THYRISTOR

Disusun Oleh :

Baihaqi Muhammad

(1402012)

Fahmi Bujaeri

(1402017)

Hendrawan Aji Saputra

(1402023)

Muhammad Faza Yasin

(1402036)

Ricky Nurjaman

(1402045)

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRONIKA

POLITEKNIK GAJAH TUNGGAL
TANGERANG
2016

DEFINISI THYRISTOR

Thyristor berasal dari kata bahasa Yunani yang berarti pintu. Dinamakan demikian
karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk
melewatkan arus listrik. Thyristor merupakan salah satu perangkat semikonduktor daya yang
paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian elektronika daya.
Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi
ke konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan sebagai saklar ideal akan
tetapi dalam prakteknya thyristor memiliki batasan dan karakteristik tertentu.
PEMBENTUKAN THYRISTOR
Bahan thyristor yang paling banyak digunakan adalah Silicon. Sedangkan bahan
lainnya yaitu: silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), dan semi-wide-gap semikonduktor
material gallium arsenide (GaAs). Tingkatan doping pada thyristor bervariasi antar
lapisannya. Katoda adalah bagian yang paling banyak didoping.Yang diberi banyak doping
berikutnya adalah Anoda dan Gate. Dan yang paling rendah dopingnya adalah diantara
lapisan tipe N. Ini juga lebih tebal daripada laisan lain dan dua faktor ini yang menyebabkan
tegangan blocking yang besar muncul. Lapisan tipis dimaksudkan juga bahwa perangkat akan
mengalami breakdown pada tegangan yang rendah.

Gambar-1 : Pembentukan Thyristor

STRUKTUR THYRISTOR

Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan
semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang
dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor lebih
digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan seperti
halnya transistor.

Gambar-2 : Struktur Thyristor

Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan pada gambar1a. Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua buah struktur junction PNP dan NPN
yang tersambung di tengah seperti pada gambar-1b. Ini tidak lain adalah dua buah transistor
PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base. Jika divisualisasikan
sebagai transistor Q1 dan Q2, maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada
gambar-3 yang berikut ini.

Gambar-3 : visualisasi dengan transistor

Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada base transistor Q2 dan sebaliknya
kolektor transistor Q2 tersambung pada base transistor Q1. Rangkaian transistor yang
demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian tengah. Dimana diketahui
bahwa Ic = Ib, yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus base.
Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada base transistor Q2, maka akan ada arus
Ic yang mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus base Ib pada transistor
Q1, sehingga akan muncul penguatan pada pada arus kolektor transistor Q1. Arus kolektor
transistor Q1 tdak lain adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian seterusnya sehingga
makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan hilang.
Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian luar.
Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian tidak lain adalah struktur dioda PN
(anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian, disebut bahwa thyristor dalam
keadaan ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda menuju katoda seperti layaknya sebuah
dioda.

Gambar-4 : Thyristor diberi tegangan

Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi suplai tegangan dari
nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 4. Apa yang terjadi pada lampu ketika
tegangan dinaikkan dari nol. Ya betul, tentu saja lampu akan tetap padam karena lapisan N-P
yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori dioda).

Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus yang bisa mengalir
atau sangat kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias
tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut
tegangan breakdown dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor
sebagaimana dioda umumnya. Pada thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover Vbo.

KARAKTERISTIK THYRISTOR
Pada Gambar 5 terlihat bahwa ketika tegangan anode dibuat lebih positif dibandingkan
dengan tegangan katode, sambungan J1 dan J3 berada pada kondisi forward bias, dan
sambungan J2 berada pada kondisi reverse bias sehingga akan mengalir arus bocor yang kecil
antara anode dan katode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward blocking atau kondisi
off-state, dan arus bocor dikenal sebagai arus off-state I D. Jika tegangan anode ke katode V
ditingkatkan hingga suatu tegangan tertentu , sambungan J 2AK akan bocor. Hal ini dikenal
dengan avalance breakdown dan tegangan VAK tersebut dikenal sebagai forward breakdown
voltage, VBO. Dan karena J1 dan J3 sudah berada pada kondisi forward bias, maka akan
terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga sambungan , yang akan
menghasilkan arus anode yang besar.

Thyristor pada kondisi tersebut berada pada kondisi konduksi atau keadaan hidup. Tegangan
jatuh yang terjadi dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup
kecil yaitu sekitar 1 V. Pada keadaan on, arus dari suatu nilai yang disebut dengan latching
current I, agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas yang melewati
sambungan-sambungan , jika tidak maka akan kembali ke kondisi blocking ketika
tegangan anode ke katode berkurang. Latching current ( IL) adalah arus anode minimum
yang diperlukan agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor dihidupkan
dan sinyal gerbang dihilangkan.
Ketika berada pada kondisi on, thyristor bertindaknsebagai diode yang tidak terkontrol.
Devais ini terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi pada sambungan
J2L karena pembawa pembawa muatan yang bergerak bebas. Akan tetapi, jika arus maju
anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding current IH, daerah deplesi akan
terbentuk disekitar J2 karena adanya pengurangan banyak pembawa muatan bebas dan

thyristor akan berada pada keadaan blocking. Holding current terjadi pada orde miliampere
dan lebih kecil dari latching current IL, IH>IL.
Holding current I adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondisi
on. Ketika tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode, sambungan J 2H terforward
bias, akan tetapi sambungan J1 dan J akan ter-reverse bias. Hal ini seperti diode diode yang
terhubung secara seri dengan tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada
kondisi reverse blocking dan arus bocor reverse dikenal sebagai reverse current IR. 3.
Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju VAK diatas V BO, tetapi
kondisi ini bersifat merusak. dalam prakteknya, tegangan maju harus dipertahankan dibawah
VBO dan thyristor dihidupkan dengan memberikan tegangan positf antara gerbang katode.
Begitu thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya lebih besar
dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi tersambung secara positif balikan,
bahkan bila sinyal penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat dikategorikan sebagai
latching devais.
Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan rumus
sebagai berikut :
IB1 = IC2 + I Gp
IB2 = IC1 + I Gn

Gambar-5. Karakteristik Thyristor

Thyristor mempunyai 3 keadaan atau daerah, yaitu :

1. Keadaan pada saat tegangan balik (daerah I)
2. Keadaan pada saat tegangan maju (daerah II)
3. Keadaan pada saat thyristor konduksi (daerah III)
Pada daerah I, thyristor sama seperti diode, dimana pada keadaan ini tidak ada arus yang
mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus (Vr). Pada daerah II terlihat bahwa arus
tetap tidak akan mengalir sampai dicapainya batas tegangan penyalaan (Vbo). Apabila
tegangan mencapai tegangan penyalaan, maka tiba tiba tegangan akan jatuh menjadi kecil
dan ada arus mengalir. Pada saat ini thyristor mulai konduksi dan ini adalah merupakan
daerah III. Arus yang terjadi pada saat thyristor konduksi, dapat disebutsebagai arus genggam
(IH= Holding Current). Arus I ini cukup kecil yaitu dalam orde miliampere. Untuk membuat
thyristor kembali off, dapat dilakukan dengan menurunkan arus thyristor tersebut dibawah
arus genggamnya (I H) dan selanjutnya diberikan tegangan penyalaan.
MEMBUAT THYRISTOR HIDUP
Suatu thyristor dihidupkan dengan meningkatan arus anoda. Hal ini dapat dicapai dengan
salah satu langkah berikut.
Panas. Jika suhu thyristor cukup tinggi,akan terjadi peningkatan jumlahpasangan elektronhole,sehingga arus bocor meningkat. Peningkatan ini akan menyebabkan 1 dan 2
meningkat.karena aksi regeneratif akan menuju ke nilai satuan dan thyristor mungkin akan
on. Cara ini dapat menyebabkan thermal runaway dan biasanya dihindari.
Cahaya. Jika cahaya diizinkan mengenai sambungan thyristor, pasangan elektron-hole akan
meningkat dan thyristor mungkin akan on.Cara ini dilakukan dengan membiarkan cahaya
mengenai silicon wafer dari thyristor.
Tegangan Tinggi. Jika tegangan forward anode ke katode lebih besar dari tegangan maju
breakdown VBO, arus bocor yang dihasilkan cukup untuk membuat thyristor on. Cara ini
merusak dan harus dihindari.
dv/dt. Jika kecepatan peningkatan tegangan anode-katode cukup tinggi,arus pengisian
sumber kapasitor mungkin cukup untuk membuat thyristor on.Nilai arus pengisian yang
tinggi dapat merusak thyristor,dan devais harus diproteksi melawan dv/dt yang tinggi.

 Arus gerbang. Jika suatu thyristor diberi tegangan bias forward, injeksi arus gerbang
dengan menerapkan tegangan gerbang positif antara terminal gerbang dan katode akan
membuat thyeistor on. Ketika arus gerbang ditingkatkan, tegangan forward blocking akan
menurun
Beberapa hal berikut harus diperhatikan ketika merancang rangkaian kendali gerbang:
1. Sinyal gerbang harus dihilangkan setelah thyristor dihidupkan. Suatu sinyal penggerbangan
kontinyu akan meningkatkan daya yang terbuang di sambungan gerbang.
2. Ketika thyristor pada kondisi reverse bias,tidak boleh ada sinyal gerbang;jika ada sinyal
gerbang,thyristor akan rusak karena peningkatan arus bocor.
3. Lebar pulsa gerbang tG harus lebih lama dari waktu yang diperlukan untuk arus anode
meningkat ke nilai arus holding IH.Secara praktis,lebar pulsa tG biasanya diambil lebih dari
waktu turn-on ton dari thyristor.
MEMBUAT THYRISTOR OFF
Thyristor yang berada dalam keadaan on dapat dimatikan dengan mengurangi arus maju ke
tingkat di bawah arus holding IH.Ada beberapa variasi teknik untuk membuat thyristor
off.Pada semua teknik komutasi,arus anode dipertahankan di bawah arus holding cukup
lama,sehingga semua kelebihan pembawa muatan pada keempat layer dapat dikeluarkan.
Akibat dua sambungan pn,J1 dan J3,karakteristik turn-off akan miripdengan pada
diode,berkaitan dengan waktu pemulihan reverse trr dan aarus pemulihan reverse puncak
IRR.IRR dapat lebih besar daripada arus blocking baik nominal.IR .Pada rangkaian konverter
line-commutated yang tegangan masukannya bersifat bolak-balik ,tegangan balik muncul
pada thyristor seketika setelah arus maju menuju ke nol.Tegangan balik ini akan
mengakselarasi proses turn-off,dengan membuang semua kelebihan muatan dari sambungan
pn J1 dan J3.
Sambungan pn alam J2 akan memerlukan waktu yang dikenal sebagai recombination time
trc bergantung pada magnituda dari tegangan balik.
Waktu turn-off tq adalah jumlah dari reverse recovery time trr dan recombination time
trc.Pada akhir masa turn-off ,lapisan deplesi terbentuk sepanjang sambungan J2 dan thyristor
memperoleh kembali kemampuan untuk tahan terhadap tegangan forward.

Waktu turn-off tq merupakan interval waktu minimum ketika arus keadaan on berkurang
menjadi nol dan ketika thyristor dapat menahan tegangan forward tanpa menjadi on.tq
bergantung pada nilai puncak dari arus keadaan on dan tegangan keadaan on sesaat.
Reverse recovered charge QRR adalah besar muatan yang harus dicukupi lagi selama proses
turn-off.Nilainya ditentukan dari daerah yang dicakup oleh aliran arus pengisian balik.Nilai
QRR bergantung pada kecepatan turun arus keadaan on dan nilai puncak arus keadaan on
sebelum turn-off.QRR merupakan sebab dari kehilangan energi dalam devais.

MODEL DAN APLIKASI THYRISTOR

JENIS-JENIS THYRISTOR
Thyristor dibuat hampir seluruhnya dengan proses difusi.Thyristor dapat secara umum
diklasifikasikan menjadi sembilan kategori:
1. Phase control thyristor (SCR)
2. Fast-switching thyristor(SCR)
3. Gate-turn-off thyristor (GTO)
4. Bidirectional triode thyristor(TRIAC)
5. Reverse-conducting thyristor (RCT)
6. Static induction thyristor (SITH)
7. Light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
8. FET-controlled thyristor(FET-CTH)
9. MOS-controlled thyristor (MCT)
1. Phase-Control Thyristor (Kontrol Phase Thyristor)
Thyristor type ini secara umum beroperasi pada line-frequency dan dimatikan dengan
komutasi natural. Turn off time tq, berada dalam orde 50 sampai 100 s. Alat ini sangat
cocok untuk aplikasi pensaklaran kecepatan rendah yang dikenal sebagai thyristor konverter.
Karena terbuat dari silikon yang dikontrol maka thyristor ini disebut silicon-controlled
rectifier (SCR).
Dalam keadaan on, VT, bervariasi disekitar 1,15 V untuk devais 600 V hingga 2,5 V untuk
devais 4000 V; dan untuk thyristor 5500 A, 1200 V, sekitar 1,25 V.

2. Fast-Switching Thyristor
Biasanya thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi pensaklaran kecepatan tinggi
dengan forced-commutation. Thyristor jenis ini memiliki waktu turn off yang cepat,
umumnya dalam 5 sampai 50 s bergantung pada daerah tegangannya. Tegangan jatuh
forward pada keadaan on bervarasi kira-kira seperti fungsi invers dari trun off time tq, dikenal
juga sebagai thyristor inversi.
Thyristor ini memiliki dv/dt yang tinggi biasanya 1000 V/s dan di/dt sebesar 1000 /s. Turn
off yang cepat akan sangat penting untuk mengurangi berat dan ukuran dari komponen
rangkaian reaktif. Thyristor ini memiliki kemampuan blocking yang sangat terbatas kira-kira
10 V, biasanya dikenal asymmetrical thyristor (ASCR).

3. Turn Off Thyristor

Alat ini dihidupkan dengan memberi sinyal gerbang positif. GTO memiliki beberapa
keuntungan dibandingkan SCR; (1) turn-off yang cepat, memungkinkan komponen
commulating pada forced-commutation, yang menghasilkan pengurangan biaya, berat dan
volume; (2) pengurangan usikan akustik dan elektromagnetik karena hilangya commutation
chokes; (3) trun-off yang cepat, memungkinkan frekuensi pensaklaran yang tinggi; dan (4)
meningkankan efisiensi converter.
Pada aplikasi daya rendah , GTO memiliki keuntungan dibandingkan bipolar transistor: (1)
kemampuan bloking tegangan yang lebih tinggi; (2) rasio arus puncak yang dapt dikontrol
dengan arus rata-rata yang tinggi; (3) rasio atus surge puncak terhadap arus terhadap arus
rata-rata tinggi, umumnya 10 : 1 ; (4) penguatan keadaan on tinggi (arus anode/arus gerbang),
umumnya 600; dan (5) durasi sinyal gerbang sinyal pulsa pendek.
Controllable peak on-state current ITGQ adalah nilai puncak dari arus keadaan on, yang
dapat dimatikan oleh control gerbang. Dengan CS adalah kapasitansi snubber.

4. Bidirectional Triode Thyristor

TRIAC dapat bersifat konduktifdalam dua arah. Karena itu TRIAC merupakan devais
bidirectional, terminalnya tidak dapat ditentukan sebagai anode/katode. Dalam prakteknya
sensitivitas bervariasi antara satu kuadran dengan kuadran lain, dan TRIAC biasanya
beroperasi di kuadran I+ (tegangan) dan arus gerbang positif) atau kuadran III- (tegangan dan
arus gerbang negative).
5. Reverse-Conducting Thyristor
Suatu RCT dapat dipandangi sebagai suatu kompromi antara karakteristikdevais dan
kebutuhan dari rangkaian RCT dapat dianggap sebagai suatu thyristor dengan built-in mode
antipapralel. Tegangan forward blocking bervariasi antara 400 samapi dengan 2000 V dan
rating arus maju bergerakhingga 500 A. Tegangan blocking reverse biasanya sekitar 30
sampai dengan 40 V.
6. Static Induction Thyristor
Karakteristik dari SITH mirip dengan karakteristik dari MOSFET. SITH biasanya dihidupkan
dengan memberikan tegangan gerbang positif. SITH merupakan devais pembawa muatan
minoritas.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi denagn kemampuan dv/dt dan di/dt yang
tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1 sampai 6 s. Rating tegangan mencapai 2500
V dan rating arus dibatasi 500 A. devais ini sangat sensitive terhadap proses produksi,
ganguan kecil dapat megakibatkan perubahan besar pada karakteristiknya.
7. Light-Activated Silicon-Controlled Rectifier
Devais ini dihidupkan dengan memberikan radiasi langsung pada wafer silicon. Pasangan
electron-hole yang terbentuk selama proses radiasi menghasilkan arus trigger pada pengaruh
medan elektris.
LASCR digunakan untuk pemakaian arus dan tegangan yang tinggi dan kompensasi daya
reaktif statis. LASCR menediakan isolasi elektris penuh antara sumber cahaya pen-trigger
dan devais switching dari converter daya, dengan potensial mengambang tinggi.

8. FET-Controlled Thyristor
Devais FET CTH merupakan kombinasi MOSFET dan thyristor secara parallel. Jika
tegangan tertentu diberikan pada gerbang MOSFET, biasanya 3 V, arus pen-tringger dari
thyristor akan bangkit secara internal. FET-CTH memiliki kecepatan switching tinggi.
9. MOS-Controlled Thyristor
MOS-Controlled Thyristor (MCT) mengkombinasikan sifat-sifat regeneratif thyristor dan
struktur gerbang MOS. Karena strukturny NPNP anode berlaku sebagai terminal acuan relatif
terhadap semua sinyal gerbang yang diberikan. Diasumsikan bahwa MCT berada dalam
keadaaan blocking state dan tegangan negatif VGAdiberikan. Kanal p (layer inversion)
dibentuk dalam material n-doped, yang mengakibatkan hole-hole mengalir secara lateral dari
emiter.
MCT dapat beroperasisebagai devais yang dikontrol oleh gerbang jika arusnya lebih kecil
dari arus maksimum yang dapat dikontrol. Usaha untuk membuat MCT off pada arus yang
melebihi nilai itu akan menyebabkan kerusakan pada devais. Untuk nilai arus yang tinggi,
MCT harus dimatikan seperti thyristor biasa. Lebar pulsa gerbang tidak kritis untuk arus
devais yang lebih kecil. Untuk arus besar, lebar pulsa turn off harus lebih besar dari pulsa
turn-off harus lebih besar.

Secara umum, aplikasi thyristor adalah :

Mengontrol kecepatan dan frekuensi

Penyearahan

Pengubahan daya

Manipulasi robot

Kontrol temperatur

Kontrol cahaya