5 - COMANDO DOS DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA :

5.1 Introdução :

Os dispositivos eletrônicos de potência utilizados em eletrônica industrial,

geralmente, necessitam de circuitos auxiliares de comando, também chamados de circuitos de
disparo. Estes circuitos tem a função de produzir pulsos de tensão ou de corrente que são aplicados
no gate ou na base do componente, num tempo determinado, proporcionando assim, o disparo do
componente de potência.

Em alguns casos, a retirada do sinal de disparo, provoca a comutação do componente

( transistores ); em outros casos, há a necessidade de circuitos auxiliares de comutação forçada, para
que o componente ( SCR ) possa comutar.

Como estes circuitos de disparo apresentam um nível de potência baixo, se

comparado com o nível de potência do circuito principal, deve-se utilizar elementos que
proporcionem um isolamento elétrico entre estes circuitos, de forma que ruídos indesejados não
venham causar o mau funcionamento do sistema, ou até danificá-lo.

Existem várias configurações de circuitos de disparo, bem como vários dispositivos

eletrônicos utilizados para este fim. Alguns destes circuitos serão apresentados, com uma aplicação
específica de dispositivo de potência.

5.2 - Circuitos de disparo de SCR’s :

5.2.1 - Circuitos com isolação elétrica :

Em conversores que utilizam SCR’s, existem diferentes níveis de potência ao longo

do circuito. O circuito de potência está submetido a tensões relativamente altas (acima de 100V ),
enquanto que os circuitos de disparo ficam sujeitos a tensões baixas (12V a 30V ). Torna-se
importante uma isolação elétrica entre estes dois circuitos, de maneira a proteger os circuitos e o
próprio usuário. A isolação elétrica é feita através de transformadores de pulso ou de
optoacopladores.

A isolação com optoacopladores permite uma proteção melhor dos circuitos mas, há
um encarecimento do sistema devido a necessidade de se ter uma fonte CC extra, como mostrado na
figura 5.1, onde o optoacoplador utilizado é um foto-SCR.
 + VCC
ICARGA
+
R1 TAUX.
TPRINC.
V1 D1
VS
RG
-

IG
R2 R CARGA

Figura 5.1 : Isolação feita utilizando-se um foto-SCR.

A isolação com transformadores de pulso é a mais utilizada em circuitos de disparo

para tiristores, proporcionando uma boa qualidade do pulso mas, pode servir como caminho para
ruídos provenientes tanto do circuito de potência, quanto do circuito de disparo, ocasionando
problemas de operação e até queima de componentes.

Circuitos com transformadores de pulso são mostrados abaixo :

a) - Pulso estreito :

+VCC G VG

D2 N1 N2 V2

K
t

C2 R2

V1

+
Q1
R1
V1 D1
C1
t -

Figura 5.2 : Isolação com transformador de pulso - pulso estreito.

* ANÁLISE : quando um pulso de tensão é aplicado na base do transistor Q1, este

satura e a tensão VCC é aplicada no primário do transformador, que induz uma tensão no secundário
V2. Esta tensão ( pulso ) é aplicada entre gate e catodo do SCR, provocando o seu disparo.
Quando o pulso é retirado da base de Q1, este corta e é induzida uma tensão com
polaridade invertida no primário do transformador, fazendo com que o diodo D2 conduza. Circula
uma corrente que é devido a energia armazenada no primário do transformador, que decai até zero,
quando D2 bloqueia. Durante este intervalo de tempo, uma tensão reversa no secundário, também
decai até zero.
 b) - Pulso longo :

O pulso aplicado no gate do SCR pode se tornar longo, se um capacitor C2 for

colocado em paralelo do o resistor R2, como mostrado na figura 5.2.

* ANÁLISE : uma tensão VC2 aparece nos terminais do capacitor C2. Quando o
transistor Q1 é cortado, o diodo D2 é polarizado diretamente mas, a tensão no transformador não
inverte instantaneamente, devido a descarga do capacitor. Após o capacitor ter se descarregado,
ainda existe energia armazenada no transformador, fazendo com que a tensão se torne negativa e,
após um tempo , a tensão se anula.

A introdução da rede RC, aumenta a largura do pulso aplicado ao SCR. Assim, pode-
se estabelecer o tempo tON do SCR com os valores de R e C.

c) - Gerador de trem de pulso :

Em muitos conversores de potência com carga indutiva, o período de condução de

um SCR depende do fator de potência da carga, logo, o início de condução do SCR não é definido.
Neste casos, torna-se necessário manter um pulso contínuo no gate do SCR. Isto ocasiona perdas no
componente. Para se diminuir estas perdas, aplica-se ao gate do SCR, um trem de pulsos. A figura
5.3 mostra o circuito para se gerar o trem de pulso no gate do SCR.

+VCC G

D2 N1 N2 V2

R2
VG

VCC
R1
+
Q1
N3
D1 t
V1 C1
-

Figura 5.3: Circuito gerador de trem de pulso.

* ANÁLISE : quando o transistor Q1 é ligado, é induzida uma tensão no

enrolamento auxiliar N3, que polariza reversamente o diodo D1, desligando o transistor. Neste
instante p capacitor começa a ser novamente carregado e liga Q1 novamente, repetindo-se o
processo de “liga-desliga”. Esta técnica permite a produção de um trem de pulsos, que é aplicado ao
gate do SCR.
5.2.2 - Proteção utilizando elementos passivos :

Além de se ter um circuito de isolação elétrica, deve-se também, proteger o gate do

SCR de forma a se evitar disparos indesejados do mesmo, devido a ruídos de alta frequência. Esta
proteção é feita colocando-se um resistor, ou um indutor ou um capacitor, entre o gate e o catodo do
SCR.

a ) - Efeito de um resistor entre gate e catodo :

IAK
IG
G
VG RG

Figura 5.4 : Proteção do gate utilizando-se um resistor.

a.1 ) - reduz a sensibilidade do gate. Os SCR’s de baixa potência e grande

sensibilidade são disparados com corrente baixas. Coloca-se um resistor entre gate e catodo, para se
evitar disparos indesejados, devido a pequenas correntes de fuga originadas pelo aquecimento do
componente;

a.2 ) - aumenta IH, pois há um desvio de corrente para o circuito de gate;

a.3 ) - aumenta o limite dV/dt, pois a corrente originada por este efeito pode
ser desviada para o circuito de gate;

a.4 ) - aumenta a tensão VBO ( tensão de break-over );

a.5 ) - reduz o tOFF do SCR.

b ) - Efeito de um capacitor entre gate e catodo :

IAK
IG
G
VG C

Figura 5.5 : Proteção do gate utilizando-se um capacitor.

 b.1 ) - aumenta o limite dV/dt;

b.2 ) - elimina as componentes de alta-frequência.

OBS : durante a condução do SCR, o gate se comporta como uma fonte que
carrega o capacitor. No estado bloqueado, a descarga poderá provocar disparos indesejados.

c ) - Efeito de um indutor entre gate e catodo :

IAK
IG
G
VG L

K
Figura 5.6 : Proteção do gate utilizando-se um indutor.

c.1 ) - aumenta o limite dV/dt;

c.2 ) - elimina componentes de baixa frequência;

c.3 ) - aumente IH;

c.4 ) - reduz o tOFF do SCR.

Um diodo também pode ser colocado entre gate e catodo, para proteger o gate de
tensões negativas.

5.2.3 - Disparo em corrente contínua :

A característica V-A do gate é semelhante a da curva de um diodo, embora tenha

uma variação considerável de componente para componente. A figura 5.7 mostra, como exemplo, as
curvas de uma família de SCR’s.

VG

IG

Figura 5.7 : Característica V-A de uma família de SCR’s.

 O circuito que proporciona o disparo, deve :

a ) - considerar as variações da curva característica dentro destes limites;

b ) - não exceder as especificações de tensão, corrente e potência do gate;
c ) - assegurar que o disparo não ocorra quando não desejado, através de sinais
indesejados ( ruídos );
d ) - assegurar que o disparo ocorra quando desejado.

Para que todas estas condições sejam satisfeitas, devem ser impostas restrições à
curva característica acima, como mostrado na figura 5.8.

VG
A
C
VGT
DISPARO SEGURO
PARA 25°C D
Q

DISPARO POTÊNCIA
INCERTO
PARA 25°C
VGD B
IG
IGT
Figura 5.8 : Limites da curva V-I.

As curvas A e B são limites da curva característica V-A de uma determinada série de

SCR’s. As características de disparo são definidas na curva acima, por três zonas :

a ) - zona de disparo impossível ( área escura ) : o conhecimento desta zona é

importante, porque permite manter uma pequena tensão no gate que não provoca o disparo do SCR;

b ) - zona de disparo incerto : contém todos os pontos ( IGT e VGT ) de todos os SCR’s
da família. Isto significa que qualquer SCR terá um ponto de disparo dentro desta área, ou seja, se é
desejado disparar um SCR, a tensão e a corrente de gate devem estar fora desta zona; pois, poderiam
ser disparados alguns SCR’s desta família;

c ) - zona de disparo seguro : região na qual garante-se que apenas o SCR desejado
será disparado. Deste modo, a reta de carga do circuito de comando deve ser tal que não passe pela
zona de disparo incerto e se situe dentro da zona autorizada pelos valores máximos de tensão,
corrente e potência de gate.

As retas C e D, definem os valores máximos da tensão e corrente de gate. Além

disso, o ponto de operação deve estar o mais próximo possível da curva de potência máxima, para
minimizar o tempo de disparo. O ponto de operação do SCR é determinado pela intersecção da
curva do SCR com a reta de carga para VG = VS.
5.2.4 - Disparo em corrente alternada :

Através de sinais derivados da própria fonte CA, pode-se controlar de forma simples,
tiristores em aplicações em corrente alternada.

Observando-se o circuito da figura 5.9, tem-se que ao se variar R2, o ângulo de

disparo α varia de 0° até um máximo de 90°.

RCARGA

R1

VS R2 T

D1

Figura 5.9 : Circuito de disparo do SCR em corrente alternada.

Definindo RT ( R1 + R2), o seu valor para que o SCR dispare sempre no mesmo ponto
é:

VDISPARO + 2volts
RT = ( 5.1 )
IGT

Onde : 2 volts :compensação da queda de tensão no diodo D1 e no diodo gate-anodo.

Para controle de α ( 0° a 90° ), o valor máximo de RT é dado por :

2.V
RTMAX = ( 5.1a )
IGT

5.2.5 - Circuito de disparo utilizando o UJT ( Transistor de Unijunção ) :

Este transistor é um dispositivo utilizado essencialmente em chaveamento. O UJT

apresenta algumas características :

a ) - dispositivo com três terminais ( e, b1 e b2 ) e uma junção PN;

b ) - sua tensão de disparo é uma fração fixa de sua tensão de alimentação, como
mostrado na figura 5.10
 B2 B2
B2
rB
2

E
P Vx
E E
D
r
B1
B1
B1
B1
a) b)

Figura 5.10: a) Símbolo; b) tensão de disparo do UJT.

rB1
Vx = .VBB = η.VBB ( 5.2 )
rB1 + rB2

rB1 e rB2 : resistências interbases;

η : razão intrínseca de equilíbrio ( 0,4.≤ η ≤ 0,9 )

c ) - permite a simplificação dos circuitos de disparo, reduzindo o número de

componentes;

d ) - quando desativado possui uma resistência interna eleva ( ≈10kΩ );

e ) - possui uma região de ‘resistência negativa”, mostrada na figura 5.11, bastante

estável, o que lhe permite ser empregado em circuitos de disparo e osciladores.

VE REGIÃO DE
RESISTÊNCIA NEGATIVA

VP

VV

t
IP IV

Figura 5.11: Região de resistência negativa do UJT.

Aumenta-se VE até VP. À partir de VP o diodo fica diretamente polarizado e o UJT

conduz até VE = VV.

VP = VX + VD
( 5.3 )
VP = η.VBB + VD

g ) - o UJT necessita de baixos valores de corrente de disparo ( 2 a 10 µA ).

* Circuito de Relaxação utilizando o UJT :

O circuito da figura 5.12, é o circuito de um oscilador de relaxação.

+ VBB

RB 2
R1

R1
E B2 +
⇒ VBB
B1 - +
C1 VE
-
C1
RB1

Figura 5.12: Oscilador de Relaxação a UJT.

t
1
VBB = R1 .i + .∫ i .dt ⇒ i = k1 .e −t / τ ( 5.4 )
C 0

Tensão no capacitor :
VE = VBB − R1.k1.e−t/τ ( 5.5 )

t = 0 ⇒ VE = 0 ⇒ k1 = VBB/R1

(
VE = VBB . 1 − e −t / τ ) ( 5.6 )

Para R1 = RT :
(
VE = VBB . 1 − e −t / RT .CT ) ( 5.7 )

O valor de RT deve estar dentro dos limites permitidos da reta de carga. Assim :

VBB − VV V −V
≤ RT ≤ BB P ( 5.8 )
IV IP

VE

VBB

VP
VE=VBB-

V
t
I
Figura 5.13: LimitesI da reta de carga.
 VE
VP

VV
t
VB1

I1.RB1 t
VB2

Figura 5.14: Formas de onda de interesse.

A frequência de oscilação do circuito é dada por :

1
fOSC. = ( 5.9 )
 1 
RT .CT .ln 
 1 − η 

O valor de RB1 por ser calculado por :

t g = RB1.C ( 5.10 )

onde : tg - tempo de chaveamento.

Em geral, RB1 é limitado em 100Ω, podendo, entretanto, ter valores entre 2Ω e 3kΩ.
O resistor RB2 é conectado à base 2 para compensar uma diminuição de VP devido ao aumento de
temperatura e dar estabilidade térmica ao UJT. Geralmente RB2 apresenta valores superiores a
100Ω, podendo ser determinado por :

104
RB2 = ( 5.11 )
η.VBB
5.2.6 - Circuito de disparo utilizando o PUT ( Transistor de Unijunção Programável )

O PUT apresenta as seguintes características :

a ) - dispositivo eletrônico de quatro camadas;

b ) - é dito ser programável devido ao fato de podermos “programar” a sua tensão de
disparo através de um divisor resistivo;
c ) - é empregado no lugar do UJT, onde se requer uma frequência de oscilação mais
precisa;
d ) - existe uma semelhança muito grande entre o PUT e o UJT;
e ) - a razão intrínseca η no UJT não pode ser alterada, sendo que no PUT a mesma
pode ser alterada;
f ) - possui característica V-A idêntica ao do UJT.

O circuito de relaxação utilizando o PUT é mostrado na figura 5.15.

+VBB
RT RB2

A G
PUT

CT +
+ K
VA RB1 VG
- +
RS VRs -
-

Figura 5.15: Oscilador de Relaxação a PUT.

A tensão VP no PUT pode ser variada pelo divisor resistivo R1-R2. Se a tensão no
anodo VA é menor do que a tensão no gate VG, o PUT não dispara.

Quando :
VA = VG + VD ( 5.12 )

o PUT dispara. As correntes IP e IV dependem da impedância equivalente no gate RG

e de VBB.
R B1 . R B 2
RG = ( 5.13 )
R B1 + R B 2

IG = (1 −η). BB
V
( 5.14 )
RG
 Os valores de RB1 e RB2 são calculados através das equações :

RG
R B1 =
1− η
( 5.15 )
R
RB2 = G
η

A tensão VP é :
RB1
VP = .VBB = VG
RB1 + RB2
( 5.16 )
RB1
η=
RB1 + RB2

A frequência de oscilação fs é dado por :

1 1
fOSC. = = ( 5.17 )
 1   VBB 
RT .CT .ln  RT .CT .ln 
 1 −η   VBB − VP 

5.2.7 - Circuito de disparo utilizando o DIAC :

O DIAC ( Diode Alternative Current ) é destinado ao comando dos TRIAC’s. O

DIAC tem característica simétrica com relação à origem e, apresenta uma resistência dinâmica
negativa a partir de uma certa tensão chamada ( tensão de break-over - 20V a 40V ). A figura 5.16
mostra o símbolo para o DIAC, bem como a sua curva característica. O DIAC é uma chave
controlada por tensão que, gera um pulso sempre que a tensão nos seus terminais ultrapassa VBO ).

I
A1

A2 V
DIAC

Figura 5.16 : Símbolo e curva VxI do DIAC.

 Na figura 5.17, tem-se um circuito simplificado utilizando o DIAC para se disparar o
TRIAC. Os resistores R1 e R2 , o capacitor C e o DIAC formam o circuito de disparo do TRIAC.

TRIAC

DIAC
R1
Vca CARGA
R2 C

Figura 5.17: Controle do TRIAC utilizando o DIAC.

Para que o TRIAC venha a disparar, é necessário que o DIAC também dispare, ou
seja, ele tem que atingir a sua tensão de disparo VBO. Assim, utiliza-se o circuito RC. Este circuito
determina o tempo que o capacitor leva para se carregar (τ ). Quanto maior o valor de R1, maior será
a constante de tempo τ e, consequentemente, o capacitor demora mais para se carregar. Esta
constante de tempo determina qual vai ser o ângulo de disparo do TRIAC.

O capacitor começa a se carregar e, ao atingir o valor da tensão de disparo do DIAC,

este conduz e o capacitor descarrega, sendo aplicado um pulso no gate do TRIAC, que conduz.

Através do controle do circuito RC, controla-se o ponto em que o disparo do DIAC

ocorrerá. Para τ pequena, o capacitor se carrega mais rapidamente, atingindo a tensão de disparo do
DIAC mais cedo; consequentemente, o ângulo de disparo do TRIAC será menor. O oposto ocorrerá
para um τ maior.
5.3 - Circuito de comando para o GTO :

A figura 5.18 mostra o circuito de comando utilizado tanto para disparar quanto para
comutar o GTO.

R4 L'
R2
Q1 Q2
+ RS
R1 D
R3 VGG +
-
GTO
R5 I1 I2 R6
IGT CS

LG +
VGG -
-

R7 M1

Figura 5.18 : Circuito de comando para o GTO.

* Disparo : os transistores Q1 e Q2 conduzem. A corrente que é aplicada no gate do

GTO ( IGM ) é a soma das correntes I1 e I2. Após o tempo necessário para o GTO entrar em
condução, o transistor Q2 corta, ficando aplicada ao gate apenas uma corrente de manutenção (IGT).

* Comutação : os transistores Q1 e Q2 estão cortados e o transistor M1 é ligado. É

estabelecido então, um circuito de bloqueio formado por LG, M1 e VGG-. A derivada de corrente
(di/dt) é limitada apenas por LG e VGG-.

5.4 - Circuitos de comando para Transistores de Potência :

5.4.1 - Transistor de Potência Bipolar :

A velocidade de chaveamento pode ser aumentada pela redução do tempo de

“disparo” tON e do tempo de comutação tOFF. tON pode ser reduzido pela aplicação de um pico de
corrente de base durante o disparo, resultando em um baixo βF , inicialmente. Após o disparo, βF
pode adquirir um valor alto o suficiente para manter o transistor na região de saturação. tOFF pode
ser reduzido pela reversão de corrente de base e pela aplicação de um pico de corrente de base
durante a comutação. O tempo de armazenamento é diminuído, aumentando-se o valor da corrente
de base IB2. A forma de onda da figura 5.19 é típica para o acionamento do transistor.
 IB
IB1

IBSAT
t

-IB2

Figura 5.19: Forma de onda de corrente de base do transistor.

As técnicas mais comuns utilizadas para a otimização do acionamento da base de um

transistor, são :

a ) - Controle “turn-on” : o pico de corrente de base pode ser obtido pelo circuito
da figura 5.20.
RC

VB C1 IC
R1 R2
+
V1
+
t I IB + VCC -
t1 t2 VB VBE -
V2 IE
-

Figura 5.20: Controle ‘turn-on”.

Quando é aplicada uma tensão de entrada V1, a corrente de base é limitada pelo
resistor R1, sendo seu valor inicial, dado por IBO:

V1 − VBE
IBO = ( 5.19 )
R1

E o seu valor final IBF :

V1 − VBE
IBF = ( 5.20 )
R1 + R2

A tensão final no capacitor é :

R2
VC ≅ V1. ( 5.21 )
R1 + R2
 A constante de tempo de carga no capacitor é :

R1 . R2
τ1 = . C1 ( 5.22 )
R1 + R2

Quando a tensão de entrada VB se torna zero, a junção BE está reversamente

polarizada e, C1 descarrega sobre R2. A constante de tempo de descarga é :

τ2 = R2.C1 ( 5.23 )

Permitindo-se tempos suficientes de carga e descarga, a largura do pulso da corrente

de base t1 deve ser maior que 5.τ1; e o período sem o pulso t2, deve ser maior que 5.τ2. A máxima
frequência de chaveamento é :

1 1 0.2
f = = = ( 5.24 )
T t1 + t2 τ1 + τ2

b ) - Controle “turn-off” : se a tensão VB é igual a -V2, durante a comutação, a

tensão no capacitor VC somada com -V2 resulta em uma tensão reversa sobre o transistor. Deverá
existir um pico de corrente de base durante a comutação. Como o capacitor C1 descarrega, a tensão
reversa será reduzida para o valor em regime permanente V2. A figura 5.21 mostra esta situação.

R2 IB2
-
+ VC1 - +
V2 VBE - VBE = - V2 - VC1
+

Figura 5.21 : Controle “turn-off”

c ) - Controle proporcional de base : este tipo de controle tem vantagens sobre o

circuito de acionamento constante. Se a corrente de coletor muda, devido a mudança na carga, a
corrente acionadora de base é alterada proporcionalmente à corrente de coletor. O circuito para este
tipo de controle é dado na figura 5.22.

IC
RC
N2

C1 R1 +
VB + s
t IB VCC -
V1 VB N3 N1
IE
-

Figura 5.22 : Controle proporcional de base.

 Quando a chave S é fechada, um pulso de corrente de pequena duração deverá
aparecer na base do transistor Q1, saturando-o. Uma vez que a corrente de coletor começa a circular,
uma corrente correspondente de base é induzida, devido ao efeito de transformação. O transistor
deverá se auto manter e a chave S pode ser aberta. A relação de espiras é :

N 2 IC
= =β ( 5.25 )
N1 I B

Para uma excelente operação do circuito, a corrente de magnetização deverá ser a

menor possível.

d ) - Controle Anti-saturação : se o transistor é de difícil acionamento, o tempo de

armazenamento, que é proporcional à corrente de base, aumenta, diminuindo a velocidade de
chaveamento. O tempo de armazenamento pode ser reduzido pela operação do transistor em
saturação fraca, ao invés de saturação forte. Isto pode ser realizado por grampeamento da tensão
coletor-emissor VCE, para um valor predeterminado sendo, então, a corrente IC dada por :

VCC − VCM
IC = ( 5.26 )
RC

No circuito da figura 5.23 é mostrado este tipo de controle.

+ VD2 - RC

I2
D2 IC IL
RB D1 + +

+ VCE
I1 IB + - VCC -
VB +V - VBE -
D1 IE
-
Figura 5.23 : Controle Anti-saturação.

A corrente de base, sem o grampeamento, que é a adequada para o acionamento forte

do transistor é :

VCB = VCE − VBE ⇒ VCE 〈VBE ⇒ VCB 〈0(*)

VB − VD 1 − VBE ( 5.27 )
I B = I1 = ; I C = β .I B
RB
(*) - junção diretamente polarizada : condução do diodo D2.

Após IC crescer ( IC(SAT) ), o transistor é ligado e o grampeamento ocorre ( D2

diretamente polarizado ), então :
 − VCB − VD2 + VD1 = 0 ⇒ VCB = VD1 − VD2
VCE = VBE + VCB ( 5.28 )
VCE = VBE + VD 1 − VD 2

V CC − V CE V − V BE − V D1 + V D 2
IC = = CC ( 5.29 )
RC RC

A corrente IC com grampeamento é :

I C = β .I B = β .(I 1 − I 2 ) = β .(I 1 − I C + I L )
β
.(I 1 + I L )
( 5.30 )
IC =
1+ β

5.4.2 - Transistor MOSFET :

O tempo tON do MOSFET depende do tempo de carga de Cgs. Este tempo pode ser
reduzido, conectando-se um circuito RC como mostrado na figura 5.24, o que permite o capacitor
carregar mais rapidamente.

D IDS
C1 RD

Rs R1 G +
+ VD
VG IG VGS RG S
- -

Figura 5.24 : Circuito de acionamento rápido para o MOSFET.

Quando é aplicada uma tensão VG no gate do transistor, a corrente de carga inicial da

capacitância é :
VS
IG = ( 5.31 )
RS
E a tensão VGS é :
RG .V G
V GS = ( 5.32 )
R S + R1 + RG