SEMIKONDUKTOR

1. Definisi

Bahan yang memiliki hambatan jenis () sebesar 10-6

sampai 10-4 ohm.m, yaitu nilai hambatan jenis antara
konduktor dan isolator.

Bahan yang memiliki pita terlarang (forbidden band)

atau celah energi (energy gap) relatif kecil kira-kira
sebesar 1 eV

2. Band structure
Semiconductor - a solid in which the highest occupied energy
band, the valence band (VB), is completely full at T = 0K.
However, the gap above this band is small, so that electrons
may be excited thermally at room temperature from the
valence band to the next-higher band the conduction band
(VB).

Electrons are excited across the gap the bottom of

the conduction band is populated by electrons, and the
top of the valence band - by holes.
As a result, both bands are now only partially full
can carry a current if
an electric field were applied.
The energy of the CB has the form:

The energy of the VB may be written as

3. Bahan Semikonduktor :

Trivalent
Logam-logam yang memiliki atom dengan jumlah elektron
terluar 3 buah, misalnya Boron (B), Gallium (Ga), dan Indium
(In).

Tetravalent
Logam-logam yang memiliki atom dengan jumlah elektron
terluar 4 buah, misalnya Silikon (Si) dan Germanium (Ge).

Pentavalent
Logam-logam yang memiliki atom dengan jumlah elektron
terluar 5
buah, misalnya Fospor (P), Arsenikum (Ar), dan
Antimon (Sb).

4. Fungsi Distribusi Pembawa Muatan

Konsentrasi elektron pada pita konduksi dan hole
pada pita valensi dapat dihitung berdasarkan fungsi
distribusi berikut :

Fungsi Distribusi

Kerapatan keadaan
elektron dan hole

Banyaknya keadaan energi dalam selang (E, E+dE) adalah De(E) dE, di
mana De(E) kerapatan keadaan elektron. Bila peluang untuk menduduki
suatu keadaan adalah f(E) maka banyaknya elektron dalam selang energi
tersebut adalah f(E)De(E)dE. Konsentrasi elektron dalam pita konduksi
dihitung dari persamaan :
n

f ( E ) D( E )dE
e

Ec

dengan f(E) dinyatakan dalam fungsi berikut :

f (E)

1
e

( E ) / k BT

f e e ( E ) / k BT

untuk Eg ~ 1eV >> kT, substitusi f(E) ke persamaan konsentrasi elektron diperoleh

dengan

Ubah variabel dan gunakan

Maka diperoleh konsentrasi elekron dalam pita konduksi adalah :

mh k BT
n 2
2
2

3/ 2

e ( Ec ) / k BT

Cara yang sama dengan menggunakan fh(E) = 1 fe(E) didapat

konsentrasi hole pada pita valensi adalah :

5. Jenis Semikonduktor
a. Semikonduktor Intrinsik
Merupakan semikonduktor murni dan tidak cacat.
Contoh Germanium murni.

Semikonduktor intrinsik pada suhu rendah :

Semua elektron berada pada ikatan kovalen

Tidak ada elektron bebas atau tidak ada pembawa muatan sehingga
bersifat sebagai isolator

Semikonduktor intrinsik pada suhu kamar :

Agitasi termal menyebabkan beberapa elektron valensi keluar dari

ikatan kovalen menjadi elektron bebas sebagai pembawa muatan negatif
Timbulnya elektron bebas sebagai pembawa muatan negatif diikuti
terbentuknya hole (lubang) sebagai pembawa muatan positif. Peristiwa
ini dinamakan pembangkitan (generation)
Jika dipasang beda potensial maka akan terjadi aliran arus atau
menjadi konduktor dengan konduktansi rendah
Pada semikonduktor intrinsik konsentrasi elektron bebas sama dengan
konsenstrasi hole

Pada semikonduktor intrinsik banyaknya elektron dan hole sama

(n =p). Dengan

me k BT
n 2
2
2

3/ 2

e ( Ec ) / k BT

dan

Maka pada semikonduktor intrinsik diperoleh tingkat energi Fermi

adalah :

EC EV 3
mh
EF
k BT ln
2
4
me

b. Semikonduktor Ektrinsik
Merupakan semikonduktor yang memperoleh pengotoran atau
penyuntikan (doping) oleh atom asing.
Tujuan doping :
- meningkatkan konduktivitas semikonduktor
- memperoleh semikonduktor dengan hanya satu pembawa
muatan (elektron atau hole) saja
Perbandingan doping :
- atom dopant merupakan atom pengotor yang jumlahnya 10-6
sampai 10-8 kali atom murninya
- atom dopant pada semikonduktor tipe-n adalah pentavalent
dan dinamakan atom donor
- atom dopant pada semikonduktor tipe-p adalah trivalent dan
atom aseptor

Semikonduktor ekstrinsik dibagi menjadi :

1) Semokonduktor Ektrinsik Tipe-N
- pengotoran oleh atom pentavalent seperti P, As, Sb
- atom pengotornya disebut atom donor
- pembawa muatannya adalah elektron

2) Semikonduktor tipe-P
- pengotoran oleh atom trivalent seperti B, Ga, In
- atom-atom pengotornya disebut atom aseptor
- pembawa muatannya adalah hole

Semiconductor statistics
Semiconductors usually contain both donors and acceptors
Electrons in the CB can be created either by
thermal interband excitation or
by thermal ionization of the donors.
Holes in the VB may be generated by
interband excitation, or by thermal excitation
of electrons from the VB into the acceptor level.
In addition, electrons may fall from the donor
levels to the acceptor level.
Finding the concentrations of carriers, both electrons and holes, taking all
these processes into account, is quite complicated.
We shall treat a few special cases, which are often encountered in practice.

Intrinsic region:
Carrier concentration is determined primarily by thermally induced
Interband transitions. In this region n = p.
The intrinsic region: the impurity doping is small.
If the concentrations of donors and acceptors are Nd and Na, the
requirement for the validity of the intrinsic condition is: n >>Nd - Na
n increases rapidly with temperature the intrinsic condition becomes
more favorable at higher temperatures.
In fact, all semiconductors become intrinsic at sufficiently high
temperatures (unless the doping is unusually high).
In this case, the carrier concentration is:
ni = p =

Extrinsic region:
For the common doping levels, about 1015 cm -3, the number of carriers
supplied by the impurities is large enough to change the intrinsic
concentration appreciably at room temperature.
Two different types of extrinsic regions may be distinguished.
1) Nd >> Na.
In this case, to a good approximation, n = Nd
Hole concentration p is small. To calculate it, note that
mk T
n 2 e B2
2

3/ 2

mk T
p 2 h B2
2

dan

( E F E g ) / k BT

3/ 2

e E F / k BT

are still valid even for doped sample (here Ev = 0 Ec = Eg)

np 4

k BT

2 2

3/ 2

me mh

3/ 2

E g / k BT

p << Nd = n n-type semiconductor

n
ni p i
Nd
2

2) Na >> Nd
In this case, p = Na n is small
2

Similarly get

ni
n
Na

n << Na = p

p-type semiconductor

Assumed temperature to be high enough so that all impurities are

ionized - True at room temperature. If the temperature is
lowered, a point is reached at which the thermal energy becomes
too small to cause electron excitation - electrons fall from the CB
into the donor level the conductivity diminishes dramatically
freeze-out electrons are now "frozen at their impurity sites.
The temperature of freeze-out: Ed ~ kBT T ~ 100 K.

DIODE PERTEMUAN PN
Definisi :

Suatu
pertemuan
pn
adalah
kristal
tunggal
semikonduktor yang pada satu sisinya mendapat
penyuntikan atom aseptor dan pada sisi lainnya
mendapat penyuntikan atom donor yang merupakan blok
bangunan dasar (basic building block) bagi piranti
semikonduktor

Diode pertemuan pn adalah pertemuan pn yang pada

kedua sisinya dilekatkan logam (metalurgical bond)
sehingga terdapat dua ujung logam yang merupakan
terminal atau elektroda, yakni anoda pada sisi p dan
katoda pada sisi n

Ilustrasi Mekanisme Pertemuan PN :

Doping Atom Aseptor

Doping Atom Donor

Kriistal Tunggal Semikondukor

Tipe-P

Tipe-N

Diode
Kawat

Kawat
Tipe-P
Logam

Anoda

Tipe-N
Logam

Katoda

Akibatnya pertemuan pn (terbuka) terjadi :

a.

Lapisan Pengosongan

Saat p dan n dipertemukan, terjadi difusi elektron ke arah p dan difusi

hole ke arah n
Terjadi recombination (penggabungan) di sekitar bidang pertemuan sehingga
elektron dan hole lenyap
Di sekitar bidang pertemuan tak terdapat pembawa muatan, disebut daerah
pengosongan (depletion region)

b.

Tegangan Penghalang

Lenyapnya elektron meninggalkan ion donor (+) dan lenyapnya hole

ion aseptor (-)
Adanya ion positif dan negatif menyebabkan adanya medan listrik sehingga
ada tegangan yang dinamakan tegangan penghalang Vbi (barrier potensial).
Timbulnya tegangan penghalang menimbulkan arus drift ke kiri
Karena pertemuan pn ini terbuka, maka ada kesetimbangan antara arus drift
dengan arus difusi

Mekanisme Pertemuan PN terbuka

Atom-atom yang mengandung hole dapat digambarkan

sebagai ion-ion negatif karena kekurangan elektron dan
atom-atom yang kelebihan elektron sebagai ion positif

Ion-ion aseptor adalah ion-ion negatif dan ion-ion donor

adalah ion-ion positif

Pertemuan pn dengan bias maju (forward bias)

VD menyebabkan arus difusi lebih besar dari arus drift

Jika potensial penghalang sebelum diberi VD adalah Vo maka
potensial penghalang Vbi=Vo-VD. Daerah pengosongan menjadi
sempit
Pembawa mayoritas mempunyai energi cukup untuk melewati
potensial penghalang
Hole dari sisi p (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah
pengosongan menjadi pembawa minoritas dari sisi n
Elektron dari sisi n (pembawa mayoritas) dapat melewati daerah
pengosongan menjadi pembawa muatan minoritas p
Jumlah arus dari elektron dan hole merupakan arus total yang lewat
diode

Pertemuan pn dengan bias mundur (reverse bias)

Hole pada sisi p bergerak ke kiri, elektron pada sisi n bergerak ke

kanan, daerah pengosongan melebar, potensial penghalang menjadi
Vo+VD, tidak ada arus lewat bidang pertemuan

Karena daerah pengosongan pada dasarnya merupakan

semikonduktor intrinsik, agitasi termal menyebabkan terjadinya
generation sehingga muncul pasangan elektron dan hole pada
daerah ini

Pengaruh medan listrik yang terpasang terhadap adanya elektron

dan hole di daerah pengosongan menyebabkan terjadinya arus yang
arahnya dari katoda ke anoda yang disebut arus balik saturasi yang
besarnya 10-8 sampai 10-14 ampere

QUIZ
Pada semikonduktor intrinsik buktikan bahwa :
a. Konsentrasi pembawa muatannya adalah :
k BT
ni pi 2
2
2

3/ 2

(me mh )

3/ 4

E g / 2 k BT

b. Tingkat energi Ferminya adalah :

EC EV 3
mh
EF
k BT ln
2
4
me

Eg

SEMIKONDUKTOR INTRINSIK

Konsentrasi elektron pada pita konduksi adalah :

mk T
n 2 e B2
2

3/ 2

e ( E F EC ) / k B T

Konsentrasi hole pada pita valensi adalah :

mh k BT
p 2
2
2

3/ 2

e ( Ev E F ) / k BT

Karena n = p pada semikonduktor intrinsik diperoleh tingkat

energi Ferminya
:
EC EV adalah
3
m
EF
k BT ln h
2
4
me

SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
a. Semikonduktor Tipe-n
Karena Nd >> Na diperoleh :

NC

Nd

E F EC k BT ln
di mana

mk T
N C 2 e B2
2

3/ 2

b. Semikonduktor Tipe-p
Karena Na >> Nd diperoleh :

NV
EF EV k BT ln
Na
di mana

mk T
NV 2 h B2
2

3/ 2

PERSAMBUNGAN PN

(x)

+qNd

-xp
o

xn

-qNa

-xp
-qNaxp/1

xn
-qNdxn/2

Rapat muatan :
(x) = +qNd , O < x xn
= -qNa, -xp x < O
= O ,
di daerah lainnya
Berdasarkan hukum Gauss :

qN d xn qN a x p

(*)

Penurunan potensial pada :

Nd 2
q
sisi-n pada daerah O x xn = 2 xn
2

sisi-p pada daerah -xp x O =

Na 2
xp
21

Sehingga diperoleh potensial penghalang (barrier) :

V Vbi q

Nd 2
N
2
xn q a x p
2 2
21

**)

Penyelesaian persamaan (*) dan (**) memberikan

Dan muatan pada salah satu sisi persambungan
2

N
V
x p 1 2 d
N a 1 N a 2 N d
q
2

N
V
xn 1 2 a

q
N

N
d
1
a
2
d

1/ 2

1/ 2

ketebalan total daerah pengosongan (depletion region) sebagai

berikut :
W = x n + xp
2

1 2
( N a N d )2
W
Vbi
Na Nd
q 1 N a 2 N d

dan

qN d xn qN a x p Q

N N
Q 2q 1 2 a d Vbi
1 N a 2 N d

1/ 2

1/ 2

a.

Bias Maju (Forward Biased) pada Sambungan

pn
Tinjau pertemuan pn yang pada kedua sisinya dilekatkan logam
(metalurgical bond) sehingga terdapat dua ujung logam yang
merupakan terminal atau elektroda. Selanjutnya diberikan
tegangan V (=Va) melalui elektroda seperti diperlihatkan pada
gambar berikut :

Asumsi-1 :
Potensial yang diberikan melintasi daerah deplesi. Akibat pemberian
potensial yaitu terjadinya perubahan potensial saat melintasi daerah
deplesi dari Vbi mejadi Vbi-V. Oleh karenanya,

2
Vbi V
N
xn 1 2 d
N a 1 N a 2 N d
q

1/ 2

2
Vbi V
N
x p 1 2 a

q
N

N
d
1 a
2 d

1/ 2

dan

N N
Q 2q 1 2 a d (Vbi V )
1 N a 2 N d

1/ 2

akibatnya daerah deplesi menyempit.

Aliran Arus :
Perhitungan arus persambungan pn digunakan model drift-diffusion. Model ini
berlaku hanya bila pita Ec dan Ev kecil dibandingkan KT.
Dalam keadaan setimbang, difusi elektron dan hole sama dengan arus drift, di
mana arah difusi berlawanan dengan arus drift.
Saat tegangan yang diberikan melintasi persambungan, medan listrik pada
daerah deplesi berkurang dan arus difusi melebihi arus drift. Elektron
berdifusi dari sisi-n melintasi daerah deplesi ke sisi-p dan hole berdifusi
melintasi daerah deplesi ke sisi-n.
Laju generation-recombination
minoritas) pada sisi-p adalah :

Re( x) Ge( x )

dari

n( x) n po dan
e1

injeksi

elektron

ni
n po
Na

(pembawa

muatan

Dengan asumsi ini tidak ada penurunan potensial melintasi

daerah-p, oleh karenanya medan listrik dalam daerah-p menjadi
nol. Akibatnya aliran arus hanya aliran difusi, yaitu

J e ( x) qDe1
Karena

n( x)
x

n 1

J e ( x) Ge( x ) Re( x)
t q x
maka

2 n( x) n( x) n po
De1

2
x
e1

2 n( x) n( x) no n( x) n po

2
2
x
De1 e1
Le1

dan

n
0
t

Untuk hole pada sisi-n :

2 p ( x) p ( x) pno

2
2
x
Lh 2
Dengan
2

n
pno i
Nd
di mana

Le1 De1 e1
Lh 2 Dh 2 h 2

panjang difusi pembawa minoritas pada sisi-p

panjang difusi pembawa minoritas pada sisi-n

Untuk menyelesaikan persamaan di atas diperlukan kondisi syarat

batas

Asumsi-2 :
Di bawah pengaruh tegangan bias maju

elektron pada x = -xp berada dalam kesetimbangan dengan

elektron pada sisi-n (mempunyai tingkat energi Fermi yang
sama).
hole pada x = xn berada dalam kesetimbangan dengan elektron
pada sisi-p (mempunyai tingkat energi Fermi yang sama).
Dalam daerah deplesi tingkat energi Fermi untuk elektron dan
hole konstan dan terpisah sebesar qV.

Diagram pita pada forward bias diperlihatkan pada gambar berikut

:
Ec
1

qV

EFh
Ev

Ec
EFe
Ev

-xp

xn

Pada x = -xp didapat :

2

qV

n
n( x p ) i1 e kT
Na

Pada x = xn didapat :
2

qV

n
p ( xn ) i 2 e kT
Nd

Gunakan panjang sisi-p adalah w1 dan panjang sisi-n adalah w2.

Tipe-p

-w1

Tipe-n

-xp

xn

w2

Kondisi batas lain adalah kelebihan konsentrasi elektron adalah

n( x) n( x) n po
Dan kelebihan konsentrasi hole adalah

p ( x) p ( x) p no
menuju nol pada metal kontak, hal ini karena laju recombinationgeneration pada metal kontak sangat besar.

Untuk w1 x 0 membutuhkan penyelesaian :

2 n( x) n( x) no n( x) n po

2
2
x
De1 e1
Le1

dengan
2

qV

n
n( x p ) i1 e kT
Na

dan

Misalkan n( x) n( x) n po

n
n( w1 ) n po i1
Na

membutuhkan penyelesaian

2 n( x) n( x)

2
2
x
Le1
2

dengan

qV

n
n( x p ) i1 e kT
Na

dan n( w1 ) 0

Diperoleh solusi :
w1 x

L
ni1
e
1

n( x)
Na
w xp

sinh 1
L
e1

sinh

qV
kT

untuk w1 x -xp

Dengan cara sama diperoleh

2

n
p( x) i 2
Nd

w2 x

L
h2

sinh
sinh

qV

untuk xn x w2

e kT 1

w2 xn

Lh 2

Solusi tersebut disket dalam gambar berikut :

n(x)

-w1

p(x)

-xp

xn

w2

Je(x) untuk w1 x -xp

J e ( x) qDe1

n( x)
x
2

n D
q i1 e1
N a Le1

w1 x

L
e1

w1 x p

Le1

cosh

sinh

qV
kT

Jh(x) untuk xn x w2
J h ( x) qDh1
2

p( x)
x

n D
q i2 h2
N d Lh 2

w2 x

Lh 2

cosh
sinh

w1 xn

L
h2

qV
kT

Arus total JT= Je(x) + Jh(x) harus menjadi tidak bergantung posisi
pada keadaan tunak. JT didapat bila diketahui Je(x) dan Jh(x) pada
tiap lokasi.

Asumsi-3 :
Mengabaikan recombination-generation di daerah deplesi. Bila
digunakan asumsi ini maka

J e ( x p ) J e ( xn ) J e ( x )

pada xp x xn

J h ( x p ) J h ( xn ) J h ( x )

pada xp x xn

tetapi
2
w1 x p
ni1 De1

J e ( x p ) q
coth
N a Le1
Le1

w x
n D
J h ( xn ) q i 2 h 2 coth 2 n
N d Lh 2
Lh 2

qV
kT

qV
kT

Sehingga diperoleh

ni12 De1
w1 x p

JT q
coth
N a Le1
Le1

qV
kT

ni 2 2 Dh 2
w2 xn

1
coth
N d Lh 2
Lh 2

Arus dalam sirkuit eksternal adalah

I AJ T I 0 e

qV
kT

ni12 De1
w1 x p

I 0 qA
coth
N a Le1
Le1

qV
kT

ni 2 2 Dh 2
w x
1
coth 2 n
N d Lh 2
Lh 2

qV
kT

b. Bias Mundur pada Persambungan pn

Diberi tegangan V < 0. Semua formula digunakan dengan
mengganti nilai V dengan V.

Di dalam bias mundur lebar daerah deplesi bertambah

Medan listrik pada daerah deplesi bertambah

Arus adalah :

I I 0 e

qV
kT

1 I 0

untuk qV >> kT atau V < 0