Anda di halaman 1dari 18

Lab.

Teknik Fisika II

MODUL 2
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
Nama

: Christopher

NIM

: 1400510020

Tgl. Praktikum

: 4 MAY 2016

Rekan Kerja : 1. Reinhart A.


2. Joshua G. L.

TUJUAN PRAKTIKUM

Mengetahui karakteristik dari transistor BJT.

Memahami transistor BJT sebagai penguat berkonfigurasi common base, common


emiter dan common collector.

II

PRINSIP PENGUKURAN

2.1 DASAR TEORI


Transistor merupakan komponen elektronika yang berbahan dasar semikonduktor
dengan bahan dasar tipe N dan tipe P serta mempunyai tiga lapisan elektroda
(Trioda). Transistor memiliki 3 buah kaki dimana terdiri dari E (Emitter), B (Base)
dan C (Collector) serta terdiri dari 2 jenis yaitu tipe NPN dan tipe PNP. Transistor
juga bersikap seperti dioda dimana transistor juga mempunyai depletion region,
misalakan untuk dioda tipe NPN kutub base - emitter akan bertindak seperti forward
bias dengan tegangan aktif berkisar 0,6V dan base collector sebagai reverse bias.

(a)

(b)

Gambar 2.1 Perbandingan tipe NPN (a) dan tipe PNP (b)

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Ketiga bahan lapisan elktroda dari transistor mempunyai sebutan dan fungsi
masing-masing, sebagai berikut :

Base (B) Lapisan yang mengatur banyaknya muatan yang akan mengalir.

Collector (C) Lapisan yang menampung elektron.

Emitter (E) Lapisan yang melepas muatan.

Untuk tipe NPN (Gambar 2.1 a) base akan mengalirkan arus yang kecil sehingga
diperlukan pemasangan resistor, ketika base mendapatkan tegangan minimum
untuk aktif maka arus akan mengalir dari collector menuju emitter dan arus dari base
juga akan masuk menuju emitter dapat dikatakan short circuit, namun ketika tidak
mendapatkan tegangan minimum pada kaki base, transistor tiper NPN tidak akan
mengalirkan arus sehingga dapat dikatakan open circuit. Hal ini berbalikan dengan
tipe PNP (gambar 2.1 b), pada transistor tipe PNP arus akan mengalir dari emitter
menuju collector dan base menuju collector. Pada transistor tipe PNP ketika tidak
mendapatkan tegangan arus akan tetap mengalir dapat dikatakan short circuit dan
ketika mendapatkan tegangan arus akan berhenti mengalir dapat dikatakan open
circuit.
Terdapat suatu hubungan matematis besaran antara arus Ic dengan arus IE yaitu
sebagai penguat arus DC untuk common emitter dan sebagai penguat arus untuk
common base dengan hubungan matematis sebagai berikut :
=

= +

Arus collector juga bergantung pada tegangan collector-emittor. Titik kerja transistor
dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi dan cut off. Persyaratan
kondisi ketiga mode kerja sebagai berikut :

Tabel 2.1 Titik kerja transistor


Dari tabel tersebut dapat ditunjukan karakteristik dari transistor (gambar 2.2)
dimana merah ditunjukan sebagai daerah saturasi dimana menunjukan transistor
mengalirkan arus dari collector menuju emitter dimana arus yang mengalir adalah
2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

arus maximum dapat dikatakn juga sebagai short circuit (sambungan C-E terhubung).
Selanjutnya daerah cut-off (warna kuning pada gambar 2.2) dimana menujukan arus
tidak dapat mengalir dari collector menuju emittor yang disebabkan transistor tidak
mendapatkan tegangan untuk membuka saklarnya atau dapat dikatakan sebagai
open gate. Karakter terakhir yakni daerah aktif, pada daerah tersebut transistor
digunakan sebagai penguat sinyal, transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif hal
ini ditujukan untuk menghasilkany sinyal keluaran yang tidak cacat daerah tersebut
terletak diantara daerah aktif dan saturasi.

Gambar 2.2 Kurva karakteristik transistor BJT

2.2 ALAT DAN BAHAN


Pada percobaan tersebut digunakan alat dan bahan sebagai berikut :
1. Power Supply (Catu daya 0 12V)
2. Digital / analog multimeter
3. Osiloskop
4. Transistor NPN 3904
5. Frequency generator
6. Breadboard
7. Kabel Jumper
8. Resistor
9. Resistor Variabel (Potentiometer)
10. Kapasitor

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

2.3 PROSEDUR PERCOBAAN


Percobaan I (Karakteristik BJT)

Gambar 2.3 Rangkaian percobaan 1


1. Rangkailah percobaan seperti gambar 2.3 Perhatikan konfigurasi kaki dari
transistor berdasarkan data sheet dari tipe transistor yang digunakan.
2. Aturlah VIN pada tegangan 12V kemudian atur tegangan VBB dengan cara
memutar potentiometer.
3. Ukurlah tegangan VRB, VRC, VRE, VBE dan VCE.
4. Carilah nilai dari IB, IC, IE, dan
5. Gambarkan kurva karakteristik dari masing-masing arus dan VCE
Percobaan II (Common Emitter)

Gambar 2.4 Rangkaian percobaan 2


1. Rangkailah percobaan seperti gambar 2.4
2. Berikanlah signal dari FG, VIN sinus dengan frekuensi 1kHz, aturlah ampiltudo
VIN hingga didapatkan sinyal tidak cacat (tidak terpotong) pada VOUT.
3. Amati dan gambarkan VIN (Coupling AC) dan VOUT(Coupling AC).
4. Kemudian ganti R7 dengan R 4K7.
5. Catat VIN (Vpp), VOUT, Gain AV dan beda fase.
2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Percobaan III (Common Collector)

Gambar 2.5 Rangkaian Percobaan 3


1. Rangkailah percobaan seperti gambar 2.5
2. Berikan sinyak dari FG, VIN seinus dengan frekuensi 1kHz dengan 2 VPP.
3. Amati dan gambarkan VIN (Coupling AC) dan VOUT (Coupling AC).
4. Catat VIN (Vpp), VOUT, Gain AV dan beda fase.

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

III

DATA EKSPERIMEN
Percobaan I (Karakteristik BJT)
NO

Vbb (V)

Vrb (mV)

Vrc (mV)

Vre (mV)

Vbe (mV)

Vce (V)

213

17,65

0,53

1,9

2,4

2,14

546

17,69

0,81

8,3

174

179

628

17,35

1,06

18,7

412

398

640

16,9

1,52

37,1

841

836

647

16

2,06

58,8

1362

1330

649

14,96

2,54

77

1824

1840

651

13,91

3,03

95,65

2280

2330

660

12,88

Tabel 2.2 Data percobaan 1


Percobaan II (Common emitter)
Dengan resistor 1K ohm

Gambar 2.6 Percobaan 2 Channel 1

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Gambar 2.7 Percobaan 2 Channel 2


Dengan resistor 4K7 ohm

Gambar 2.8 Percobaan 2 Channel 1 dengan R 4K7 ohm

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Gambar 2.9 Percobaan 2 Channel 2 dengan R4K7


Percobaan III (Common Collector)

Gambar 2.10 Percobaan 3 Channel 1

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Gambar 2.11 Percobaan 3 Channel 2

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

PENGELOLAHAN DATA
Percobaan I (Karakteristik BJT)
Ib (mA)
0
0,0019
0,0083
0,0188
0,0372
0,059
0,0773
0,096

Ic (mA)
Ie (mA)
Ie (theory)
0
0
0
0
0
0,02087 0,01861 1,1215
10,94
0,022777
1,513043 1,55652 0,97207 181,565 1,521377
3,582609 3,46087 1,03518 190,817 3,601384
7,313043 7,26957 1,00598 196,329 7,350292
11,84348 11,5652 1,02406 200,614 11,90251
15,86087
16
0,9913 205,161 15,93818
19,82609 20,2609 0,97854 206,448 19,92212
Tabel 2.3 Data pengelolahan percobaan 1

Ie (error)
0,0%
18,3%
2,3%
3,9%
1,1%
2,8%
0,4%
1,7%

Vbe VS Ic
649

647

628 640

700

651

660

600 546
500

Vbe

NO
1
2
3
4
5
6
7
8

400
300 213
200
100
0
0

10

15

20

25

Ic

Gambar 2.12 Grafik perbandingan VBE VS IC

Vce VS Ib

Vce

IV

2017,65
17,69
17,35 16,9
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0,02

16

0,04

14,96

0,06

13,91

0,08

12,88

0,1

0,12

Ib

Gambar 2.13 Grafik perbandingan VCE VS IB

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Vce

Vce VS Ic
2017,65
17,6917,35
16,9
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5

16

14,96

10

13,91

15

12,88

20

25

Ic

Gambar 2.14 Grafik perbandingan VCE VS IC

Percobaan II (Common Emitter)


Dengan resistor 1K ohm

Gambar 2.6 Percobaan 2 Channel 1

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Gambar 2.7 Percobaan 2 Channel 2


Dengan resistor 4K7 ohm

Gambar 2.8 Percobaan 2 Channel 1 dengan R 4K7 ohm

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Gambar 2.9 Percobaan 2 Channel 2 dengan R4K7

Percobaan III (Common Collector)

Gambar 2.10 Percobaan 3 Channel 1

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Gambar 2.11 Percobaan 3 Channel 2

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

PEMBAHASAN
Percobaan I
Pada percobaan ini digunakan transistor bertipe NPN, seperti yang diketahui
bahwa transistor tersusuan dari bahan dasar semikonduktor. Dari percobaan ini
dapat dibuktikan bahwa transistor NPN memiliki tegangan aktif dari grafik
perbandingan VBE dan IC. Dari grafik tersebut dapat dilihat bahwa transistor
mengalirkan arus IC ketika kaki base mendapatkan tegangan kurang lebih 0,6V
dan arus IC akan mengalir dari Collector menuju Emitter hal ini layaknya seperti
dioda akan menjadi aktif ketika mendapatkan tegangan minimum (short circuit).
Namun pada transistor bertipe NPN arus yang mengalir berasal dari 2 sumber
yakni arus dari collector dan base dimana arus base lebih kecil dibandingkan
dengan arus dari collector.
Kemudian perbandingan antara VCE dengan IB dapat dilihat bahwa ketika tegangan
pada trasnsitor (VBB) adalah 0 maka tegangan VCE sama dengan tegangan input
(VIN). Sehingga dari grafik menunjukan ketika transistor mendapat tegangan maka
nilai tegangan dari VCE akan berkurang dan terbagi dengan tegangan untuk
mengaktifkan transistor dimana kaki base akan dialiri arus sehingga harus diberi
hambatan yang lebih besar dibandingkan dengan hambatan yang diberikan pada
kaki collector dikarenakan kaki base sangat sensitive dan arus harus lebih besar
pada collector dibandingkan arus yang melewati base. Dari grafik perbandingan
VCE dan IC dapat dilihat bahwa arus yang melewati IC lebih besar dibandingkan
dengan arus yang melewati IE dikarenakan fungsi resistor yang membagi tegangan
sehingga arus yang lewat menuju collector lebih besar dibandingkan dengan arus
yang masuk kedalam base.
Dari percobaan tersebut diperoleh juga nilai dan , dimana merupakan nilai
kali penguat arus untuk common emitter dan merupakan nilai kali penguat arus
untuk common base. Hal ini menunjukan bahwa transistor menguatkan arus
sehingga penguat arus karena arus yang melewati collector dikuatkan hingga 200
kali dari arus yang menuju kaki base.

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

Percobaan II
Pada percobaan kedua dilakukan pengujian dimana kaki dari emitter di Grounded
atau dapat dikatakan dihubungkan ke ground. Dari tegangan input yang masuk
menuju base dan tegangan output yang masuk menuju kaki collector. Dari data
menunjukan VIN yang masuk sebesar 4,96V dan VOUT sebesar 5,04V. Dari
percobaan menujukan bahwa gelombong output yang keluar dari rangkaian
mempunyai beda fase dengan gelombang input hal ini dikarenakan efek
penggunaan capacitor. Rangkaian pada percobaan ini digunakan sebagai
rangkaian amplifier transistor dimana menggunakan input tegangan AC. Pada
rangkaian tersebut sinyal input masuk melalui kaki base dan emitter dikarenakan
sinyal AC yang mempunyai siklus positif dan negatif. Tegangan DC yang digunakan
sebagai saklar untuk membuat transistor aktif, sementara sinyal output dari
rangkaian berasal dari kaki emitter dan collector. Pada rangkaian ini dapat
dikatakan terjadinya penguat tegangan dan penguat arus serta beda fase dari
sinyal output-nya. Penggunaan sinyal input AC membutuhkan rangkaian penguat
yang disebut dengan biasing dimana hal tersebut diperlukan untuk menetapkan
titik operasi yang benar dan siap untuk menerima sinyal sehingga output dari
rangkaian terkurang dari distorsi. Common emitter juga menunjukan dimana
emitter digunakan bersama-sama oleh base dan collector. Untuk resistor 4K7
tegangan terbagi kembali sehingga input tegangan sebesar 720mV dan output
sebesar 960mV. Hal tersebut menujukan bahwa rangkaian tersebut bertindak
sebagai penguat tegangan dan arus. Dari gelombang output yang dihasilkan
menunjukan bahwa rangkaian tersebut mempunyai gelombang beda fase dengan
tegangan input-nya.
Percobaan III
Pada percobaan ketiga dilakukan percobaan common collector dimana kaki dari
collector dihubungkan ke ground, sehingga sinyal input berasal dari kaki basis dan
sinyal keluaran berasal dari kaki emitter. Dari percobaan yang diperoleh
menunjukan gelombang input dan output yang sefase. Dari percobaan yang
dilakukan didapatkan data bahwa tidak terjadi perubahan tegangan dari sinyal
input dan sinyal output, namun pada percobaan ini dihasilkan bahwa arus
semakin meningkat sehingga dapat dikatakan konfigurasi seperti ini disebut

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

dengan emitter follower dimana hasil dari tegangan input sama dengan tegangan
output.
VI

KESIMPULAN
Dari percobaan yang dilakukan dengan menggunakan transistor tipe NPN 3904
menunjukan bahwa transistor dapat digunakan sebagai gate yang dapat dikatakan
dapat mengatur arus yang akan lewat, hal tersebut dapat terjadi dikarenakan sifat
material dasar seperti dioda yaitu semikonduktor. Ketika mendapat tegangan
minimum (0,6V dalam percobaan) maka transistor akan aktif dimana emitter
akan dialiri arus yang berasal dari base dan collector. Dari percobaan juga
menujukan bahwa transitor sebagai penguat arus dimana dalam percobaan
didapatkan data transistor menguatkan arus hingga 200 kali dari kaki base pada
collector dan juga menguatkan tegangan output. Dari percobaan didapakan juga
bahwa transistor memiliki 3 konfigurasi, yakni :

Base Configuration
Base Configuration, dimana kaki base dihubungkan dengan ground dan
digunakan bersama untuk input maupun output sehingga sinyal input
berasal dari collector dan output berasal dari emitter. Konfigurasi ini
menunjukan bahwa transistor menguatkan tegangan dari sinyal input.

Collector Configuration
Collector Configuration, dimana kaki collector dihubungkan dengan ground
dan digunakan bersama untuk input maupun output sehingga sinyal input
berasal dari base dan output melalui emitter. Konfigurasi ini menunjukan
bahwa transistor sebagai penguat arus, namun tegangan dari ouput tetap
sama dengan tegangan input.

Emitter Configuration
Emitter Configuration, dimana kaki emitter dihubungkan dengan ground
dan digunakan juga bersama untuk input maupun ouput sama seperti
collector & base configuration sehingga sinyal input berasal dari base dan
output melalui collector. Pada konfigurasi ini menujukan bahwa transistor
sebagai penguat tegangan dan juga arus dari sinyal input, namun sinyal
output dari rangkaian memiliki beda fase dengan sinyal input.

2 || Christopher [1400510020]

Lab. Teknik Fisika II

REFERENCES
Coates, Eric. 2016. March 31. Accessed May 7, 2016. http://www.learnaboutelectronics.org/Semiconductors/bjt_03.php.
Kho,

Dickson.
2015.
september
8.
Accessed
May
9,
http://teknikelektronika.com/tiga-jenis-konfigurasi-transistor-bipolar/.

Loku,

Richkey. 2015. 10 March. Diakses May 7, 2016. http://werdenforscher.blogspot.co.id/2015/03/pengertian-transistor-jenis-dan.html.

Nugroho,
Mathius.
2015.
April
7.
Accessed
May
8,
https://www.academia.edu/12831647/konfigurasi_Common_Emittor.

2016.

2016.

Tanoto,
Eko Wahyu.
2010.
October
26.
Accessed May 7,
2016.
https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistorbjt/.

2 || Christopher [1400510020]