e B do circuito da figura 2-47
obtendo, assim, o circuito da figura 2-47 a.
123
Figura 2-47 Convertendo o equivalente de Thvenin para o de Norton

Resolvendo para IN o circuito da figura 2-47 A, temos:
Agora, s colocarmos a resistncia do equivalente de Thvenin (RTH = r) em paralelo com

o gerador de corrente constante (IN = 1 A), e teremos a soluo, que o circuito da figura 247 b.
Vamos converter o equivalente de Norton da figura 2-48 a para o de Thvenin.
124
Figura 2-48 Convertendo Norton para Thvenin

Soluo: vamos computar a queda de tenso atravs de RN (figura 2-48 b). Esta queda IN x
RN, nos dar RTH, que aproximadamente 250 V. Agora, colocamos a resistncia equivalente
(RN = r = RTH) em srie com o gerador de tenso constante (ETH).
Assim, obtemos o equivalente de Thvenin, conforme a figura 2-48 c.
2.11 TEOREMA DA MXIMA TRANSFERNCIA DE ENERGIA
Este teorema estabelece que "a mxima potncia transferida por uma fonte a uma
determinada carga ocorre quando a impedncia da carga for igual impedncia da fonte".
Uma vez que qualquer circuito ou fonte pode ser representado por um circuito equivalente
de Thvenin, utilizaremos este como base para os clculos demonstrativos deste teorema.
Ver a figura 2-49.
Figura 2-49
Pelas frmulas apresentadas podemos fazer as seguintes verificaes:
125
d) Pelos clculos executados fica demonstrado que a maior potncia sobre R L foi obtida
quando RL foi igual a RTH.
A compreenso deste teorema muito importante para a futura aplicao deste conceito em
circuitos amplificadores, quando se falar em casamento de impedncias.
2.12 APNDICE
Sumrio
Uma fonte de tenso constante deve ter uma resistncia interna muito baixa.
No existe, na prtica, um gerador de tenso ideal, o que existe o gerador de tenso

real. -Existem vrios tipos de geradores de tenso. Entre eles, temos uma bateria,
uma fonte de CC regulada ou um seguidor de emissor.
O equivalente de Thvenin um dispositivo que atua como um gerador de tenso

constante.
O equivalente de Thvenin muito empregado na resoluo de circuitos

considerados complexos.
Um gerador de tenso constante tem como finalidade manter constante a tenso de

sada, independentemente do valor da carga.
O gerador de corrente constante capaz de fornecer uma corrente de valor constante

a qualquer carga.
Um gerador de corrente ideal, na prtica, no existe.
Um gerador de corrente ideal teria resistncia interna idealmente infinita.

126
O circuito equivalente de Norton, um gerador de corrente constante, muito

empregado na simplificao de circuitos complexos.
Um gerador de corrente constante considerado "bom" quando o valor da sua

resistncia interna for no mnimo 100 vezes maior que o valor de RL.
Existem diversos mtodos que visam solucionar redes de correntes contnuas, cujas
impedncias so essencialmente resistncias lineares e as tenses so constantes.
Quatro teoremas largamente empregados na anlise de circuitos so: Leis de

Kirchoff, teorema de Thvenin, teorema de Norton e teorema de Superposio.
No fornecimento de energia aos circuitos, temos a considerar as fontes de tenso e

as fontes de corrente.
Os geradores de tenso tm por finalidade manter constante a diferena de potencial

entre dois pontos aos quais estejam ligados.
Um gerador de corrente aquele que mantm constante a corrente em seus terminais.
importante na anlise de circuitos, a familiarizao com os seguintes termos: Rede,

N, Brao ou Ramo, Lao e Malha.
As leis de Kirchoff empregadas na soluo de redes complexas so duas: 1 Lei ou

"Lei dos Ns" e 2 Lei ou "Lei das Malhas".
A 1 Lei de Kirchoff diz o seguinte: "A soma das correntes que entram em um n,
igual soma das correntes que saem do n".
A 2 Lei de Kirchoff, no seu enunciado diz: "Em qualquer circuito eltrico fechado,
a soma algbrica das quedas de potencial deve ser igual soma algbrica das elevaes
de potencial".
Quando as leis de Ohm e Kirchoff j no dispem dos recursos necessrios para a

resoluo de circuitos mais complexos, lanamos mo de outras ferramentas.
O teorema de Thvenin uma das formas utilizadas na resoluo de malhas

complexas.
O teorema de Thvenin pode ser assim enunciado: "Qualquer rede de dois terminais
pode ser substituda por um circuito equivalente simples, constitudo por um gerador,
chamado de gerador de Thvenin, cuja tenso ETH, atuando em srie com sua
resistncia interna RTH, obriga a corrente a fluir atravs da carga".
Outro teorema que emprega uma tcnica semelhante do teorema de Thvenin, o

teorema de Norton.
127
Este teorema dez que: Uma malha de dois terminais pode ser substituda por um
circuito equivalente, que consiste de um gerador de corrente constante IN, em
paralelo com sua resistncia interna RN.
possvel fazermos uma equivalncia entre geradores de corrente e de tenso.
Para isto tomamos as duas frmulas de IL, para cada gerador (de tenso e de
corrente), igualamos estas frmulas e consideramos iguais as resistncias internas
(RTH = RN = r).
O Teorema da Superposio facilita os clculos de circuitos com duas ou mais fontes.
Os estudos de divisores de tenso e de corrente podem facilitar em muito a resoluo

dos clculos nos teoremas de Thvenin e de Norton.
Fonte: http://static.hsw.com.br/gif/solid-state1.jpg
2.13 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Os materiais semicondutores so elementos cuja resistncia situa-se entre a dos condutores
e a dos isolantes.
Dependendo de sua estrutura qualquer elemento pode ser classificado como isolante
semicondutor ou condutor. Atualmente os principais componentes dos equipamentos
eletrnicos so dispositivos semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos
integrados. Seu emprego deve-se habilidade de controlar o fluxo de corrente, executando
as mesmas funes das vlvulas eletrnicas, porm com grandes vantagens como tamanho,
peso e durabilidade.
Por estas razes o emprego dos dispositivos semicondutores trouxe um grande
desenvolvimento eletrnica. Os primeiros conceitos de dispositivos semicondutores datam
do incio do sculo.
128
Em 1906 descobriu-se que determinados cristais, em contato com uma ponta metlica,
tinham a propriedade de conduzir corrente eltrica somente numa direo criava-se ento, o
diodo slido. Com o desenvolvimento da teoria atmica, os cientistas aperfeioaram o diodo
slido at que durante a Segunda Grande Guerra, em 1948 os cientistas W. Shockley, J.
Bardeen e W. H Brattain apresentaram um pequeno dispositivo construdo com cristal de
germnio, que tinha a capacidade de controlar e amplificar a corrente eltrica. Este
dispositivo que foi chamado de transistor foi aperfeioado e seu desenvolvimento deu
origem ao aparecimento de muitos outros dispositivos que hoje formam a grande famlia dos
semicondutores.
Devido ao funcionamento dos semicondutores estar ligado s caractersticas da estrutura dos
materiais, faremos um estudo destas estruturas.
2.14 ESTRUTURA DA MATRIA
Como se sabe, podemos dividir um material em pores cada vez menores, at que chegamos
a menor das pores, que recebe o nome de molcula. Podemos definir a molcula como
sendo a menor poro que um material pode ser dividido. Se da molcula partirmos a uma
nova diviso, chegaremos ao tomo, que por sua vez no conservar mais as propriedades
do material subdividido.
Muitos modelos de tomos foram apresentados, mas coube a Rutherford e Neil Bohr o
modelo do tomo atual.
Segundo este modelo o tomo constitudo de um ncleo que contm partculas
denominadas prtons e nutrons.
Em torno do ncleo giram, em rbitas distintas, outras partculas denominadas eltrons. Este
modelo est representado na figura 2-50.
Figura 2-50 Desenho representativo de um tomo
129
Pela tabela peridica dos elementos pode-se ver que existem 105 tipos de tomos. A
quantidade de partculas que contm um tomo varia de espcie para espcie. Eletricamente,
os prtons e os eltrons tm a mesma carga, porm de sinais contrrios, sendo que a carga
do prton positiva e a do eltron negativa. Diz-se que o tomo est eletricamente em
equilbrio, quando o nmero de eltrons for igual ao nmero de prtons. Caso contrrio, o
tomo chamado de on.
Um on pode ser de dois tipos: on positivo quando o tomo perdeu um ou mais eltrons e
on negativo quando o tomo ganhou um ou mais eltrons. Como citado anteriormente, no
tomo, os prtons e nutrons esto concentrados formando o ncleo, porm os eltrons
agrupam-se ao redor do ncleo, em forma de camadas. Estas camadas tm um nmero
mximo de 7, e so designadas pelas letras K, L, M, N, O, P, Q. Cada camada pode ter um
nmero mximo de eltrons e esses so mostrados na figura 2-51.
Figura 2-51 Camadas atmicas

Devido ao fato do tomo ter a forma esfrica, muitas vezes ele representado em forma
circular para facilitar o raciocnio.
Definio de Nmero Atmico: Como j foi dito, tomos diferentes possuem diferentes
nmeros de partculas. Por exemplo, o tomo de oxignio possui 8 prtons e 8 eltrons, j o
tomo de alumnio possui 13 prtons e 13 eltrons. Para podermos identificar e classificar
os vrios tomos existentes foi criado um nmero que indica quantos prtons existem em
cada tomo.
Esse nmero chamado de "nmero atmico".
130
2.15 LIGAO ATMICA

Vimos que com exceo da camada K que se completa com dois eltrons, a camada mais
externa dos tomos pode conter oito eltrons, no mximo.
Os tomos que no possuem este nmero de eltrons tendem a se completarem doando ou
recebendo a fim de terem oito eltrons na ltima camada.
A capacidade de combinao dos tomos chamada de valncia. Os eltrons da ltima
camada dos tomos so chamados de eltrons de valncia, pois atravs deles que a ligao
qumica se processa.
De acordo com a valncia os elementos podem ser: monovalentes, divalentes, trivalentes etc.
Uma ligao covalente uma combinao qumica em que os eltrons so compartilhados
entre os tomos.
Um exemplo simples de ligao covalente a combinao de dois tomos de hidrognio,
como mostrado na figura 2-52.
Figura 2-52 Ligao covalente

Os tomos de silcio e de germnio, que so os mais importantes no estudo de
semicondutores, tambm se ligam covalentemente e embora tenham nmeros atmicos
diferentes possuem valncias iguais.
Esses tomos podem combinar-se covalentemente formando uma estrutura cristalina que
pode ser representada num plano conforme a figura 2-53. Cada tomo compartilha seus
eltrons de valncia com outros quatro, obtendo uma estrutura eletricamente estvel.
131
Figura 2-53 Ligao covalente, estrutura cristalina
2.16 MATERIAIS SEMICONDUTORES

Como j foi dito, semicondutores so materiais cuja resistncia se situa entre a dos
condutores e a dos isolantes. Cabe ressaltar agora o conceito de condutores e a dos isolantes.
Um material condutor caracterizado por apresentar os eltrons de valncia de seus tomos
fracamente ligados ao ncleo e, devido a essa ligao no ser muito forte, esses eltrons
podem ser considerados livres.
Sendo assim, se aplicarmos uma diferena de potencial esse material ele conduzir
facilmente uma corrente eltrica. Exemplos de materiais condutores: cobre, ouro, prata, ferro
etc.
Quando os eltrons de valncia do tomo esto fortemente ligados ao ncleo, de tal modo
que no podem ser considerados eltrons livres no material, este dito "isolante". Os
materiais isolantes apresentam ento uma forte oposio a passagem da corrente eltrica.
Exemplos de materiais isolantes: borracha, porcelana, vidro etc.
Dos materiais semicondutores existentes o germnio e o silcio so atualmente os mais
empregados.
Esses tomos ao se unirem entre si formam uma estrutura do tipo cristalina. Uma estrutura
dita "cristalina" quando sua forma bem definida (sempre em forma de cristais). So
exemplos de materiais com estrutura tipo cristalinos: cobre, diamante, silcio, germnio etc.
Quando a forma da estrutura formada pela unio dos tomos no bem definida esta dita
132
"amorfa". So exemplos de materiais com estrutura tipo amorfos: plsticos, gases, borracha
etc.
A figura 2-54 mostra a estrutura cristalina do germnio e do silcio.
Figura 2-54 Rede cristalina plana do Germnio (Ge) e do Silcio (Si)

Nas duas estruturas, os tomos se combinam covalentemente.
Cada tomo combina-se com mais quatro, tomando e fornecendo seus eltrons de valncia.
Observando as duas estruturas, vemos que cada eltron de valncia no material est preso a
dois tomos, nessa condio no dever haver eltrons livres no material, logo as suas
caractersticas eltricas so de isolante. Na realidade, isto s acontece se estes materiais
estiverem a uma temperatura de 0o absoluto.
Processo de Formao de Portadores na Rede Cristalina

Apesar das ligaes covalentes entre os tomos de cristais puros de silcio e de germnio
serem rgidas, quando o cristal submetido a qualquer tipo de energia algumas delas chegam
a se romper.
O rompimento entre as unies ocorre quando o eltron de valncia que pertence aos dois
tomos adquire energia suficiente para se liberar.
Ligaes covalentes so interrompidas quando um dos cristais submetido a certos campos
de energia como: calor, luz, raios X, raios csmicos etc.
O nmero de rompimentos diretamente proporcional intensidade do campo de energia
aplicado ao cristal.
Cada rompimento gera um portador de carga eltrica negativa e uma carga eltrica positiva.
133
Pela figura 2-55 podemos observar que com o rompimento da ligao covalente ocorre a
liberao do eltron, ficando no lugar deste um buraco ou lacuna.
Esta lacuna tem caracterstica positiva, porque qualquer eltron prximo poder ser atrado
por ela.
Figura 2-55 Gerao de lacuna

Como j foi dito, vrios fatores podem contribuir para a gerao de portadores em cristais
de germnio e de silcio, porm, a variao de temperatura o fator que mais os afeta.
A 0 absoluto, o germnio e o silcio tm condies de serem isolantes, porm, na
temperatura ambiente, aproximadamente 25 C, ambos os cristais apresentam em suas
estruturas milhares de rompimentos entre as ligaes, criando milhares de portadores
positivos e negativos, lacunas e eltrons respectivamente.
Nesta situao tanto o germnio quanto o silcio tem caractersticas de semicondutores
intrnsecos, isto possuem caractersticas prprias.
Na temperatura ambiente de 25 C, um cristal puro de silcio apresenta aproximadamente
10 lacunas e 10 eltrons por cm e uma resistividade de 2,4 x 10 ohms/ cm.
Para a mesma temperatura, um cristal puro de germnio apresenta, aproximadamente, 10
lacunas e 10 eltrons por cm e uma resistividade de 47 ohms/cm.
Pelos valores de resistividade vemos que na mesma temperatura a estrutura do silcio tem
ligaes covalentes mais estveis que as do germnio, ou seja, so mais difceis de serem
rompidas.
134
Fluxo de Lacunas
Quando uma ligao perde um eltron de tal forma que exista uma lacuna, esta fcil de ser
preenchida por um eltron de valncia que deixa uma ligao covalente de um tomo vizinho;
este eltron ao sair da ligao covalente, deixa outra lacuna. Assim, efetivamente, a lacuna se
move na direo oposta direo do eltron. Esta lacuna, nesta nova posio, pode ser agora
preenchida por outro eltron proveniente de outra ligao covalente. Temos assim um
mecanismo para a conduo de eletricidade.
Um modo conveniente de ilustrar esse movimento mostrado na figura 2-56, em forma de
esferas.
Figura 2-56 Fluxo de lacunas
2.17 JUNO PN - FORMAO

At agora estudamos os cristais de silcio e de germnio em suas formas puras. Porm,
partindo-se de um cristal puro, atravs de tcnicas especficas, consegue-se introduzir neste
cristal, tomos de outro metal, de tal modo a se conseguir o comportamento eltrico
desejado.
Esta operao denominada "dopagem" e o metal a ser introduzido no cristal chamado de
impureza. Os metais usados como impureza podem ter tomos trivalentes ou pentavalentes,
isto , com trs ou cinco eltrons na ltima camada.
Se na dopagem usarmos impurezas trivalentes (ou aceitadoras), cria-se no cristal portadores
de carga positiva ou lacunas, pois, para participar da ligao covalente o tomo da impureza
necessita de um eltron para completar sua ltima camada com quatro eltrons. Este cristal
chamado de positivo ou P.
Porm, se na dopagem usarmos impurezas pentavalentes ou doadoras, cria-se no cristal
eltrons livres, pois para participar da ligao covalente o tomo da impureza doa um eltron
135
que estava em excesso. Este eltron pode ento ser considerado livre. Este cristal chamado
de negativo ou N.
Para a criao de um cristal tipo N as impurezas geralmente utilizadas so: fsforo, arsnio,
bismuto e antimnio.
A figura 2-57 mostra um bloco representativo do elemento N.
Figura 2-57 Cristal tipo N (representao)

Os crculos pequenos representam os tomos pentavalentes, o sinal negativo o quinto
eltron do tomo pentavalente, que no entrou na combinao.
Para a criao de um cristal tipo P as impurezas normalmente utilizadas so: brio, alumnio,
glio e ndio.
A figura 2-58 mostra um bloco representativo do elemento P.
Figura 2-58 Cristal do tipo P (representao)

Os pequenos crculos representam os tomos trivalentes e os sinais positivos fora dos
crculos so as lacunas criadas por eles.
Facilmente, entendemos que a dopagem criar, no cristal, tantos eltrons livres ou lacunas
quantos forem os tomos de impurezas doadoras ou aceitadoras introduzidos.
136
Polarizao do Elemento N
Ao polarizarmos um elemento N, conforme a figura 2-59, teremos o aparecimento de uma
corrente eltrica, cujos portadores so eltrons e cujo sentido o indicado na figura. A
intensidade desta corrente limitada pela resistividade do elemento N, que depende da
quantidade de portadores, que, por sua vez depende da quantidade de tomos da impureza.
Figura 2-59 Polarizao do elemento N

Por serem portadores de carga negativa, os eltrons livres no elemento so atrados pelo
potencial positivo da fonte de tenso, dando corrente o sentido indicado na figura 2-59.
Polarizao do Elemento P
A figura 2-60 mostra a polarizao de um elemento P. Ao polarizarmos um elemento P
conforme indicado na figura 2-60, haver uma corrente de lacunas no cristal no sentido
mostrado.
Figura 2-60 Polarizao do elemento P
137
As lacunas, que so positivas, so repelidas pelo seu positivo da fonte de tenso e atradas
pelo polo negativo da mesma.
Um eltron entra no cristal no lado negativo da fonte e se combina com uma lacuna,
completando a unio, estes j no existem mais como portadores eltricos. Em seguida a
bateria que perdeu um eltron no lado negativo da fonte, tira um eltron do cristal no lado
positivo da fonte, gerando assim, uma lacuna que imediatamente repelida pelo polo positivo
da fonte e atrada pelo polo negativo. Temos assim uma corrente eltrica constante que
limitada pela resistividade do elemento, que por sua vez, depende do nmero de portadores
criados na dopagem do mesmo.
Portadores Majoritrios e Minoritrios nos Elementos

Como vimos anteriormente, se adicionarmos impurezas pentavalentes a um cristal surgem
nesse cristal tantos eltrons livres quantos forem os tomos de impurezas adicionados.
Sabemos que na temperatura ambiente o cristal puro apresenta portadores positivos e
negativos em nmeros iguais. Porm, com a dopagem essa igualdade alterada e o material
que possua igual quantidade de portadores, possui agora, maior nmero de eltrons do que
de lacunas. Dizemos ento que os eltrons so portadores majoritrios e as lacunas
portadores minoritrios no elemento N.
Figura 2-61 Concentrao de portadores nos elementos P e N

Quando se une um elemento P a um elemento N, h uma combinao natural de portadores
ou seja, eltrons do elemento N e lacunas do elemento P, em toda a estrutura das superfcies
unidas.
138
Porm, nem todos os eltrons e lacunas se recombinam porque as primeiras recombinaes

criam ons, que fazem uma barreira ao processo de recombinao. Isto pode ser visto na
figura 2-62.
Figura 2-62 Formao de ons na juno PN

No elemento P os tomos que se ionizam so os das impurezas aceitadoras e no elemento
N os das impurezas doadoras. Esta regio ionizada entre os elementos P e N dotada de um
campo eletrosttico negativo, no lado P e positivo no lado N.
Esse campo considerado como se fosse um campo de fora, cujo potencial negativo, da
regio P, repele os portadores de eltrons, do lado N e cujo potencial positivo, da regio N,
repele as lacunas do lado P.
Por isso, embora os portadores de eltrons e lacunas estejam em movimento, temperatura
ambiente, eles no se difundem por toda estrutura cristalina.
A figura 2-63 mostra uma juno PN com os portadores de carga e as foras de repulso.
Figura 2-63 Campo eletrosttico e foras de repulso na juno PN

Devido falta de portadores de carga nessa regio a mesma recebe o nome de regio de
"depleo".
139
2.18 POLARIZAO DE UMA JUNO PN

De acordo com a polaridade dos elementos P e N da juno tem-se um comportamento
diferente da mesma.
A juno PN pode ser polarizada de duas maneiras: direta ou inversa.
Juno PN Diretamente Polarizada

Diz-se que a juno PN est diretamente polarizada quando se tem o positivo da fonte de
tenso ligado ao elemento P e o negativo ao elemento N, como mostra a figura 2-64.
Figura 2-64 Juno PN diretamente polarizada

Na polarizao direta da juno PN, temos uma diminuio da barreira de potencial pois as
lacunas, do lado P, so repelidas pelo potencial positivo e os eltrons do lado N so repelidos
pelo potencial negativo da fonte de tenso.
A regio agora apresenta uma baixa resistncia, cerca de dezenas de ohms.
Os tomos pertencentes ao lado N tornam-se ons positivos, porque seus eltrons foram
deslocados em direo da juno, tendo agora condies de receberem eltrons da fonte de
tenso.
Por sua vez os tomos do lado P, tornam-se ons negativos, porque suas lacunas foram
deslocadas para a juno, tendo condies de fornecer eltrons para o lado positivo da fonte
de tenso.
Vemos que com essa polarizao, temos eltrons entrando no lado N e saindo no lado P. Na
regio da juno, h um processo constante de recombinao de eltrons e lacunas.
Assim uma corrente eltrica estabelecida numa juno PN.
Esta corrente denominada corrente direta.
140
Juno PN Inversamente Polarizada

Diz-se que a juno PN est inversamente polarizada quando se tem o positivo da fonte de
tenso no lado N e o negativo no lado P, como mostra a figura 2-65.
Figura 2-65 Juno PN inversamente polarizada

Podemos observar que o potencial positivo, no lado N, uma fora de atrao para os
eltrons e que o potencial negativo, no lado P uma fora de atrao para as lacunas.
A ao dessa fora faz com que os portadores se desloquem, temos ento um aumento na
barreira de potencial, como mostrado na figura 2-65.
Este aumento diretamente proporcional ao aumento da tenso aplicada juno PN. Nesta
situao no deve circular corrente normal no circuito, porm, devido s caractersticas do
cristal, haver uma pequena corrente que denominada corrente de fuga.
2.19 DIODO SEMICONDUTOR
Vimos anteriormente que podemos polarizar uma juno PN de duas maneiras distintas,
direta e inversamente.
Na primeira condio temos uma corrente circulando pela juno e na segunda esta corrente
pode ser considerada desprezvel. Vemos ento que esse dispositivo possui caractersticas de
conduo eltrica unidirecional. Tal elemento pelas caractersticas acima descritas ser
amplamente empregado na Eletrnica, principalmente na retificao de sinais recebendo para
tanto o nome de diodo de juno ou diodo semicondutor.
141
2.20 DIODO RETIFICADOR

Existem muitos tipos de diodos, tais como o diodo Zener, o SCR, o fotodiodo etc.
Porm, entre os vrios tipos de diodos existentes um dos mais usados na eletrnica o diodo
retificador cujo smbolo mostrado na figura 2-66.
Figura 2-66 Smbolo e polarizao dos diodos
Polarizao Direta do Diodo

Como j foi visto na polarizao direta da juno PN o lado N est ligado ao polo negativo
da fonte de tenso e o lado P no polo positivo da mesma.
Figura 2-67 Circuito do diodo semicondutor polarizado diretamente

Pelo circuito da figura 2-67 podemos observar que, atravs do potencimetro R,
conseguimos variar, a partir de zero volt, a tenso aplicada ao diodo.
Como a variao de corrente diretamente proporcional variao de tenso veremos que
ao aumentarmos a tenso sobre o diodo a corrente tambm aumentar proporcionalmente.
At um determinado valor de tenso este comportamento vlido, a partir de tal ponto a
corrente cresce bruscamente e a tenso no diodo tende a ficar constante.
A figura 2-68 mostra a curva de polarizao direta de um diodo.
142
Figura 2-68 Curva da polarizao direta do diodo
Polarizao Inversa do Diodo

A figura 2-69 mostra o circuito de um diodo polarizado inversamente.
Figura 2-69 Diodo polarizado inversamente

Na polarizao inversa da juno PN, o lado N est ligado no polo positivo da fonte de
tenso e o lado P no polo negativo da mesma.
Figura 2-70 Curva de polarizao inversa do diodo
143
Pelo circuito vemos que, atravs do potencimetro R, fazemos com que a tenso negativa
no elemento P aumente lentamente. Nesta situao a corrente que flui no circuito
desprezvel, porm, se aumentarmos ainda mais o valor da tenso sobre o diodo, atingiremos
um valor em que h um aumento brusco da corrente reversa, comprometendo at mesmo a
integridade da juno PN. Este valor de tenso denominado tenso de ruptura.
A curva de polarizao reversa do diodo semicondutor mostrada na figura 2-70.
2.21 RUPTURA DA JUNO PN
A ruptura da juno ocorre quando a corrente reversa atinge um nvel suficiente para romper
as ligaes entre os tomos do cristal, danificando a mesma.
O valor da tenso de ruptura de suma importncia no projeto de circuitos utilizando diodos
polarizados inversamente. Os diodos construdos com cristais de silcio suportam maiores
tenses inversas do que os diodos de germnio.
A ruptura da juno de um diodo pode ser causada por vrios fatores como tenso inversa
(ou avalanche) e por efeito trmico.
Ruptura por Tenso Inversa (efeito Avalanche)

Quando a tenso inversa atinge um valor alto o suficiente para provocar o rompimento das
ligaes entre os tomos do cristal diz-se que a ruptura se d por tenso inversa ou por efeito
avalanche, porque esses rompimentos geram portadores, que por sua vez vo romper, por
choque, outras ligaes e assim por diante como numa avalanche.
Este processo de quebra e gerao de portadores diminui rapidamente a resistncia da juno
aumentando bruscamente a corrente por ela, podendo inclusive danific-la.
Ruptura por Efeito Trmico

Como visto anteriormente, existe na juno PN a gerao de portadores minoritrios devido
temperatura.
A ruptura por efeito trmico se d quando os portadores minoritrios provocam uma
corrente inversa que resulte numa potncia maior que a da capacidade de dissipao da
juno.
144
Para uma tenso inversa constante, a corrente inversa pode ser aumentada pelo efeito
trmico, o que aumenta a potncia da juno. Com o aumento dessa potncia haver tambm
um aumento de temperatura o que resulta num novo aumento da corrente inversa, esse
aumento de corrente tende a aumentar ainda mais a potncia e essa por sua vez a temperatura.
E assim sucessivamente at a ruptura.
2.22 APLICAO DO DIODO RETIFICADOR
Pelo que foi visto at aqui notamos que o diodo pode ser considerado como sendo uma
chave eletrnica. Quando em polarizao direta, a corrente sobre ele fica limitada somente
pelos elementos do circuito externo. Porm, quando est polarizado inversamente, a corrente
do circuito fica limitada por ele mesmo, tendo assim, o comportamento de um circuito
aberto. A figura 2-71 mostra dois circuitos com diodos polarizados direta e inversamente.
Figura 2-71 Diodos polarizados inversa e diretamente

No circuito com a polarizao direta a corrente que flui pelo circuito uma juno da tenso
de 60 V e da tenso sobre o diodo, que muito pequena, pois em polarizao direta o diodo
praticamente um curto-circuito. Tem-se ento quase toda tenso (59,3 V) sobre a resistncia
de 1,5 K, restando apenas uma pequena tenso (0,7 V) sobre o diodo. No circuito com a
polarizao inversa no h praticamente corrente fluindo, portanto no haver queda de
tenso sobre R. Tem-se ento toda a tenso da fonte sobre o diodo o qual pode ser
considerado um circuito aberto.
2.23 DIODO EM TENSO ALTERNADA

145
Quando polarizado com tenso alternada o diodo retificador conduz somente durante o
semiciclo em que est polarizado diretamente, ou seja, durante o semiciclo em que a tenso
de anodo for maior que a de catodo, permanecendo cortado no outro semiciclo.
A figura 2-72 apresenta um circuito com um diodo operando em tenso alternada e tambm
as formas de onda de entrada e de sada.
Figura 2-72 Circuito retificador com tenso senoidal

Durante o semiciclo positivo de Vi (de t0 a t1), o ponto A fica positivo em relao ao ponto
B, polarizando o diodo diretamente.
Nesta condio, o diodo praticamente um curto-circuito e a corrente no circuito determina
em R uma queda de tenso proporcional tenso entre os tempos t 0 e t 1 da tenso de
entrada.
Durante o semiciclo negativo de Vi (de t1 a t2), o ponto A fica negativo em relao ao ponto
B, polarizando o diodo inversamente.
Nestas condies, o diodo pode ser considerado um circuito aberto.
A ao descrita acima chamada retificao, e onde o diodo tem a sua mais importante
aplicao.
Como outras aplicaes do diodo retificador podemos citar: em detectores de pico, circuitos
limitadores, circuitos de proteo etc.
146
2.24 FONTES DE FORA ELETRNICA
Fonte: http://eletronicaparainiciantes.files.wordpress.com/2013/01/sem-tc3adtulo-1-cc3b3pia.jpg?w=1000
Figura 2-73
2.25 TIPOS DE FONTES DE FORA

Os circuitos que usam transistores, diodos ou circuitos integrados geralmente precisam de
uma fonte de fora CC para sua operao. Existem basicamente trs tipos de fonte de fora
CC:
Pilhas e baterias
Geradores CC
Fontes de fora eletrnica
As pilhas e baterias produzem tenso CC atravs da ao qumica. Os geradores CC usam

movimento mecnico para girar um condutor em seu campo magntico e assim produzir
uma tenso CC pulsante.
Pilhas e baterias so atualmente muito utilizadas, pois os modernos circuitos em estado slido
requerem potncias muito baixas comparadas com as necessrias aos antigos equipamentos
vlvula. Pilhas e baterias so essenciais aos equipamentos portteis e aos equipamentos
instalados em locais distantes da energia CC.
Porm um equipamento mais potente, nos quais o uso de pilhas ou baterias seria
impraticvel, a energia CC fornecida por uma fonte de fora eletrnica.
147
Uma fonte de fora eletrnica um circuito que fornece uma tenso CC para a operao de
outros circuitos eletrnicos. Existem as fontes eletrnicas que convertem tenso CA em CC
e as que convertem tenso CC em CA, sendo a primeira a mais utilizada.
A energia primria para a maioria das fontes de fora eletrnica a tenso CA de 60 Hz que
encontramos nas tomadas. A fonte converte esta tenso em tenso CC, ser utilizada pelos
circuitos eletrnicos, de acordo com as seguintes etapas:
Ajuste da amplitude da tenso CA
Retificao
Filtragem
Regulagem
A amplitude da tenso CA ajustada usando-se um transformador de ncleo de ferro.

Este transformador pode ser projetado para elevar a tenso CA aplicada quando uma alta
tenso CC de sada for necessria, ou pode ser projetado para reduzir a tenso CA quando
uma baixa tenso de sada requerida.
Aps efetuado o ajuste da amplitude da tenso CA, a mesma convertida em tenso CC.
Este processo chamado de retificao. A retificao efetuada por diodos retificadores
que, como j sabemos, so dispositivos que oferecem alta resistncia ao fluxo de corrente
em uma direo (de catodo para anodo) e baixa resistncia no sentido oposto (de anodo para
catodo).
A tenso de sada no retificador pode ser chamada de tenso CA retificada ou tenso CC
pulsante. Como na sada da fonte necessitamos de uma tenso CC sem variaes, um circuito
de filtro empregado logo aps o estgio retificador. Este circuito eliminar as pulsaes
existentes na sada do retificador. O filtro normalmente consiste de um capacitor, uma
combinao de capacitores e indutores ou uma combinao de capacitores e resistores.
A tenso obtida na sada do filtro pode ser aplicada diretamente carga. Porm essa tenso
poder variar devido a variaes da tenso CA de entrada e da carga. Essas variaes
poderiam prejudicar o desempenho do circuito em operao.
Para obtermos uma tenso de sada constante um circuito regulador colocado entre o
estgio de filtragem e a carga. O regulador efetua as compensaes necessrias causadas pelas
variaes da tenso CA de entrada e as variaes de carga, mantendo a tenso de sada
constante.
O regulador normalmente um circuito de controle por realimentao, composto por
transistores e outros semicondutores.
148
Ao utilizarmos uma pilha ou bateria como fonte de energia a tenso fornecida pode no ser
adequada ao circuito a ser alimentado.
Neste caso necessria uma fonte que converta a tenso disponvel na utilizvel.
Essas fontes so chamadas de conversores CC-CC. Essa converso da tenso CC de uma
dada bateria em um valor mais alto implica na converso da tenso CC da bateria em tenso
CA, atravs de um dispositivo de chaveamento eletrnico.
Esta tenso elevada ao valor desejado por meio de um transformador.
A tenso alternada do secundrio do transformador ento retificada para a tenso CC
pulsante, filtrada e aplicada carga atravs de um regulador. Por ltimo, existe o tipo de fonte
de fora que converte energia CC em CA, este chamado de conversor.
Este dispositivo necessrio quando se necessita de energia CA e s se dispe de baterias e
pilhas como fonte de energia, ou seja, s de energia CC. Como no caso de conversor CCCC a energia CC transformada em CA, por meio de chaveamento eletrnico, em seguida
elevada ao valor desejado, retificada e filtrada.
Os inversores so muito empregados em aeronaves, onde existem equipamentos que so
alimentados com energia CA.
A figura a seguir mostra o diagrama bsico em blocos de uma fonte de fora eletrnica.
Figura 2-74 Diagrama bsico de uma fonte de fora eletrnica

2.26 CIRCUITOS RETIFICADORES
O retificador aquela parte da fonte de fora que, atravs de diodos retificadores converte a
tenso CA do transformador em CC pulsante.
149
No retificador os diodos semicondutores, atuam como chaves unidirecionais, sensveis

polaridade e que permitem o fluxo de corrente atravs da carga em apenas uma direo.
Existem vrios tipos de circuitos retificadores como veremos a seguir.
Retificador de Meia Onda

No circuito retificador de meia onda apenas um diodo usado no processo de retificao. A
figura 2-75 mostra o circuito retificador de meia onda.
Figura 2-75 Circuito retificador de meia onda

Quando a polaridade da tenso no secundrio polariza diretamente o diodo D, ocorre um
fluxo de corrente atravs de RL. Quando a polaridade se inverte no ciclo seguinte, o diodo
polarizado inversamente e no h fluxo de corrente na carga como mostra a figura 2-76.
Pelas formas de onda da figura 2-76 podemos observar que durante o perodo de t1 a t2, em
que o diodo est conduzindo, parte da tenso aparece atravs do retificador e da resistncia
do secundrio do transformador, porm sua maior parte aparece sobre a resistncia de carga
RL. O diodo e o secundrio do transformador apresentam uma resistncia pequena quando
esto conduzindo. A queda de tenso sobre o diodo de aproximadamente 0,7 V, quando
este est conduzindo para diodos de silcio e 0,2 V para os diodos de germnio.
Figura 2-76 Formas de onda em um retificador de meia onda
150
No perodo de t2 a t3 o diodo est cortado pois, o ponto A no secundrio do transformador

(figura 2-74) negativo em relao ao ponto B, o que polariza o diodo inversamente. Nesta
situao nenhuma corrente fluir atravs da carga, no havendo tambm queda de tenso
sobre a mesma, e toda a tenso do secundrio do transformador cair sobre o diodo.
No perodo seguinte, de t3 a t4, o diodo conduzir novamente e a operao ser a mesma
verificada no perodo de t1 a t2, analogamente, a operao de t4 a t5 ser a mesma verificada
de t2 a t3. Com isso, teremos sobre RL uma tenso que consistir de uma srie de meias
ondas senoidais de mesma polaridade. A corrente atravs da carga RL ser uma srie de
pulsos que ocorrem na mesma frequncia da tenso CA da rede.
No circuito da figura 2-74 vemos que a polaridade da tenso de sada atravs da carga
positiva em relao terra, porm, se o diodo fosse invertido a sada seria negativa em relao
terra, pois a corrente fluir em direo oposta da anlise anterior. Se considerarmos o
diodo e o transformador como elementos ideais, ou seja, o diodo apresenta uma queda de
tenso igual a zero quando est diretamente polarizado e se comporta como um circuito
aberto, quando est inversamente polarizado e o transformador tem uma resistncia de
enrolamento igual a zero.
Durante os perodos t1, a t2 e t3 a t4, toda a tenso do secundrio do transformador seria
aplicada sobre a carga RL com estas condies ideais e durante os perodos t2 a t3 e t4 a t5,
nenhuma tenso apareceria sobre RL.
O valor mdio da forma de onda da corrente ou tenso na sada do retificador de meia onda
igual a 0,318 vezes o valor da corrente ou tenso de pico. Esta seria a tenso ou corrente
indicada por um tpico medidor CC de D'Arsonval conectado RL, se todos os componentes
fossem ideais. No entanto, na prtica esse valor um pouco menor devido s perdas no
diodo e na resistncia do enrolamento secundrio do transformador.
Retificador de Onda Completa

Como visto anteriormente o circuito retificador de meia onda produz uma srie de pulsos a
partir da tenso CA de entrada. Mesmo com o uso de filtros, difcil de se obter uma tenso
CC sem flutuaes na sada do mesmo. Um circuito retificador de onda completa utiliza os
dois semiciclos da tenso CA de entrada, de tal modo a obter uma tenso de sada mais
estvel.
Este circuito utiliza um transformador com center-tape, dois diodos retificadores e um
resistor de carga, como mostra a figura 2-77.
151
Figura 2-77 Circuito retificador de onda completa

Quando o ponto A, no secundrio do transformador positivo em relao ao ponto C, o
ponto B ser negativo em relao ao mesmo. Esta condio ocorre de t1 a t2 na figura 2-78.
Durante este perodo o diodo D1 conduzir e o diodo D2 no. A corrente ser como
indicado pelas setas cheias da figura 2-77.
Note que a corrente flui somente na metade do enrolamento do secundrio do
transformador.
Durante o perodo de t2 a t3, o diodo D2 conduz e D1 no. A corrente indicada pelas setas
tracejadas na figura 2-77. A figura 2-78 mostra as formas de onda das tenses nos pontos A,
B e C.
Figura 2-78 Formas de onda em um retificador de onda completa

Vemos na figura 2-78 que a tenso CC atravs da carga uma srie de pulsos unidirecionais,
porm h o dobro de pulsos que havia no retificador de meia onda.
Portanto, os pulsos de sada ocorrem em uma frequncia que o dobro da de entrada. Com
isso temos que a tenso mdia atravs do resistor de carga ser o dobro da tenso que era
produzida no circuito retificador de meia onda, ou seja, ser 0,636 vezes o valor de pico.
152
Um ponto importante a ser observado no circuito que apenas um diodo conduz de cada
vez, um no semiciclo positivo e outro no semiciclo negativo da tenso de entrada. O diodo
que no conduz sofre uma polarizao reversa de todo enrolamento, portanto, ambos os
diodos devem ser capazes de suportar esta tenso para garantir o bom funcionamento do
circuito.
Retificado em Ponte
Um retificador em ponte um circuito formado por quatro diodos conectados de tal forma
que desnecessrio o uso de um transformador com center-tape. Com essa configurao
obtm-se a retificao de onda completa com um enrolamento simples de secundrio. A
figura 2-79 mostra o circuito retificador em ponte.
Figura 2-79 Circuito retificador em ponte

No instante em que temos Ep positivo, ou seja, o ponto 1 positivo em relao ao ponto 2,
os diodos D2 e D4 conduzem (ficam em srie) pois, as tenses que aparecem sobre eles
propiciam um efeito como mostrado na figura 2-80.
Estes diodos conduzindo faro com que circule uma corrente no circuito, no sentido
indicado pelas setas cheias na figura 2-79.
Figura 2-80 Polarizao de D2 e D4 no semiciclo positivo da tenso de entrada

Quando Ep inverte a polarizao, o ponto 1 ser negativo em relao ao ponto 2, devido a
estes potenciais os diodos D1 e D3 conduzem (ficam em srie) como mostra a figura 2-81.
153
Figura 2-81 Polarizao de D1 e D3 no semiciclo negativo da tenso de entrada

Uma vez conduzindo, os diodos D1 e D3 propiciaro a circulao de uma corrente cujo
sentido o indicado pelas setas tracejadas na figura 2-79.
fcil verificar que mesmo Vs mudando de polaridade a corrente na carga circula sempre
no mesmo sentido, isto quer dizer que a corrente I1 possui somente uma polaridade, ou seja,
esta corrente contnua pulsante e consequentemente a tenso sobre a carga tambm o ser.
A figura 2-82 mostra as formas de onda no retificador em ponte.
Figura 2-82 Formas de onda da tenso de sada no retificador em ponte

Quando os diodos D2 e D4 conduzem os diodos D1, D3, o secundrio do transformador e
a carga R1 esto em paralelo. Desta maneira o circuito comporta-se como mostra o esquema
da figura 2-83.
Da maneira que os diodos D1 e D3 se encontram na figura 2-83, eles esto polarizados
inversamente e a tenso mxima que ficar sobre eles a tenso mxima fornecida pelo
secundrio do transformador.
A tenso na carga tambm ser igual tenso Vs. Analogamente, quando a tenso Vs muda
de polaridade, a tenso reversa sobre os diodos D2 e D4 ser a mesma tenso que aparece
no secundrio do transformador e a mesma na carga.
154
Figura 2-83 Esquema equivalente do circuito em ponte no semiciclo positivo da tenso de

entrada
Logo, pode-se concluir que a tenso de pico reversa sobre os diodos ter o mesmo valor da
tenso mxima fornecida pelo secundrio do transformador.
2.27 FILTROS
Como vimos a sada de qualquer circuito retificador a diodos uma corrente CC pulsante.
Este tipo de corrente inadequado para alimentar a maioria dos circuitos eletrnicos, os
quais geralmente requerem uma tenso CC constante para funcionar.
Numa fonte de fora eletrnica, usado um circuito de filtro para converter a onda CC
pulsante em uma onda CC pura. A seguir veremos a definio de Ripple e os filtros mais
comumente usados bem como o seu dimensionamento.
Fator de Ripple
A sada CC pulsante produzida pelos circuitos retificadores uma forma de onda complexa
que pode ser dividida em componentes CA e CC.
A finalidade do filtro remover a componente CA que chamada de ondulao ou ripple.
Figura 2-84 Forma de onda de sada de um retificador de meia onda

A figura 2-84 mostra a forma de onda CC pulsante da sada do retificador de meia onda.
A tenso CC mdia 0,318 vezes o valor de pico da tenso de entrada CA. O ripple ou
correspondente CA indicado pelas reas sombreadas abaixo e acima da mdia CC.
Podemos considerar o ripple como sendo uma forma de onda no senoidal sobreposta ao
nvel mdio CC. Note que se a fonte de fora opera com uma tenso de linha cuja frequncia
60 Hz, a frequncia de oscilao do retificador de meia onda 60 Hz. Portanto, o perodo
de oscilao igual
segundos ou 16,67 milisegundos.

155
A forma de onda da tenso de sada em um retificador de onda completa mostrada na

figura 2-85.
Figura 2-85 Forma de onda de sada de um retificador de onda completa

Pela figura podemos observar que no retificador de onda completa a mdia CC de sada o
dobro da de um retificador de meia onda, ou seja, 0,636 Ep. Isso se deve ao fato de termos
mais um pulso CC de sada por ciclo de entrada.
Novamente podemos considerar a ondulao como sendo um sinal no senoidal sobreposto
ao nvel CC mdio.
O valor pico-a-pico da ondulao igual a Ep, entretanto, a frequncia de ondulao de
120 Hz, quando a frequncia da tenso da linha de 60 Hz.
O perodo de oscilao , portanto igual a
ou 8,33 ms. O filtro reduzir a
amplitude pico-a-pico da ondulao e aumentar a tenso mdia CC de sada.

O filtro mais simples e tambm mais comumente empregado o filtro a capacitor, que
consiste de um capacitor ligado diretamente carga RL tanto no retificador de meia onda
como no de onda completa.
A figura 2-86 mostra o filtro a capacitor.
Figura 2-86 Filtro a capacitor

As formas de onda de um circuito retificador com filtro so mostradas na figura 2-87.
156
Figura 2-87 Forma de onda de tenso num circuito retificador com filtro
Na figura 2-87 vemos a tenso do secundrio do transformador bem como a tenso de sada
da fonte de fora EL. Inicialmente o capacitor C est descarregado, porm quando nele
aplicada a energia, se carrega rapidamente com o valor da tenso de pico do secundrio
durante o perodo de conduo do diodo. Sempre que a tenso do secundrio excede a tenso
de carga do capacitor o diodo conduz.
Quando a tenso do secundrio cai abaixo do valor da carga do capacitor, o diodo fica
polarizado inversamente e no conduz com isso o capacitor se descarrega atravs da
resistncia RL. Se a constante de tempo RC do capacitor for suficientemente grande, a
quantidade de energia que o capacitor descarregar durante os picos da tenso CA ser
pequena.
Como resultado teremos uma tenso CC na sada aproximadamente constante. O capacitor
reduz bastante a ondulao bem como aumenta a tenso mdia nos terminais de sada. A
tenso CC de sada se aproxima do valor de pico do secundrio. A reduo na ondulao
proporcional ao tamanho do capacitor. Quanto maior a capacitncia, menor ser a descarga
do capacitor durante o tempo em que o diodo no conduzir. O processo de filtragem da
tenso de sada do retificador de onda completa idntico ao usado no retificador de meia
onda, entretanto no retificador de onda completa o capacitor de filtro tem um tempo de
descarga menor, antes de ser carregado novamente, visto que neste circuito cada semiciclo
da entrada CA produz um pulso atravs da carga.
No circuito de meia onda, o tempo de descarga aproximadamente igual a um perodo
completo da onda senoidal de entrada, ou seja, aproximadamente 16 ms, para uma entrada
CA de 60 Hz.
Com isso temos que no circuito retificador de onda completa, para a mesma carga, o mesmo
capacitor de filtro e tenso de entrada, a ondulao ser muito menor e a tenso mdia CC
157
de sada maior do que no retificador de meia onda. A figura 2-88 mostra a sada do retificador
de onda completa com filtro.
Figura 2-88 Sada do retificador de onda completa com filtro
Teoria de Funcionamento do Filtro a Capacitor

Um mtodo de analisar o funcionamento do filtro considerar as variaes de corrente e
tenso em relao ao tempo.
A figura 2-89 mostra um circuito equivalente simplificado de um retificador de meia onda
com filtro capacitivo.
Neste esquema simplificado, a fonte CA representada por um gerador e sua resistncia
interna RS, o diodo representado por uma chave S que sensvel polaridade e o capacitor
C o filtro atravs da carga RL.
Figura 2-89 Circuito equivalente de um retificador de meia onda

Quando a polaridade do sinal CA for a apresentada na figura 2-89 a, o diodo conduzir e
atuar como uma chave fechada. Tem-se ento corrente circulando que far com que o
capacitor se carregue com a polaridade indicada. Durante o semiciclo seguinte, a polaridade
se inverte e o diodo fica polarizado inversamente, podendo ser considerado como uma chave
aberta, como mostrado na figura 2-89 b. Nesse perodo o capacitor se descarrega atravs da
carga RL. No circuito de carga, o capacitor se carrega de Rs para o pico da tenso aplicada.
Como Rs muito pequena, o capacitor se carrega rapidamente. Durante o semiciclo seguinte,
quando o diodo no conduz, o capacitor se descarrega atravs da carga. Como a resistncia
de carga RL muito maior que Rs, na descarga a constante de tempo maior. Para melhor
158
filtragem e mnima ondulao, a constante de tempo de descarga deve ser grande. Este
grande tempo de descarga pode ser conseguido com um alto valor de capacitncia e
resistncia, portanto o capacitor deve ser o maior possvel.
Com isso a constante de tempo RC ser grande o bastante para tornar mnima a descarga do
capacitor, durante os perodos em que o diodo no conduzir.
Clculo do Capacitor de Filtro

Embora filtros mais complexos possam ser construdos, para a maioria das aplicaes, o
simples capacitor de filtro mais adequado para atender a filtragem requerida.
As relaes entre corrente de carga, tenso de ondulao, valor do capacitor e tempo de
descarga, podem ser formulados atravs de uma simples equao, que apresentada a seguir:
onde:
C = Valor do capacitor de filtro em Farads;
I = Corrente CC, na carga, em ampres;
t= Perodo da tenso de ondulao CA, em segundos;
= Mxima tenso de ondulao pico-a-pico permitida, em volts.
Para determinarmos I, devemos conhecer o valor da resistncia de carga e a tenso CC de
sada desejada. O tempo t o perodo de descarga do capacitor de filtro e igual ao perodo
de ondulao CA.
Nos circuitos retificadores de meia onda, a frequncia de oscilao de 60 Hz, tornando t =
0,01667 s.
Nos circuitos retificadores de onda completa, a frequncia de oscilao de 120 Hz tornando
t = 0,00833 s.
Exemplo: Considere uma fonte de fora com retificador de onda completa, que tenha
uma tenso CC de sada igual a 5 V, sendo a mxima ondulao pico-a-pico permitida de
1 %. A corrente de carga 200 mA. Qual o valor mnimo do capacitor a ser usado?
I = 0,2 A
t = 0,00833 s
159
= 0,01 x 5 = 0,05 V
C = 33,33 MF
Na prtica deve-se usar um capacitor de valor um pouco superior a esse.
Outro fator importante a ser considerado na utilizao do capacitor de filtro a tenso de
operao do mesmo. Os capacitores em sua maioria so projetados para operarem com
tenso abaixo de um limite mximo.
Quando escolhermos a especificao da tenso mxima do capacitor, devemos ter certeza
que ela maior que a tenso de sada da fonte de fora. Geralmente aconselhvel deixarmos
uma faixa de segurana de 20 %.
O tipo de capacitor mais comumente usado em filtros o eletroltico de alumnio. Porm
para aplicaes em pequenas correntes, algumas vezes so usados capacitores de tntalum.
Tanto os capacitores eletrolticos como os de tntalum, so capacitores polarizados e devem
ser conectados no circuito com a polaridade correta, para que funcionem adequadamente.
Filtros LC e RC
Embora o filtro a capacitor seja o mais simples, pode-se melhorar a filtragem usando-se
indutores (Choques) e resistores em combinao com ele.
Um choque pode reduzir muito a amplitude de ondulao, visto que ele se ope s variaes
de corrente atravs dele.
A figura 2-90 mostra um filtro tpico com choque de entrada.
Figura 2-90 Filtro tpico com choque de entrada
160
Para a mesma carga e mesmo retificador, este circuito proporciona maior tenso de sada e
ondulao (ripple) mais baixa.
Os choques de filtro consistem de um enrolamento feito sobre um ncleo de ferro laminado.
Em consequncia, os choques so grandes, pesados e caros, o que os tornam geralmente
incompatveis com os circuitos de estado slido, que so pequenos e leves. Pode-se tambm
melhorar a qualidade da filtragem usando-se resistores associados a capacitores.
Usando-se resistores no lugar do choque no circuito (figura 2-90), a tenso de ondulao de
sada pode ser reduzida a um valor menor que aquele obtido com apenas um capacitor.
Quanto maior o valor do resistor, menor a tenso de ondulao, porm, certa quantidade da
tenso produzida pela fonte cai sobre esses resistores, o que reduz a tenso disponvel na
sada.
2.28 TIPOS DE PROTEO CONTRA SOBRECARGA
A sobrecarga uma das condies anormais mais comuns de ocorrer no emprego de fontes
de fora. Ela pode ser resultado de um curto-circuito nos terminais da fonte ou mesmo
devido ao mau funcionamento de algum componente do circuito. O mtodo mais usado para
proteger as fontes de fora contra sobrecarga o emprego de fusveis, que um elemento
sensvel corrente, ou seja, ele se abre quando a corrente que o atravessa excede um valor
especfico.
Fusveis
Como vimos, o fusvel um elemento dimensionado para proteger o circuito contra uma
corrente exclusiva. Ele consiste de um dispositivo condutor conectado em srie com o
circuito ao qual dever proteger. Caso a corrente no circuito exceda a um valor prdeterminado para o fusvel, o mesmo se romper, interrompendo o fluxo de corrente.
Durante o funcionamento normal, enquanto a corrente estiver abaixo da especificao do
fusvel, o mesmo simplesmente atuar como um resistor de valor muito baixo.
Um ponto a ser considerado que os fusveis no se abrem, ou se queimam exatamente no
instante em que a corrente excede o valor especificado. Esse tempo de rompimento
depender da magnitude e da durao da sobrecarga. Se a corrente atravs do fusvel exceder
a sua especificao apenas ligeiramente, ele levar muito tempo at se aquecer, fundir e se
romper.
161
Porm, se a sobrecarga muito maior que o valor especificado para o fusvel, seu
aquecimento e queima sero rpidos. Quanto velocidade os fusveis so disponveis em trs
faixas: ao retardada retardo mdio e alta velocidade.
Os fusveis de ao retardada so dimensionados para circuitos que algumas vezes devem
suportar sobrecargas de 200 a 400% acima da corrente nominal. Se essa sobrecarga durar
menos de 10 segundos, esse tipo de fusvel a suportar sem abrir.
Os fusveis de ao retardada tm sua maior aplicao em circuitos que so submetidos a
sobrecargas temporrias, tais como: circuito de partida de motores e circuitos de carga de
capacitores.
Os fusveis de retardo mdio so geralmente usados em circuitos que podem suportar uma
sobrecarga superior a 200% do valor especificado, por cerca de um segundo. Esses fusveis
so usados em aplicaes onde os componentes a serem protegidos podero ser,
ocasionalmente, submetidos a uma corrente ligeiramente superior ao valor mximo de
operao, sem se danificarem.
Os fusveis de retardo mdio se abriro em poucos segundos mediante sobrecargas de 100 a
200% do valor nominal. Os fusveis de ao rpida so projetados para abrir muito
rapidamente, mesmo com sobrecargas bem pequenas. So geralmente empregados na
proteo de circuitos delicados ou crticos.
Numa fonte de fora a principal aplicao do fusvel na proteo do transformador de
fora e dos diodos semicondutores. Os fusveis para a proteo do transformador de fora
so conectados no circuito do enrolamento primrio. Usa-se normalmente o de retardo
mdio. Qualquer sobrecarga no secundrio ser refletida como um aumento de corrente no
primrio e se no forem removidas podero danificar o transformador.
Se a corrente de carga for excessiva, ou se o capacitor de filtro entrar em curto, por exemplo,
pode-se usar um fusvel para efetuar a proteo apenas dos diodos retificadores. Esse fusvel
de ao rpida e conectado em srie com a sada do circuito retificador.
A figura 2-91 mostra a fonte de fora com os dois diodos de proteo.
Figura 2-91 Fonte de fora com diodos de proteo
162
No clculo do fusvel a ser utilizado, podemos adotar uma das frmulas abaixo e adquirir o
valor padro imediatamente superior do encontrado.
Para o fusvel de retardo mdio:
Para o fusvel de ao retardada:
Disjuntores (Circuit Breakers)

Disjuntores so dispositivos usados para proteo de circuitos. Quando h uma sobrecarga
no circuito o disjuntor se abre interrompendo o mesmo. A diferena entre o disjuntor e o
fusvel que o primeiro pode ser rearmado mecanicamente, isto , o disjuntor no se queima,
ele se desarma.
Os disjuntores podem ser acionados (desarmados) por magnetismo ou por efeito trmico.
Normalmente por efeito trmico.
Os disjuntores ou circuit breakers tm grande aplicao na aeronutica. Na linha de
alimentao eltrica das aeronaves geralmente cada equipamento possui seu circuit breaker
correspondente.
Quando houver o desarme de um disjuntor, o mecnico ou o piloto poder verificar se existe
alguma anormalidade no circuito e, se nada for constatado, o dispositivo poder ser
rearmado. No caso de novo desarme, a existncia de defeito est comprovada, exigindo assim
uma pesquisa mais detalhada no circuito.
A figura 2-92 mostra os smbolos usados na representao dos disjuntores.
Figura 2-92 Simbologia dos disjuntores
163

Caro aluno,
No mdulo III iremos tratar dos transistores de juno e polarizao de transistores.
Leia o contedo com ateno e anote suas dvidas...
Bons estudos...
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164
Fonte: http://www.ifi.unicamp.br/~kleinke/f540/carac/cbip08.gif
MDULO III
TRANSISTOR DE JUNO
INTRODUO
Caro aluno,
Neste mdulo estudaremos transistores de juno e polarizao de transistores.
O transistor de juno bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em ingls), o tipo
de transistor mais comum, devido sua facilidade de polarizao e durabilidade. Recebe este
nome porque o processo de conduo realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas)
e negativa (electres).
O transistor de juno bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido.
Os primeiros transistores foram produzidos com Germnio e passado algum tempo
comeou a ser utilizado o Silcio.
O objetivo dos inventores foi substituir as vlvulas termoinicas, que consumiam muita
energia, tinham baixo rendimento e funcionavam com tenses elevadas.)
Convido voc a seguir comigo, aprofundando seus conhecimentos.
Bons estudos...
Com a compreenso da constituio e comportamento dos elementos semicondutores, os
cientistas a partir de 1948, conseguiram construir um dispositivo que podia executar a funo
de uma vlvula eletrnica, como amplificador de corrente. Este dispositivo foi determinado
transistor.
165
Dos primeiros transistores cujas caractersticas eram bastante limitadas, at os atuais circuitos
integrados, que englobam dezenas ou centenas de diferentes dispositivos num minsculo
slido, o avano tecnolgico foi muito grande.
3.1 FORMAO DAS JUNES PNP E NPN
Um transistor de juno consiste em um cristal de silcio ou de germnio no qual existe uma
camada de silcio do tipo N entre duas camadas de silcio do tipo P, ou uma camada P entre
duas camadas N. No primeiro caso teremos um transistor chamado PNP e, no segundo, um
transistor NPN, como mostra a figura 3-1.
Figura 3-1 Transistores PNP e NPN

Com a formao das trs regies, aparecem automaticamente duas outras pequenas regies
internas, j conhecidas como barreira de potencial ou regio de depleo.
As barreiras de potencial so campos eletrostticos formados nas linhas de juno, da
seguinte maneira: na figura 3-2, os elementos P possuem grande quantidade de portadores
positivos e o elemento N grande quantidade de portadores negativos. A difuso de eltrons
da regio N e lacunas das regies P resulta em recombinaes nas linhas das junes,
ionizando os tomos das impurezas.
Os tomos ionizados com cargas diferentes (negativos na regio P, porque recebem eltrons,
e positivos na regio N, porque doavam eltrons), formam um campo eletrosttico que
paralisa o processo de difuso.
A difuso o movimento de portadores numa rea, onde esto mais concentrados, para uma
regio onde sua concentrao menor.
166
Figura 3-2 Barreiras de potencial num transistor PNP

A figura 3-3 mostra a simbologia usada na representao dos transistores PNP e NPN.
Figura 3-3 Smbolos dos transistores

Na representao simblica do transistor, a seta identifica o emissor, que o elemento que
emite portadores. O elemento oposto ao emissor chamado coletor, pois recebe os
portadores enviados pelo emissor. O elemento intermedirio denominado base.
A base controla o fluxo de portadores entre o emissor e o coletor. A seta sempre aponta para
o elemento negativo. Assim, se a seta apontar para o emissor, neste caso negativo teremos
um transistor NPN. Se a seta apontar para a base, o coletor e o emissor sero do tipo P
teremos ento um transistor tipo PNP.
Polarizao do Transistor NPN

O transistor s ir funcionar corretamente se tiver uma polarizao adequada.
Quando ligamos uma bateria na juno base-emissor, como mostra a figura 3-4, observamos
que corresponde a uma polarizao direta.
Figura 3-4 Transistor NPN em polarizao direta

167
Dessa maneira fluir ento uma corrente atravs da baixa resistncia da juno emissor-base.
Se aplicarmos tenso atravs da segunda juno, como mostrado na figura 3-5, fluir uma
corrente muito pequena atravs da resistncia da juno base-coletor, pois a polarizao
inversa.
Figura 3-5 Transistor NPN em polarizao inversa

Esta pequena corrente, que causada pelos portadores minoritrios, chamada de corrente
de fuga.
Consideramos at agora as duas junes polarizadas separadamente. A seguir veremos o
comportamento do transistor quando nele aplicamos as duas tenses ao mesmo tempo.
Figura 3-6 Transistor NPN polarizado
Analisando a figura 3-6, podemos ver que a corrente que passa pelo emissor ( ) se divide
em dois ramais uma que vai para o terminal da base ( ) e outra que vai para o coletor ( ),
temos que:
Apesar da polarizao inversa entre base e coletor, o valor da corrente do coletor muito
superior ao da corrente que flua quando o transistor era polarizado isoladamente. Nesta
situao
corrente
aproximadamente 98% de
, com isso podemos concluir que a quantidade de
depende da polarizao direta entre base e emissor. Este fenmeno pode ser
entendido analisando-se a figura 3-7.
168
Figura 3-7 Portadores em movimento no transistor NPN

Os eltrons na regio do emissor so repelidos pelo potencial negativo da fonte em direo
base, passando com facilidade pela juno base-emissor, pois a mesma est polarizada
diretamente apresentando assim uma baixa resistncia.
Alguns eltrons se recombinam com as lacunas existentes na base, formando a corrente de
base.
Como o nmero de lacunas na base inferior ao nmero de eltrons que nela penetram, e
tambm devido ao fato da base ter dimenses muito reduzidas, a maioria dos eltrons atinge
a juno base-coletor.
Esses eltrons que esto sendo atrados pelo potencial positivo do coletor ultrapassam a
juno base-coletor, chegando ao terminal positivo da fonte.
Este movimento de eltrons nos elementos do transistor constituem as correntes eltricas
atravs do mesmo.
Polarizao de um Transistor PNP

A anlise da polarizao do transistor PNP anloga ao do NPN, entretanto, para que a
juno emissor-base seja polarizada diretamente e a juno base-coletor inversamente,
necessrio mudar as polaridades das fontes, com relao s usadas no transistor NPN. Estas
polaridades esto apresentadas na figura 3-8.
Figura 3-8 Portadores no transistor PNP

169
As lacunas da regio do emissor, que so repelidas pelo potencial positivo da fonte em

direo base, ultrapassam a juno emissor-base com facilidade, pois a mesma est
polarizada diretamente e sua resistncia baixa. Novamente algumas destas lacunas se
recombinam com os eltrons existentes na base, constituindo a corrente da base IB. Devido
ao baixo nmero de eltrons existentes na base, a maioria das lacunas que nela penetram
alcanam a juno base-coletor. Estas lacunas que esto sendo atradas pelo potencial
negativo do coletor ultrapassam a juno base-coletor, chegando ao terminal negativo da
fonte.
Portanto enquanto o potencial positivo retira eltrons do emissor, o potencial negativo
fornece eltrons ao coletor.
3.2 GANHOS E AMPLIFICAO DO TRANSISTOR

Cada uma das junes de um transistor apresenta uma queda de tenso, que denominada
conforme a juno. Temos ento:
= tenso entre base e emissor
= tenso entre base e coletor
= tenso entre coletor e emissor
A maioria deles
+
. Podemos dizer que
a soma das outras duas, ou seja:
. Podemos tambm medir a tenso de um elemento qualquer do transistor em
relao terra. Neste caso temos ento:

= tenso entre base e terra
= tenso entre emissor e terra
= tenso entre coletor e terra
Estes termos so aplicados qualquer tipo de transistor em qualquer configurao.
Tipos de Configurao
O transistor pode ser ligado em um circuito de trs formas distintas: base comum, emissor
comum ou coletor comum. O nome da configurao referenciado ao elemento do
transistor que comum aos circuitos de entrada e de sada. A figura 3-9 mostra um transistor
NPN nas trs configuraes, respectivamente: base comum, emissor comum e coletor
comum.
170
Figura 3-9 Transistores nas configuraes

Cada configurao apresente vantagens e desvantagens que iro determinar a sua aplicao.
Ganhos do Transistor
Como a principal funo do transistor amplificar sinais o mesmo deve apresentar um
"ganho" de tenso e de corrente, ou seja, a tenso ou corrente de sada deve ser maior que a
tenso ou corrente de entrada.
Normalmente o maior interesse saber os ganhos referentes corrente alternada, mas
iniciaremos com exemplos do ganho com corrente contnua.
Consideremos o transistor na configurao mostrada na figura 3-10.
Figura 3-10 Transistor na configurao base comum

Com os valores atribudos para IE e IC temos:
Ganho de corrente =
Neste caso, o circuito no apresenta ganho de corrente, ou seja, h perda de corrente no
circuito porque a corrente de sada menor que a corrente de entrada.
O ganho de tenso a relao entre a tenso de sada Vo e a tenso de entrada Vi, ou seja:
171
Vo o produto da corrente de sada (Ic) e a resistncia de sada (Ro).

A Ro, que a juno base-coletor polarizada inversamente, de valor elevado.
A Vi o produto da corrente de entrada ( ) e a resistncia de entrada (Ri).
A Ri que a juno base-emissor polarizada diretamente de valor baixo.
Para o mesmo circuito de figura 3-10 suponhamos Ro = 10 K e Ri = 30. Temos ento que:
O ganho de potncia Gp a relao entre a potncia de sada (Po) e a potncia de entrada

(Pi). A Po o produto da tenso Vo e a corrente Ic. A Pi o produto da tenso Vi e a
corrente
Com os dados obtidos no exemplo anterior podemos calcular o ganho de potncia Gp:
Como podemos ver, apesar de no termos obtido ganho de corrente, os ganhos de tenso e
de potncia foram altos.
Esses ganhos so provocados pela passagem de corrente de uma juno de baixa resistncia
(base-emissor) para outra de alta resistncia (base-coletor).
Conclumos tambm que se soubermos os valores de dois ganhos de um determinado
transistor, o outro ganho pode ser calculado de forma simples e direta.
Uma vez que Gp = Gv
Gi como consequncia teremos:
Como os ganhos podem ser estticos (referentes corrente contnua) e dinmicos (referentes
corrente alternada), usa-se a letra maiscula para diferenci-los.
Os ganhos estticos so identificados pela letra "G" e os dinmicos pela letra "A".
Os ganhos de corrente tambm podem ser representados por uma letra grega que tambm
serve para identificar a configurao do transdutor. A letra " " (alfa) usada na configurao
base comum, a letra "" (beta) usada em emissor comum e a letra "" (gama) usada em
coletor comum.
3.3 AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO EMISSOR COMUM

172
No circuito do amplificador na configurao emissor comum o sinal de entrada aplicado

entre o emissor e a base e o sinal de sada retirado entre o coletor e o emissor, ou seja o
emissor o elemento comum entrada e sada do circuito.
A figura 3-11 mostra o amplificador na configurao emissor comum.
Figura 3-11 Ampliador em configurao emissor comum

Analisando o circuito, vemos que a juno base-emissor est polarizada diretamente e a
juno base-coletor, inversamente.
Devido a esta polarizao, o circuito de entrada apresenta uma baixa resistncia e o circuito
de sada uma alta resistncia. A resistncia de base RB tem por finalidade limitar a corrente
no circuito de base-emissor no valor desejado.
O resistor no circuito do coletor serve para obter variaes de
desenvolvendo no circuito de sada uma variao de
com as variaes de Ic,
dependente da variao da tenso
do sinal de entrada.
Descrio do Funcionamento
O circuito da figura 3-12 refere-se a um ampliador em emissor comum, com transistor PNP.
O coletor alimentado pela tenso Vcc, atravs de
e, atravs de
polariza
diretamente a juno base-emissor
173
Figura 3-12 Transistor PNP, em configurao emissor comum
O valor da corrente direta base-emissor (

da fonte
), depende dos valores de
e da prpria tenso
O valor da corrente
depende praticamente do valor da corrente
Geralmente o circuito polarizado para termos uma corrente mdia de base, em

consequncia a corrente do coletor tambm ser mdia.
Essas correntes mdias se estabelecem no circuito tenses
constantes como
mostrado na figura 3-13.
Figura 3-13 Tenses
no transistor PNP em configurao
Se a corrente de base aumentar ou diminuir a corrente do coletor, as tenses
tambm sofrero variaes proporcionais estas.

Estas variaes nas correntes e tenses do circuito podem ser causadas por um sinal senoidal
aplicado entrada do mesmo.
Faremos a seguir um estudo do comportamento do circuito emissor comum, com um sinal
senoidal aplicado entre a base e o emissor.
A figura 3-14 mostra um ampliador emissor comum com transistor PNP e os respectivos
grficos dos sinais de entrada e de sada.
174
Figura 3-14 Amplificador emissor comum com sinais de entrada e de sada

Admitamos que no instante inicial o sinal senoidal aplicado ao circuito de base aumente de
zero a um mximo positivo, como aparece na figura 3-14, no perodo de t0 a t1.
Como o circuito utiliza um transistor PNP, o sinal positivo crescente, aplicado na base,
diminui a polarizao direta base-emissor (
diminuio de
da tenso em
provoca a diminuio de
), diminuindo a corrente de base ( ). A

e da queda de tenso em
. Com a diminuio
, h um aumento da tenso negativa entre o coletor e o emissor (
) como
mostra o grfico de sada na figura 3-14.

Quando a tenso de entrada do circuito diminuir do mximo positivo para zero, isto , entre
os tempos t1 e t2, a polarizao direta aumenta proporcionalmente, aumentando
consequentemente
. Com o aumento de
Com o aumento da tenso em
,a
, a queda de tenso em
tambm aumenta.
diminui como mostrado no grfico da tenso de
sada na figura 3-14 entre os tempos t1 e t2.

A variao da tenso de entrada entre os tempos t2 e t3 continuar a aumentar a polarizao
direta, diminuindo mais a
, como tambm pode ser visto no grfico da tenso de sada
na figura 3-14.
Entre os tempos t3 e t4, no grfico do sinal de entrada, a tenso negativa e est variando
do mximo at zero. A tenso
tende a aumentar negativamente, devido a diminuio de
, que por sua vez tende a diminuir a
ea
. Com isso a queda da tenso em
tambm
diminui.
Observando os grficos de entrada e de sada na figura 3-14, na configurao emissor comum
vemos que entre eles existe uma defasagem de 180o. O funcionamento desse ampliador, tal
como o de base comum, caracterizado pela variao da corrente no circuito de base-emissor
que produz uma variao de corrente e tenso no circuito coletor. Estas variaes, plotadas
em grficos, representam as curvas caractersticas de entrada e de sada de um transistor.
Normalmente estas e tambm outras curvas caractersticas so fornecidas pelo fabricante do
componente.
3.4 CURVAS CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM
Curva Caracterstica de Entrada

175
Como vimos, a curva caracterstica de entrada de um transistor em configurao emissor

comum traada em funo das variaes da
, com determinada
de valor
constante.
Figura 3-15 Circuito e curva caracterstica de entrada do emissor comum

Observando o circuito da figura 3-15 vemos que as variaes de
podem ser
conseguidas atravs da atuao de um potencimetro conectado base do transistor.

Com a variao do cursor do potencimetro P1, haver variao da
se a
a partir de 0 A, passo-a-passo, observam-se as variaes de
e de
. Variando-
correspondentes.
Com os dados obtidos, plota-se um grfico semelhante ao da figura 3-15. Atravs dos
grficos das curvas de entrada do amplificador, podemos obter dados para o clculo da
polarizao de base, da resistncia de base etc.
A resistncia de entrada pode ser obtida em funo de uma dada variao de IB e de sua
correspondente variao de
No amplificador em configurao emissor comum o valor da Ri geralmente baixo, porm

maior que o valor da Ri do circuito em base comum.
O resistor de base
no circuito da figura 3-15 tem a funo de limitar a corrente de base
em um determinado valor. O clculo de
pode ser feito da seguinte forma:
Curva Caracterstica de Sada

As caractersticas de sada do amplificador em emissor comum, com relao a tenses e
correntes so obtidas com um circuito semelhante ao da figura 3-16.
176
Figura 3-16 Circuito para levantamento da curva caracterstica de sada do amplificador em

emissor comum
Com o valor de
ajustado e mantido constante, varia-se a tenso
anotando-se as variaes de
Com os dados obtidos das variaes de

curva de sada para a
passo-a-passo,
para cada variao da
, pode-se traar a
usada.
Por exemplo, podemos apresentar uma curva com
igual a zero e em seguida com
20 A.
Com a
de
ajustada para zero, aumenta-se a
em cada lance de variao da
grfico as variaes de
de zero at 10 V, anotando-se as variaes
, que pode ser de 1 em 1 Volt. Plotando-se em um
com
igual a zero e interligando os pontos marcados,
teremos uma curva semelhante da figura 3-17.
Figura 3-17 Variaes de
com
igual a zero
Em seguida, ajustando-se a
para 20 A, varia-se novamente a tenso
V anotando-se as correspondentes variaes de
de zero a 10
Com os dados obtidos plota-se no grfico a curva caracterstica correspondente s variaes

de
com
igual a 20 A. Essa curva mostrada na figura 3-18.
177
Figura 3-18 Variaes de
com
igual a 20 A
3.5 GANHOS DO TRANSISTOR EM EMISSOR COMUM
Ganho de Corrente
O ganho de corrente de um amplificador a relao entre a corrente de entrada e a corrente
de sada, ou seja, entre
. Como a corrente
bem maior que a corrente
,o
transistor ter um alto ganho de corrente na configurao emissor comum. Para designar o
ganho de corrente usa-se a letra grega "beta" "e o mesmo determinado pela frmula:
Os valores de
podem ser encontrados no grfico de curvas caractersticas do
transistor, como mostra a figura 3-19.
Figura 3-19 Curvas caractersticas de ganho de corrente do transistor

Para encontrarmos os dados em curvas para o clculo de corrente, traa-se primeiro uma
perpendicular ao eixo
variao de
, por exemplo, 10 V, como na figura 3-19. A seguir verifica-se a
para uma determinada variao de
Na figura 3-19, vemos que uma variao de 20 a 25 A na
ir produzir na IC uma variao
de 12,5 mA. Neste caso, o ganho de corrente ser:

178
Ganho de Tenso
Um transistor na configurao emissor comum apresenta um alto grau de tenso. O ganho
de tenso, analogamente ao ganho de corrente, a relao entre a tenso de sada e a tenso
de entrada, ou seja:
Para calcular o ganho de tenso podemos usar ainda a seguinte expresso:
Onde
chamado de ganho de resistncia, pois consiste da relao entre a resistncia de
sada e a resistncia de entrada.
Ganho de Potncia
Geralmente, o ganho de potncia nos circuitos em configurao emissor comum muito
alto.
O ganho de potncia o produto do ganho de corrente () pelo ganho de tenso (Gv)
GP = x Gv
3.6 CARACTERSTICAS ESTTICAS E DINMICAS DE UM AMPLIFICADOR EM EMISSOR
COMUM
O ponto de operao de um transmissor tambm denominado por ponto de trabalho ou
ponto quiescente.
Quando em operao sobre o transistor so aplicadas tenses e correntes de modo a se
estabelecer uma polarizao e fixarmos para o mesmo um ponto de operao.
O ponto quiescente designado pela letra "Q".
Reta de Carga
179
A linha ou reta de carga a reta que interliga, no grfico de curva de sada, o ponto de mxima
ao de mxima
O ponto de mxima
, para um determinado circuito ampliador.

est relacionado com a condio de saturao do transistor, que
quando as junes coletor e emissor esto diretamente polarizadas e o transistor

considerado um circuito aberto.
Em resumo, a reta de carga traada no grfico de curvas de sada nos mostra as condies
de funcionamento dinmico do circuito, entre os limites mximos e mnimos de
A figura 3-20 mostra a curva caracterstica de sada com a reta de carga para o circuito em
emissor comum.
Considerando o grfico da figura 3-20, adotaremos para
o valor de 6 V e para a mxima
o valor de 12 mA.
Figura 3-20 Curva caracterstica com reta de carga para o amplificador na configurao
emissor comum
Temos ento a reta de carga traada entre esses dois extremos. Se o

ea
6 V, o valor da resistncia de carga
mximo de 12 mA
pode ser calculado pela lei de Ohm:
180
Ainda observando o grfico da figura 3-20, partindo do cruzamento das curvas de

reta de carga, vemos que com 20 A de
,a
com a
ser aproximadamente 1,8 mA e a
de
5,5 V.
Como a corrente de sada de um amplificador depende da corrente de entrada, devemos
escolher qual corrente desejvel para o circuito de base.
No caso escolheremos uma
de 40 A. Marcaremos no grfico de sada, como ponto Q o
cruzamento da reta de carga com a curva de 40 A de

o valor da
. Escolhida a
podemos encontrar
no grfico da curva de entrada que aproximadamente 0,16 V. Com esses
dados o valor da resistncia de base ( ) pode ser encontrado pela frmula dada a seguir:
Anlise do Circuito Emissor Comum Polarizado

O circuito da figura 3-21 mostra um transistor PNP, tipo 2N408. Como polarizao o
fabricante sugere os seguintes valores:
Quando o circuito for ligado, o resistor

determinar uma
limitar a corrente de base em 40 A. Essa
de aproximadamente 3,5 mA, como poder ser visto no grfico da
figura 3-20, pela projeo do ponto "Q", perpendicularmente ao eixo de

Sendo
3,5 mA, passando atravs de
, a qual podemos considerar 500 , determinar
uma queda de tenso que pode ser calculada pela frmula abaixo:
181
Figura 3-21 Amplificador em emissor comum com transistor PNP

Se a queda de tenso em
de 1,71, a tenso
ser igual a:
Um circuito polarizado com esses valores encontrados tende a permanecer estaticamente

nesta situao. Qualquer desequilbrio de corrente no circuito de base tende a alterar as
condies de
, no circuito de sada.
Aplicando-se um sinal senoidal de 0,04
na entrada desse circuito, todas as correntes e
tenses estticas do circuito tendem a variar na mesma relao senoidal.

Estas variaes podem ser traadas no grfico de curvas de entrada e no de sada conforme
mostra a figura 3-22.
Figura 3-22 Curvas de entrada e de sada em emissor comum
A figura 3-22 mostra o grfico das variaes de
em funo das variaes da
produzidas pelo sinal de 0,04 pp aplicado base do transistor.

Atravs dessas curvas podemos obter dados para calcular os ganhos dinmicos que se
referem a uma condio de funcionamento do circuito.
O ganho dinmico de um amplificador depende das caractersticas do mesmo. Existem
amplificadores para ganho de tenso e outros para ganho de corrente.
3.7 GANHOS DINMICOS DO CIRCUITO EMISSOR COMUM
Ganho de Corrente
182
No grfico da figura 3-22 vemos que uma variao de

carga produz uma variao de
de 20 A a 60 A sobre a linha de
de 1,7 a 5 mA. O ganho de corrente do amplificador ser
aproximadamente igual a 82.
Ganho de Tenso
Para o circuito em estudo o ganho de tenso pode ser encontrado atravs dos grficos de
entrada e de sada do circuito.
No grfico da figura 3-22 vemos que uma variao de
produzir uma variao de
de 0,14 a 0,18 V(ou seja 0,04 V)
de 40 a 60 A. Esta variao de
produz na
uma
variao de 3,5 a 5,3 V.

O ganho de tenso ser, portanto:
Ganho de Potncia
A potncia de entrada para o circuito da figura 3-21 dada por:
A potncia de sada conforme os dados obtidos nos grficos de sada do amplificador em

funo do sinal de 0,04 Vpp, ser:
Com isso o ganho de potncia do circuito ser:
O amplificador em configurao emissor comum, como verificamos, oferece ampliao alta

em relao ao de base comum.
Esta ampliao varia conforme o valor da
.
183
Com
de valor alto o ganho de corrente baixo e o de tenso alto. Com
de valor
baixo o ganho de corrente alto e o de tenso baixo.

A figura 3-23 mostra os grficos de ganhos de corrente e tenso, em funo do valor de
.
Figura 3-23 Ganhos de corrente e tenso em funo da resistncia de carga

3.8 AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO COLETOR COMUM
No amplificador em configurao coletor comum, o circuito de entrada de sinal entre a
base e o coletor, e o circuito de sada entre o emissor e o coletor. O coletor comum aos
circuitos de entrada e de sada.
Na figura 3-24 A vemos um circuito coletor comum com um transistor PNP e na figura 324 B o mesmo circuito com transistor NPN.
Figura 3-24 Configurao coletor comum

184
O transistor em configurao coletor comum polarizado, como as outras configuraes,

diretamente entre base e emissor e inversamente entre base e coletor.
Nos circuitos da figura 3-24 a polarizao direta de base para emissor feita por
enquanto que
limita a
polariza inversamente o circuito base-coletor.

ao valor desejado e
, no circuito de emissor, a resistncia de carga. A
finalidade desta resistncia permitir que se desenvolva, na sada, uma variao de tenso
que depende da variao de tenso que depende do sinal de entrada. Como neste tipo de
circuito a tenso de sada retirada do emissor, ele tambm denominado seguidor de
emissor.
Funcionamento do Amplificador em Coletor Comum

Na figura 3-25 est esquematizado um circuito amplificador em emissor comum, com
transistor PNP, no qual vemos que a fonte de tenso
atravs de
e,
alimenta o coletor e o emissor
alimenta a juno base-emissor atravs de
Supondo que o circuito esteja polarizado para uma corrente de base mdia, a corrente de
emissor tambm ser mdia.
Estas correntes mdias estabelecem, no circuito, tenses de base e de emissor constantes,
conforme pode ser visto nos grficos A e B da figura 3-25.
Figura 3-25 Amplificador em configurao coletor comum

Se
variar em funo de uma tenso senoidal, a
que provocar a variao da tenso em
sofrer variao, variando tambm a
. A tenso em
pode ser denominada de
(tenso de emissor).
185
Atravs do circuito da figura 3-26, estudaremos o comportamento do amplificador em

coletor comum, com sinal senoidal aplicado base. O grfico "A" representa a tenso do
sinal de entrada, dividida em tempos, e o grfico "B" representa o sinal de sada tambm
dividido em tempos.
Suponhamos inicialmente que o sinal aplicado base aumente de zero ao mximo positivo,
como de t0 a t1, no grfico "A" da figura 3-26. Sendo o transistor PNP este sinal positivo
crescente diminui a polarizao direta (
diminuio da
e da tenso em
), diminuindo a
. A diminuio da
produz a
, como mostra o grfico "B" da figura 3-26 entre os
tempos t0 e t1. Com a diminuio da tenso do mximo positivo para zero, como aparece
no grfico "A" entre os tempos t1 e t2, a polarizao direta na base aumente
proporcionalmente, aumentando a
e da queda de tenso em
. Com o aumento da
h tambm um aumento da
, com um consequente aumento relativo de
, como pode ser
visto no grfico "B" da figura 3-26, entre os tempos t1 e t2.

A variao da tenso de entrada, entre os tempos t2 e t3, continuar a aumentar a polarizao
direta (
), aumentando mais a
, com consequente aumento de
Entre os tempos t3 e t4 da tenso de entrada, a polarizao direta diminui, diminuindo a

a
ea
, como mostrado no grfico "B" entre os tempos t3 e t4.
Figura 3-26 Amplificador em configurao coletor comum com sinal aplicado entrada
Atravs dos grficos A e B, verificamos que neste tipo de circuito os sinais de entrada e de
sada esto em fase.
Como vimos o funcionamento do amplificador em configurao coletor comum, est ligado
s variaes de tenso e corrente do emissor, produzidas pelas variaes de corrente na base.
Estas variaes de tenses e correntes so plotadas em grficos como nas outras
configuraes. Estes grficos representam as caractersticas do transistor nesta configurao.
Caractersticas do Amplificador em Coletor Comum

186
Estudaremos neste tipo de montagem do transistor, os ganhos relativos tenso, corrente,

potncia e resistncia.
Ganho de Tenso
O ganho de tenso do amplificador em configurao coletor comum definido como sendo
a relao entre as variaes de tenso de sada, que aparece em
, e a de entrada (aplicada
na base).
Neste tipo de configurao, o valor numrico do ganho de tenso depende do valor de
e nunca maior que a unidade.
Isto acontece porque, conforme vemos no circuito da figura 3-26, o sinal aplicado na base
em srie com
As variaes de tenso em
produzem uma forte realimentao negativa que tende a
diminuir a polarizao direta base-emissor.
Ganho de Corrente
Nas curvas caractersticas de sada do circuito em configurao coletor comum, que aparece
na figura 3-28, vemos que a corrente de sada a
e a de entrada a
. Sabendo-se que o
ganho de corrente a relao entre as correntes de sada e de entrada, conclumos que, neste
circuito, h um alto ganho de corrente, o qual poder ser calculado pela frmula:
Ganho de Potncia
Embora o ganho de tenso desta configurao seja muito baixo, o elevado ganho de corrente
determina um ganho de potncia considerado alto. O ganho de potncia pode ser
determinado, multiplicando-se o ganho de corrente pelo ganho de tenso.
Ganho de Resistncia
187
Sendo o ganho de resistncia a relao entre a resistncia de sada e a de entrada, faz-se

necessrio conhecer estes dois valores para a determinao do ganho de resistncia.
1) Resistncia de entrada: a resistncia de entrada do circuito em coletor comum
normalmente muito alta, por causa da realimentao negativa do circuito. Tambm
devemos considerar o circuito de entrada base-coletor, que polarizado inversamente.
2) Resistncia de sada: a resistncia de sada deste tipo de circuito normalmente
pequena e depende quase que exclusivamente do valor de
. Podemos concluir que este
tipo de configurao tambm no apresenta ganho de resistncia.

As caractersticas principais do circuito em coletor comum so: ganho de tenso menor que
a unidade, alto ganho de corrente, alto ganho de potncia, alta resistncia de entrada e baixa
resistncia de sada.
Na figura 3-27 vemos dois grficos que mostram os ganhos de tenso e corrente, conforme
o valor de
Figura 3-27 Ganhos de tenso e corrente em funo da resistncia de carga

3.9 LINHA DE CARGA NO CIRCUITO COLETOR COMUM
O grfico apresentado na figura 3-28 representa a caracterstica de sada do transistor 2N408
em coletor comum. Vemos nele que a corrente de sada a
No circuito, vemos que o valor da tenso
A linha de carga liga os pontos de mxima
de 6 V e
e a tenso de sada a
de 500 .
, neste caso 6 V, e mxima
exemplo de 12 mA. Devemos lembrar que a mxima
, que neste
a condio do circuito com o
188
transistor saturado ou em curto e a mxima
a condio do circuito com o transistor
considerado em circuito aberto.

Para o estudo das caractersticas deste circuito, ele foi polarizado estaticamente conforme
aparece no grfico da figura 3-28.
Neste grfico vemos que a
0,2 V com 40 A de
esttica de 40 A. Considerando o valor da tenso
, o valor de
Observamos no grfico que, com

corrente passando por
em
poder ser calculado.

de 40 A, a
, aproximadamente 2,9 mA. Esta
, cujo valor de 500 determinar uma queda de tenso de 1,45 V
(500 x 2,9 mA = 1,45 V).

Conforme vemos no circuito, o sentido da corrente no resistor
faz com que o emissor
fique com uma tenso negativa de 1,45 V.

Como o valor de
de 0,2 V, para que a juno base-emissor fique polarizada
diretamente, a tenso de base dever ser de -1,65 V, visto que o emissor est com uma tenso
negativa de 1,45 V.
Se a tenso de base deve ser de -1,65 V, podemos retirar esta tenso de
um resistor (
, intercalando
) em srie, como limitador da tenso restante, ou seja, 4,35 V.
Sabendo-se que a corrente que dever circular por
de 40 A, o seu valor (
) pode
ser calculado da seguinte forma:
O comportamento dinmico deste circuito com transistor PNP pode ser agora analisado.
Notamos que a sua condio esttica com relao a correntes e tenses vista nas curvas
caractersticas, ou medidas, se o circuito fosse montado experimentalmente, conforme os
valores de tenso
Nas curvas, vemos que com

situao, a
, que o constituem.
de 40 A a
ser igual a -1,45 V (
ser de 2,9 mA e a
=
de 4,55 V. Nesta
).
Se um sinal com tenso senoidal for aplicado no circuito de base, a

. A variao da
produzir variao na
. Estas variaes de
variar, variando a
,
podem ser
vistas no grfico da figura 3-28.
189
Figura 3-28 Circuito e curva caracterstica de sada da configurao coletor comum
Fonte: http://www.lsi.usp.br/~eletroni/frames3/poli/labelo1/polariza/Image35.gif
3.10 ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE TRANSISTORES

Ao lanar um transistor no comrcio, o fabricante fornece todas as informaes sobre ele e
as inclui em seus manuais para facilitar o trabalho dos tcnicos e projetistas de circuitos. Uma
das principais informaes fornecidas a famlia de curvas caractersticas de sada do
190
transistor. De posse dela, entre outras coisas, podemos traar a linha de carga e a curva de
mxima dissipao de potncia. A primeira nos possibilita a escolha do ponto "Q" (ponto
quiescente) ou POE (ponto de operao esttica) e a segunda nos assegura se o transistor
est trabalhando dentro de seus limites.
Aparentemente, para que um transistor no se danifique durante seu funcionamento, baste
que ele trabalhe dentro dos limites de dissipao de potncia. Entretanto, existem outros
aspectos a serem considerados, tais como: corrente, tenso e temperatura.
Portanto, antes de entrarmos no traado da curva de mxima dissipao de potncia, faremos
consideraes sobre essas limitaes.
3.11 LIMITAES DOS TRANSISTORES BIPOLARES
Como qualquer componente eletrnico, o transistor em funcionamento normal, no deve
ultrapassar os valores limites de tenso, corrente, potncia, temperatura e frequncia,
fornecidos pelo fabricante, sob pena de desempenho no satisfatrio, diminuio do tempo
de vida ou mesmo destruio do componente.
Limitaes de Correntes
O fabricante especifica a corrente de coletor (mxima absoluta) que pode fluir no transistor,
embora esta definio no seja muito clara, uma vez que na realidade, desde que a potncia
dissipada no ultrapasse o valor tambm especificado por ele, a corrente do coletor pode ser
aumentada at um ponto que no destrua o material do transistor. Entretanto, mesmo sem
exceder a potncia especificada, a corrente pode ser suficientemente alta a ponto de destruir
os fios de conexo dos dispositivos, embora a corrente necessria para tal, seja bem maior
que a especificada como corrente mxima absoluta.
Embora o dependa do transistor, ele pode sofrer variaes de acordo com o valor de
Assim, para valores muito elevados de corrente, o diminui. A figura 3-29 nos mostra trs
curvas para alguns tipos de transistores.
191
Figura 3-29 Ganho em funo da
para vrios transistores
Na figura 3-30, so apresentadas as curvas caractersticas de sada e delimitada a faixa

possvel de operao, em termos de corrente do coletor. Nesta figura estamos considerando
apenas a limitao de corrente do coletor.
Ainda com relao s especificaes de correntes, o fabricante fornece, s vezes, os valores
limites das correntes de base e de emissor.
Limitaes de Tenses
Como limitao de tenso, geralmente o fabricante fornece os valores mximos das tenses
entre os trs terminais, ou seja, os valores mximos de VBE, VBC e VCE, quando as junes
so polarizadas inversamente.
Sabemos que, no funcionamento normal do transistor, a juno base-emissor polarizada
diretamente, mas o fabricante costuma dar a tenso mxima inversa, caso ela venha a ser
polarizado inversamente, fato que ocorre, quando o transistor usado como chave.
Quanto juno base-coletor, ela normalmente polarizada no sentido inverso, havendo,
portanto, necessidade de fornecer os valores mximos inversos de VBC e VCE.
192
Figura 3-30 Delimitao da regio de funcionamento de um transistor em funo da mxima

IC
Lembramos que VCE = VBC + VBE. Portanto, dados os valores de VBE e VCE, VBC estar
praticamente definida, pois basta verificar a diferena entre os valores dados para se obter
VBC.
Por exemplo, se um transistor de silcio est funcionando em um circuito com VBE = 0,6V
e VCE = 10V, forosamente a tenso inversa presente na juno base-coletor ser:
-
= 10 - 0,6 = 9,4V Os limites dessas tenses so fixados, por causa do efeito de
ruptura que ocorre quando se aumenta a tenso inversa de uma juno.

Por exemplo, se a tenso inversa entre base e coletor for aumentando, com IE = 0, ser
atingida a tenso de ruptura (tenso Zener) e haver um brusco aumento na corrente de
coletor. Isto acontece tambm quando a corrente de emissor diferente de zero.
Figura 3-31 Curvas caractersticas de sada da configurao base comum, destacando a tenso
de ruptura da juno base-coletor.
193
A figura 3-31 mostra a ocorrncia do fato com diversos valores de corrente de emissor. Esta
figura mostra tambm que o fabricante fornece a BVBCO, que a tenso de ruptura entre o
coletor e a base. A letra "B" significa ruptura (Breakdown em ingls) e a letra "O" significa
que o emissor est aberto (Open).
Geralmente, o fabricante especifica tambm a tenso mxima permissvel entre o coletor e o
emissor, com a base aberta. Esta especificao dada em termos de BVCEO, tenso inversa
de ruptura entre o coletor e o emissor. O conjunto de curvas representativas deste fenmeno
ilustrado na figura 3-32.
Figura 3-32 Curvas caractersticas de sada da configurao emissor comum, destacando a

tenso de ruptura da juno emissor-coletor.
Limitaes de Potncia
Alm das limitaes de corrente e tenso a limitao de potncia das mais importantes para
os transistores, bem como para todos os dispositivos semicondutores e at mesmo para
todos os componentes eltricos.
No funcionamento do transistor, o calor gerado na juno base-coletor, onde quase toda a
tenso externa aplicada.
Por exemplo, num circuito em emissor comum, a potncia gerada no transistor dada
aproximadamente por IC x VCE. Essa limitao de potncia, ou seja, a mxima potncia que
o transistor pode dissipar com segurana, depende da temperatura mxima permissvel para
a juno base-emissor (especificada pelo fabricante), da mxima temperatura ambiente de
operao do circuito (avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados para dissipar o calor
produzido na juno base-emissor.
O fabricante especifica a potncia mxima para o transistor, considerando o seu
funcionamento temperatura de 25o C.
194
3.12 CURVA DE MXIMA DISSIPAO DE POTNCIA

O traado dessa curva feito sobre as curvas caractersticas de sada do transistor. Para
facilitar a compreenso, sero omitidos os valores da corrente de entrada.
Sendo a potncia dissipada no transistor igual ao produto de IC pela VCE, temos:
P = IC x VCE
Se fixarmos a potncia mxima que o transistor pode dissipar, em uma determinada
temperatura, e considerarmos IC e VCE como variveis, teremos:
Pmx = IC x VCE
De posse do valor de Pmx podemos atribuir valores a VCE, encontrar os valores
correspondentes de IC e determinar os vrios pontos da curva, que possibilitaro o seu
traado.
Por exemplo, se um transistor pode dissipar no mximo 1W a 25o C, podemos determinar
que ele opere com uma VCE de 4 V, e assim determinarmos a sua IC.
Com o valor suposto de VCE e o valor de IC encontrado, determinamos o ponto "X", que
ser um dos pontos da curva, ilustrada na figura 3-33. Se montarmos uma tabela e atribuirmos
valores a VCE, encontraremos os valores correspondentes de IC que, combinados com os
valores de tenso, determinaro os pontos A, B, C, D, E, F e G, no grfico da figura 3-33.
Tabela para determinar IC em funo de VCE com "P" constante
195
Figura 3-33 Curva de mxima dissipao

A curva obtida, interligando-se os pontos encontrados na tabela. Esta curva tambm
chamada de curva de potncia constante.
Quanto mais alta for a temperatura de trabalho do transistor, menor ser a sua regio de
operao. A figura 3-34 mostra como a variao de temperatura afeta a regio de operao
do transistor. Em alguns casos, em que o transistor precisa operar com altas correntes (da
ordem de Ampres), so usados sistemas de refrigerao para reduzir a temperatura e ampliar
a regio de operao.
Figura 3-34 Efeito da variao de temperatura sobre a regio de operao do transistor
196
Linha de Carga
A linha de carga (ou reta de carga) a linha que cruza a famlia de curvas de sada. Essa linha
possibilita aos tcnicos e projetistas, a escolha do ponto "Q", que determina os valores de
tenso e corrente que polarizam o transistor.
Em qualquer das trs configuraes ela traada, levando-se em conta a curva de mxima
dissipao de potncia.
Duas situaes de funcionamento do transistor determinam as extremidades da linha de
carga de um amplificador: corte e saturao. Para encontrar o extremo inferior da reta (ponto
"A" no grfico da figura 3-34), supomos o transistor em corte (IC = 0).
Nesse caso VCE igual tenso da fonte de alimentao.
O extremo superior (ponto B) encontrado, supondo-se o transistor em saturao. Nessa
situao ele apresenta resistncia nula em sua juno coletor-emissor, determinando uma VCE
igual a zero volt, ficando a corrente de coletor limitada apenas pelo resistor de carga (RL).
Pelo que j vimos at aqui, fica evidente que a reta de carga determinada por dois valores:
tenso de alimentao e valor de RL.
Figura 3-35 Traado da reta de carga

Na escolha da tenso de alimentao e do valor de RL, devemos observar a mxima dissipao
de potncia especificada. Para maior segurana, no devemos permitir que a reta toque a
curva de mxima dissipao, pois se o circuito de polarizao no contar com uma boa
estabilidade, qualquer aumento na temperatura ambiente poder fazer com que a potncia,
dissipada pelo transistor utilizado, ultrapasse a especificada pelo fabricante, levando o
transistor sua danificao permanente.
197
Na figura 3-36 temos a curva de sada com trs linhas de carga, referentes a um amplificador
na configurao emissor comum, onde podemos selecionar diferentes valores de RL e de VCC.
Quando queremos que o circuito opere como amplificador de potncia, escolhemos valores
que determinem uma reta de carga mais inclinada, como a de RL1, aproveitando toda a
potncia que o transistor pode oferecer. Nesse caso o circuito deve contar com uma tima
estabilizao de polarizao que, geralmente, exige o emprego de diodos termistores. bom
observar que na especificao da potncia mxima de um transistor, feita pelo fabricante,
deixada uma pequena margem de segurana com a qual o tcnico e o projetista no devem
contar.
Observando ainda a figura 3-36, fcil concluir que com a mesma VCC (6 V) podemos
determinar a reta de carga que mais interessar, variando apenas a R L, a exemplo das retas
correspondentes RL2 e RL3.
Figura 3-36 Traado da reta de carga em funo de RL e VCC

3.13 INSTABILIDADE TRMICA DOS TRANSISTORES
J de nosso conhecimento que os transistores so instveis variao de temperatura. Esse
fenmeno devido s caractersticas intrnsecas do material bsico, usado na sua confeco.
Por causa dessas caractersticas, quando polarizado, o transistor apresenta uma pequena
corrente indesejvel, chamada de corrente inversa, corrente de fuga ou ainda ICBO. Esta ICBO
a corrente que flui entre o coletor e a base, estando o emissor em circuito aberto, conforme
aparece na figura 3-37.
Quando o transistor polarizado como na figura 3-38, ao atingir o circuito de base a ICBO
sofre uma amplificao, conforme o fator beta do transistor. Esta amplificao da ICBO d
198
origem ICO, que definida como sendo a corrente inversa do transistor, no circuito coletor.
O valor de ICO pode ser calculado atravs da seguinte frmula:
ICO = ( + 1) ICBO
Se o valor de ICBO se mantiver a um nvel pequeno, como o normal previsto para uma
determinada temperatura, os problemas apresentados no sero prejudiciais ao circuito.
Porm, se a ICBO sofrer um aumento, principalmente ocasionado pelo efeito trmico, o
resultado ser um aumento de IC (corrente direta de coletor). Isto pode ser provado atravs
da seguinte equao:
IC = x IB + ICO
Substituindo ICO pela sua equao correspondente, teremos:
IC = x IB + ( + 1) ICBO
Figura 3-37 Corrente entre base e coletor, com emissor aberto
Figura 3-38 Correntes inversas no transistor polarizado

No caso da IC aumentar em funo do aumento da ICBO, o ponto "Q" do circuito sofrer um
deslocamento ao longo da reta de carga.
A mudana do ponto "Q" pode ser cumulativa e pode destruir o transistor. As medidas
utilizadas para contornar esta situao so os sistemas de polarizao automtica.
199
importante frisar que a ICO flui no coletor, independente da corrente de base. Isto pode ser
verificado na curva caracterstica de sada do transistor, ilustrada na figura 3-39.
Nesta curva vemos que com IB igual a zero flui uma pequena IC.
Figura 3-39 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum.

A ICO normalmente especificada pelo fabricante e consta nas caractersticas do transistor.
Seu valor fornecido para determinadas temperaturas, geralmente 25o C.
O aumento de temperatura nas junes de um transistor comea, normalmente, por um
aumento na temperatura ambiente ou mesmo devido ao funcionamento normal do circuito,
ainda que instantneo. Neste caso, por causa do transiente que leva o transistor a dissipar
maior potncia.
Em qualquer situao, o circuito deve estar em condies de manter-se em bom
funcionamento e, para isto, depende de como ele est polarizado e estabilizado.
J de nosso conhecimento que a polarizao estabelecida para um transistor pela
especificao dos valores quiescentes da tenso entre coletor e emissor e da corrente de
coletor. Uma operao confivel do transistor dentro de um grande intervalo de temperatura
requer que a tenso e a corrente de polarizao permaneam estveis. Todavia, variaes da
corrente inversa em funo da variao de temperatura, prejudicam a estabilidade da
polarizao se no forem empregados circuitos de compensao.
A figura 3-40 mostra a variao da ICBO em funo da variao de temperatura da juno
base-coletor. O valor da corrente de fuga de 1 mA a 125o C. Em temperaturas abaixo de
10o C a corrente no causa problema.
200
Figura 3-40 Variao de ICBO em funo da temperatura da juno base-coletor
Anlise da Polarizao de um Transistor

A polarizao de um transistor, em princpio, seria bastante simples. Bastaria aplicar tenses
contnuas aos elementos do transistor, de modo que as correntes permanecessem estticas,
em um nvel mdio e constante. Tomemos como exemplo o transistor 2N408, cujas
caractersticas de sada aparecem no grfico da figura 3-41.
Atravs deste grfico verificamos as condies de trabalho do transistor. A linha de carga foi
traada entre os limites de 6V, para mxima VCE, e 60 mA, para mxima IC.
Figura 3-41 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum,

com reta de carga e ponto "Q"
201
Na figura 3-42, o transistor utilizado de germnio e a IB escolhida foi de 0,3 mA. O valor
de RB foi determinado da seguinte forma:
Figura 3-42 Transistor PNP polarizado

Pela anlise do circuito e das curvas caractersticas de sada, podemos verificar os valores de
tenso e corrente CC, estticos, para o circuito. Com a projeo de perpendiculares, do ponto
de cruzamento de IB com a linha de carga, para os eixos de IC e VCE, verificamos que a IC e
a VCE sero, respectivamente, 26 mA e 3,4V.
Nesta situao podemos dizer que, com IB de 0,3 mA, a IC ser de 26 mA e a VCE ser de 3,4
V, no circuito da figura 3-42.
A IC, para uma IB de 0,3 mA, pode ainda ser calculada atravs do fator beta do transistor, que
neste caso ser em torno de 86.
J vimos que IC, considerando-se ICO, pode ser formulada da seguinte forma:
IC = x IB - ICO
Se a ICO aumentar, com o acrscimo da temperatura, a IC tambm aumentar.
Observe, no circuito da figura 3-38, que IC e ICO tm o mesmo sentido.
Logo, se a ICO aumentar, por qualquer motivo, a IC aumentar, mudando o ponto "Q" do
circuito.
Fator de Estabilidade
202
Para a anlise da estabilidade da polarizao esttica de um circuito amplificador, usada a

seguinte equao:
Na equao apresentada, "S" o fator de estabilidade de corrente e seu valor ideal a unidade.
3.14 VALORES TPICOS DE TENSES DE JUNO PARA TRANSISTORES
A figura 3-43 mostra as caractersticas da IC, como funo da VBE, para transistores de
germnio e de silcio tipo NPN, e indica as vrias regies para um transistor na configurao
emissor comum. Os valores numricos indicados so obtidos experimentalmente ou a partir
de equaes tericas. A regio de corte definida como sendo a regio onde a IE = 0 e IC =
ICO, quando a polarizao da juno base-emissor no existe (VBE 0V).
Figura 3-43 Curvas de IC em funo de VBE para transistores de germnio e de silcio
203
Quando a juno base-emissor polarizada inversamente, a IB muito pequena, sendo da

ordem de nanoampres ou microampres para os transistores de silcio e de germnio,
respectivamente.
Nenhuma IB aprecivel flui at que a juno base-emissor seja polarizada diretamente, de
modo que: VBE > V, onde V chamada de tenso de limiar.
Como a IC nominalmente proporcional IB, nenhuma corrente aprecivel fluir pelo
circuito de coletor, at que exista uma corrente aprecivel no circuito de base.
Podemos estimar a V , supondo que VBE = V quando a IC alcanar aproximadamente 1%
da corrente de saturao, no circuito em emissor comum. Valores tpicos de V so 0,1 V
para os transistores de germnio e 0,5 V para os de silcio.
O transistor estar na regio ativa sempre que houver uma polarizao direta entre base e
emissor, suficientemente grande. A regio ativa atingida efetivamente quando tivermos VBE
> V.
Os fabricantes especificam os valores de saturao das tenses de entrada e de sada de vrios
modos. Por exemplo, podem fornecer curvas de VCE e VBE de saturao, como funes de
IB e IC.
As tenses de saturao dependem no somente do ponto de operao, mas tambm do
material semicondutor e das caractersticas de fabricao do transistor.
3.15 MTODOS DE POLARIZAO PARA ESTABILIZAO DA IC
Existem vrios meios de se conseguir uma estabilizao trmica da IC. Todos os sistemas tm
vantagens e desvantagens.
Polarizao Automtica com RB Ligado ao Coletor

Na figura 3-44 podemos ver um circuito de estabilizao com RB ligado ao coletor. Os valores
de RB e RC devem estar de acordo com as caractersticas que se desejam para o circuito. Mas
considerando-se o grfico da figura 3-41, cuja reta de carga para uma RC de 100 Ohms,
verificamos que com uma IB de 300 A, a VCE ser de 3,4 V. O clculo de RB neste caso
dado pela seguinte equao:
204
Em situaes normais, o resistor RB limitar o valor de IB em 300 A. Esta IB produz uma IC

de 26 mA, que determina em RC uma queda de tenso de 2,6 V. Portanto, a tenso VCE ser
igual a VCC - VCR = 3,4 V, que o mesmo valor observado no grfico da figura 3-41. RB, cujo
valor de 10667 ohms, limita a IB em 300 A, desde que a VCE permanea em 3,4 V.
Suponhamos agora um aumento de ICO, que por sua vez tende a aumentar a IC. Se a IC
aumentasse, aumentaria tambm a VRC, o que diminuiria a VCE. Com a diminuio da VCE, a
corrente atravs de RB tambm seria menor. Com menor IB, menor seria a IC. Observamos
ento que qualquer tentativa de aumento de IC produz uma diminuio de IB e a IC tende a
diminuir. O resultado que a IC tende a manter-se no ponto de operao escolhido, que no
caso de 26 mA.
Figura 3-44 Polarizao automtica com RB ligado ao coletor

O sistema de estabilizao por realimentao de CC tirada do coletor bom, mas tem o
inconveniente da realimentao de CA. Neste caso, referimo-nos s variaes da VCE em
trabalhos dinmicos.
Para atenuar a realimentao de CA, os projetistas que usam esse sistema, costumam
desmembrar RB em dois resistores.
O uso de um capacitor, como aparece na figura 3-45, tambm ajuda na reduo dessa
realimentao.
205
Figura 3-45 Polarizao automtica com atenuao da realimentao CA
Estabilizao por Realimentao de CC com RE

Os resistores RC e RE constituem a RL do circuito e a soma de seus valores deve ser
equivalente ao valor do resistor usado na linha de carga.
Para esse caso, consideraremos o grfico da figura 3-41, cuja linha de carga foi traada para
um resistor de 100 ohms.
Como o valor de RE no deve ser muito alto, porque afeta o ganho do circuito,
consideraremos como sendo de 10 ohms e RC ser de 90 ohms, conforme pode ser visto na
figura 3-46.
Figura 3-46 Estabilizao por realimentao de CC, com RE

No grfico, vemos que com uma IB de 300 A, a IC igual a 26 mA.
No resistor RE fluir esta corrente de 26 mA mais a IB de 300 A, que por ser de valor muito
pequeno no entrar em cogitao. A VE a queda em RE e pode ser encontrada pela Lei de
Ohm.
VE = RE x IE = 26 mA x 10 ohms = 0,26 V
206
Sendo a VE de -0,26 V, para que a VBE seja de 0,2 V, a VB deve ser igual a -0,46 V.
Se a VCC de -6 V, RB dever limit-la. Neste caso o valor de RB encontrado pela equao:
Observando o circuito da figura 3-46, conclumos que ao ser ligado, a IB ser limitada em
300 A, determinando uma VB de -0,46V.
A IB de 300 A produz uma IC de 26 mA que fluindo em RE causa, sobre este, uma VRE de
-0,26V. Vemos ento que sendo a VE igual a -0,26V e a VB de -0,46V, a VBE ser de -0,2V, o
que constitui uma polarizao direta.
Atravs da frmula IC = x IB + ICO, sabemos que se a ICO aumentar por qualquer razo, a
IC tambm aumentar, saindo o circuito do ponto de operao escolhido.
No circuito da figura 3-46, se a IC aumentar, a VE aumenta e a VBE diminui. Com VBE menor,
a IB tambm ser menor. A diminuio da IB resulta em diminuio da IC. Conclumos ento,
que neste circuito, se a IC tende a aumentar, RE provoca uma realimentao negativa, que
tende a diminu-la e assim, o circuito tende a estabilizar-se automaticamente.
Uma das desvantagens de se usar o RE que, em circuitos de potncia, ele tende a diminuir
a potncia til do circuito. Alm da estabilizao, o uso de RE tem como vantagem, aumentar
a Ri.
Polarizao por Divisor de Tenso

Em um circuito polarizado, a VB deve manter-se constante para que o circuito se mantenha
estvel. Um dos sistemas usados para manter constante a VB, partindo de uma fonte de tenso
de valor muito maior que VB, emprega um divisor de tenso, conforme visto na figura 347.
Conforme as caractersticas do divisor de tenso, a VRB ser mais estvel, se a corrente que
fluir por ela for muito maior que a da base. O ideal seria uma IRB vrias dezenas de vezes
maior que a IB. H, porm, vrios inconvenientes. Uma IB muito alta resulta em um valor de
RB muito baixo, o que diminui a impedncia de entrada do circuito, acarretando srios
problemas para os sistemas de acoplamento entre estgios. Tambm deve ser considerada a
energia que ser consumida pelo divisor de tenso.
Em um equipamento existem dezenas de estgios com dezenas de resistores em sistemas de
divisores de tenso, consumindo energia inutilmente, j que a potncia consumida por eles
s para tentar manter pequenas tenses constantes.
207
Na prtica, usa-se elaborar um divisor de tenso para polarizao da base, com IRB igual a IB
ou vrias vezes maior que esta.
Figura 3-47 Polarizao por divisor de tenso

Calculemos os valores de RF e RB, do divisor de tenso da figura 3-47, utilizando os valores
de VB de -0,46V e IB de 300 A. Observe que estes valores j foram vistos em circuitos
anteriores, logo, os detalhes sobre eles podem ser recordados.
O valor de RB, supondo que a IRB seja igual a duas vezes a IB, facilmente encontrado pela
Lei de Ohm.
O valor de RF calculado pela equao:
O sistema de polarizao mais usado, por apresentar melhor estabilizao trmica, o por
divisor de tenso, mostrado na figura 3-47. RE realimenta negativamente a corrente contnua
de base, pelo efeito trmico. RB tende a manter a VB em seu nvel estvel.
3.16 ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE ESTGIOS DE POTNCIA
Os projetos de amplificadores de potncia requerem uma ateno especial com relao
polarizao. Primeiro, porque neste caso o transistor ir trabalhar aquecido, o que poder
desencadear a instabilidade do mesmo. Segundo, porque o uso de uma RE pode diminuir a
capacidade til de potncia do estgio. Dois dispositivos so usados comumente em estgios
de potncia, para sua estabilizao trmica. Tais dispositivos so o diodo retificador e os
termistores ou resistores NTC.
208
Circuitos de Estabilizao com Termistores

J sabemos que a corrente de polarizao do transistor sensvel temperatura.
Especificamente, a IC aumenta com o aumento da temperatura. A estabilizao da IC pode
ser feita utilizando-se circuitos externos, com elementos eletricamente sensveis
temperatura. Um desses elementos o termistor.
O termistor usado, neste caso, tem uma resistncia com coeficiente negativo de temperatura,
isto , o valor de sua resistncia diminui com o aumento da temperatura. Este tipo de
termistor chamado de resistor NTC (Coeficiente de Temperatura Negativo).
O circuito da figura 3-48 tem sua estabilizao de polarizao controlada por um termistor.
Figura 3-48 Polarizao de base controlada por NTC

Os valores de RB e do NTC dependem das caractersticas do circuito, mas o seu
funcionamento simples. A VBE no circuito 0,2V e a IB 300 A. Com o aumento da
temperatura ambiente, a IC tende a aumentar devido ao aumento da ICO. Porm, este aumento
da temperatura afeta tambm o NTC, diminuindo a sua resistncia, com o consequente
aumento da corrente atravs dele.
Essa maior corrente solicitada aumenta a VRF, diminuindo a VBE e menor sero a IB e a IC.
Como vemos o efeito trmico que tende a aumentar a IC no circuito, diminui a resistncia do
NTC, que provoca uma diminuio da IB, que por sua vez diminui a IC. O resultado que
este simples dispositivo tende a manter o circuito no seu ponto de operao.
Controle da Tenso de Emissor
209
Figura 3-49 Polarizao de emissor controlada por termistor

O circuito apresentado na figura 3-49 emprega um termistor para variar a VE com a
temperatura, a fim de minimizar as variaes da IE. Este circuito contm dois divisores de
tenso: o primeiro constitudo por R1 e R4, e o segundo por R2 e o termistor RT1.
O primeiro divisor permite a aplicao de uma parte da VCC entre o terminal de base e terra.
A VB desenvolvida em R1e determina uma tenso negativa na base de Q1.
O segundo divisor de tenso aplica uma parte da VCC no terminal de emissor. A VE
desenvolvida em R2 e determina uma tenso negativa no emissor de Q1. A tenso direta
aplicada ao terminal de base maior que a inversa aplicada ao terminal emissor, de tal modo
que a polarizao base-emissor resultante direta.
Com um aumento de temperatura a IC aumentaria normalmente, se o transistor no estivesse
estabilizado. O aumento da IC pode ser evitado pela reduo da polarizao direta. Isto
feito pela ao do divisor de tenso constitudo por R2 e pelo termistor RT1. Devido ao
aumento da temperatura, a resistncia de RT1 diminuda, provocando maior fluxo de
corrente atravs do divisor de tenso. O aumento de corrente aumenta o potencial negativo
da conexo do resistor R2 ao emissor. Esta ao aumenta a polarizao inversa aplicada ao
emissor e diminui a polarizao direta base-emissor. O resultado que a IC reduzida.
Analogamente, a diminuio da temperatura ocasiona aes inversas e evita o decrscimo da
IC.
C1 bloqueia a tenso CC do estgio anterior e acopla o sinal CA ao circuito base-emissor. C2
mantm constante a VE R3 o resistor de carga do coletor e onde se desenvolve o sinal de
sada. C3 bloqueia a tenso CC do coletor e acopla o sinal CA ao estgio seguinte.
Controle da Tenso de Base
210
Figura 3-50 Amplificador com controle de polarizao de base

O circuito apresentado na figura 3-50 emprega um termistor para variar a VB com a
temperatura, minimizando as variaes da IE. Este circuito contm um divisor de tenso
constitudo por R1 e RT1.
O divisor de tenso aplica uma parte da VCC no circuito base-emissor. O fluxo de corrente
dos eltrons atravs do divisor est na direo da seta. Esta corrente produz uma tenso de
polaridade indicada em RT1. Este circuito produz polarizao direta no transistor.
Se a temperatura do transistor aumentar, a IE tende a aumentar. Todavia, a resistncia de RT1
diminui com o aumento da temperatura, provocando maior fluxo de corrente atravs do
divisor de tenso. Este aumento de corrente ocasiona um aumento na VR1. A tenso de
polarizao direta reduzida e assim a IE tambm reduzida.
T1 acopla o sinal CA ao circuito de base-emissor. C1 mantm constante a tenso em RT1. O
primrio de T2 atua como carga do coletor e onde se desenvolve o sinal de sada que
acoplado ao secundrio.
Circuitos de Estabilizao com Diodos

O diodo pode ser usado em circuitos de estabilizao. A principal vantagem do seu uso como
elemento sensvel temperatura por ele pode ser feito do mesmo material que o transistor.
Os coeficientes de temperatura das resistncias do diodo e do transistor de mesmo material
so os mesmos. Esta condio permite uma IC mais constante em um grande intervalo de
temperatura, porque as variaes no diodo acompanham as variaes no transistor. Os
diodos de juno tm uma resistncia com coeficiente de temperatura negativo.
Estabilizao com um Diodo
211
O circuito apresentado na figura 3-51 emprega um diodo de juno, diretamente polarizado,

como elemento sensvel temperatura, para compensar as variaes da resistncia da juno
base-emissor.
Considere o divisor de tenso constitudo por R1 e D1, com a polaridade indicada. Esta tenso
uma polarizao direta. Com o aumento da temperatura, a IC tenderia a aumentar. Todavia,
a resistncia de D1 diminui. Como resultado, a VR1 aumenta. H uma queda de tenso em
D1, que provoca reduo na polarizao direta e, consequentemente, na IC.
Figura 3-51 Estabilizao com um diodo diretamente polarizado

Os diodos, quando empregados adequadamente na estabilizao de um circuito, funcionam
mais ou menos como os NTC. A instabilidade trmica que afeta o transistor afeta tambm a
eles. No circuito da figura 3-52 aparece um diodo com funo de estabilizao trmica.
Figura 3-52 Circuito com estabilizao trmica feita por diodo

D1 tem sua juno semelhante juno base-emissor de Q1. Logo, os diodos sero afetados
igualmente pela variao de temperatura.
Analisando o comportamento do circuito, vemos que se a IC tender a aumentar pelo efeito
trmico, a corrente atravs do diodo tambm aumentar.
Com maior corrente atravs do diodo, maior ser a VRF, resultando em uma menor VBE e
assim, a IB tambm ser menor e, logicamente a IC. Como resultado, D1 tende a manter a IC
estabilizada, mantendo o circuito no ponto de operao escolhido.
212
3.17 RESUMO
1 - A corrente ICO ou de fuga existe nos transistores, devido aos portadores minoritrios
existentes em suas estruturas.
2 - A principal corrente de fuga de um transistor, a de coletor para base, cuja denominao
ICBO.
3 - A corrente ICO, em um circuito amplificador, tende a ser amplificada em uma razo (+
1) ICBO.
4 - A corrente IC, considerando-se a ICO, equacionada como sendo: IC = x IB + ICO .
5 - Em temperatura constante e normal, conforme a especificada pelo fabricante, a ICO no
constitui problema num amplificador.
6 - Com o aumento da temperatura, a IC tende a aumentar de acordo com a frmula:
IC = x IB + ( + 1)x ICO , tirando o circuito de seu ponto de operao.
7 - Vrios sistemas so usados para manter a IC constante mesmo com o aumento da ICO.
8 - Os sistemas que tendem a manter a IC constante, consistem em polarizar o transistor de
tal maneira que haja uma pequena realimentao CC, ou ainda por estabilizao da VBE.
9 - Um dos mtodos de estabilizao por realimentao CC polarizar a base com a tenso
VCE. Neste caso, se a IC aumentar estaticamente, a VCE diminui, reduzindo a IB.
10 - O mtodo mais usado para manter constante a IC a realimentao CC por resistncia
de emissor. Neste caso, se a IC aumentar, haver tambm um aumento da VE, que diminui a
VBE, diminuindo a IB, que por sua vez diminui a IC.
11 - Atravs de um circuito divisor de tenso pode-se manter a VBE dentro dos limites de
estabilizao. Neste caso, o divisor deve ser projetado levando-se em conta as suas
desvantagens, como por exemplo, o alto consumo de energia e a diminuio da impedncia
de entrada.
12 - O sistema de polarizao mais adequado para uma boa estabilizao em circuitos
amplificadores de baixa potncia, constitudo por um RE e por um divisor de tenso. Este
sistema o mais usado.
13 - Em circuitos de potncia, a estabilizao trmica da IC conseguida atravs de
transistores, diodos e resistores NTC.
14 - Um diodo de juno polarizado inversamente tem uma resistncia com coeficiente de
temperatura negativo, desde que a tenso de polarizao inversa no iguale ou exceda
tenso de ruptura.
213
15 - Diodos com a mesma caracterstica da juno base-emissor de um transistor podem ser

usados em circuitos estabilizadores de polarizao.
Neste caso, quando instalado adequadamente, poder estabilizar a VBE. Isto porque o efeito
trmico que agir sobre o transistor, agir tambm sobre o diodo.
16 - As correntes e tenses desenvolvidas num amplificador transistorizado estabilizado em
temperatura podem ser utilizadas para estabilizar em temperatura outros amplificadores
transistorizados.
17 - Os resistores NTC, tm a resistncia diminuda com o aumento da temperatura. Logo,
se colocados no circuito de base, eles podero diminuir a VBE que provoca a diminuio da
IB e da IC. Isto acontece porque o efeito trmico que agir sobre o transistor, tambm agir
sobre ele.
18 - A reta de carga a linha que possibilita a escolha do ponto de operao do transistor.
19 - A curva de mxima dissipao de potncia a curva que possibilita a limitao da regio
de operao do transistor.
20 - Todo componente eltrico possui uma potncia de trabalho especificada pelo fabricante.
Em se tratando de transistores, existem mais razes para se obedecer a essa especificao.
21 - Para cada temperatura de trabalho do transistor, h uma curva de mxima dissipao de
potncia.
22 - Um aumento de temperatura reduz a regio de operao do transistor.
23 - A frmula para se calcular a potncia de dissipao do transistor, : P = VCE x IC.
24 - A regio de operao de um transistor a parte onde pode ser traada a linha de carga.
25 - Na curva de mxima dissipao, a potncia a mesma em todos os pontos.
26 - Os limites de tenses so especificados para transistores, por causa do efeito de ruptura
que ocorre quando h um aumento da tenso inversa da juno.
27 - A fim de deixar o transistor operar temperatura ambiente, so colocados dissipadores
de calor em contato com seu corpo.
28 - No traado da reta de carga fazem-se duas suposies extremas do funcionamento do
transistor: corte e saturao.
29 - A reta de carga do amplificador de potncia mais inclinada que a do amplificador de
tenso.
30 - O sistema de estabilizao da polarizao dos amplificadores de potncia deve ser de
boa eficincia. Geralmente so empregados diodos, termistores e transistores.
31 - Com a mesma tenso de alimentao podemos traar vrias linhas de carga diferentes,
variando apenas o valor de RL.
214

Caro aluno,
No mdulo IV iremos tratar dos amplificadores, osciladores transistorizados e dos
transistores especiais.
Convido voc a seguir comigo.
Vamos l?
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Fonte: http://physika.info/physika/javascript/circuito02.gif
MDULO IV
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS, OSCILADORES TRANSISTORIZADOS E

TRANSISTORES ESPECIAIS
INTRODUO
Caro aluno,
216
Amplificadores, osciladores transistorizados e transistores especiais sero tema deste nosso

ltimo mdulo.
Com a inveno dos transstores, as vlvulas foram pouco a pouco substitudas por estes
novos amplificadores, devido s vantagens de menor consumo de energia, maior
durabilidade, menor tamanho e custo menor. Os amplificadores transistorizados tm
comportamento diferente dos valvulados, a distoro diferente e no necessitam de
transformadores de sada para casar as impedncias dos alto-falantes. Hoje os amplificadores
transistorizados podem ser construdos com transstores bipolares ou MOSFETs ou ainda
circuitos integrados.
Os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas:
Lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares.
No entanto existem aplicaes nas quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia
de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo de
carga, da o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de
juno (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido
metlico (MOSFET).
Vamos l?
4.1 CLASSIFICAO GERAL DOS AMPLIFICADORES

Os amplificadores podem ser classificados de acordo com:
A frequncia de operao:
Amplificadores de audiofrequncia(AF)
Amplificadores de videofrequncia
Amplificadores de radiofrequncia(RF)
A classe de operao:
Classe A
Classe B
Classe C
Classes intermedirias(A2, B2, AB1, AB2)
O sistema de acoplamento:
Acoplamento RC Acoplamento a transformador

217
Acoplamento por impedncia
Acoplamento direto
O uso:
Amplificadores de potncia ou corrente
Amplificadores de tenso
4.2 FREQUNCIAS DE OPERAO

As faixas de frequncia de operao determinam o tipo de amplificador a ser usado.
Amplificadores de Audiofrequncia
Estes amplificadores atuam numa faixa de frequncia que vai de 20 Hz a 20 kHz, faixa esta,
sensvel ao ouvido humano e por esta razo recebe o nome de audiofrequncia. Estes
amplificadores so encontrados em receptores de rdio, intercomunicadores e outros.
Amplificadores de Videofrequncia
Estes amplificadores abrangem uma ampla faixa de frequncia que vai de 30 kHz a 6 MHz.
Eles so empregados em circuitos que ampliam sinais que devem ser vistos em telas de
radares, televisores etc.
Amplificadores de Radiofrequncia
Diferenciam-se dos outros dois tipos porque ampliam uma estreita faixa de frequncia dentro
do espectro de radiofrequncia, que vai de 30 kHz at vrios GHz. So usados em vrios
equipamentos. Quando sintonizamos uma emissora de rdio estamos deslocando a estreita
faixa de ampliao do circuito, dentro do espectro de frequncia.
218
4.3 CLASSES DE OPERAO

De acordo com a polarizao empregada para o transistor, podemos atribuir as classes de
operao.
A classe de operao determinada pelo circuito de polarizao de entrada. Na maioria dos
circuitos amplificadores a polarizao e a reta de carga tm valores fixos, definidos pelos
valores de seus componentes.
Consideraremos, em nossas anlises, somente os efeitos do circuito de polarizao de
entrada.
Amplificador Classe "A"

Os amplificadores da classe "A" operam durante os dois semiciclos do sinal de entrada,
(360). So polarizados para trabalhar na regio ativa da curva de sada.
Geralmente operam na parte linear das curvas caractersticas, a fim de obter na sada uma
resposta fiel (no distorcida) do sinal de entrada.
O primeiro passo para a determinao da classificao do amplificador a construo da reta
de carga como mostrado na figura 4-1 Em seguida, deve-se selecionar um ponto quiescente
de modo a permitir que um sinal de entrada varie atravs da parte linear da curva
caracterstica. Neste exemplo foi escolhida uma IB esttica de 500 A e a VCC selecionada
em seguida para um valor de 9 Volts para o circuito em classe "A".
Veja na figura 4-1 o circuito de entrada e as formas de onda para um ponto "Q" de 500 A,
em classe A.
Figura 4-1 Circuito de entrada e formas de onda em classe "A"

219
Em seguida determinaremos o valor de RB e, para calcular esse valor necessrio que se leve
em considerao o valor da VBE do transistor. Assim, a equao correta para o clculo de RB
a seguinte:
Na prtica, porm, podemos desprezar o valor de VBE, e desta forma teremos:
Substituindo a VCC e IB pelos valores de 9V e 500 A respectivamente teremos:
O circuito de polarizao de entrada est completamente mostrado na parte superior direita

da figura 4-1.
Quando o sinal de entrada zero (ver a figura 8-1), a IB -500 A, a IC -17 mA e a VCE
-3,9 V (valores do ponto quiescente).
Uma variao da corrente de entrada para o seu valor mximo negativo de 250 A, elevar a
IB para -750 A, logo a IC aumentar para -22,2 mA, enquanto que a VCE diminuir para -2,3
V.
Quando a IB diminui para -250 A, a IC diminui para -11,8 mA enquanto que a VCE aumenta
para -5,5 V.
Assim, uma tenso de sada de 3,2 VPP e uma variao na corrente de sada de 10,4 mA so
obtidas.
Podemos notar que quando a IB aumenta negativamente, a IC fica mais negativa e a VCE
menos negativa. Por outro lado, quando a IB diminui negativamente, a IC fica menos negativa
e a VCE mais negativa. Isto indica que as correntes de entrada e de sada esto em fase
enquanto que as tenses de entrada e de sada esto fora de fase. Portanto, h uma inverso
de 180 na configurao de emissor comum.
Amplificador Classe "B"

Os amplificadores classe "B" operam na regio ativa das curvas, durante um semiciclo do
sinal de entrada, e permanecem em corte durante o outro (180).
Visto que somente metade do sinal de entrada amplificada, os amplificadores classe "B"
so normalmente montados na configurao "Push-pull", que so amplificadores de potncia
220
formados por dois transistores que conduzem alternadamente, mas que na sada, produzem
um sinal que idntico ao sinal de entrada.
O ponto quiescente (POE) estabelecido no cruzamento da reta de carga com a curva de IB
igual a zero como se v na figura 4-2.
Figura 4-2 Circuito de entrada e formas de onda em classe "B"

Uma fonte de polarizao de entrada no requerida, j que a corrente quiescente da base
zero.
Uma RB relativamente grande (18 k) usada para limitar a dissipao do sinal de entrada
do circuito de polarizao. Assim, o circuito de polarizao de entrada contm somente um
resistor de polarizao, como se v na figura 4-2.
No ponto quiescente, IB e IC so iguais a zero e VCE igual a -9V. Quando o sinal de entrada
se torna negativo, polariza diretamente a juno emissor-base.
Na alternncia positiva a juno emissor-base est polarizada inversamente. O transistor fica
cortado e parte da corrente de entrada passa atravs de RB, durante esta alternncia.
Amplificador Classe "C"

A operao em classe "C" conseguida pela polarizao inversa da juno de entrada do
transistor. Com polarizao inversa aplicada ao transistor, a corrente de base permanece em
zero at que a corrente de entrada produza uma queda de tenso atravs da resistncia de
entrada. Esta queda de tenso deve estar com polaridade oposta fonte de polarizao do
circuito de entrada e deve superar a tenso da fonte.
221
Figura 4-3 Circuito de entrada e formas de ondas em classe "C"

Na figura 4-3, IB permanece em zero at que a corrente de entrada se torne igual a - 100A.
Quando isto ocorre, a VBE igual a zero.
VBE = EBB + (Iin x RB) =
= 1,5V + (-100A x 15k) =
= 1,5V + (-1,5V) = 0
Desta equao podemos deduzir que a juno emissor-base estar polarizada diretamente,
quando a corrente de entrada for maior que -100A. Um sinal de sada obtido para a poro
de corrente de entrada que maior que -100A
Na prtica, um sinal de entrada muito maior ser usado para obter amplificao em classe
"C".
Na figura 4-4 vemos as formas de onda de sada, com relao s de entrada para cada classe
de operao. Os sinais no foram mostrados com amplificao, nem com inverso de fase,
pois nosso interesse est somente no perodo de conduo.
222
Figura 4-4 Formas de onda de sada com relao s de entrada para cada classe de operao.
4.4 SISTEMAS DE ACOPLAMENTO
Um simples estgio amplificador, normalmente no suficiente nas aplicaes em aparelhos
receptores, transmissores e outros equipamentos eletrnicos.
Um ganho mais elevado obtido pelo acoplamento de vrios estgios amplificadores.
Casamento de Impedncias
223
Para que haja a mxima transferncia de sinal, o estgio de entrada deve ter a impedncia
equilibrada com a da fonte de sinal (microfone, antena, etc.) e o estgio final deve ter a
impedncia equilibrada com a da carga (fone, alto-falante, linha de transmisso, etc.)
Da mesma forma, a impedncia de sada de um estgio deve estar "casada" com a impedncia
de entrada do estgio seguinte.
Alm do equilbrio de impedncia, de vital importncia isolar a passagem de corrente
contnua, de uma etapa para outra.
Tipos de Acoplamento
A) Redes RC
B) Transformadores
C) Acoplamento por impedncia
D) Acoplamento direto
Acoplamento RC
A figura 4-5A apresenta um amplificador de dois estgios acoplados mediante uma rede RC.
O capacitor de acoplamento C1 tem como primeira funo isolar a tenso de CC presente no
coletor do primeiro estgio, para que ela no aparea na base do transistor do estgio seguinte
e, como segunda funo transferir o sinal de um estgio para o outro.
O capacitor de acoplamento deve ter, tambm, uma reatncia reduzida para as tenses de
sinal e, portanto, seu valor de capacitncia deve ser relativamente alto.
Os valores tpicos de capacitncia vo de 1 a 30F. necessrio que o valor do capacitor
seja alto, por causa da baixa impedncia de entrada do estgio seguinte.
224
Figura 4-5 Amplificador com acoplamento RC

O sinal que sai do primeiro estgio, desenvolve-se no resistor RB. O capacitor C1 e o resistor
R1 constituem a rede RC de acoplamento entre os dois estgios.
A eficincia do amplificador acoplado mediante uma rede RC baixa, por causa da dissipao
de potncia de CC no resistor de carga.
Resposta de Frequncia
As frequncias muito baixas so atenuadas pelo capacitor de acoplamento, porque a sua XC
torna-se alta, com a diminuio da frequncia. A resposta em altas frequncias, para o
transistor est limitada pelo efeito "Shunt" da capacitncia emissor-coletor do primeiro
estgio, e da capacitncia base-emissor do segundo estgio.
Figura 4-6 Capacitncia entre os elementos do transistor

Observe na figura 4-6 que CC e RB esto em srie e em baixas frequncias e, que a XC
consideravelmente alta, provocando assim o mximo de queda de sinal em CC e o mnimo
225
em RB. No entanto, para as altas frequncias, aparece uma XC mnima, em paralelo com RC,
resultando numa resistncia total mnima possibilitando o desvio de grande parte ou at
mesmo de todo o sinal para a terra.
Vantagens e Desvantagens do Acoplamento por Rede RC

O acoplamento RC bastante usado em circuitos transistorizados, por oferecer uma boa
resposta de frequncia, sendo de simples confeco e preo relativamente baixo.
Porm, embora esse acoplamento oferea uma boa resposta em frequncia, no o tipo de
maior eficincia, em face das dificuldades em casar as impedncias entre estgios.
Outra desvantagem desse tipo de acoplamento est no fato de apresentar grandes perdas
quando usado em frequncias muito baixas.
Acoplamento a Transformador
No acoplamento a transformador o enrolamento do primrio do transformador (T1) a
impedncia de carga do coletor do primeiro estgio.
O enrolamento secundrio de T1 desenvolve o sinal de CA, para a base do transistor do
segundo estgio e tambm age como caminho de retorno de CC, da base.
A resistncia muito baixa, no circuito de base, auxilia a estabilizao da polarizao no ponto
de operao de CC. Com um resistor na entrada do emissor, o fator de estabilidade de
corrente quase ideal.
Como no h resistor de carga de coletor para dissipar potncia, a eficincia do amplificador
acoplado a transformador se reduz, teoricamente, para 50%. Por este motivo o processo de
acoplamento a transformador muito usado em equipamentos portteis e operados com
baterias.
Figura 4-7 Acoplamento a transformador
226
Vantagens e Desvantagens do Acoplamento a Transformador

Os transformadores facilitam o equilbrio da carga de sada do transistor e o equilbrio da
fonte, entrada do transistor, para se obter o mximo de ganho de potncia, para um
determinado estgio.
A resposta de frequncia de um estgio acoplado por intermdio de transformador no to
boa quanto a do estgio acoplado por rede RC.
A resistncia "Shunt" do enrolamento primrio, nas baixas frequncias, causa a queda de
resposta nestas frequncias. Nas altas frequncias, a resposta reduzida pela capacitncia de
coletor e pela reatncia de sada, entre os enrolamentos do transformador.
Alm da resposta de frequncia ser pobre, os transformadores so mais caros, mais pesados,
e ocupam maior rea que os resistores e capacitores empregados no acoplamento RC.
Portanto, o uso do acoplamento a transformador limitado, normalmente, quelas
aplicaes que requerem alta eficincia de potncia de sada.
Acoplamento por Impedncia

O acoplamento por impedncia similar ao acoplamento por rede RC, com exceo de que
o resistor de carga substitudo por um indutor (L1), como apresentado na figura 4-8.
Figura 4-8 Acoplamento por impedncia

A resistncia de carga somente a resistncia do fio do enrolamento, o qual proporciona
uma queda mnima de tenso de CC. Grandes valores de indutncia devem ser usados, para
que seja oferecida uma alta reatncia, nas baixas frequncias.
O ganho do estgio acoplado por impedncia cresce com o aumento da frequncia, j que a
reatncia indutiva diretamente proporcional frequncia.
Na faixa de altas frequncias, a reatncia diminui, por causa da capacitncia distribuda no
circuito, que desvia o sinal.
227
Os campos magnticos que cercam a impedncia de carga podem causar, tambm, um

acoplamento indesejvel a outros circuitos. Por isso, esses campos devem ser controlados,
atravs de indutncias apropriadas.
Acoplamento Direto
Quando o transistor de um estgio amplificador ligado diretamente ao transistor do estgio
seguinte dizemos que o acoplamento direto, como mostrado na figura 4-9.
Figura 4-9 Acoplamento direto

Este tipo de acoplamento usado para a amplificao de sinais chamados de "corrente
contnua", em virtude da frequncia ser muito baixa.
Observando o circuito da figura 4-9, vemos que um transistor PNP est ligado diretamente
a um transistor NPN. A direo do fluxo de corrente indicada pelas setas. Se a corrente do
coletor do primeiro estgio for maior que a corrente de base do estgio seguinte, devemos
ligar o resistor RC (carga do coletor), como est indicado pela linha tracejada. Como o nmero
de componentes necessrios no amplificador acoplado diretamente mnimo, teremos o
mximo de economia e tambm a mxima fidelidade de sinal. Entretanto, o nmero de
estgios que podem ser acoplador diretamente limitado.
4.5 AMPLIFICADORES DE UDIO
Antes de iniciarmos os estudos destes amplificadores, interessante lembrar, que a finalidade
de um amplificador a de aumentar a tenso, a corrente, ou o nvel de potncia de um sinal,
a um valor necessrio, a fim de operar um dispositivo de sada.
Esse dispositivo pode necessitar de considervel energia ou pode exigir uma alta tenso, com
baixa potncia, para sua operao.
228
Os amplificadores de tenso (baixo nvel) so estgios de amplificao projetados para

produzir um grande valor de tenso, atravs da carga do circuito de coletor. Para produzir
uma alta tenso, utilizvel atravs de um circuito de carga, necessria que a oposio
variao de IC seja a mxima possvel, qualquer que seja a carga (resistor, reatncia ou
impedncia).
Os amplificadores de potncia (alto nvel) so estgios amplificadores, construdos para
fornecer grandes quantidades de potncia para a carga no circuito coletor.
Num amplificador de potncia, deve haver uma grande corrente no circuito do coletor, uma
vez que a potncia o produto da resistncia, pelo quadrado da corrente.
Os pr-amplificadores so etapas de baixo nvel, que se destinam amplificao de sinais
originrios de dispositivos, tais como microfones, detectores, cpsulas magnticas etc.
4.6 AMPLIFICADORES DE UDIO TRANSISTORIZADOS
Os circuitos amplificadores de udio so projetados especificamente para ampliar sinais da
faixa de udio frequncia, isto , sinais compreendidos entre 20 Hz e 20kHz.
O circuito de entrada de um amplificador transistorizado deve ser alimentado com a corrente
de sada de um pr-amplificador. Neste caso, cada transistor considerado como um
amplificador de corrente ou potncia, operando a um nvel de corrente ou de potncia, mais
elevado que o nvel do estgio anterior e menos elevado que o do estgio seguinte. Uma vez
que os transistores so, essencialmente, dispositivos amplificadores de potncia, seu uso nos
circuitos de udio classificado nas categorias amplificador de udio de baixo nvel e
amplificador de udio de alto nvel.
O nvel de potncia de um estgio amplificador de udio determinado pelos requisitos do
projeto. Em alguns casos, os amplificadores de baixo nvel (tambm chamados de
amplificadores de sinal) podem operar com potncias variando de "picowatts" at
"miliwatts", enquanto que em outras situaes (amplificadores de potncia) podem operar
com vrios Watts.
Circuito Amplificador de udio Bsico
229
O circuito da figura 4-10 apresenta um estgio amplificador bsico de udio.

A estabilizao para esse amplificador estabelecida pela corrente de base-emissor. Essa
corrente cria uma tenso que polariza diretamente o circuito de entrada.
O resistor de base RB limita a corrente de polarizao estabelecendo assim o ponto
quiescente.
Durante o semiciclo positivo do sinal de entrada a polarizao direta diminui. Isso provoca
uma consequente diminuio da corrente de coletor, atravs de RL, e a tenso em RL diminui.
Assim, a tenso de coletor aumenta, em direo a um valor negativo de V CC. Durante o
semiciclo negativo do sinal de entrada, a polarizao direta aumenta. Isso faz com que a
corrente atravs de RL aumente, aumentando tambm a queda de tenso sobre a mesma,
tornando negativa a tenso de coletor.
O capacitor C1 acopla o sinal de entrada e o capacitor C2 o sinal de sada.
RE o resistor de estabilizao de emissor e est ligado em paralelo com o capacitor de
desacoplamento CE.
Ainda na figura 4-10 podemos ver que o sinal de sada est 180 defasado do sinal de entrada.
Como o sinal de sada maior que o sinal de entrada, h um ganho de tenso.
Figura 4-10 Amplificador de udio bsico
Fonte: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/43/Colpitts_TBJ.png/220px-Colpitts_TBJ.png
230
4.7 OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

Os osciladores so dispositivos cuja funo principal transformar energia CC aplicada, em
energia AC.
Para que haja essa transformao necessrio que parte do sinal de sada retorne entrada
de forma adequada, ou seja, necessrio que haja uma realimentao positiva (regenerao).
Alm da necessidade de uma realimentao positiva, devem ser incorporados ao circuito
oscilador a transistor, elementos determinantes da frequncia e as necessrias tenses CC de
polarizao.
O transistor atua como uma chave e conduz periodicamente, sempre que a energia
realimentada desde o circuito sintonizado, a fim de manter as oscilaes do circuito tanque.
Para determinar a frequncia de operao do oscilador, podem ser incorporados ao circuito,
conjuntos indutncia-capacitncia, um cristal ou ainda uma rede resistiva-capacitiva. As
tenses de polarizao para o oscilador so as mesmas necessrias para um amplificador a
transistor.
Um fator de suma importncia a estabilizao do ponto "Q" do oscilador a transistor, pois
a instabilidade da operao CC afetar consideravelmente a amplitude do sinal de sada, a
forma de onda e ainda a estabilidade de frequncia.
Os osciladores so usados para uma infinidade de aplicaes, sendo as mais comuns o
osciloscpio, o gerador de frequncia varivel, o injetor de sinais, a televiso, o
radiotransmissor, o receptor, o radar, o sonar etc.
Antes de estudarmos os osciladores eletrnicos, recordaremos os princpios bsicos da
oscilao.
4.8 PRINCPIOS DE OSCILAO
Oscilao Mecnica
Todo equipamento que recebe ou transmite energia possui um dispositivo oscilador. O
exemplo mais clssico de oscilao mecnica o pndulo do relgio. Ele oscila
mecanicamente de um lado para o outro com intervalos de tempo iguais, afastando-se do
ponto central (ou de repouso) igualmente para os dois lados.
A figura 4-11 ilustra o movimento do pndulo mediante uma onda senoidal.
231
Figura 4-11 Movimento de um pndulo simples

Por conveno dizemos que os movimentos esquerda so positivos e direita negativos.
Esse movimento se manter constante enquanto houver corda no relgio e se faltar corda o
pndulo inicialmente diminuir a distncia do ponto central at parar.
Como vimos na figura 4-11 o movimento do pndulo pode ser comparado com uma onda
senoidal. No caso da falta de corda do relgio a onda senoidal ser uma "onda amortecida",
como mostra a figura 4-12.
Figura 4-12 Formas de onda do pndulo

A onda amortecida uma onda senoidal, mas a amplitude dos ciclos sucessivos vai
diminuindo gradativamente, porm, os intervalos de tempo se mantm constantes, como
pode ser visto na figura 4-12.
Se quisermos evitar o amortecimento da onda senoidal ou a parada do movimento devemos
adicionar mais energia ao sistema. No caso do relgio, dar mais corda antes que o mesmo
pare definitivamente.
Oscilao Eletrnica
232
Como foi dito anteriormente o oscilador eletrnico transforma a energia CC em energia CA.
Para que haja essa transformao necessrio que parte do sinal de sada retorne entrada
de forma adequada, ou seja, necessrio que haja uma realimentao positiva.
O transistor funciona como uma chave e conduz periodicamente sempre que a energia
realimentada desde o circuito sintonizado, a fim de manter as oscilaes do circuito tanque.
Para obteno da frequncia de operao do oscilador podem ser incorporados ao circuito,
conjuntos indutncia-capacitncia, um cristal ou ainda uma rede resistiva capacitiva. As
tenses de polarizao para o oscilador so as mesmas necessrias para um amplificador a
transistor.
Um fator muito importante no projeto de osciladores a estabilizao do ponto "Q" do
circuito, pois a instabilidade de operao CC afetar a amplitude do sinal de sada bem como
a sua frequncia. Os circuitos osciladores so largamente usados em radiocomunicao e em
eletrnica industrial.
Tanques Ressonantes
A oscilao eletrnica feita por um circuito que consiste de uma bobina e um capacitor
ligado em paralelo.
Figura 4-13 Funcionamento do circuito oscilador
Funcionamento
233
Para entendermos como a oscilao se processa, consideremos o que ocorre ao se carregar

o capacitor da figura 4-13.
1 Passo - O capacitor C1 se carrega com o valor de VCC, com a polaridade indicada.
2 Passo - O capacitor C1 se descarrega sobre o indutor L1.
3 Passo - A energia est agora acumulada no indutor, em forma de campo magntico.
4 Passo - L1 induz uma corrente no mesmo sentido mostrado no segundo passo.
5 Passo - O capacitor C1 se carrega com polaridade contrria do segundo passo.
6 Passo - O capacitor se descarrega sobre L1 com corrente oposta do segundo passo.
7 Passo - A energia est novamente acumulada em L1 em forma de campo magntico.
8 Passo - O indutor induz uma corrente no mesmo sentido do passo 6.
9 Passo - O capacitor C1 fica carregado novamente conforme o passo 1.
Se o capacitor e o indutor fossem ideais (sem perdas), esse processo continuaria
indefinidamente, mas na prtica no isso o que ocorre, pois o indutor e o capacitor
apresentam uma resistncia a qual dissipa parte do sinal em forma de calor, havendo portanto
a necessidade de ligar a chave novamente na bateria, a fim de carregar mais uma vez o
capacitor C1 compensando a referida perda de energia.
4.9 REQUISITOS DO CIRCUITO OSCILADOR
Amplificador
O circuito oscilador basicamente um amplificador que sofre uma realimentao, ou seja,
para gerar uma energia CA, uma poro da energia de sada do amplificador a transistor deve
ser retornada ao circuito de entrada, com uma correta relao de fase, para dar uma
realimentao regenerativa com a energia de entrada.
A energia enviada carga ser a energia de sada (ES) menos a energia de realimentao (ER):
EC = ES - ER
A potncia de realimentao (ER) no a potncia de sada, pois a rede de alimentao age
como um atenuador, causando perdas no sinal realimentado.
Na figura 4-14 temos o diagrama bloco do oscilador, com as potncias EC, ES e ER e o resistor
de realimentao.
234
Figura 4-14 Representao em bloco do oscilador

Como citado anteriormente o resistor "R" simula um atenuador para o sinal realimentado.
Se o oscilador necessita, para seu funcionamento de um sinal de entrada (Ee) de 2 mW, sendo
a perda na rede de realimentao de 1 mW, a potncia do sinal de realimentao dever ser,
no mnimo de 3 mW, ou seja:
Ee = Er - perdas
Quando a potncia no amplificador menor que a unidade, ocorrem oscilaes amortecidas
que vo se tornando cada vez menores at desaparecerem completamente.
Por exemplo, suponhamos que no haja atenuao do sinal realimentado e que o ganho de
potncia do amplificador seja 0,9.
Para um sinal de entrada de 1mW, a potncia de sada do primeiro pulso seria de 0,9 mW. Se
toda essa potncia fosse realimentada para a entrada e fosse amplificada, a potncia do
segundo pulso seria de 0,81 mW.
Realimentando essa potncia para a entrada, teramos um pulso de 0,73 mW na sada, e assim
sucessivamente. Como vemos, o resultado seria um sinal de sada cada vez menor.
Concluindo, para manter a oscilao, o fator de ganho de potncia do amplificador deve ser
maior que a unidade.
4.10 CIRCUITOS OSCILADORES BSICOS
Oscilador Armstrong
O oscilador Armstrong o mais simples dos osciladores a transistor. Seu circuito mostrado
na figura 4-15.
235
Figura 4-15 Oscilador Armstrong

Estando o circuito energizado, qualquer pequena variao na corrente de emissor ampliada
por Q1 e aparece no coletor com uma variao maior.
A variao de corrente atravs da bobina de coletor (L2) gera um campo magntico, que
induzido em L1. Essa tenso varivel acoplada por C2 base de Q1, onde ampliada.
Essa tenso ampliada novamente aplicada bobina L2 que por sua vez a induz em L1 e
assim, sucessivamente.
Este ciclo continuar at que a tenso induzida em L1 seja suficientemente grande para tornar
a base de Q1 positiva em relao ao emissor. Quando isso ocorre a juno base-emissor fica
polarizada inversamente e Q1 entra em corte. O campo magntico nas bobinas torna-se agora
estacionrio e no h mais tenso induzida em L1.
O capacitor C2 que se carregou com a tenso induzida, se descarrega atravs de R1. To logo
se tenha descarregado at um valor suficientemente baixo, que permita ao transistor conduzir
novamente, o ciclo de operao se repete.
R1 e C2 so selecionados para dar uma constante de tempo que fornea tenso de polarizao
suficiente para manter Q1 inoperante durante quase todo ciclo exceto nos picos negativos da
tenso de entrada.
A frequncia de oscilao determinada por L1 e C1 e L2 a bobina de realimentao.
R1 fornece passagem para a corrente de polarizao e C2 acopla o sinal para o circuito de base
e bloqueia a componente CC do mesmo.
A frequncia de oscilao do tanque ressonante calculada pela seguinte frmula:
Oscilador Hartley
236
Neste circuito a realimentao obtida atravs de uma indutncia e temos osciladores desse
tipo, alimentados em srie e em paralelo. Essas alimentaes se referem ao mtodo de
obteno da polarizao de coletor.
No circuito alimentado em srie a corrente constante e a varivel passam pelo circuito tanque.
A figura 4-16 mostra o oscilador Hartley
Figura 4-16 Oscilador Hartley

Ao aplicarmos energia ao circuito flui uma corrente instantnea atravs de Q1 que acoplada
por C3 parte inferior de L1. Esta parte de L1 gera um campo magntico e induz uma tenso
na parte superior da mesma, fazendo com que a parte superior do tanque fique positiva.
Isso faz com que a polarizao direta da juno base-emissor aumente, fluindo ento maior
corrente, at que Q1 atinja a saturao. Neste ponto o capacitor C1 estar carregado com sua
placa superior positiva e a parte inferior de L1 deixar de induzir tenso, uma vez que no
haver mais nenhuma corrente varivel atravs dela.
A partir da C1 comea a se descarregar e quando estiver totalmente descarregado, teremos a
energia em forma de campo. Este campo por sua vez, induzir uma corrente que ir carregar
C1 novamente com polaridade oposta anterior. Quando a tenso do tanque ultrapassar, em
sentido oposto, a polarizao base-emissor o transistor entrar em corte.
C1 comear a se descarregar novamente e o transistor Q1 sair do corte. Nesse ponto, com
a descarga de C1, a parte superior de L1 estar novamente menos negativa. Teremos ento a
repetio do ciclo.
O transistor conduz aproximadamente 120, isto , permanece em corte a maior parte do
ciclo. Ele conduz somente no momento preciso, para repor energia, que consumida pelos
componentes do circuito.
No circuito da figura 4-16, C1 e L1 constituem o circuito tanque ressonante.
R1 e R2 so os componentes que fornecem a polarizao para o transistor Q1.
237
O capacitor C2 bloqueia a CC e acopla as oscilaes para Q1, que por sua vez amplifica essas
oscilaes.
C3 bloqueia a CC e acopla as variaes para L1.
O CRF um "Choque de Radiofrequncia" que serve para evitar que as oscilaes atinjam a
fonte CC.
L1 (parte inferior) a bobina de realimentao.
A frmula para determinao da frequncia de oscilao a mesma usada para o oscilador
Armstrong, ou seja:
Isto, uma vez que o circuito tanque deste oscilador constitudo pelo conjunto LC.
Oscilador Colpitts
O oscilador Colpitts assemelha-se ao oscilador Hartley, alimentado em paralelo. A diferena
est em que o Colpitts, ao invs de ter o conjunto de indutncia dividida, para se obter a
realimentao, usa um conjunto de capacitncia dividida.
O oscilador Colpitts mostrado na figura 4-17.
Figura 4-17 Oscilador Colpitts

Os resistores R1 e R2 do a polarizao ao transistor Q1. O capacitor C2 bloqueia a
componente CC do sinal e acopla as oscilaes do tanque base de Q1, que por sua vez
amplia essas oscilaes.
C1B constitui o componente que realimenta o circuito tanque e C3, alm de bloquear a
componente CC, acopla as variaes do coletor Q1 ao circuito tanque que formado por L1,
C1A e C1B.
238
Oscilador a Cristal
Quando certos cristais so comprimidos ou expandidos em direes especficas, os mesmos
geram cargas eltricas em suas superfcies. Este fenmeno chamado de efeito piezoeltrico.
Se um cristal piezoeltrico, geralmente quartzo, possui eletrodos localizados nas faces
opostas e se um potencial aplicado entre esses eletrodos, sero exercidas foras que faro
com que o cristal vibre mecanicamente num movimento de contrao e expanso.
Estas vibraes que daro origem ao aparecimento de cargas eltricas nas superfcies desses
cristais.
Para oscilarem perfeitamente, os cristais devem ainda ser submetidos a um tratamento de
laboratrio, onde sofrero um determinado tipo de corte, que um dos fatores determinantes
da frequncia de oscilao.
Tipos de Cristais
Podemos dizer que a maioria dos cristais apresenta o efeito piezoeltrico, mas poucos so
adequados para serem usados como equivalentes de circuitos sintonizados para fins de
frequncia.
Entre esses poucos cristais encontram-se o quartzo, o sal de Rochelle e a Turmalina.
Dos trs tipos citados o sal de Rochelle o que tem atividade piezoeltrica mais ativa, ou
seja, gera uma maior quantidade de tenso por uma dada presso mecnica. Estas
substncias, porm, so mecnica e eletricamente instveis, o que as torna inadequadas para
o controle de frequncias em circuitos osciladores.
Normalmente, em circuitos osciladores o cristal usado o quartzo, devido ao seu baixo custo,
robustez mecnica e a pouca variao de frequncia em funo da temperatura.
um dos materiais mais permanentes que se conhece, sendo quimicamente inerte e
fisicamente resistente.
De todos os materiais encontrados o mais satisfatrio, embora sua faixa de operao esteja
limitada entre 50 kHz e 50 MHz, ou seja, fora da faixa de udio.
239
Relao entre Frequncia, Espessura e Largura

A frequncia de oscilao fundamental de um cristal depende da largura, da espessura e do
tipo de corte do cristal. Quanto mais delgado for o cristal, mais elevada ser a frequncia de
oscilao.
A frequncia fundamental de oscilao dada pela frmula
onde:
F - Frequncia, em MHz;
K - Constante que depende do tipo de corte do cristal;
T - Espessura, que dada em milsimos de polegada.
A frmula anterior se refere vibrao com relao espessura, porm podemos calcular a
frequncia de oscilao com relao largura, para isso basta substituir na frmula dada, a
espessura (T) do cristal pela largura(W) do mesmo. De tal modo que temos:
onde:
W a largura em milsimos de polegada.
A tabela das constantes de frequncia (K) para quatro diferentes tipos de cortes dada a
seguir.
Figura 4-18 Tabela dos valores de "K" em funo do corte do cristal
Circuito Equivalente do Cristal
240
Em sua frequncia de ressonncia o cristal comporta-se como um circuito sintonizado, no

que se refere aos circuitos eltricos a ele associados. Portanto um cristal pode ser substitudo
por um circuito equivalente, o qual mostrado na figura 4-19.
Figura 4-19 Circuito equivalente de um cristal sem placas

A figura 4-19 mostra um circuito equivalente de um cristal desprezando-se o efeito das placas
que o envolverem.
A figura 4-20 mostra o circuito equivalente de um cristal colocado entre suas placas. Nesta
figura vemos o aparecimento da capacitncia "C" que representa a capacitncia das placas.
Figura 4-20 Circuito equivalente de um cristal entre as placas
Circuitos Osciladores a Cristal

O oscilador Armstrong a cristal funciona de maneira semelhante ao oscilador Armstrong
elementar.
Com a insero do cristal na trajetria de realimentao, consegue-se um aumento na
estabilidade da frequncia de operao. O cristal o elemento determinante da frequncia de
operao, de tal modo que para se obter frequncias diferentes, outros cristais devero ser
usados.
A figura 4-21 mostra o oscilador Armstrong a cristal.
241
Figura 4-21 Circuito do oscilador Armstrong a cristal

Na figura 4-21 as bobinas L1 e L2 so responsveis pela realimentao.
Os resistores RB, RF e RC fornecem a polarizao ao transistor Q1. O resistor RE
desacoplado pelo capacitor CE, para tenses CA. A impedncia do cristal aumenta fora da
frequncia de ressonncia ou de operao, com isso tem-se uma reduo na realimentao
total, o que evita que o cristal oscile em outra frequncia diferente daquela de ressonncia.
Oscilador Colpitts
A figura 4-22 mostra um oscilador a cristal na configurao base-comum com a
realimentao fornecida do coletor para o emissor, atravs do capacitor C1. Os resistores RB,
RC e RF do as condies adequadas de polarizao para o circuito. O capacitor C2 desacopla
o resistor RB nas tenses CA.
A frequncia de oscilao desse circuito no determinada somente pelo cristal, mas tambm
pela capacitncia em paralelo formada pelos capacitores C1 e CE. Estes capacitores so
normalmente grandes, a fim de reduzir as capacitncias de entrada e de sada do transistor e
assim tornas as oscilaes independentes das mudanas dos parmetros do transistor.
242
Figura 4-22 Circuito do oscilador Colpitts a cristal

4.11 MULTIVIBRADOR ASTVEL
Introduo
Com o desenvolvimento dos sistemas eletrnicos, houve a necessidade de se criar circuitos
que operem ou que forneam sinais no senoidais. Esses sinais podem ser definidos como
variaes momentneas de tenso ou correntes. Estes sinais incluem tenses de onda
quadrada, onda retangular ou pulsos.
O multivibrador um circuito eletrnico capaz de produzir uma tenso de sada em forma
de onda quadrada ou retangular. Estes sinais podem ser contnuos, como uma cadeia
repetitiva de ondas quadradas ou simples pulsos produzidos em intervalos retangulares de
tempo.
Existem diversos tipos de multivibradores, cada um elaborado para uma aplicao especfica.
Os circuitos multivibradores so atualmente muito usados em receptores de TV,
osciloscpios, computadores e sistemas digitais em geral.
Circuito Multivibrador Astvel

O circuito multivibrador astvel aquele que no necessita de pulsos de excitao na entrada,
para o seu funcionamento. Basicamente o circuito formado por dois transistores que
conduzem alternadamente. Enquanto um dos transistores levado ao corte o outro levado
saturao, pois o corte de um transistor produz um pulso que satura o outro.
243
Se todos os componentes do circuito fossem exatamente iguais e se os transistores

conduzissem exatamente a mesma quantidade de corrente, na prtica o circuito nunca
oscilaria.
O incio das oscilaes d-se devido ao fato de que na prtica os elementos nunca so
exatamente iguais.
Figura 4-23 Multivibrador astvel
Funcionamento
Ao conectarmos ao circuito a fonte de alimentao VCC, os capacitores C1 e C2 que estavam
descarregados, comearo a se carregar atravs dos resistores R1 e R2 fechando-se o circuito
atravs das bases de T1 e T2. A figura 4-23 ilustra melhor esse processo.
Figura 4-24 Circuito do multivibrador
244
Para que possamos compreender melhor o funcionamento do circuito, vamos estabelecer as

seguintes condies:
a) Quando T1 ou T2 estiverem cortados, a tenso nos pontos A e B, ser
aproximadamente a da VCC;
b) Quando T1 ou T2 estiverem saturados, a tenso nos pontos A ou B da figura 4-23 ser
aproximadamente 0,3 volts, recebendo a denominao de VCE de saturao;
c) Quando T1 ou T2 estiverem cortados, a tenso VBE de incio de conduo (0,6V),
caracterizando o estado em que se encontram T1 e T2;
d) Quando T1 ou T2 estiverem saturados, a tenso VBE de T1 ou T2 ser denominada VBE
de saturao, e seu valor 0,7V.
De posse dessas condies, ficar mais simples descrevermos o comportamento do circuito
apresentado.
Como ponto de partida, vamos considerar o instante "t0", admitindo que nesse instante T1
esteja cortado e T2 saturado, logo teremos no ponto B da figura 4-23 uma tenso igual a VCC
e no ponto A igual a 0,3V.
Consideremos agora o estado do circuito aps decorrido um tempo "t", ou seja: t = t0+t.
Ainda com relao s condies adotadas temos que o ponto A estar praticamente em terra
(0,3V), logo, C2 se descarregar atravs do coletor de T2, carregando-se em sentido contrrio,
agora atravs de R4 elevando desta maneira o potencial do ponto E, fazendo com que T1 que
estava cortado, caminhe para a saturao.
T1 indo para a saturao, leva T2 para o corte, dessa maneira o ponto B ser de
aproximadamente 0,3V (praticamente o ponto B estar em terra), e o capacitor C 1 se
descarregar pelo coletor de T1, carregando-se agora em sentido contrrio por R3.
Desta forma o potencial do ponto D ir aumentar e T2 ser levado saturao fazendo com
que T1 v para o corte, estabelecendo-se assim um estado oscilatrio.
A figura 4-25 mostra as formas de onda de sada do multivibrador astvel.
Como principais caractersticas do multivibrador astvel, podemos citar:
Tem sua frequncia de oscilao controlada pelas constantes de tempo de carga e

descarga dos capacitores.
A sada pode ser retirada de qualquer um dos coletores dos dois transistores usados.
245
Figura 4-25 Formas de onda de sada do multivibrador astvel
Fonte:http://bimg2.mlstatic.com/transistores-diversos_MLB-F-4122432887_042013.jpg
4.12 TRANSISTORES ESPECIAIS

Os laboratrios das grandes fbricas de dispositivos semicondutores procuram
continuamente melhorar as caractersticas e diminuir as limitaes dos transistores utilizados
e tambm descobrir novos tipos com caractersticas diferentes que permitam aplicaes at
ento fora do campo dos transistores e, de maneira geral, dos semicondutores.
Foram esto criados numerosos tipos de transistores, muitos dos quais baseados no mesmo
princpio de operao do transistor bipolar, mas, fabricados por meio de tcnicas novas ou
246
modificaes das tcnicas j conhecidas. Outros tipos de transistores baseiam-se em

princpios diferentes do transistor bipolar. So esses tipos que estudaremos a seguir.
4.13 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
O transistor de efeito de campo, conhecido como TEC ou FET (Field Effect Transistor),
apresenta caractersticas eltricas bastante interessantes que permitem sua utilizao numa
gama muito grande de aplicaes prticas.
A diferena fundamental entre os transistores de efeito de campo e os de juno
convencionais que nos primeiros, a corrente dada pelo fluxo de portadores de um s tipo.
Por este motivo, os transistores de efeito de campo so conhecidos como transistores
unipolares em contraposio aos demais que so bipolares.
Construo Fsica
O mais comum dos transistores de efeito de campo o tipo de juno, tambm chamado de
TECJ ou JFET. A figura 4-26 ilustra uma sequncia da constituio fsica do TEC. Ele
formado por uma minscula barra de silcio, que pode ser tipo "N" ou "P", formando o que
conhecido com o nome de canal.
Em cada extremo da barra so feitos contatos hmicos que so chamados de dreno (drain)
ou fonte (source). No centro, em torno da barra, aplicada uma camada de silcio do tipo
oposto ao do material do canal (tipo N ou P). Neste material feito contato hmico,
formando a porta ou gatilho (gate).
A figura 4-27 ilustra a constituio fsica dos transistores TECJ com canais tipo N e P e os
respectivos smbolos. Conforme o material do canal seja do tipo N ou P, a seta aponta
respectivamente, para dentro ou para fora do transistor.
No TEC canal P, por exemplo, a seta dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o
material do canal do tipo N, o gatilho formado de material tipo P e, portanto, a seta
aponta para dentro.
NOTA: Usaremos indistintamente as seguintes nomenclaturas: porta ou gatilho (P de porta
ou G de gatilho); fonte ou supridouro (S de source ou de supridouro).
247
Figura 4-26 Sequncia da constituio fsica do TEC canal N
Figura 4-27 Constituio fsica e smbolos dos transistores TEC canal tipo N e canal tipo P
Funcionamento
248
Podemos observar, na figura 4-28, a polarizao normal de funcionamento do TEC canal

tipo N.
O gatilho, normalmente polarizado inversamente em relao fonte, faz com que a entrada
tenha alta impedncia. A tenso aplicada ao gatilho tem alto poder de controle sobre a
corrente fonte-dreno, por causa do aumento da rea de depleo e reduo da rea efetiva
de conduo.
Figura 4-28 Variao da corrente em funo da polarizao inversa
249
Podemos observar, em A da figura 4-28, onde a polarizao somente de 2 volts, que a

corrente atravs do canal do transistor grande; ao contrrio, em B, onde temos a tenso de
-6V no gatilho, a corrente bem menor. A diferena entre um TEC canal N e outro de canal
P a inverso da polaridade de todas as tenses, da mesma forma como nos transistores
comuns do tipo PNP e NPN.
Curvas Caractersticas
A figura 4-29 mostra as curvas caractersticas de um TEC tpico canal N.
Observamos que a corrente de dreno mxima, ou seja, a corrente de saturao (8 mA),
quando a polarizao entre gatilho e supridouro igual a zero.
Quando aumentamos a polarizao inversa, a corrente no dreno diminui gradativamente at
chegar a zero. Isto acontece quando a tenso de -6V aproximadamente. Esta polarizao
inversa, necessria para suprimir totalmente a corrente atravs do transistor, chamada de
tenso de corte.
Figura 4-29 Curvas caractersticas de um TEC canal N
250
Esta tenso de corte, para a maioria dos transistores TEC est situada entre -6 e -10V.
Podemos tambm verificar, atravs de curvas, que a variao de tenso do dreno acima do
joelho (5 volts) tem pouca influncia sobre a corrente de dreno (ID).
Pelo espaamento regular que se obtm com polarizaes at -2 volts nota-se que o transistor
pode amplificar sinais pequenos com um mnimo de distoro.
A resistncia interna entre dreno e fonte varia conforme a polarizao; assim, temos com
zero volts no gatilho (porta) uma resistncia interna por volta de 150 ohms, enquanto que
com polarizao inversa acima de -6 volts obtm-se valores superiores a 1000 megohms.
O TEC, da mesma forma como os transistores comuns, tambm pode ser usado em 3
configuraes, sendo que a mais usada o supridouro ligado massa, que corresponde ao
circuito emissor massa.
Como podemos observar, o circuito muito semelhante ao de um amplificador usando
vlvula triodo.
A autopolarizao do TEC pode ser feita da mesma maneira como na vlvula, isto , pelo
resistor do supridouro. Por exemplo, se escolhermos o ponto de trabalho do transistor em 5
miliampres e verificarmos, pelas curvas caractersticas, que para isso necessria uma
polarizao no gatilho de -1 volt, o resistor de supridouro (R1) deve ter um valor de:
O resistor normalmente escolhido em funo da frequncia de trabalho. O resistor R2

corresponde resistncia de carga (RL). A fase do sinal de sada est 180 graus invertida em
relao ao sinal de entrada.
Figura 4-30 Amplificador tpico com TEC

A principal vantagem do transistor de efeito de campo diz respeito sua impedncia de
entrada que, na realidade, dada pela impedncia de um diodo inversamente polarizado,
251
podendo atingir, dependendo do tipo do TEC, valores to altos como centenas de megohms.
Isto possibilita aplicaes impossveis para os transistores bipolares.
Finalmente devemos apresentar outro tipo de transistor de efeito de campo, o chamado
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor), tambm chamado MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor).
O funcionamento deste transistor diferente do anterior no sentido de que, com tenso VGS
nula, no h nenhuma conduo no dreno.
Quando aplicamos uma tenso positiva, por exemplo, no caso da figura 4-31, surge na
superfcie da regio N um canal tipo P, correspondente ao dreno e fonte, possibilitando,
ento, o deslocamento de buracos entre a fonte e o dreno.
A vantagem deste tipo de transistor a elevadssima impedncia de entrada, e com este
tipo que se consegue obter os valores mais elevados.
Outra extraordinria vantagem deste ltimo tipo de FET que ele possibilita a fcil
fabricao de complexos arranjos integrados com aplicaes sem limites no campo digital.
Figura 4-31 Constituio e smbolo do MOSFET canal P

4.14 TRANSISTOR DE UNIJUNO
O transistor de juno nica (TJU ou UJT) um dispositivo semicondutor de trs terminais
que tem sua principal aplicao em circuitos osciladores no senoidais e de comutao.
252
A figura 4-32 mostra a constituio fsica e o smbolo do transistor de unijuno. Ele

constitudo por uma pequena barra de silcio do tipo N, na qual so feitos contatos hmicos
nos extremos que so denominados Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral feita uma
juno PN, na qual tambm feito um contato hmico, o que constitui o emissor.
Eletricamente, o TJU atua como divisor resistivo de tenso, entre B1 e B2 e um diodo no
centro.
Figura 4-32 Construo fsica, circuito equivalente e smbolo eltrico do TJU
Curvas Caractersticas
Vimos que entre as bases B1 e B2, o dispositivo apresenta a caracterstica de um resistor
comum. Quando a base B2 est aberta, isto , quando IB2 igual a zero, temos apenas no
circuito a juno E-B1, polarizada diretamente pela bateria VEE. Isto significa que, quando IB2
for igual a zero, a curva caracterstica relacionando IE e VE ser a de um diodo comum, como
podemos observar na "curva 1" da figura 4-33.
Devemos observar que nesta figura a corrente IE est representada no eixo das abscissas e a
tenso VE no eixo das ordenadas, o que explica o aparecimento diferente da "curva 1" de um
diodo comum.
253
Alm disto, devemos salientar que a "curva 2" foi traada para uma dada tenso V BB,
obtendo-se curvas com aspecto semelhante para diferentes tenses de VBB.
Figura 4-33 Curvas caractersticas de um transistor unijuno

Partindo do ponto "A", medida que a tenso VE aumenta, a corrente vai aumentando
lentamente at que seja atingido o ponto "B"(chamado de ponto de pico), a partir do qual a
tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto, o trecho BC caracterizado pelo fato,
aparentemente contraditrio, de uma diminuio da tenso provocar um aumento de
corrente.
Isto explicado se considerarmos que, no trecho BC, o dispositivo apresenta uma resistncia
negativa, caracterstica esta que permite a aplicao do transistor de unijuno em osciladores
(geradores dentes-de-serra, multivibradores, etc).
A figura 4-34 mostra as curvas caractersticas de sada do transistor de unijuno.
Podemos observar a relao entre a corrente IB2 e a tenso de sada, entre as bases, para
diferentes valores da corrente no emissor (IE).
Figura 4-34 Curvas caractersticas de um transistor de unijuno, relacionando IB2, VBB e IE

254
Aplicao
Um exemplo simples da aplicao do TJU o circuito da figura 4-35 que um oscilador de
relaxao.
Quando o interruptor ligado, a ao divisora de tenso, da resistncia da barra de silcio do
TJU, da base um e da base dois, em srie produz uma queda de 12 volts, aproximadamente,
entre a base um e o lado N da juno do emissor.
Neste momento, a tenso do emissor zero, por causa do capacitor C1. O capacitor C1
comea a adquirir carga atravs do resistor R1. Quando a tenso do capacitor chega a 12
volts, a juno do emissor se polariza diretamente e comear a fluir uma corrente pela base
um, reduzindo a resistncia interna. Esta ao descarrega a energia armazenada no capacitor,
atravs do resistor R3. Logo, o ciclo se repete e o capacitor se recarrega e volta a descarregarse.
Figura 4-35 Oscilador de relaxao

Cada vez que o emissor se polariza diretamente, diminui a resistncia total entre as bases um
e dois, o que permite um aumento na corrente que passa pelo TJU.
255
Como resultado, na base um aparecer um pulso positivo e na base dois um pulso negativo,
no momento em que o capacitor se descarrega. Assim temos no emissor uma onda dentede-serra.

Caro aluno,
Seguindo em frente, no prximo mdulo estudaremos circuitos integrados e sensores.
Voc nosso convidado a nos acompanhar.
Bons estudos!
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256
Fonte: http://www.minasic.com/novo/?p=463
MDULO V
CIRCUITOS INTEGRADOS E SENSORES
INTRODUO
Caro aluno,
Uma vez que em aviao o peso e a ocupao do espao so fatores fundamentais, em
qualquer sistema embarcado, extremamente importante reduo do tamanho e peso, sem
deixar de lado a robustez e a preciso no funcionamento.
A confeco de dispositivos integrados vem de encontro a essas exigncias, na medida em
que os circuitos integrados compactam diversos elementos em um s dispositivo ou em uma
placa de tamanho reduzido.
Neste mdulo, alm dos circuitos integrados, iremos estudar os sensores, que so os rgos
dos sentidos de nossos sistemas.
Os dispositivos que realizam as diversas funes na aeronave devem receber informao do
ambiente externo a ele de forma a poder produzir a resposta desejada, auxiliando a tripulao
na conduo do voo.
257
5.1 CIRCUITOS INTEGRADOS

Com a inveno do transistor, os projetistas puderam produzir equipamentos eletrnicos
menores, mais versteis e de maior confiabilidade. Porm o transistor foi apenas o primeiro
passo para um avano tecnolgico ainda maior: a implementao do circuito integrado
monoltico.
Os circuitos integrados, com as funes prprias de um circuito completo, em um espao
comparvel ao que antes era ocupado por um nico transistor, esto convertendo-se nos
componentes bsicos dos equipamentos eletrnicos.
Para a construo de um circuito integrado, efetua-se uma srie de operaes de difuso
gasosa e centenas de circuitos integrados so produzidos simultaneamente em uma pastilha
de silcio, com cerca de 3 cm de dimetro.
5.2 MICROELETRNICA
Na eletrnica sempre houve uma tendncia de miniaturizao dos equipamentos. O
aparecimento do transistor e do diodo semicondutor, depois da guerra, incentivou mais o
desenvolvimento dessa miniaturizao.
A utilizao dos elementos semicondutores em miniatura foi possvel devido s
caractersticas do transistor permitirem o funcionamento dos circuitos com baixa tenso e
potncia.
A montagem de transistores e outros componentes em pequenas placas de circuitos
impressos proporcionou uma reduo significativa no tamanho e peso dos equipamentos. O
resultado, mesmo em miniatura, era todavia convencional no que se refere montagem dos
diversos componentes, formando o que se poderia chamar de micromontagem. A partir da
as pesquisas se desenvolveram, chegando atualmente chamada microeletrnica. Um
circuito integrado um caso particular de microeletrnica, recebendo essa denominao um
conjunto inseparvel de componentes eletrnicos, em uma nica estrutura, a qual no pode
ser dividida sem que se destruam suas propriedades eletrnicas. Os circuitos integrados de
semicondutores podem ser divididos em dois grupos: os circuitos monolticos e os circuitos
hbridos. Nos circuitos monolticos todos os componentes dos circuitos so fabricados por
meio de uma tecnologia especial dentro de uma mesma pastilha de silcio, enquanto que nos
circuitos hbridos, vrias pastilhas so colocadas em um mesmo invlucro e so conectadas
entre si.
258
5.3 TCNICA DE FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS

Como mencionado anteriormente os circuitos integrados monolticos so aqueles em que
todos os componentes do circuito so fabricados simultaneamente em um nico cristal de
silcio com menos de 1 mm2 de rea.
O processo usado atualmente para a fabricao de CI (circuito integrado) baseado na
tcnica de difuso do silcio, que foi desenvolvida para a fabricao de transistores de silcio.
Inicialmente o material um cristal de silcio simples, do tipo P ou do tipo N, como mostrado
na figura 5-1 (A).
As tcnicas de difuso permitem a introduo de impurezas nas profundidades e larguras
desejadas no material inicial. A penetrao vertical das impurezas controlada pela
temperatura de difuso e pelo tempo. O controle lateral de difuso torna-se possvel pela
combinao das propriedades de vedao do dixido de silcio com as tcnicas fotoqumicas.
Quando determinadas regies do tipo N so difundidas em um material inicial do tipo P,
como mostrado na figura 5-1 (B), so formados ncleos isolados no circuito.
Os diodos formados pela substncia P e os ncleos do material tipo N, fornecem o
isolamento eltrico entre os ncleos.
A difuso de regies adicionais do tipo P e do tipo N formam transistores, como mostrado
na figura 5-1 (C).
As fases bsicas s quais submetido o silcio, durante o processo de fabricao do CI so
mostradas na figura 5-1.
259
Figura 5-1 Fases do processo de fabricao do CI

A placa de silcio ento revestida com uma camada de xido isolante. Essa camada aberta
nos pontos adequados, para permitir a metalizao e a interconexo, como mostrado na
figura 5-1 (D).
Quando se necessita de resistores no circuito, a difuso do emissor do tipo N omitida e
dois controles hmicos so estabelecidos para uma regio do tipo P, formada
simultaneamente com a difuso da base, como mostrado na figura 5-1 (E).
Quando se necessita de capacitores, o prprio xido usado como dieltrico, como
mostrado na figura 5-1 (F).
A figura 5-1(G)" mostra a combinao de trs tipos de elementos em uma placa simples.
Devido ao fato do processo bsico de fabricao dos circuitos integrados ser idntico ao
usado para fabricar transistores, em um circuito integrado feito por esse processo, os
transistores so similares aos convencionais. Por outro lado, os resistores dos circuitos
integrados so completamente diferentes dos comuns.
Nos resistores comuns os diferentes valores hmicos so obtidos variando-se a resistncia
do material condutor. J nos circuitos integrados, a resistncia do material no pode variar
para se obter valores diferentes de resistores, porque a resistncia do material determinada
pelo valor requerido para a fabricao do transistor e seu valor hmico depende basicamente
de sua forma geomtrica.
O valor do resistor determinado pelo produto de sua espessura de difuso "S" pela razo
entre o comprimento "L" e a largura "W", ou seja:
O valor da capacitncia de um capacitor integrado dado pelo produto de sua superfcie "A"
e a razo entre a constante dieltrica do material difundido "E" e a espessura do xido "d",
ou seja:
5.4 TIPOS DE ENCAPSULAMENTO E CONTAGEM DE PINOS

O invlucro de um circuito integrado desempenha quatro funes importantes:
260
a) Protege a pastilha de silcio contra a ao do meio ambiente, que de certo modo pode
alterar as caractersticas do CI;
b) Protege mecanicamente a pastilha do circuito integrado;
c) Possibilita um meio simples de interligar o CI com os outros componentes do circuito;
d) Dissipa o calor dentro da pastilha, durante o funcionamento do CI.
Na figura 5-2 so mostrados alguns dos invlucros usados na prtica.
Os dois primeiros CI's possuem invlucro do tipo "dual" em linha, sendo a cpsula
geralmente de material plstico e moldado em torno dos terminais do suporte onde a pastilha
de silcio foi montada.
O ltimo CI mostrado na figura possui invlucro do tipo TO (metlico), extensivamente
usado em muitos tipos de transistores.
Figura 5-2 Invlucros usados em CI's

A identificao dos terminais dos elementos que constituem o CI feita pela numerao dos
pinos, que so contados por um sistema padronizado.
A contagem de pinos de circuitos integrados com encapsulamento do tipo "dual" feita, a
partir da marcao guia de referncia pino a pino, no sentido anti-horrio, tal como mostrado
na figura 5-3.
Guia
Figura 5-3 Contagem de pinos em CI's

J para o CI com encapsulamento do tipo TO a contagem feita do pino guia no sentido
horrio, quando a vista interior de sua base estiver voltada para o observador. Essa contagem
mostrada na figura 5-4.
261
Figura 5-4 Contagem de pinos para CI com encapsulamento do tipo TO.
5.5 SENSORES
A grande maioria dos circuitos eletrnicos serve para, de alguma forma, interagir com o meio
ambiente e com o usurio. Isto acontece particularmente na avinica, onde os instrumentos
de voo devem interpretar condies externas e internas da aeronave e traduzi-las em sinais
inteligveis para que o piloto ou operador possa tomar as decises adequadas em relao
pilotagem ou operao de equipamentos.
Assim como ns temos nossos rgos dos sentidos, para que possamos interpretar os sinais
do meio ambiente, os circuitos eletrnicos recebem esses sinais atravs de sensores, que so
basicamente transdutores dos mais variados tipos de sinais para sinais eltricos ou eletrnicos
que possam ser processados por um circuito.
5.6 SENSOR DE UMIDADE

Existem certos materiais semicondutores cuja resistncia varia com a umidade relativa do ar.
Estes materiais tm certo padro especfico de carga eltrica em suas molculas que os nveis
de energia entre elas so controlados mediante a umidade do ar.
Este tipo de dispositivo semicondutor fabricado na forma de pelcula delgada, depositada
sobre os eletrodos que esto dispostos um ao lado do outro. A resistncia entre os eletrodos
varia com a quantidade de umidade do meio ambiente, pela qual possvel medir a umidade
relativa do ar.
A figura 5-5 mostra uma curva caracterstica, dada pelo fabricante. Por essa curva pode-se
observar que o sensor de umidade apresenta uma resistncia elevada que decresce
rapidamente com o aumento da umidade.
262
Umidade relativa do ar em %
Figura 5-5 Curva de variao da resistncia com a umidade

A figura 5-6 mostra um circuito que pode ser usado, por exemplo, para medir a umidade
relativa do ar de um depsito de componentes eletrnicos.
A lmpada L1 acender todas as vezes que a umidade do ar atingir nveis prejudiciais aos
componentes eletrnicos do depsito.
Figura 5-6 Circuito medidor da umidade relativa do ar

O circuito da figura 5-6 possui o funcionamento descrito a seguir.
Havendo um aumento da umidade relativa do ar, a resistncia do sensor de umidade diminui,
ocasionando um aumento da polarizao direta base-emissor e com isso tambm um
aumento de IC.
263
Se o miliampermetro estiver graduado em percentagem de umidade do ar, teremos desta

forma uma indicao precisa dessa umidade.
Porm, se a umidade do ar continuar a aumentar, o rel K1 ser ativado atravs do aumento
de IC, fazendo com que a lmpada L1 acenda, indicando que a umidade est sendo prejudicial
aos componentes.
5.7 TERMISTORES
Os termistores so componentes eletrnicos que tm a capacidade de alterar a resistncia
hmica com a variao da temperatura.
Existem termistores com coeficiente de temperatura positiva (PTC) e negativo (NTC), ou
seja, no primeiro caso teremos um aumento de resistncia quando ocorrer um aumento de
temperatura e no segundo caso teremos uma diminuio no valor hmico do termistor
quando ocorrer um aumento de temperatura.
Os termistores so amplamente utilizados em circuitos de polarizao de transistores pois
neste caso, eles compensariam as variaes da polarizao devido ao aumento ou diminuio
da temperatura.
Figura 5-7 Circuito com estabilizao de polarizao

Os termistores com coeficiente negativo de temperatura (NTC) so os mais utilizados.
Um circuito com estabilizao de polarizao atravs de um NTC mostrado na figura 5-7.
A tenso VBE do circuito 0,2V e a IB 300 mA. Com o aumento da temperatura ambiente
a IC tende a aumentar devido ao aumento da ICO.
Porm, esse aumento da temperatura afeta tambm o NTC, diminuindo sua resistncia,
ocasionando um aumento da corrente atravs dele.
264
Essa maior corrente solicitada aumenta a queda de tenso em RF, diminuindo a VBE e com
isso menores sero a IB e a IC.
O resultado que este dispositivo tende a manter o circuito no seu ponto de operao.
A figura 5-8 a seguir mostra as curvas caractersticas de um NTC e um PTC respectivamente.
Figura 5-8 Curvas caractersticas de um NTC e de um PTC
5.8 DISPOSITIVOS FOTOSSENSVEIS

Diz-se que um dispositivo fotossensvel se o mesmo alterar suas caractersticas mediante a
incidncia de luz.
Dentro do grupo de componentes fotossensveis, destacam-se as clulas fotoeltricas que
podem ser a gs ou a vcuo, as clulas fotocondutivas que podem ser do tipo fotoresistor,
fotodiodo e fototransistor e as clulas fotovoltaicas.
Clulas Fotocondutivas
Estas clulas baseiam-se no fenmeno que ocorre quando um fluxo luminoso incide sobre
um material semicondutor.
No momento da incidncia de luz sobre o material, as partculas luminosas chamadas de
ftons fornecem aos eltrons energia suficiente para produzir a ruptura das ligaes
covalentes. Assim, um eltron que abandona a ligao deixa uma lacuna em seu lugar.
Portanto a ao dos ftons ocasiona a produo de pares eltron-lacuna, o que provoca o
aumento da condutividade no semicondutor.
Este fenmeno conhecido como fotocondutividade.
265
Entre os dispositivos que funcionam baseados no fenmeno da fotocondutividade temos os

fotorresistores, fotodiodos e os fototransistores.
Fotorresistores
Os fotorresistores so constitudos de material semicondutor.
Quando um fluxo luminoso incide sobre eles a sua condutividade aumenta, ou seja, a sua
resistncia diminui.
Os materiais mais utilizados para a construo dos fotorresistores so o sulfato de cdmio e
o sulfeto de chumbo.
Os fotorresistores so caracterizados pelas iniciais LDR (Light Dependent Resistor), ou seja,
resistor dependente da luz.
Os fotorresistores so geralmente aplicados em circuitos para a operao de rels.
A figura 5-9 ilustra esse processo.
Figura 5-9 Circuito de aplicao do fotorresistor

Quando no h fluxo luminoso, a resistncia do LDR alta e a corrente que circula na bobina
do rel no suficiente para acion-lo. Quando um fluxo luminoso incide sobre o
fotorresistor a sua resistncia diminui, a corrente aumenta atingindo um valor suficiente para
acionar o rel.
Consequentemente, com esse simples circuito possvel efetuar o controle automtico de
portas, alarmes de segurana, controles de iluminao de ambientes etc.
Fotodiodo
Os fotodiodos so constitudos de maneira anloga aos diodos de funo j estudados.
266
Figura 5-10 Aplicao do fotodiodo

A nica diferena que a juno PN influenciada pela intensidade da luz, atravs de uma
janela de material transparente adaptada na parte superior de seu invlucro.
Alguns fotodiodos possuem nesta janela uma pequena lente convergente que concentra ainda
mais os feixes de luz.
O fotodiodo, em condies normais polarizado no sentido inverso e, portanto, circula
atravs do diodo apenas a corrente de fuga.
Quando um feixe luminoso incide na juno, so quebradas ligaes covalentes, aumentando
a concentrao de portadores minoritrios e consequentemente, a corrente de fuga aumenta.
Esse aumento da corrente vai atuar num circuito acoplado ao fotodiodo.
O circuito representado na figura 5-10 tem por objetivo processar a contagem de produtos
que esto sendo transportados por uma correia
O fluxo luminoso proveniente de uma lmpada interrompido quando o produto se interpe
entre a lmpada e o fotodiodo.
Quando isso ocorre a corrente atravs do diodo diminui, fazendo com que a tenso esttica
aplicada na base do transistor amplificador aumente. Isso provoca um aumento da
polarizao direta base-emissor, logo, a IC aumenta, fazendo com que a tenso coletor-terra
diminua.
Desta forma temos na sada do circuito um pulso que acoplado ao contador. Estes pulsos
sero registrados pelo contador, o qual informar a quantidade de objetos.
267
Fototransistores
Esses dispositivos so constitudos por duas junes PN acondicionados num invlucro,
tendo uma pequena lente que converge o fluxo luminoso sobre a juno base-emissor, a qual
denominada juno fotossensvel.
Quando a luz incide na juno base-emissor, sua condutividade aumenta, ocasionando um
aumento na corrente de coletor.
Quanto mais intenso for o fluxo luminoso, mais intensa ser a corrente de coletor.
Devido a sua amplificao, o fototransistor fornece dez vezes mais corrente que o fotodiodo,
sob as mesmas circunstncias.
Os fototransistores possuem as mesmas aplicaes dos fotodiodos tais como a leitura tica,
controle automtico de brilho etc. Todavia, apresentam a vantagem de no necessitar de
ampliao adicional.
Clulas Fotovoltaicas
Como o nome indica, essas clulas produzem uma tenso eltrica quando submetidas a ao
de um fluxo luminoso.
Uma das aplicaes mais tpicas das clulas fotovoltaicas nos chamados fotmetros que
so instrumentos usados pelos fotgrafos para obterem informaes sobre a iluminao do
ambiente.
Quando a luz incide sobre a fotoclula, que normalmente de selnio, produzida uma
tenso que aplicada a um milivoltmetro graduado em unidades de intensidade de luz.
Uma aplicao moderna de grande importncia das clulas fotovoltaicas nas chamadas
"baterias solares".
Clulas so colocadas, em grande nmero, lado a lado e ligadas de maneira conveniente, em
srie, em paralelo ou em combinao srie-paralelo.
Quando exposto luz solar, o conjunto pode fornecer energia suficiente para o
funcionamento dos instrumentos de um farol, de uma estao meteorolgica e
principalmente de um satlite artificial.
268

Caro aluno,
No prximo mdulo, voc entender como podemos alimentar adequadamente os circuitos
de forma a aumentar a confiabilidade e a eficincia de nossos circuitos embarcados.
Vamos l!
Fonte: http://www.hardware.com.br/artigos/pc-baixo-consumo/pagina2.html
MDULO VI
REGULADORES DE TENSO
APRESENTAO
Caro aluno,
269
Os circuitos eletrnicos podem desempenhar uma infinidade de funes de acordo com a

finalidade para a qual foram planejados. Sua funcionalidade, no entanto, depende de
alimentao eltrica e muitos desses circuitos devem ter uma alimentao estabilizada e
dentro de limites restritos para que possam funcionar adequadamente.
Neste mdulo, voc vai conhecer os reguladores de tenso, que procuram garantir a
alimentao compatvel para que os circuitos eletrnicos trabalhem de acordo com o seu
projeto.
6.1 O DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSO

O diodo Zener um dispositivo semicondutor, de dois terminais, diferente dos diodos
comuns, tanto na sua construo fsica, quanto no seu funcionamento.
O Zener possui uma juno maior que a do diodo comum, o que possibilita uma dissipao
de potncia.
Quanto ao seu funcionamento, foi projetado para operar na regio inversa da curva
caracterstica e assim sendo, sua polarizao normal a polarizao inversa.
Apesar do seu funcionamento diferir um pouco do diodo comum, o Zener pode operar do
mesmo modo que o diodo anteriormente estudado.
Os diodos Zener operando na regio inversa da curva caracterstica so tambm chamados
diodos de referncia, ou ainda diodos de avalanche.
6.2 CARACTERSTICAS DO DIODO ZENER
A diferena essencial, entre um diodo Zener e um diodo comum, est no grau de definio
do ponto (tenso) de Zener.
O diodo Zener possui um joelho de alta tenso, de curvatura bastante acentuada, ao passo
que outros diodos possuem uma curvatura mais suave, como se v na figura 6-1.
270
Figura 6-1 Curva na regio inversa do diodo comum

Outra caracterstica importante do diodo Zener a maior largura fsica da juno. A razo
de ser desta caracterstica est na potncia que a juno pode dissipar.
Por exemplo, um diodo comum de Ge, com uma corrente de 1 mA, dissipa:
Pj = 1 mA x 0,25 V = 0,25 mW
Como o diodo Zener opera com tenses mais elevadas (6 volts), teramos, com a mesma
corrente de 1 mA, a potncia:
Pj = 1 mA x 6 V 6 mW
Por este motivo que a juno do diodo Zener deve ser maior que a de um diodo comum,
a fim de possibilitar uma dissipao maior.
O diodo Zener pode ser usado em substituio vlvula reguladora de tenso (VR), como
mostra a figura 15. Isso se deve caracterstica do Zener que mantm a tenso constante,
dentro de determinados limites, quando est operando na regio de Zener.
Funcionamento
O diodo comum no deve atingir a zona Zener, sob pena de possvel destruio, enquanto
que o Zener projetado e fabricado para trabalhar nesta regio.
Quando o diodo Zener polarizado inversamente, uma corrente muito pequena circula
atravs dele - a corrente de fuga. medida que a tenso inversa cresce, tambm cresce o
campo eltrico existente na regio de transio. Este campo pode acelerar, suficientemente,
os eltrons livres, fazendo com que eles adquiram bastante energia, para provocar por
choque, o rompimento das ligaes covalentes.
271
Consideremos de incio, a situao de um eltron livre. Quando este eltron sofre a ao de

um campo eltrico, adquire uma acelerao suficiente, para romper uma ligao covalente.
Com isso, passam a existir trs portadores - uma lacuna e dois eltrons. Estes dois eltrons
podem ser acelerados e provocar o rompimento de duas outras ligaes, fornecendo agora,
sete portadores - quatro eltrons e trs lacunas. Em pouqussimo tempo ocorre uma
multiplicao de portadores de carga - avalanche - a corrente cresce, sendo limitada somente
pela resistncia externa do circuito.
A tenso sobre o diodo se mantm aproximadamente constante, o que indica que o diodo
possui uma resistncia muito pequena nessa regio. Esse fenmeno chamado "ruptura da
juno por avalanche" ou mais comumente "ruptura por avalanche".
Dependendo da construo da juno, da tenso aplicada e da corrente, pode produzir-se a
ruptura, mesmo que os eltrons livres no tenham sido acelerados o suficiente para romper
as ligaes covalentes. o caso em que o campo eltrico, produzido pela aplicao da tenso
inversa, suficiente para provocar, ele prprio, a quebra das ligaes covalentes e, portanto,
a rpida multiplicao dos portadores de carga.
Este tipo de ruptura chamado de "ruptura Zener" e o ponto no qual ela se inicia chamado
"ponto de tenso Zener".
Nesse caso a corrente tambm aumenta bruscamente e a tenso no diodo se mantm quase
constante.
Praticamente a ruptura por avalanche distingue-se da ruptura Zener, pelo seu coeficiente de
temperatura. Costuma-se chamar de regio de Zener ou tenso de Zener, regio e tenso
nas quais a corrente inversa cresce rapidamente e a tenso se mantm quase constante,
qualquer que seja o motivo real da ruptura.
Figura 6-2 Smbolos do diodo Zener

Como o diodo Zener possui mais de um smbolo para sua representao, vamos escolher
para emprego em nosso curso o smbolo "D" da figura 6-2.
6.3 ESPECIFICAES DA TENSO ZENER
272
Existem diodos Zener comerciais, com tenso variando de alguns volts at centenas de volts.
Para aplicaes prticas deste dispositivo, desejado que a regio de ruptura seja bem
definida e que a tenso se mantenha a mais estvel possvel, durante a ruptura. Por esse
motivo, prefere-se fabricar diodos Zener de silcio e no de germnio, pois estas
caractersticas so mais definidas no Si, que no Ge.
Cada diodo Zener comercial possui sua tenso caracterstica. Entretanto, esta tenso varia
ligeiramente com a corrente, pois a caracterstica no exatamente vertical.
Vejamos a curva caracterstica do diodo OAZ203, na figura 6-3. O fabricante fornece os
seguintes dados:
Iz = corrente de Zener
Vz = tenso de Zener
Para Iz de 1mA temos Vz de 6,2V
Figura 6-3 Curva caracterstica inversa do diodo Zener OAZ203

Falamos anteriormente em tenso mdia, porque os valores da tenso Zener variam para o
mesmo tipo de diodo, de unidade para unidade, dentro das tolerncias de fabricao, que
podem ser de 10%, 5%, 1%, ou ainda menores dependendo do tipo de diodo. Isto obriga o
fabricante a fornecer os valores mximos e mnimos para a tenso Zener conforme mostra
a figura 6-3.
Observe tambm na tabela a seguir, as caractersticas do diodo OAZ203, 25 C.
273
Tenso Zener
Iz = 1mA
Iz = 5mA
Iz = 10mA
Valores Tpicos
Mnimo
Mdio
Mximo
Vz = 5,8V
6,2V
6,6V
Vz = 6,1V
6,3V
6,8V
Vz = 6,1V
6,4V
6,9V
6.4 IMPEDNCIA DINMICA

O fato da tenso Zener no se manter exatamente constante, com a variao da corrente
inversa, indica que o diodo Zener no tem uma resistncia nula, na regio inversa, porm
apresenta certa resistncia, embora baixa. a impedncia dinmica, que corresponde
inclinao da curva caracterstica.
A impedncia dinmica tambm varia de diodo para diodo, dependendo de sua tenso Zener
e, para um mesmo diodo, varia com a corrente.
Por exemplo, na figura 6-4, a curva caracterstica do diodo OAZ201, para tenso Zener baixa,
apresenta uma Rz de 340 ohms para uma Iz de 1 mA. Quando a corrente cresce, a curva
caracterstica se aproxima de uma linha vertical e a impedncia dinmica diminui. Ainda para
o mesmo diodo temos: Rz de 40 ohms para Iz de 5 mA - Rz de 4,7 ohms para Iz de 20 mA
- estes valores de Rz so os valores mdios, correspondendo s tenses mdias de Zener.
Para diodos de Vz mais elevadas, nas baixas correntes, Rz mais baixa, porque o joelho da
curva quase reto: Rz de 21 ohms para Iz de 1 mA, para o diodo OAZ213.
Quando a corrente se eleva, a curva caracterstica no to vertical, quanto quela dos diodos
de baixa tenso. A impedncia maior para diodos de alta tenso (7 ohms para 20 mA, para
o diodo OAZ213).
Como do ponto de vista dos circuitos que utilizam o Zener, geralmente mais interessante
ter diodos, cuja impedncia seja a menor possvel, o projetista deve ter cuidado na hora da
escolha do diodo e da corrente de operao, a fim de obter a mnima variao de tenso,
quando a corrente se modifica.
274
Figura 6-4 Curvas caractersticas de trs diodos Zener
Efeito da Temperatura
Conforme j sabemos, muitas caractersticas dos dispositivos semicondutores dependem da
temperatura. O efeito causador da ruptura determina o sentido da variao. Se a ruptura for
por avalanche, a tenso Zener cresce com a temperatura, isto , o coeficiente de temperatura
positivo. Se a ruptura for do tipo Zener, a tenso Zener decresce com a temperatura, o que
equivale ao coeficiente negativo de temperatura.
Nas aplicaes prticas, se a temperatura do equipamento onde utilizado o diodo Zener
variar, importante saber qual ser o sentido da variao da tenso Zener. s vezes, deve ser
procurado, um ponto onde a tenso no varie, ou pelo menos varie o mnimo possvel (ponto
de coeficiente nulo de temperatura).
O coeficiente de temperatura varia de diodo para diodo, pois depende da tenso Zener e,
para um mesmo diodo, ele varia de acordo com a corrente de operao.
Os diodos Zener com tenses maiores que 6 volts tm coeficientes positivos de temperatura,
enquanto que os de tenses menores que 4,5 volts tm coeficientes negativos de temperatura.
Por exemplo, o diodo OAZ203, com tenso Zener de 6,3 volts, tem os seguintes coeficientes
de temperatura: para Iz de 1mA, o coeficiente de +0,5 mV/ grau centgrado, o que significa
um acrscimo de 0,5 mV, para cada grau centgrado de aumento de temperatura. medida
que a corrente cresce, o coeficiente de temperatura tambm cresce.
Corrente
5 mA
20 mA
Coeficiente
+ 1,7 mV/C
+ 2,6 mV/C
275
Para diodos de tenses mais elevadas, o coeficiente tambm mais elevado. Vejamos, por
exemplo, os coeficientes para o diodo OAZ213, com tenso Zener mdia de 12,2 V.
Corrente
1 mA
5 mA
20 mA
Coeficiente
+ 9,2 mV/C
+ 9,3 mV/C
+ 9,4 mV/C
Para diodos, cuja tenso Zener est compreendida entre 4,5 e 6 volts, o coeficiente de
temperatura passa de negativo para positivo, medida que a corrente cresce. O diodo
OAZ201, com tenso mdia de 5,6 volts, tem os coeficientes a seguir.
Corrente
1 mA
20 mA
Coeficiente
- 1,6 mV/C
+ 1,0 mV/C
Com estes dados que o fabricante fornece possvel fixar a corrente de operao, de tal
modo que o coeficiente de temperatura seja o mais prximo de zero. Por exemplo, no caso
do diodo OAZ201, poder-se-ia escolher uma corrente compreendida entre 5 e 20 mA,
intervalo no qual o coeficiente de temperatura, passando do negativo para o positivo, em
algum ponto se anular.
6.5 LIMITAES DO DIODO ZENER

As limitaes do diodo Zener so: a corrente mxima direta (caso venha a trabalhar naquela
regio), a corrente mxima inversa e a mxima dissipao. Esse ltimo dado muito
importante e depende da temperatura na qual o diodo vai operar. Para os diodos de potncia,
depende tambm dos meios utilizados para dissipar o calor produzido, conforme j
assinalamos no caso dos diodos retificadores e conforme ser visto no apndice.
Quando se necessita de tenso Zener elevada, prefervel, s vezes, colocar vrios diodos de
baixa tenso, em srie, em vez de usar um diodo de alta tenso, pois esses ltimos tm
coeficiente de temperatura maior, impedncia dinmica maior e necessitariam ser de maior
dissipao. Os diodos de baixa tenso, em srie, podem ter dissipaes mais baixas, por
dividirem entre si a dissipao total.
276
Notamos que existem diodos Zener de tolerncia muito pequena, em relao tenso e de
grande estabilidade, em relao temperatura, que servem como elementos de referncia de
grande preciso. So constitudos geralmente de dois ou trs diodos, em srie, colocados no
mesmo invlucro, sendo um ou dois no sentido direto, a fim de conseguir uma compensao
dos efeitos de temperatura.
6.6 APLICAES DO DIODO ZENER
Inmeras so as aplicaes do diodo Zener, substituindo nos circuitos transistorizados, a
vlvula reguladora de tenso, sua correspondente em equipamentos. O aproveitamento da
caracterstica da regio Zener (tenso constante com corrente varivel) leva, com efeito,
aplicao mais importante do diodo Zener que a regulao de tenso em fontes reguladas.
Entre outras aplicaes, citamos o seu emprego como chave, em circuitos limitadores, em
circuitos de estabilizao da polaridade de transistores, na proteo de circuitos e de
medidores, na supresso de fasca e na regulao de tenso alternada.
Figura 6-5 Diodo Zener em proteo de circuitos
Proteo de Circuitos
Os circuitos eltricos e eletrnicos costumam ser protegidos contra sobrecarga de tenso ou
corrente por fusveis que interrompem a corrente quando esta ultrapassar um valor
prefixado.
Em certos casos, torna-se difcil escolher um fusvel que interrompa o circuito no momento
de uma sobrecarga e, ainda assim, no chegar a fundir quando operado continuamente no
valor mximo de corrente perto da sobrecarga.
277
Uma soluo para esse problema consiste em escolher um fusvel que esteja afastado do
ponto de fuso, quando o circuito opera no valor mximo de corrente e colocar em paralelo
com a carga um diodo Zener com tenso um pouco superior tenso mxima permissvel
para a carga, como mostrado na figura 6-5.
Havendo uma elevao da tenso, essa tenso ultrapassada, atingida a tenso Zener, o
diodo oferece uma resistncia muito menor que a carga, a corrente aumenta muito e funde
o fusvel que abre o circuito.
Uma aplicao baseada no mesmo princpio exposto acima a proteo de medidores com
diodo Zener. Para evitar que uma tenso alta demais possa ser aplicada inadvertidamente a
um medidor colocado em uma escala baixa, que poderia danificar o sensvel sistema de
medio, coloca-se um diodo Zener em paralelo com o medidor, cuja tenso seja um pouco
maior que a tenso mxima aceitvel. Se esta tenso for ultrapassada, o diodo Zener a
conduzir e toda a corrente passar por ele, deixando o medidor fora do circuito. Veja a
figura 6-6.
Figura 6-6 Diodo Zener como proteo de medidores
Supresso de Fascas
Quando so interrompidos circuitos em que existem cargas indutivas (transformadores, rels,
solenoides), aparecem oscilaes transitrias, com amplitudes que podem ultrapassar o valor
normal de funcionamento e provocar fascas nos contatos do interruptor.
Para evitar a aplicao dessas altas tenses ao circuito e o faiscamento dos contatos, pode-se
colocar um diodo Zener em paralelo com a carga indutiva, com um resistor de proteo em
srie, para absorver a oscilao, tanto com alimentao CC (figura 6-7 A) ou CA (figura 6-7
B).
278
Figura 6-7 Diodo Zener como supressor de fascas
Regulao da Tenso Alternada

Quando a rede de alimentao (CA) varia a sua tenso, o efeito pode ser prejudicial em
muitos casos, citando-se como exemplo, a alimentao de lmpadas fornecedoras de luz para
clulas fotoeltricas, porque uma ligeira variao na tenso da rede modifica a intensidade
luminosa da lmpada e a resposta da clula fotoeltrica.
Para diminuir essas variaes, usam-se dois diodos Zener, em oposio (figura 6-8). Na
alternncia positiva, o diodo de cima entra na regio Zener, quando a tenso alternada iguala
a tenso de ruptura, estando o outro diodo sempre polarizado diretamente e funcionando
praticamente como um curto-circuito.
Na alternncia negativa, o diodo de cima funciona como um curto e o outro limita a tenso
no valor Zener. Quando a tenso de CA altera seu valor, seja para mais ou para menos, os
diodos Zener limitam a onda de tenso sempre nos mesmos valores, fixados pelas suas
tenses Zener.
Figura 6-8 Diodos Zener em circuito de regulao de tenso alternada
6.7 DIODOS ZENER COMERCIAIS

279
Existem diodos comerciais, com tenses Zener variando de alguns volts at centenas de
volts, dissipaes permissveis, variando de algumas centenas de mW at alguns W e
correntes mximas de algumas centenas de mA at dezenas de Ampres. A figura 6-10
apresenta um quadro comparativo de alguns diodos Zener comerciais da IBRAPE.
Curva Caracterstica do Diodo Zener

A curva caracterstica do diodo Zener bem semelhante curva do diodo comum. As poucas
diferenas existentes so a regularidade da intensidade de corrente, at que atinja o ponto de
Zener e a queda brusca na regio inversa da curva (mais intensa que nos diodos comuns).
O diodo Zener, quando trabalha na regio direta, trabalha como um diodo comum. Na regio
inversa, entretanto, h uma alta resistncia at que atinja o ponto de ruptura, da em diante a
resistncia baixa.
Figura 6-9 Curva caracterstica do diodo Zener
280
Figura 6-10 Quadro comparativo de alguns diodos Zener da IBRAPE

6.8 REGULADOR ELETRNICO DE TENSO
No estudo anterior sobre reguladores com Zener, pudemos ver que, embora o Zener regule
a tenso, razoavelmente, h necessidade de se elaborar um circuito mais complexo que resulta
da combinao de diodos Zener e de transistores.
Esta combinao apresenta como resultado uma regulao quase perfeita.
O regulador que vamos estudar nesta unidade um regulador eletrnico em srie.
Uma tenso bastante constante na sada, s vezes torna-se necessria, pois existem
equipamentos bastante sensveis, nos quais um mnimo de variao na sua alimentao o
bastante para que afete o seu funcionamento ideal.
Funcionamento
O circuito que analisaremos a seguir um dispositivo conhecido como regulador em srie.
Observe que o transistor Q1 est ligado diretamente ao terminal negativo da fonte de fora
no regulada. O terminal positivo passa diretamente para a sada do regulador. O transistor
Q1 denominado "transistor de passagem" e sua resistncia depende do grau de polarizao
direta.
Quando sua base se faz mais negativa, com respeito ao emissor, sua resistncia diminui.
281
Figura 6-11 Regulador em srie

A tenso de entrada est dividida entre a rede sensora e o transistor em srie com esta rede.
O resistor de passagem se comporta como um resistor varivel. Toda variao de tenso que
poderia ocorrer na sada ocorre na VCE de Q1.
Q2 denominado "transistor de controle" e determina a quantidade de polarizao de base
de Q1 e, portanto, a resistncia em srie de Q1.
A tenso de entrada do regulador sempre maior que a tenso requerida para a sada.
Observe que o potencimetro e o resistor em srie com Q1 ligam-se diretamente aos
terminais de sada de CC. Estes resistores so conhecidos como "rede sensora" ou "detectora
de tenso".
Quando diminui a corrente contnua de carga, a tenso contnua de sada tende a aumentar.
medida que h esse aumento, a rede detectora varia a polarizao da base de Q2 e isto torna
a base mais positiva. Como consequncia, a resistncia de Q1 aumenta, para compensar a
tendncia ao aumento da tenso de sada.
Quando a carga requer uma corrente considervel, a tenso da rede sensora tende a diminuir,
variando a polarizao de Q2, de tal forma que a base de Q1 torna-se mais negativa. Assim, a
resistncia de Q1 diminui, reduzindo a queda de tenso em Q1, compensando a tendncia de
diminuir a tenso de carga.
O diodo Zener possui duas funes. A primeira regular as variaes na tenso contnua de
entrada, como j foi visto anteriormente. A segunda e mais importante funo manter uma
tenso constante no emissor de Q2. Esta tenso quase igual a normal que se desenvolve na
base de Q1, mediante a rede sensora.
Quando a tenso contnua de sada tende a aumentar ou diminuir, a diferena entre esta
tenso de referncia e a da rede sensora, controla a corrente de base de Q 1, assim pois, a
resistncia de Q1 varia em forma ascendente ou descendente, dependendo da forma de
282
variao da tenso de entrada, para mais ou para menos, com a variao da corrente de carga
ou com a variao da tenso de linha.
Este tipo de regulador possua vantagem de poder regular maiores tenses contnuas de sada,
com mais capacidade de corrente que o regulador que usa apenas o diodo Zener. Este tipo
de regulador permite fazer variar a tenso regulada, para alguns valores desejados.
2.9 RESUMO
O diodo Zener um dispositivo semicondutor de dois terminais, projetado para funcionar
na regio inversa da curva caracterstica.
Regio Zener a regio onde a corrente de Zener aumenta e a tenso permanece constante.
Cada diodo Zener possui sua tenso caracterstica.
Existem dois tipos de ruptura: uma por avalanche e outra por Zener.
desejvel escolher-se diodos, cuja impedncia dinmica seja a menor possvel.
Se a ruptura for por avalanche, a tenso Zener cresce com a temperatura. Se a ruptura for do
tipo Zener, a tenso Zener decresce com a temperatura.
Diodos Zener com tenses acima de 6 V possuem coeficientes de temperatura positivos.
Diodos Zener com tenses abaixo de 4,5V possuem coeficientes de temperatura negativos.
Para diodos, cuja tenso Zener est compreendida entre 4,5 e 6 volts, o coeficiente de
temperatura passa de negativo para positivo, medida que a corrente cresce.
As limitaes do Zener so corrente mxima direta, corrente mxima inversa e a mxima
dissipao.
O Zener o substituto da vlvula reguladora de teno (VR).
A principal aplicao do Zener como regulador de tenso.
O regulador eletrnico uma combinao de dispositivos semicondutores que regulam com
bastante preciso tenses de corrente contnua.
Em um regulador eletrnico, o diodo Zener possui duas funes: fornecer uma tenso de
referncia para a base do transistor de controle e regular as variaes da tenso de entrada.
Os resistores na sada do regulador constituem a rede sensora ou detectora de tenso.
possvel variar a tenso de sada regulada, atravs do controle do potencimetro ligado
base do transistor de controle.
A figura 6-12 apresenta o aspecto externo de um diodo Zener.
283
Fonte: http://seriallink.com.br/loja/product_info.php?products_id=185
Figura 6-12 Diodos Zener

Caro aluno,
No prximo mdulo, voc vai conhecer alguns tipos de diodos utilizados nos circuitos
eletrnicos.
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Sigamos em frente!
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Fonte: http://www.sabereletronica.com.br/artigos/1532-todos-os-tipos-de-sensores
MDULO VII
DIODOS ESPECIAIS
285
APRESENTAO
Caro aluno,
Uma das vantagens da microeletrnica a versatilidade na confeco dos mais diversos tipos
de dispositivos. Os diodos, que basicamente so dispositivos que permitem a passagem de
corrente em um sentido e oferecem resistncia extremamente elevada no sentido oposto, so
exemplos de dispositivos que podem ser concebidos de diversas formas.
Neste captulo, voc conhecer diodos especiais, que podem ser utilizados no apenas como
controladores de fluxo de corrente, mas tambm como sensores e at mesmo para emitir luz.
Sua aplicao na avinica muito ampla.
7.1 THYRISTORES (SCR)

O Thyristor um comutador quase ideal, retificador e amplificador ao mesmo tempo.
Constitui-se um componente de escolha para a eletrnica de potncia. Concebido,
originalmente para substituir a vlvula "thyratron" gs, o thyristor se imps, rapidamente,
em diversos domnios, cujos mais importantes so a comutao pura e simples, a variao de
velocidade dos motores e a variao da intensidade luminosa.
O thyristor permanece normalmente bloqueado, at o momento em que se deseja que ele se
torne condutor.
O termo "thyristor" designa uma famlia de elementos semicondutores, cujas caractersticas,
originalmente, esto prximas s das antigas vlvulas thyratrons. O nome thyristor uma
contrao de THYRatron e transISTOR.
Os thyristores, tambm conhecidos por SCR (Silicon Controlled Rectifier) so elementos
unidirecionais a trs sadas (anodo, ctodo e gatilho).
Os TRIACS, so chamados "thyristores triodos bidirecionais". O nome Triac provm da
contrao de "TRIode AC Switch".
286
Fazem parte ainda da famlia dos thyristores, os fotothyristores ou thyristores fotossensveis,

os thyristores bloqueveis, os comutadores unilateral e bilateral SUS e SBS (Silicon Unilateral
Switch e Silicon Bilateral Switch, respectivamente) e o diodo Shockley, tambm conhecido
por diodo thyristor ou diodo de quatro camadas.
Estrutura e Smbolo do Thyristor

O thyristor um semicondutor de silcio a quatro camadas alternadas.
Duas conexes principais so realizadas para o anodo e o ctodo. A conduo, no sentido
direto (corrente de ctodo para anodo) comandada por um eletrodo, chamado gatilho (em
ingls - gate). Aps a aplicao de um sinal de comando no gatilho, o thyristor deixa passar
por ele uma corrente unidirecional, isto , s num sentido. A exemplo dos diodos comuns,
o sentido , repetimos, do ctodo para o anodo.
Figura 7-1 Estrutura e smbolo do thyristor
Thyristor sob Tenso

O thyristor pode ser comparado com dois diodos, montados em oposio, conforme
mostrado na figura 7-2.
Para simplificao da anlise que se segue, vamos admitir que o ctodo est ligado massa e
o gatilho est desligado, isto , no ar.
287
Figura 7-2 Comparao do thyristor com diodos

As camadas P1N2 formam o diodo em oposio, que assegura a no conduo do dispositivo.
Se o anodo est positivo, os diodos P2N2 e P1N1 esto polarizados diretamente, porm, o
diodo P1N2 bloqueia a conduo. Se, ao contrrio, o anodo negativo, os diodos P2N2 e P1N1
esto polarizados inversamente. Por causa da tenso de avalanche de P1N1 ser baixa, a
limitao da corrente inversa de fuga feita por P2N2. Na prtica, a tenso mxima limitada
pela tenso de avalanche dos diodos P2N2 e P1N1. Neste caso, s haver conduo se a tenso
inversa alcanar a tenso de ruptura dos diodos, o que poder danific-lo.
Thyristor sob Tenso Direta

O comportamento do thyristor melhor compreendido se fizermos uma analogia com dois
transistores PNP e NPN.
Veja a figura 7-3.
Figura 7-3 Thyristor sob tenso direta

Estes dois transistores so montados de modo que uma realimentao positiva seja realizada.
Suponhamos que a regio P2 seja positiva em relao regio N1. As junes J3 e J1 ficam
polarizadas diretamente e deixam passar, respectivamente, os portadores positivos e
288
negativos para as regies N2 e P1. Estes, aps se espalharem pelas bases de cada um dos
transistores, alcanam a juno J2, onde a carga espacial cria um intenso campo.
Se 2 o ganho de corrente, que d a frao da corrente de buracos injetados no emissor e
que atinge o coletor do PNP, e se de outra parte 1 o ganho de corrente, que d a frao
de corrente de eltrons injetados no emissor e que atinge o coletor do NPN, podemos
escrever que:
IC2 = IA 2 e IC1 = IA 1
A corrente total de anodo , evidentemente, a soma de IC1 e IC2, as quais se somam corrente
de fuga residual (ICX), atravs da juno central. A IA ser ento:
que nos d:
Para a maioria dos transistores de silcio, o ganho baixo para as baixas correntes e cresce
muito quando a corrente aumenta. Portanto, se ICX baixa, o denominador da equao
anterior est prximo de 1 (para as pequenas correntes), e a corrente IA permanece um pouco
superior corrente de fuga.
A estrutura PNPN, ainda que polarizada diretamente, est bloqueada e oferece uma grande
impedncia passagem da corrente.
Quando, por qualquer razo, ICX aumenta, a corrente e os ganhos aumentam tambm. A
soma 1 + 2 tende para 1 e a corrente IA tende para o infinito. Em realidade, ela toma um
valor bem elevado, que limitado somente pelo circuito exterior. O thyristor est ento no
estado de conduo, dizendo-se ento que ele est desbloqueado.
Observao: Este tipo de disparo do thyristor desaconselhado na maioria dos casos.
Princpio de Disparo pelo Gatilho

O disparo do thyristor pelo gatilho o mais comumente utilizado. A explicao ser mais
clara, se observarmos a figura 7-4.
O thyristor estando polarizado diretamente, uma impulso positiva (IG) de comando ser
injetada no gatilho. O transistor Q1, recebendo a IG, como corrente de base, tem sua corrente
de coletor igual a I 1, onde 1 o seu ganho de corrente (montagem emissor comum). Esta
corrente , por sua vez, injetada na base do transistor Q2, que produz uma IC2 igual a IG 1
2, onde 2 o ganho de corrente de Q2. Esta corrente ento reaplicada base de Q 1.
Duas situaes podem ocorrer:
289
Figura 7-4 Disparo pelo gatilho

Se o produto 1 2 for menor que 1, o dispositivo no ser disparado.
Se o produto 1 2 tender unidade (1), o processo de amplificao ir se manifestar e o
thyristor ir conduzir.
Desde que o disparo do thyristor ocorreu, a realimentao dos transistores os faz conduzir
saturao. Eles se mantm neste estado, mesmo que a impulso inicial do gatilho desaparea
e que o circuito exterior mantenha a corrente IA.
Como um Thyristor Pode Ser Disparado

Como j vimos, o thyristor dispe dos seguintes estados: bloqueado, quando polarizado
diretamente e no tenha sido disparado; bloqueado, quando polarizado inversamente;
condutor, se polarizado diretamente e tenha sido disparado.
Quando o thyristor passa do estado bloqueado para o de condutor, porque o transistor de
silcio teve um ganho de corrente, o qual fez aumentar a corrente de emissor.
Consequentemente, todos os mecanismos capazes de provocar um aumento da corrente IE
so utilizados. Os principais so:
1. TENSO - Quando a tenso ctodo-anodo do thyristor aumenta, chega a um ponto
onde a corrente de fuga suficiente para provocar um crescimento abrupto da IE.
Este modo de disparo principalmente empregado com diodos de quatro camadas
(diodos-thyristores).
2. AUMENTO DA TENSO - Sabemos que toda juno PN apresenta uma certa
capacitncia de juno. Se aplicarmos uma tenso brusca entre anodo e ctodo,
290
carrega-se esta capacitncia com uma corrente proporcional variao de tenso e

logo que esta tenso seja suficiente, o thyristor dispara.
3. TEMPERATURA - A corrente inversa de fuga em transistor de silcio, aumenta com
o aumento da temperatura. Quando a corrente de fuga for suficiente, teremos o

disparo do thyristor.
4. EFEITO TRANSISTOR - o modo clssico de disparar um thyristor, injetando-se
portadores suplementares na base do transistor equivalente, ou seja, no gatilho do

thyristor.
5. EFEITO FOTOELTRICO - Provocando-se a criao de pares eltronlacuna, um
foco de luz pode disparar um thyristor. Neste caso utiliza-se um fotothyristor; que
consiste em um tipo de thyristor, no qual existe uma "janela", ou seja, uma lente
transparente aos raios luminosos.
7.2 CURVA CARACTERSTICA DE UM THYRISTOR

A curva tpica de um thyristor, elemento unidirecional, mostrada na figura 7-5. Ela
representa a corrente IA em funo da tenso anodo-ctodo.
Figura 7-5 Curva caracterstica de um thyristor

VF = Tenso direta em bloqueio;
VFDSM = Valor mximo de tenso direta (em bloqueio);
VFT = Tenso sobre o thyristor desbloqueado (em conduo);
IH = Corrente mnima de conduo;
VR= Tenso inversa;
VRWM = Tenso mxima inversa.
291
(1) Quando a tenso "V" nula, a IA tambm ser nula. A tenso "V", ao crescer no sentido
direto, ser denominada VF ("F" de forward, em ingls).
(2) necessrio atingir um valor mnimo (Vd), para disparar o thyristor.
(3) Se aplicarmos uma corrente de comando no gatilho, deslocaremos o ponto VD para a
esquerda. Ver a figura 7-5.
(4) Nesse momento, o thyristor torna-se condutor e a queda de tenso entre seus bornes
diminui, enquanto que a corrente IA aumenta. Esta corrente direta ser denominada IF.
(5) Se polarizarmos inversamente o thyristor, com a aplicao de uma tenso VR ("R" de
reverse, em ingls), observa-se o aparecimento de uma pequena corrente de fuga (IR),
(6) at que uma tenso mxima inversa que se for aplicada ao thyristor o destruir.
O thyristor , portanto, condutor somente no primeiro quadrante. Note-se que o disparo
direto foi provocado pelo aumento da tenso direta.
Disparo do Thyristor (SCR)

O processo de disparo pode ser considerado separadamente do mecanismo de conduo do
anodo.
O desempenho do circuito de controle depender, porm, sob certo aspecto, do circuito do
anodo.
Um SCR nunca disparar, se o circuito do anodo limitar a sua corrente a um valor menor
que IH (corrente de manuteno). Com correntes de anodo inferiores a IH, um SCR
comportar-se- como um transistor. Quando a corrente de disparo for interrompida, a
corrente de anodo cessar.
Entre os terminais de disparo e de ctodo, h uma juno PN. Esta juno comporta-se
como um diodo e suas caractersticas so pouco afetadas pela presena das outras duas
camadas, mesmo quando existe uma diferena de potencial entre anodo e ctodo.
A figura 7-6 mostra uma caracterstica tpica do - diodo gatilho ctodo, obtida com a
aplicao de uma tenso positiva ao primeiro eletrodo.
A curva se aplica para as condies "ligado" e "desligado" do SCR, j que a alterao de
impedncia entre ambas pequena.
A caracterstica de impedncia varia com a temperatura, para diferentes SCR do mesmo tipo,
mas, sempre dentro dos limites apresentados nas publicaes.
Na figura 7-6, podemos ver a caracterstica desse diodo em diferentes temperaturas.
292
Figura 7-6 Variaes da caracterstica de impedncia em temperaturas diferentes

Consideremos um SCR com a caracterstica de impedncia conforme a figura 7-6. Se uma
tenso positiva for aplicada entre o anodo e o ctodo, e a tenso dos disparados for
aumentada, a corrente deste eletrodo aumentar segundo a curva da figura 7-6.
Em certo ponto da curva haver o disparo e este ponto bastante independente da tenso
do anodo, isto , quando a IGF atingir o valor de disparo, o SCR disparar, qualquer que seja
a tenso positiva do anodo.
Evidentemente h um valor de potencial mnimo de no disparo.
Os valores de corrente e tenso do gatilho, em que h o disparo, variaro de um a outro SCR
do mesmo tipo, isto se deve variao da impedncia do gatilho, entre os limites mostrados
na figura 7-7 e diferena de sensibilidade entre os SCR's.
Figura 7-7 Limites da variao da impedncia do gatilho

Fora da rea hachurada da figura 7-7 e dentro dos limites de RG, quaisquer valores de corrente
e de tenso dispararo qualquer SCR desse tipo particular. Tenses e correntes que se
localizem no interior da rea hachurada dispararo alguns, mas no todos os diodos da srie.
293
Os limites da rea de disparo eventual so definidos, com referncia s caractersticas

mostradas na figura 7-7, na sequncia a seguir.
1. LIMITES DE TENSO - A tenso limite a requerida para disparar o SCR, que
menos sensvel tenso, na mais baixa temperatura de operao. Em temperaturas
mais altas, a variao da tenso requerida no muito grande e possvel simplificar
o diagrama, considerando a tenso constante e igual requerida na mais baixa
temperatura de operao.
2. LIMITES DE CORRENTE - A corrente limite a requerida para disparar o SCR
menos sensvel corrente, na mais baixa temperatura de operao. Nas mais altas
temperaturas requerida menor corrente e os limites para -40, +25 e +100 graus
centgrados so mostrados na figura 7-7.
3. LIMITES DE BAIXO NVEL - Estes limites indicam nveis de tenso, abaixo dos
quais nenhum SCR disparar, nas temperaturas indicadas. As caractersticas
discutidas at agora determinam o limite inferior do nvel de disparo, sob todas as
condies. O limite superior determinado por uma combinao da potncia mdia
de disparo (pico de disparo), e das mximas correntes e tenses diretas do gatilho.
4. MTODOS DE DISPARO DO SCR - Um circuito de disparo, quando bem
projetado, deve disparar o SCR sem exceder a qualquer dos valores mximos de
tenso e corrente do componente.
a) Disparo por corrente contnua - Quando o valor da tenso entre o gatilho e o
ctodo, isto , VG atingir o valor de disparo, o SCR conduzir. Se a tenso VG for
reduzida a zero, o SCR continuar a conduzir, por causa da baixa impedncia de
sua estrutura interna.
Figura 7-8 Disparo por corrente contnua
294
O SCR ser bloqueado se a tenso positiva de anodo for reduzida at que a corrente de
anodo seja menor que IH.
No circuito da figura 7-8 B, a carga a ser alimentada foi colocada no circuito do ctodo (a
carga est representada por um resistor). Neste caso, quando o SCR dispara, a tenso no
ctodo se torna mais positiva que a tenso no gatilho. O diodo D1 , ento, colocado no
circuito de porta (ou gatilho) para evitar a sua ruptura.
Se a tenso que alimenta o anodo for de corrente alternada, o SCR conduzir durante as
alternncias positivas e bloquear, sempre que a tenso de anodo cair abaixo da tenso de
manuteno.
b) Disparo por corrente alternada - Se o anodo de um SCR for alimentado com
tenso alternada, o disparo poder ser efetuado tambm com tenso de CA.
Neste caso pode-se obter um melhor controle da energia consumida na carga. O circuito
bsico de controle de energia com SCR visto na figura 7-9.
Figura 7-9 Disparo por corrente alternada
Podemos observar que a tenso do gatilho (VG) pode sofrer um deslocamento de fase, com
relao fase da tenso no anodo. Este deslocamento de fase efetuado pela rede R 1 C1.
Devido a este deslocamento de fase, a corrente atravs do SCR pode circular durante um
tempo menor do que 180 do ciclo da tenso aplicada.
Atravs do grfico da figura 7-10 podemos ver o trabalho do SCR. Vemos em EA a
alternncia positiva da tenso aplicada no circuito. EG a tenso entre gatilho e ctodo e
conforme o valor de R1 poder estar atrasada de EA, num ngulo de 0 a 90.
Podemos ver, ainda, como pode ser variado o tempo de conduo do SCR, pelo
deslocamento da fase de EG. O controle da fase entre EG e EA, no circuito da figura 7-9,
efetuado atravs do potencimetro R1.
295
Figura 7-10 Trabalho do SCR
7.3 O TRIAC
O triac um dispositivo semicondutor a trs eletrodos, sendo um de comando (o gatilho) e
dois de conduo principal. Este dispositivo pode passar de um estado bloqueado a um
regime de conduo nos dois sentidos de polarizao e voltar ao estado bloqueado, por
inverso da tenso ou pela diminuio da corrente, abaixo do valor da corrente de
manuteno (IH).
Figura 7-11 Curvas e smbolo do triac

O triac , portanto uma verso bidirecional do thyristor. Em sua representao eltrica,
podemos compar-lo com associao antiparalela de dois thyristores.
Estrutura do Triac
296
Para se realizar um triac, recorre-se a diversas estruturas de camadas espalhadas, como na

figura 7-12.
Figura 7-12 Estrutura de um triac

As junes N1P1 e N2P2 constituem um Thyristor, e as junes N3P2 e N2P1 constituem o
outro. As junes N4P1 e N2P2 formam o thyristor de disparo.
O Disparo do Triac
Se ns aplicarmos a tenso V1 ao anodo A1, V2 ao anodo A2 e a tenso VG ao gatilho, e se
tomarmos V1 como referncia de massa (V1 = 0), podemos definir quatro quadrantes de
polarizao. Veja na figura 7-13.
Figura 7-13 Quadrantes de polarizao
Disparo no Primeiro Quadrante (+ +)

O triac dispara como um thyristor normal. A zona P1 o gatilho e a juno N1P1 injeta os
portadores, disparando o thyristor entre P2 e N1 (Ver na figura 7-14)
A corrente de disparo IG mnima funo da repartio das lacunas entre N1 e P1, ou seja,
do valor da resistncia "R" shunt entre o gatilho e A1.
Neste quadrante, o thyristor se comporta como um thyristor N1P1N2P2.
297
Figura 7-14 Esquema de um triac
Disparo do Segundo Quadrante (+ -)

A corrente de disparo circula de P1 para N4 e dispara o thyristor N4P1N2P2 (figura 7-14).
Devido geometria, a corrente principal de N4P1N2P2 polariza as bases P1N2 e o thyristor
N1P1N2P2 conduz. Este ltimo tendo uma impedncia mais baixa abre N4P1N2P2 (por IH),
salvo se a corrente de gatilho for mantida. Assim, a corrente principal, flui como para o
primeiro quadrante, entre P2 e N1.
Disparo do Terceiro Quadrante (- -)

Neste caso, a situao um pouco mais complexa. Usemos como referncia o esquema da
figura 7-14.
O potencial de P1 superior ao de N1. A juno P1N4 est, portanto polarizada diretamente
e injeta seus portadores. O thyristor que iremos disparar composto das camadas N3P2N2P1
(ctodo em N3 e anodo em P1).
Figura 7-15 Disparo do terceiro quadrante
298
A juno de gatilho efetiva deste thyristor o diodo N3P2 e para que ocorra o disparo ,
portanto necessrio, que N3P2 injete seus portadores. Uma melhor compreenso ser
possvel, atravs da figura 7-15.
O transistor Q1 formado das camadas N4P1N2 e T2 das camadas P2N2P1. O resistor "R" a
impedncia entre N3 e P2. Para que o thyristor Th2 dispare, necessrio que a corrente de
emissor de Q2 atravessando R polarize suficientemente a juno gate-ctodo de Th2.
Temos, portanto:
IB2 = 1 IG
IE2 = 2 IB2 = 1 1 IG onde:
IE2 a corrente de gatilho real de Th2;
IG a corrente injetada no gatilho do triac.
Nota-se que o transistor Q1 tem suas junes emissor-base e coletor-base polarizadas
diretamente, estando, portanto saturado e 1 um "alfa" forado. Portanto, de um modo
geral, 1 2 no muito diferente da unidade, se bem que os triacs tm neste quadrante,
sensibilidades prximas s dos quadrantes precedentes.
Em concluso: Th2 disparado por uma corrente IE2, criada atravs dos transistores Q1 e Q2
por IG.
Disparo no Quarto Quadrante (- +)

O processo de disparo idntico ao do terceiro quadrante, sendo que a camada N1 faz o que
no terceiro quadrante foi feito pela camada N4. Entretanto, a zona de N3P2N2P1 susceptvel
de disparar fisicamente grande e, portanto, a sensibilidade ser reduzida.
7.4 DIAC
O Diac um elemento simtrico, que consequentemente no possui polaridade. Sua
etmologia a contrao de "Diode Alternative Current". Sua estrutura muito simples,
sendo bastante similar de um transistor bipolar. A diferena que a concentrao de
impurezas aproximadamente a mesma em ambas as junes e que no existe nenhum
contato na camada que no transistor constitui a base.
As concentraes iguais de impurezas resultam em caractersticas de bloqueio-conduo,
segundo a figura 7-16.
299
Figura 7-16 Curvas caractersticas e smbolo do Diac

A tenso de retorno geralmente prxima de 30 volts. Tenses mais baixas so difceis de
obter, com uma resistncia negativa suficiente, enquanto que valores mais elevados
reduziriam as possibilidades de controle.
Quando se aplica uma tenso positiva ou negativa sobre os terminais de um Diac, se produz
um fluxo muito pequeno de corrente de fuga I(BO), at que a tenso chega ao ponto de
ruptura V(BO). Neste momento, a juno polarizada inversamente sofre uma ruptura por
avalanche e acima deste ponto, a caracterstica "tenso x corrente" equivale a uma resistncia
negativa, ou seja, a corrente aumenta consideravelmente enquanto a tenso diminui.
Os Diacs so muito usados em dispositivos de disparo para controle de fase de Triacs (em
controles graduais de luminosidade), controle de velocidade de motores universais, controle
de calefao, e diversas outras aplicaes similares.
7.5 FOTOTHYRISTORES
Para disparar um thyristor, injeta-se uma corrente na base de um dos transistores que o
constitui, o que leva saturao. Pode-se ainda dispar-lo, criando-se atravs da luz, uma
corrente em sua base. Para isto, criamos pares de eltrons-lacunas que sero separados por
um campo eltrico ao nvel da juno, e que so injetados na base do transistor considerado,
sob a forma de portadores majoritrios, criando assim a corrente de base. Quanto maior for
o nmero de eltrons-lacunas criados, maior ser esta corrente. Isto conseguido
escolhendo-se um comprimento de onda timo, prximo de 1 m, e tendo-se uma superfcie
de juno, a maior possvel com polarizao inversa e exposta aos raios luminosos.
O fotothyristor o nico elemento capaz de comutar sob a influncia da luz, que possui dois
estados estveis. Na figura 7-17, vemos a estrutura, o smbolo e o aspecto de um
fotothyristor.
300
Figura 7-17 Estrutura, smbolo e aspecto de um fotothyristor
7.6 THYRISTOR BLOQUEVEL

O thyristor bloquevel pode ser disparado quando lhe aplicamos uma tenso positiva ao seu
eletrodo de comando e ser rebloqueado se aplicarmos uma impulso negativa a este mesmo
eletrodo.
7.7 QUADRAC
A partir dos thyristores, triacs e diodos, os fabricantes idealizaram dispositivos compostos,
visando simplificar os esquemas de aplicaes e o uso prtico dos elementos.
Normalmente utiliza-se um diac para disparar um triac. Pode-se muito bem conceber um
elemento composto, compreendendo estes dois componentes. Este o quadrac, cujo
esquema apresentado na figura 7-18.
301
Figura 7-18 Esquema de um quadrac
7.8 DIODO SHOCKLEY

O diodo Shockley, tambm conhecido como diodo thyristor ou diodo de quatro camadas,
um dispositivo bipolar PNPN comparvel em todos os sentidos a um thyristor, porm,
estando disponveis somente os bornes de anodo e ctodo.
Quando aplicarmos em seus bornes (entre ctodo e anodo), uma tenso crescente, mas
inferior a certo nvel VS, sua resistncia ser elevada e somente uma pequena corrente o
atravessar.
Esta corrente da ordem de alguns microampres. Este o seu primeiro estado estvel, pois
o diodo est bloqueado.
Figura 7-19 Estrutura, curva e smbolo de um diodo Shockley

Quando a tenso VS atingida, chegamos na segunda zona, na qual o diodo apresenta uma
regio negativa. Este um estado instvel.
A resistncia do diodo vai decrescendo rapidamente e a partir do ponto IH ela no tem mais
do que alguns ohms. O diodo est plenamente condutor e assim permanece enquanto existir
a corrente de manuteno, cujo valor mnimo IH. Esta a terceira zona cujo funcionamento
estvel. A queda de tenso introduzida pelo dispositivo da ordem de 1V para os diodos
de germnio e 1,3V a 1,7V para os de silcio.
O rebloqueio efetua-se se reduzindo a corrente, abaixo do valor de IH ou a tenso, abaixo de
VH.
302
As tenses VS so da ordem de 20 a 100V, enquanto que IH da ordem de 1 a 50 mA.

7-9 DIODO TNEL
Um diodo tnel um pequeno dispositivo formado por uma juno PN, que tem uma
elevada concentrao de impurezas nos materiais semicondutores P e N. Esta alta densidade
de impurezas faz to estreita a regio de depleo da juno (ou regio de carga espacial), que
as cargas eltricas podem se transferir atravs dela, mediante um efeito mecnico-quntico
denominado "efeito tnel". Este efeito tnel produz uma zona de resistncia negativa, sobre
a curva caracterstica do diodo de referncia, que o habilita para desempenhar as funes de
amplificao, gerao de pulsos e gerao de energia de RF.
Caractersticas
Na figura 7-20 temos a caracterstica tpica de uma curva tenso-corrente de um diodo tnel
e seu smbolo.
Figura 7-20 Curva caracterstica de um diodo tnel e seu smbolo

Os diodos normais, quando polarizados inversamente, so percorridos por uma pequena
corrente at que se atinja a tenso de ruptura.
Com polarizao direta, a conduo comea aproximadamente com 300 mV. Nos diodos
tnel, ao contrrio, uma pequena polarizao inversa faz com que os eltrons de valncia dos
tomos do material semicondutor prximo juno, atravessem a mesma por efeito tnel.
Assim, o diodo tnel altamente condutor para todas as polarizaes inversas. Do mesmo
modo, com pequenas polarizaes diretas, os eltrons da regio N passam por "efeito tnel"
303
atravs da juno regio do tipo P, e a corrente do diodo cresce rapidamente at um valor

de pico (IP).
Com valores intermedirios de polarizao o diodo tnel apresenta uma caracterstica de
resistncia negativa e a corrente cai a um valor mnimo, denominado IV (corrente de vale).
Com valores crescentes de polarizao, o diodo tnel apresenta uma caracterstica didica.
Devido reduo da corrente com o aumento da polarizao na regio de resistncia
negativa, o diodo tnel tem a capacidade de amplificar, oscilar e comutar.
Ponto de Funcionamento
Quando se usa um diodo tnel em circuitos tais como amplificadores e osciladores, deve-se
estabelecer um ponto de funcionamento na regio de resistncia negativa.
A linha de carga de CC, mostrada em linha cheia na figura 7-21 deve ter uma inclinao tal,
que intercepte a regio de resistncia negativa somente em um ponto.
A linha de carga de CA pode ser bem inclinada, com uma s interseo (B) como no caso de
um amplificador, ou um pouco inclinada, com trs intersees (C, D, E) como ocorre em
um oscilador.
Figura 7-21 Linhas de carga

7.10 DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)
Num diodo com polarizao direta, os eltrons livres atravessam a juno e combinam-se
com as lacunas. medida que esses eltrons caem de um nvel mais alto de energia para um
mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns essa energia dissipada na forma de
calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a energia irradiada na forma de luz.
304
Os LEDs substituram as lmpadas de incandescncia em vrias aplicaes devido a sua baixa

tenso, vida longa e rpido chaveamento liga-desliga.
Os diodos comuns so feitos de silcio, um material opaco que bloqueia a passagem da luz.
Os LEDs so diferentes. Usando-se elementos como o glio, o arsnio e o fsforo, um
fabricante pode produzir LEDs que irradiam no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
infravermelho (invisvel).
Os LEDs que produzem radiao visvel so teis em instrumentos, calculadoras etc. Os
LEDs infravermelhos encontram aplicao em sistemas de alarme contra roubo e outras
reas que exijam radiao invisvel.
Tenso e Corrente do LED

Os LEDs tm uma queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5 V para correntes entre 10 e 50 mA.
A queda de tenso exata depende da corrente, da cor, da tolerncia do LED. A menos que
seja feita alguma recomendao em contrrio, use uma queda nominal de 2 V quando estiver
verificando defeitos ou analisando circuitos com LEDs. Se tiver que fazer algum projeto,
consulte a folha de dados, porque as tenses do LED tm uma grande tolerncia. A figura
44(a) mostra o smbolo esquemtico de um LED, as setas para fora simbolizam a luz
irradiada. Admitindo uma queda no LED de 2 V, pode-se calcular a corrente do LED, do
seguinte modo:
Tipicamente, a corrente do LED est entre 10 e 50 mA porque essa faixa produz luz
suficiente para a maioria das aplicaes.
O brilho de um LED depende da corrente. Idealmente, a melhor forma de se controlar o
brilho vincular o LED a uma fonte de corrente. A melhor coisa para se obter uma fonte de
corrente uma grande tenso de alimentao seguida de uma grande resistncia em srie.
Neste caso, a corrente do LED dada por:
305
Figura 7-22 (a) Um circuito com LED. (b) Indicador de sete-segmentos. (c) Diagrama
esquemtico
Figura 7-23 Fotodiodo

Quanto maior a tenso da fonte, menor o efeito que VLED produz. Em outras palavras, um
alto valor de VS encobre a variao na tenso do LED.
Por exemplo, um TIL222 um LED verde com uma queda mnima de 1,8V e uma queda
mxima de 3V para uma corrente de aproximadamente 25 mA.
Se ligarmos um TIL222 a uma fonte de 20 V e a um resistor de 750, a corrente variar de
22,7 a 24,3 mA. Isto implica um brilho que essencialmente o mesmo para todos os TIL222.
Por outro lado, suponhamos que no circuito se utilize uma fonte de 5V e um resistor de 120.
A corrente variar ento cerca de 16,7 a 26,7 Ma. Isto causar uma variao sensvel no brilho.
Portanto, para se obter um brilho aproximadamente constante com LEDs, devemos utilizar
tanto uma fonte de tenso como uma resistncia em srie o maior possvel.
Indicador de Sete-segmentos
A figura 7-22(b) mostra um indicador de sete-segmentos que contm sete LEDs retangulares
(de A a G). Cada LED chamado de um segmento porque ele faz parte do dgito que est
sendo exibido. A figura 7-22(c) o diagrama esquemtico de um indicador de setesegmentos, so includos resistores externos em srie para limitar as correntes a nveis
seguros.
306
Aterrando-se um ou mais resistores, podemos formar qualquer dgito de 0 a 9. Por exemplo,

aterrando A, B e C, obtemos o 7. Aterrando A, B, C, D e G produzimos um 3. Um indicador
de sete-segmentos tambm pode exibir as letras maisculas A, C, E e F, mais as letras
minsculas b e d. Os instrutores de microprocessadores frequentemente usam uma exibio
de sete-segmentos para mostrar todos os dgitos de 0 a 9, mais A, b, C, d, E e F.
7.11 RESUMO
1 - O thyristor (SCR), um comutador quase ideal. Uma de suas vrias funes controlar
a energia consumida em vrios tipos de mquinas.
2 - O termo thyristor, designa uma famlia de elementos semicondutores, cujas caractersticas
esto prximas s das antigas vlvulas thyratron.
3 - O nome thyristor uma contrao de THYRatron e transISTOR.
4 - O thyristor bsico denominado SCR (retificador controlado de silcio).
5 - Dos vrios tipos de thyristores, os que se destacam atualmente so os SCR, triac,
fotothyristor, diac e diodo Shockley.
6 - O SCR um diodo semicondutor de silcio, a quatro camadas alternadas PNPN, com trs
terminais de sada, que so denominados anodo, ctodo e gatilho.
7 - Quando o anodo de um SCR positivo em relao ao ctodo, duas junes internas ficam
polarizadas diretamente e uma juno fica polarizada inversamente. Neste caso, o diodo
poder conduzir desde que o potencial de anodo seja suficiente para romper a juno com
polarizao inversa.
8 - O SCR poder conduzir facilmente se estiver polarizado diretamente e se um potencial
positivo for aplicado ao gatilho.
9 - Um SCR poder disparar (conduzir) quando um sinal de comando aplicado ao terminal
gatilho, mas o seu bloqueio, s poder ocorrer, diminuindo-se a corrente de anodo a um
determinado nvel.
10 - A tenso de disparo de um SCR depende da tenso VG, mas o seu bloqueio no depende
desta tenso.
11 - Um SCR pode controlar a energia dissipada em uma carga, atravs de um sistema que
defasa a tenso VG com relao a tenso de anodo.
12 - O triac um dispositivo semicondutor de trs terminais, sendo um de comando e dois
de conduo principal.
307
13 - Este dispositivo pode passar de um estado bloqueado a um regime de conduo nos

dois sentidos de polarizao.
14 - O triac poder conduzir nos dois sentidos, desde que comandado, mas o seu bloqueio
s se efetuar pela insero da tenso de anodo ou pela diminuio da corrente, abaixo do
valor da corrente de manuteno.
15 - O triac pode ser disparado por uma corrente negativa ou positiva no gatilho.
16 - O diac um dispositivo semicondutor de dois terminais, que no possui polaridade. A
sua conduo bidirecional.
17 - A conduo de um diac por ruptura das junes que o constituem.
18 - Quando conduz, o diac apresenta uma regio de resistncia negativa.
19 - Os diacs so muito usados em sistemas de disparo para controle de fase de triacs em
controles de energia.
20 - Os fotothyristores, so SCR, cujo disparo efetuado por um foco luminoso.
21 - O quadrac um dispositivo semicondutor cuja estrutura constituda de triacs e diacs.
22 - O diodo Shockley aparentemente um thyristor SCR com apenas dois terminais.
23 - O diodo Shockley, tem trs estados: o primeiro o de no conduo, o segundo o de
disparar quando apresentar um estado de resistncia negativa e o terceiro quando a sua
conduo normal e igual a um diodo convencional.
24 - O bloqueio de um diodo Shockley atravs da reduo de IH.
25 - O diodo tnel um pequeno dispositivo formado por uma juno PN, com alta
concentrao de impurezas.
26 - O diodo tnel, altamente dopado, quando polarizado diretamente, apresenta
inicialmente uma regio de resistncia negativa.
27 - A regio de resistncia negativa devido diminuio da corrente com o aumento da
tenso direta.
28 - Devido a esta caracterstica, o diodo tnel pode ser usado como amplificador ou
oscilador.
308

Caro aluno,
No prximo mdulo, voc vai entender um pouco de medida em decibis e conhecer outro
dispositivo muito verstil na eletrnica, o amplificador operacional.
Vamos juntos?
Fonte: http://www.almhpg.com/?afilho=acaofilho&afilho=ampop
MDULO VIII
DECIBIS E AMPLIADORES OPERACIONAIS

309
INTRODUO
Caro aluno,
O amplificador operacional idealmente um dispositivo que rene algumas caractersticas
bsicas que permitem que o mesmo seja usado em uma infinidade de aplicaes. O
amplificador operacional ideal possui, por exemplo, impedncia de entrada infinita,
impedncia de sada nula e ganho infinito. Ou seja, poderia amplificar infinitamente um sinal,
sem interferir na sua fonte ou no dispositivo para o qual ele fornece a sada.
Esse dispositivo, na verdade, no existe com essas caractersticas, mas consegue-se
implementar dispositivos que possuam uma elevada impedncia de entrada, uma impedncia
de sada muito baixa e um ganho bastante alto. Os amplificadores operacionais podem ento
ser utilizados tal como os dispositivos ideais, desde que se conheam suas limitaes e as
limitaes do circuito no qual sero utilizados.
Neste mdulo, alm de conhecer os amplificadores operacionais, voc vai entender um
pouco a respeito de uma medida de amplificao muito usada em eletrnica, os decibis.
8.1 DECIBIS
muito comum ouvirmos, em eletrnica, frases como: "O atenuador reduz de 5 dB",
"Resposta plana de frequncia dentro de 3 dB", "Amplificador com ganho de 10 dB",
"Antena com ganho de 9 dB", etc. Mas quantos so os que realmente tm uma exata noo
do valor destes valores? Voc se familiarizar, a partir de agora com o termo decibel (dB).
O decibel a dcima parte do Bel, unidade usada para se fazer a comparao entre
quantidades de energia, seja na forma de potncia ou de som. Quando nos referirmos a
decibel, entenderemos como sendo dez vezes o logaritmo1 decimal da relao entre dois
nveis de potncia expressos em Watt.
N dB = 10 x log (P2: P1)
Na expresso anterior, queremos dizer que o nmero de decibis igual a dez vezes o
logaritmo decimal da diviso da potncia P2 pela potncia P1, expressas em Watts.
Antes de prosseguirmos neste assunto, torna-se mister tecermos algumas consideraes
sobre a forma com que o ouvido humano reage aos diferentes estmulos sonoros.
Imaginemos um aparelho fornecendo-nos uma potncia de 10 Watts e observemos a
sensao auditiva. Se aumentarmos a potncia sonora, at os nossos ouvidos sentirem o
310
dobro do nvel sonoro anterior, ao medirmos a potncia, verificaremos que se trata de 100
W e no 20 W, como seria de se supor.
Se aumentarmos ainda mais a potncia at que dobre novamente, mediremos 1000 W, e
assim, sucessivamente.
Isso mostra que o ouvido humano reage ao som, no de maneira linear, mas muito
aproximadamente, de acordo com uma curva logartmica, razo pela qual os engenheiros, ao
estabelecerem uma frmula para a comparao de duas intensidades sonoras, tiveram que
fazer com que ela obedecesse mesma curva matemtica que os logaritmos.
Aplicaes
Inicialmente a aplicao do decibel restringia-se somente ao udio. Mais tarde generalizou-se
pela simplificao que ele traz, passando a ser aplicado em antenas, amplificadores, linhas de
transmisso, etc.
Vejamos alguns exemplos de aplicao do dB:
a) Um amplificador requer 2 W de potncia para excit-lo na entrada. Sabendo-se que a
potncia de sada do amplificador de 8 W, qual ser o ganho do amplificador em dB?
Soluo:
b) Um transmissor entrega uma potncia de 500 W, mas na antena chegam apenas 455 W.
Qual o ganho de potncia em dB?
Soluo:
Faamos algumas consideraes sobre os dois resultados obtidos nos exerccios anteriores.
O primeiro resultado significa que a potncia de sada do amplificador est 6,02 dB acima do
nvel de potncia de entrada.
311
No segundo resultado, observamos o aparecimento do sinal - (menos). Este sinal indica

que no se trata de ganho de potncia, mas sim uma atenuao (perda de potncia) e o
resultado em si, significa que a potncia que chega antena est 0,41 dB abaixo do nvel de
potncia entregue pelo transmissor.
8.2 RELAES DE TENSO E CORRENTE
A partir da definio de ganho em potncia e do conhecimento de que: P = E x I = = I2 x R
= E2: R, podemos deduzir o ganho de tenso e ganho de corrente, sobre impedncias iguais.
G(dB) = 10 log P1: P0
Supondo R1 = R0 e substituindo-os pelos valores de P0 e de P1 pelos valores correspondentes
em tenso e resistncia, teremos:
que pode ser escrito como:

Da mesma forma podemos deduzir para o ganho de corrente:
G(dB) = 20 log (I1 : I0 )
8.3 NVEIS DE REFERNCIA
O decibel, sendo essencialmente uma relao, ou mais exatamente, dez vezes o logaritmo
decimal da relao entre duas potncias, exige que se explicite ou subentenda-se uma
referncia, de acordo com convenes existentes. Por exemplo, quando se diz que o ganho
de um amplificador de tantos dB, isto equivale a expressar em dB o sinal de sada, tomandose como referncia o sinal de entrada.
Existem tambm alguns nveis de tenso ou de potncia padronizados, escolhidos como
referncia e frequentemente os nveis de tenso ou de potncia so expressos em relao a
tais referncias.
Os nveis mais comuns so 1 miliwatt e 6 miliwatt. O nvel de 0,006 W corresponde a zero
dB, enquanto que o nvel 0,001 W corresponde ao nvel zero dBm. Em outras palavras: dBm
significa, dB relativo a 1 miliwatt.
Alguns exemplos a seguir elucidaro o emprego do dB e do dBm no clculo do ganho ou
atenuao de um circuito ou equipamento:
312
a) Sabendo-se que a potncia de sada de um amplificador 5 miliwatt, calcular o nvel de

potncia de sada do amplificador, em dB.
Soluo:
P0 = 1mW
P1 = 5 mW
G (dBm) = ?
G (dBm) = 10 log (5 : 1) = 10 log 5
G (dBm) = 10 x 0,6990
G (dBm) = 6,99 = ~ 7
Ento, o nvel de potncia de sada do amplificador, est a 7 dB acima do nvel de referncia
de 0,001 W.
b) Sabendo-se que um amplificador tem uma potncia de sada de 6 Watts, calcular o seu
ganho em dB.
Soluo:
P1 = 6 10-3 W
P0 = 6 W
G (dB) = ?
G (dB) = 10 log (6 : 6 10-3) = 10 log 103
G (dB) = 30 log 10
G (dB) = 30
Este resultado indica que a potncia de sada do amplificador est a 30 dB acima do nvel de
potncia de referncia de 0,006 W.
8.4 MEDIDA DE POTNCIA
O dBm usado para descrever nveis de potncia em decibis, com referncia a potncia de
1mW sobre 600 ohms. Um miliwatt representado como zero dBm, 10 miliwatts como 10
dBm, e 100 miliwatts como 20 dBm.
313
As figuras 8-1 e 8-2 so teis na converso direta de Volts rms em dBm (8-1) ou mW para
dBm (8-2). A diagonal de cada grfico marca os valores de tenso (8-1) ou a juno de dBm
e miliwatts (8-2)
a) Para converter 10 volts rms em dBm, localize 10 volts na escala inferior da figura 8-1,
movendo para cima (verticalmente) at encontrar a linha diagonal. Deste ponto mova
horizontalmente para a esquerda, at encontrar +22 dBm.
b) Para converter 1000 mW em dBm, localize 1000 na parte inferior da figura 8-2.
Siga a linha de 1000 mW at encontrar a linha diagonal. Deste ponto, mova horizontalmente
at +30 dBm na margem esquerda do grfico.
c) Para converter +15 dBm em mW, localize +15 dBm na margem esquerda do grfico
(figura 8-2), movendo horizontalmente at encontrar a linha diagonal. Deste ponto, mova
verticalmente para baixo, at encontrar a linha inferior que corresponde ao ponto 33,3 mW
da escala.
d) Para cargas diferentes de 600 ohms, um fator de correo, baseado na razo de 600 ohms
para o atual valor de carga, deve ser somado ou subtrado dos valores encontrados para 600
ohms, com o auxlio do grfico apropriado. A frmula para encontrar o fator de correo :
F.C. = 10 log (600 : R1), onde R1 a atual resistncia de carga.
Como exemplo do uso do fator de correo, consideremos um amplificador com uma carga
de 8 ohms que dissipa 1000 mW (1W).
Figura 8-1 Converso de volts rms em dBm
314
Figura 8-2 Converso de mW em dBm 15-3

A figura 8-2 nos mostra que corresponde a +30 dBm numa carga de 600 ohms. Para
determinarmos o verdadeiro valor em dBm sobre a resistncia de 8 ohms, devemos calcular
primeiramente o fator de correo.
F.C. = 10 log (600 : 8) = 10 log 75 =
= 10 (1,875) = 18,75
Como a nossa impedncia inferior a 600 ohms, teramos que, do valor encontrado no
grfico, subtrair o fator de correo.
8.5 MEDIDORES DE POTNCIA

Um medidor de dB, mede, na realidade, tenso de CA e inclui-se uma escala de decibis no
mostrador do medidor, de modo que a leitura possa fazer-se em decibis, em lugar de volts
de CA.
A figura 8-3 ilustra um volt ohmmetro eletrnico com a escala inferior graduada em dB.
315
Figura 8-3 Mostrador de um volt ohmmetro eletrnico

8.6 RESUMO TERICO DE LOGARITMOS
a) Logaritmo de um nmero, real e positivo N, em uma base a positiva e diferente da unidade,
o expoente real x que se deve elevar essa base a para obter o nmero N.
b) Somente nmeros positivos tm logaritmos.
c) O valor do logaritmo de um nmero pode ser obtido por calculadoras, softwares de
computadores ou por tabelas pr-calculadas.
d) Todas as vezes que nos defrontarmos com logaritmos negativos, devemos transform-los
em logaritmos preparados a fim de facilitar o clculo.
e) O decibel muito usado em eletrnica, para comparao de nveis de tenso e de potncia,
sempre relacionados com um padro de referncia.
f) Quando medirmos a potncia dissipada sobre uma impedncia diferente de 600 ohms,
devemos calcular o fator de correo, que deve ser somado ou subtrado dos valores em
dBm, encontrados nos grficos "dBm x volts rms" e "dBm x mW".
8.7 AMPLIADORES OPERACIONAIS

Um Ampliador Operacional, Amplificador Operacional ou simplesmente Amp OP um
amplificador de ganho muito elevado que pode ser empregado para realizar operaes
matemticas, como multiplicao, integrao, diferenciao e tambm para uma infinidade
de funes.
Com esse dispositivo podem ser conseguidos amplificadores capazes de operar com sinais
que vo desde corrente contnua at vrios megaHertz.
316
Simbologia
Na figura 8-4 mostrado o smbolo do ampliador operacional.
Figura 8-4 Smbolo do ampliador operacional

O dispositivo amplia, na sada (V0), a diferena dos sinais aplicados s entradas (V1 e V2). Os
terminais de alimentao (+V e V) recebem tenso externa para o funcionamento do Amp
Op.
8.8 CARACTERSTICAS ELTRICAS
O ampliador operacional ideal apresenta as seguintes caractersticas:
Impedncia de entrada infinita;
Impedncia de sada nula;
Ganho de tenso infinito;
Atraso nulo;
Tenso de sada nula de V2 = V1;
Resposta em frequncia infinita.
Os Amp Op reais so aproximaes to boas quanto possvel do ideal que, na prtica,

produzem resultados satisfatrios.
8.9 ALIMENTAO
Na maioria das aplicaes usa-se uma fonte simtrica ( V), porm h casos em que a fonte
simples pode ser usada.
A alimentao pode ser obtida das seguintes maneiras:
Duas fontes iguais, perfeitamente sincronizadas;

317
Circuito divisor de tenso, com resistores exatamente iguais;
Uma fonte simtrica, com valores tpicos entre 10 V e 20 V.
8.10 PINAGEM
O ampliador operacional mais difundido o 741. um circuito integrado monoltico
construdo numa nica base de silcio.
Caracteriza-se por apresentar um alto ganho e uma elevada impedncia de entrada. Esse
ampliador operacional encontrado com diversas denominaes: A 741, LM 741, CA 741,
MC 741 e TBA 221B.
Figura 8-5 Pinagem do ampliador operacional 741
Pinos:
1 - Ajuste de offset;
2 - Entrada inversora (V1);
3 - Entrada no inversora (V2);
4 - Alimentao (- V);
5 - Ajuste de offset;
6 - Sada (Vo);
7 - Alimentao (+ V);
8 - Sem uso.
O ajuste de offset serve para compensar diferenas entre os dois sinais de entrada.
8.11 AMPLIADOR OPERACIONAL COMO AMPLIFICADOR
318
Aproveitando as caractersticas eltricas do Amp Op ideal descritas anteriormente, podemos

realizar arranjos com outros dispositivos de forma a obtermos os mais variados resultados,
tais como a amplificao de um sinal por um fator pr-determinado.
O ampliador operacional como amplificador mostrado na figura 8-6.
Figura 8-6 Ampliador operacional tpico

Desejamos um sinal de sada V0 proporcional a diferena entre os sinais de entrada (VB - VA)
ou VBA. Como o Amp Op apresenta uma impedncia de entrada infinita, a corrente I que
passa em Z1 a mesma que passa em Z2, pois devido grande impedncia de entrada do
dispositivo (impedncia entre A e B), nenhuma parte da corrente drenada de A para B, que
est conectado ao terra. Ento, pela lei de Ohm, podemos calcular a corrente em Z1 e em Z2
e ento igual-las, obtendo a relao entre as tenses. Lembre-se que a tenso em A, igual
a Vi. Da, podemos tirar a seguinte relao:
Como o ampliador operacional ideal apresenta ganho infinito () podemos dizer que a
tenso de sada muitssimo maior que a diferena de tenses de entrada(Vi) e esta ento
pode ser desprezada na equao (1), que pode ser expressa como:
Como o ganho do circuito a relao entre o sinal de sada e o de entrada, temos que o
ganho A do circuito, igual a:
319
O sinal negativo na frmula deve-se ao fato do extremo de Z2 estar aplicado no terminal

inversor do ampliador operacional (ponto A).
Com essa demonstrao chegamos a algumas concluses importantes:
1) Podemos determinar o ganho em malha aberta (sem realimentao):
2) O ganho do ampliador em malha fechada ser A= - (Z2/Z1) = - VO/Vi

3) A tenso de sada poder ser negativa, dependendo da aplicao do sinal de entrada: VO =
-A Vi
4) Se Z1 = Z2, o circuito comporta-se como um simples inversor: VO = -VS
5) Se Z1 < Z2, o circuito amplifica e inverte
6) Se Z1 > Z2, o circuito atenua e inverte
7) Podemos implementar um amplificador com um ganho determinado escolhendo
adequadamente Z1 e Z2 Por exemplo, se quisermos dobrar a tenso, escolhemos Z2 de valor
correspondente ao dobro de Z1.
8.12 APLICAES DOS AMPLIADORES OPERACIONAIS
Aplicaes Lineares
Circuitos analgicos ou lineares so os que processam ou manipulam sinais cujas amplitudes
assumem valores que podem variar continuamente dentro de certo perodo. Nessa categoria
encontram-se os osciladores, os ampliadores, os filtros ativos, os circuitos somadores e
outros. Aplicaes lineares de Amp Op so circuitos que exercem funes analgicas.
Ampliador com Inverso

O circuito da figura 8-7 mostra um ampliador com inverso.
320
Figura 8-7 Ampliador com inverso

Suponhamos que os componentes do circuito da figura 8-7 assumam os seguintes valores:
R1 = 20K, R2 = 100K e R3 = 0. Com isso tem-se que o ganho (A) ser:
Se desejarmos usar R3, o seu valor dever ser o equivalente ao circuito com R1 e R2 em
paralelo:
Portanto, se o sinal de entrada aplicado ao circuito for de 1V, a sada ser de -5V. Esse
circuito ento executa tambm a funo de multiplicador.
Ampliador sem Inverso
Figura 8-8 Ampliador sem inverso

Pelo circuito da figura 8-8 vemos que
, teremos, nesse circuito que:
VO = VR2 + VS.
321
Porm, como VR2 =
.R2 temos que:
Por outro lado:

Ou seja:
Obs. Lembre-se de que a grande impedncia de entrada do Amp Op faz com que a tenso
em X seja praticamente igual tenso em Y, que Vs.
Ampliador com Ganho Unitrio

A princpio, poderia se pensar que um amplificador de ganho unitrio no teria utilidade. De
fato, a tenso de sada igual de entrada, mas a grande vantagem desse dispositivo que o
ampliador com ganho unitrio apresenta uma elevada impedncia de entrada derivada do
Amp Op e baixa impedncia de sada, caractersticas que so relevantes em determinados
circuitos.
O ampliador com ganho unitrio mostrado na figura 8-9.
Figura 8-9 Ampliador com ganho unitrio
No circuito, A =
como VO = VS temos A = 1
O ampliador nessa configurao empregado como isolador ou "buffer". O circuito isolador
permite que possamos medir tenses em circuitos de alta impedncia utilizando um
voltmetro de baixa impedncia.
322
Circuito Somador
Como o nome indica, o circuito somador tem por objetivo fornecer na sada uma tenso
cujo valor igual soma das tenses aplicadas entrada.
Tal circuito mostrado na figura 8-10.
Figura 8-10 Circuito somador

Observando o circuito podemos escrever a equao da tenso de sada:
VO = - I x R = -(I1 + I2 + I3) x R
Ou ainda:
Se implementarmos o circuito com R1 = R2 = R3 = R teremos:

VO = - (V1 + V2 + V3)
Valores adequadamente escolhidos para os resistores podem ser utilizados para se
implementar somas com peso. Por exemplo, se escolhermos R2 = R3 = R e R1= a metade
desse valor (R1=1/2 R), teremos VO = - (2.V1 + V2 + V3).
Circuito Subtrator
o circuito projetado para fornecer na sada um valor de tenso igual diferena entre as
tenses de entrada.
Para que o circuito funcione como subtrator necessrio que a seguinte relao seja
obedecida:
O circuito subtrator mostrado na figura 8-11.
323
Figura 8-11 Circuito subtrator

Consideremos inicialmente todos os resistores iguais a "R".
Temos ento que:
Mas como VR1 = V1 - VX e VR2 = VX - VO
A corrente "I" ser:

Logo: V1 - VX = VX - VO
e VO = 2 VX - V1
Se
Finalmente tem-se que: VO = V2 - V1
Aplicaes no Lineares
Circuitos no lineares so aqueles que nos fornecerem sadas no necessariamente
proporcionais ou dependentes da forma de onda de entrada. Um exemplo de aplicao no
linear o circuito comparador. Este tipo de circuito no tem finalidade de utilizar os valores
de entrada para amplific-los, atenu-los, som-los ou subtra-los, mas to somente informar
se so iguais ou diferentes.
Circuitos comparadores - So circuitos cuja funo principal comparar o sinal de entrada
V1 com um sinal de referncia V2.
A figura 8-12 mostra um circuito comparador.
324
Figura 8-12 Circuito comparador

Num Amp Op ideal, o ganho infinito, porm o Amp Op real s pode fornecer no mximo
a tenso de alimentao +V. Se os sinais de entrada forem iguais, a diferena entre eles ser
zero, que amplificado resulta em zero na sada Vo. No entanto, qualquer diferena entre os
sinais de entrada, ser amplificada infinitamente, dando como sada a tenso mxima que
o Amp Op pode fornecer, ou seja + V. Assim, se na sada tivermos +V, sabemos que os
sinais de entrada so diferentes, ao passo que se na sada tivermos 0, isto significa que os
sinais de entrada so iguais.
Comparador com tenso de referncia nula - Um circuito comparador com tenso de
referncia nula mostrado na figura 8-13.
Figura 8-13 Circuito comparador com tenso de referncia nula

Este circuito uma particularizao do circuito comparador, no qual uma das entradas
ligada ao terra, sendo, portanto, sempre zero. Esta entrada, no exemplo V1, tomada como
referncia para a avaliao de V2.
No circuito temos que quando a tenso V2 for positiva a sada VO ser negativa.
E quando V2 for negativa teremos uma VO positiva.
325

Caro aluno,
Encerramos aqui a disciplina de Eletrnica I.
Espero que tenha sido proveitoso o seu aprendizado, mas no fique com dvidas. Anote e
busque os esclarecimentos necessrios.
A eletrnica est presente em quase todos os campos da atividade humana e, de forma
bastante acentuada nas modernas aeronaves.
Foi um prazer estar com voc!
Prof. Rodrigo Costa
326

Circuitos reativos e osciloscópios

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1

Mdulo II __________________________________ 85 - 164

Mdulo III _________________________________167 - 217

Mdulo IV _________________________________220 259

Mdulo V __________________________________261 a 272

Mdulo VI __________________________________273 a 287

Mdulo VII _________________________________290 a 312

Mdulo VIII _________________________________314 a 329

A disciplina de Eletrnica I dar a voc conhecimentos para compreender os

Esta disciplina se divide em oito mdulos:

Mdulo I: Circuitos reativos e osciloscpios;

Vamos dar incio a essa fantstica viagem no mundo da eletrnica, presente

1.1 CIRCUITO REATIVO EM SRIE

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

Ao se ligar um indutor em srie com um resistor, a queda de tenso no resistor (

) est adiantada de 90.

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

Como XL representa a oposio ao fluxo da corrente, a tenso no indutor (

J que, a tenso aplicada ( ) no circuito o produto da corrente ( ) pela oposio total (

Uma vez que:

Desse modo, a impedncia de um circuito

em srie, igual a raiz quadrada da soma dos

quadrados da resistncia e da reatncia indutiva.

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

, soma dos quadrados dos catetos.

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

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) pela corrente ( ), ou seja:

isto, porm no acontece

num circuito de CA que contenha resistncia e indutncia.

no s d a potncia que realmente est sendo

Este produto chamado de potncia aparente (

), sendo expresso volt/ampre (VA), e no

em watts, para diferenciar da potncia real.

) pela corrente ( ), ou seja:

A lei de ohm para circuitos de CA, diz que, a corrente (

Calcule a corrente total do circuito da figura 1-8.

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

bobina desprezvel e o circuito considerado resistivo; o ngulo de fase zero e a potncia

A potncia real do circuito ter como valor:

ter aumentando para 40 ohms.

Calculando os valores teremos:

Conforme a frequncia aumentada ainda mais, a corrente continuar a diminuir e

ser igual resistncia.

Por exemplo em 1 KHz:

. O ngulo de fase do circuito de 45 e a impedncia total de

A potncia real do circuito :

e a potncia real foi diminuda para metade de seu

) assim como a corrente de corte (

Uma frmula pode ser deduzida para determinar a frequncia de corte (

= frequncia de corte (Hertz)

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

) est atrasada de 90, em

, conforme nos mostra a figura 1-10.

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional

Do grfico, tiramos a seguinte equao para o clculo da tenso aplicada (

Ainda, podemos concluir que a tenso resultante (

) est atrasada em relao a

Fonte: IAC Instituto de Aviao Civil Diviso de Instruo Profissional