METODE EVAPORASI UNTUK MEMBUAT LAPISAN LOGAM TIPIS

Ade Esa Nurasiah, Idin Azharudin, Imas Saidah, Dede Darwati, Sandra Permana, Sit
i Nurlailla dan Siti Nurlaela
PRODI FISIKA FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI
UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SUNAN GUNUNG DJATI BANDUNG
Abstrak
Salah satu metode yang digunakan untuk memperoleh lapisan logam tipis adalah Phy
sical Vapor Deposition (evaporasi). Proses penumbuhan pada metode evaporasi dila
kukan di ruang vakum. Lapisan tipis pada substrat diperoleh dengan kondensasi-ko
ndensasi dari uap-uap logam yang berasal dari sumber evaporasi. Sumber evaporasi
nya berupa alumunium yang dipanaskan pada suatu filament hingga mencapai suhu le
burnya (9300 C) dimana tekanan uapnya cukup untuk mendesak keluar uap-uap sumber
ke dalam suatu ruang vakum yang mengelilinginya.
Kata kunci : evaporasi, ruang vakum, lapisan tipis, dan sumber evaporasi.
Pendahuluan
Di bidang elektronika saat ini, perkembangan penelitian tentang penumbuhan lapis
an logam tipis semakin maju. Pada umumnya lapisan tipis mempunyai ketebalan anta
ra orde 10-6 meter sampai dengan orde 10-9 meter sehingga ketebalan lapisan ini
tidak dapat dilihat dengan mata biasa (Muhammad Yahya, 1995). Lapisan tipis ban
yak digunakan di dalam pabrik-pabrik yang membuat komponen-komponen elektronika.
Untuk membuat lapisan tipis ini suatu bahan pelapis dilapiskan pada suatu bahan
yang disebut substrat yang berbentuk keping.
Pembuatan resistor dengan cara konvensional memerlukan kawat yang panjangnya 500
cm dan diameter 0,01 cm tetapi dengan menggunakan lapisan tipis dari bahan yang
sama dapat digantikan dengan ukuran yang lebih kecil yaitu 0,5 cm, lebar 0.01 c
m dan tebal 100 nm. Thomson dalam Holland (1970) menyebutkan bahwa resistivitas
lapisan tipis logam lebih besar dibandingkan logam dalam bentuk bulk. Jadi denga
n lapisan tipis, ukuran dari komponen alat-alat elektronika dapat diperkecil, te
tapi mempunyai kemampuan yang besar. Di samping itu lapisan tipis juga digunakan
untuk mempelajari hubungan antara struktur bahan dengan sifat-sifat optik, list
rik, thermal, dan lain-lain.
Beberapa metode yang dipakai dalam penumbuhan lapisan tipis logam dan alloy, ant
ara lain : Physical Vapor Deposition (evaporasi), Sputtering, Chemical Vapor Dep
osition (Mahajan, 1998). Pemakaian metode- metode tersebut mempunyai tujuan yang
sama yaitu untuk menghasilkan lapisan tipis yang mempunyai kualitas yang baik d
engan biaya produksi rendah. Metode evaporasi dapat menutupi kelemahan yang ada
pada metode sputtering yang dapat menimbulkan kerusakan lapisan, yaitu terjadiny
a bombardier ion (Santoso,1996). Hal ini tidak terjadi pada proses evaporasi kar
ena pendeposisian tanpa dibantu oleh ionisasi (Yunansa,1995). Lapisan tipis pada
substrat diperoleh dengan kondensasi-kondensasi dari uap-uap logam yang berasal
dari sumber evaporasi. Sumber evaporasinya berupa alumunium yang dipanaskan pad
a suatu filament hingga mencapai suhu leburnya (9300 C) dimana tekanan uapnya cu
kup untuk mendesak keluar uap-uap sumber ke dalam suatu ruang vakum yang mengeli
linginya (Kismawan,2000). Kecepatan deposisi dari uap ini pada substrat tergantu
ng pada posisi relative substrat terhadap sumber, geometri sumber dan karakteris
tik pancaran sumber (Wood,1994).
Landasan Teori
Metode evaporasi merupakan salah satu metode yang tertua dalam pendeposisian lap
isan tipis khususnya untuk lapisan logam, dimana proses penumbuhannya dilakukan
di ruang vakum (Sze,1985). Dalam ruang vakum tersebut terdapat molekul-molekul g
as baik yang berasal dari gas sisa maupun yang berasal dari sumber evaporasi yai
tu bahan logam yang diuapkan.
Keadaan vakum tidak dapat langsung dilihat oleh mata karena pengisi ruangan beru
pa gas. Untuk itu diperlukan besaran fisis lain yang mempunyai kaitan erat denga
n tingkat kevakuman agar tingkat kevakuman dapat diukur atau diketahui dengan mu
dah (Muh.Yahya,1995). Keberhasilan dari proses evaporasi sangat ditentukan oleh
jumlah molekul gas sisa dalam ruang vakum (kismawan,2000).
Sistem Vakum Evaporasi
Sistem evaporasi terdiri dari ruang hampa, pompa mekanik, pompa difusi, katup-ka
tup dan lain-lain. Bila dibutuhkan kehampaan hanya orde 10-3 Torr, maka dapat di
gunakan pompa mekanik. Pengoperasian pompa difusi yang dibantu dengan gas nitrog
en cair. Nitrogen cair berfungsi untuk mencegah kontaminasi oli dari pompa difus
i dan pompa mekanik (Stuart,1983). Salah satu hal yang perlu diperhatikan dalam
teknik evaporasi adalah sumber evaporasi (evaporan). Evaporan yang biasanya digu
nakan diantaranya evaporasi filamen (filamen evaporation) dan evaporasi pancaran
electron (elektron beam evaporation).
Pada evaporasi filamen, material sumber evaporasi diletakkan dekat atau pada fil
amen yang telah dibentuk. Kelemahan evaporasi filamen adalah sulit mengambil ket
ebalan film. Banyak jenis dan bentuk filament sehingga harus disesuaikan dengan
evaporan untuk menghindari kemungkinan terjadinya reaksi.
Pada sistem evaporasi pancaran elektron, filamen bersuhu tinggi ditempatkan bers
ama dengan pengarah elektron. Pancaran elektron berintensitas tinggi (dengan ten
aga mencapai 15 kV) difokuskan pada material sumber yang ditempatkan pada krusib
el air dingin. Tenaga dari pancaran elektron ini melelehkan target sehingga mate
rial tadi terevaporasi pada substrat dalam bentuk lapisan tipis (Annas,1995).
Bentuk praktis dari sumber tergantung daripada bentuk-bentuk filamennya. Biasany
a digunakan Resistance Heater Source, bahan-bahannya terbuat dari bahan biasa hi
ngga kompleks. Menurut Siregar (1972), Bahan-bahan tahanan yang dipanasi harus m
emenuhi persyaratan sebagai berikut:
1. dapat menghasilkan panas pada suhu evaporasi dengan bentuk stabilitas struktu
rnya tetap tidak berpengaruh.
2. memiliki tekanan penguapan bahan yang lebih rendah sehingga hanya sejumlah k
ecil saja dari bahan tersebut ikut terevaporasi.
3. bisa menampung bahan-bahan yang ingin dievaporasi.
4. tidak bereaksi kimia dengan bahan yang ingin dievaporasikan
Proses Pelapisan pada Sistem Evaporasi
Sistem evaporasi menyediakan sebuah sumber pemanas untuk mengoperasikan material
logam yang diinginkan. Pada pemanas (heater) ini dilewatkan arus yang cukup tin
ggi untuk membawa material sumber ke suhu evaporasinya, yaitu di mana tekanan ua
pnya cukup untuk mendesak ke luar uap-uap material sumber. Dalam proses ini mate
rial yang digunakan padat, sedangkan untuk cair tidak bisa karena jika menggunak
an cair akan bereaksi dengan elemen pemanasnya. Material sumber yang telah deiev
aporasikan ini selanjutnya bergerak meninggalkan sumber panas dalam bentuk gas.
Sifat transport zat berperan dalam peristiwa ini, sifat transport zat didefinisi
kan sebagai kemampuan zat itu untuk memindahkan materi, energi atau sifat yang l
ainnya dari suatu tempat ke tempat lain (Atkins,1999). Pada saat itu, atom-atom
bergerak dengan energi kinetik yang besarnya kira-kira 3/2 KT. Arah gerakannya k
e segala arah dan bergantung pada jenis sumber yang digunakan. Akhirnya proses p
elapisan terbentuk setelah atom-atom tersebut mengalami proses kondensasi pada s
etiap permukaan substrat yang ditimpa atom-atom (Kasmawan,2000).
Kecepatan Evaporasi
Kecepatan evaporasi bergantung pada tekanan uap dari bahan yang dievaporasikan,
Fulkjer dalam Kasmawan 2000 menyatakan bahwa tekanan uap masing-masing logam ber
gantung pada suhu.
Referensi
Mahmudi. (2000).Studi Tentang Uniformitas Lapisan Tipis Alumunium pada Substrat
Kaca Terhadap Jarak Deposit Menggunakan Metode Evaporasi Termal Tipe Ladd Resear
ch. Surakarta : Jurusan Fisika FMIPA UNS.
Purnomo,Andik.(2000).Studi Penumbuhan Lapisan Tipis Al pada Substrat Kaca Terhad
ap Jarak Deposit Menggunakan Metode Evaporasi Termal Tipe Ladd Research. Surakar
ta.: Jurusan Fisika FMIPA UNS.