ELC 31318

MIKROELEKTRONIKA

MINGGU 13
CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Objek Pembelajaran :
Combinational Logic Function

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

CMOS Logic Inverter
Merupakan blok paling sederhana dari rangkaian digital.
Terdiri dari NMOS (pull down transistor) yang membentuk
PDN (pull down network) dan PMOS (pull up transistor)
yang membentuk PUN (pull up network) dan saling
berkomplemen
Pada dasarnya, CMOS gate lengkap terdiri dari PDN yang
menghasilkan output 0 (GND) dan PUN yang
menghasilkan output 1 (VDD)
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Prinsip dasar NMOS dan PMOS dapat
dianalogikan dengan saklar
+Vdd

+Vdd
0

NMOS

2014/2015

PMOS

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Buatlah Gerbang NAND dua input dengan
kombinasi MOS !

Buatlah Gerbang NOR 2 input dengan

kombinasi MOS !
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

NOR 2 input

NAND 2 input

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Inverter Switching Point
Titik C merupakan titik
switching dimana tegangan
input sama dengan
tegangan output.
Daerah titik C merupakan
daerah saturasi dimana
arus Id untuk kedua MOS
adalah seimbang/sama

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Combinational Gate
Pada dasarnya, CMOS gate lengkap terdiri dari PDN yang
menghasilkan output 0 (GND) dan PUN yang menghasilkan output 1
(VDD)
Kombinasi CMOS Gate dapat dibentuk dari dua atau lebih MOS
transistor.
Susunan seri dua atau lebih MOS Transistor akan dalam kondisi HIGH
jika semua transistor tersebut dalam keadaan ON.
Susunan paralel dua atau lebih MOS Transistor akan dalam kondisi
HIGH jika salah satu transistor tersebut dalam keadaan ON.
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Compound Gate
Dapat dibuat dengan kombinasi seri dan paralel
stuktur saklar
Contoh :
Buatlah CMOS gate komplementer dari
persamaan :

Y ( A B ) (C D)
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Buatlah CMOS gate komplementer dari
persamaan :

Y ( A B C) D

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Signal Strength
Vdd akan menghasilkan sinyal 1
Ground akan menghasilkan sinyal 0
nMOS dapat menghantarkan sinyal 0 yang
kuat dan menghantarkan sinyal 1 yang
lemah
pMOS dapat menghantarkan sinyal 1 yang
kuat dan menghantarkan sinyal 0 yang
lemah
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

MOS transistor dapat digunakan sebagai
saklar dan jika ia berdiri sendiri, disebut juga
pass transistor
Sinyal 0 yang kuat
Sinyal 1 yang lemah

Sinyal 0 yang lemah

Sinyal 1 yang kuat
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Agar dapat digunakan tanpa ada cacat pada
sinyal, maka nMOS dan pMOS dapat
dirangkai secara paralel sehingga hanya
didapatkan sinyal 0 dan 1 yang kuat.
Konfigurasi ini dinamakan pass gate atau
transmission gate

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Pass Gate memiliki prilaku yang sama
dengan Trisates Buffer, yaitu sebuah
rangkaian yang dapat menghantarkan sinyal
tetapi tidak dapat menjaga kondisi sinyal
tetap sama (nonrestoring circuit)

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Agar dapat menjaga sinyal tetap seperti
kondisi awal, maka digunakan Trisate
Inverter

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Kapasitansi Gate
Struktur MOS sama dengan plat kapasitor
yang disusun secara paralel

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Kapasitansi pada MOS transistor
proporsional dengan lebarnya. Semakin
lebar kapasitor, semakin tinggi arus.
Semakin panjang kapasitor, semakin rendah
arus.
1 unit nMOS memiliki resistansi R dan
kapasitansi C
1 unit pMOS memiliki resistansi 2R dan
kapasitansi C
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Sket sebuah gerbang NAND 3 input dengan
lebar transistor tertentu sehingga
didapatkan resistansi rise dan fall efektif
yang setara dengan sebuah inverter

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Pertama yang harus dilakukan
adalah melihat bagian yang
tersusun seri. Dalam hal ini adalah
nMOS. Jika resistansi dalam
sebuah inverter adalah R, maka
untuk tiap nMOS harus memiliki 3
x 1 unit lebar inverter (nMOS),
sehingga tiap nMOS memiliki R/3.
Selanjutnya, pada keadaan worst
case (satu dari ketiga input
bernilai Low), maka hanya satu
pMOS yang aktif. Sehingga tiap
pMOS harus memiliki 2 x 1 unit
lebar inverter(pMOS) agar
resistansinya R
2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Sket sebuah gerbang NAND 2 input dengan
lebar transistor tertentu sehingga
didapatkan resistansi rise dan fall efektif
yang setara dengan sebuah inverter

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

CMOS LOGIC GATE CIRCUIT

Daerah operasi transistor :

2014/2015

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika