Anda di halaman 1dari 7

Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

PERCOBAAN III
KARAKTERISTIK TRANSISTOR DAN RANGKAIAN BIAS

1. Tujuan Praktikum
1. Memahami karakteristik transistor
2. Memahami teknik bias untuk rangkaian transistor
3. Memahami pengaruh bias pada kerja transistor

2. Alat-Alat
1. Kit praktikum karakteristik transistor dan rangkaian bias
2. DC Power Supply
3. Multimeter
4. Osiloskop
5. Generator fungsi
6. Kabel-kabel

3. Dasar Teori
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam
hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung
susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara arus dan
tegangan dalam transistor ditunjukkan pada gambar 3.1.

IE=IC + IB IE=IC +IB


VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB
Gambar 3.1 Transistor NPN dan PNP

Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan
arus emitor (IE), yaitu beta (β) = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha (α)=
penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan matemais sebagai berikut:
I I β α
β = C , dan α = C ; sehingga α = dan β =
IB IE β +1 1−α
Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik rangkaian dengan
konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground), seperti ditunjukkan
pada gambar 3.2.

Petunjuk Praktikum EL 2008


Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

Gambar 3.2 Skema pengukuran karakteristik transistor

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas, yaitu:
a. Karakteristik IC- VBE

Gambar 3.3. Kurva karakteristik arus kolektor terhadap tegangan basis-emitter

Arus kolektor merupakan fungsi exponensial dari tegangan VBE, sesuai dengan persamaan :
I C = α I ES eVBE / ηkT . Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari transistor,
yang merupakan kemiringan dari kurva di atas, yaitu :
ΔI C
gm =
ΔVBE
b. Karakteristik IC-VCE
Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi,
dan cut-off. Persyaratan kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut
ini:
Mode IC VCE VBE VCB Bias B-C Bias B-E
kerja
Aktif =β.IB =VBE+VCE ~0.7V 0 Reverse Forward
Saturasi Max ~ 0V ~0.7V -0.7V<VCE<0 Forward Forward
Cut-Off ~0 =VBE+VCE 0 0 - -

Petunjuk Praktikum EL 2008


Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

Gambar 3.4 Karakteristik output transistor IC-VCE.

4. Prosedur Percobaan
Rangkaian Bias
1. Susun kit rangkaian seperti gambar rangkaian berikut ini!

Gambar 3.5 Pengukuran karakteristik transistor

2. Perhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan satu multimeter sebagai


berikut:
a. Titik-titik pengukuran arus harus di hubung singkat pada saat multimeter
digunakan untuk mengukur titik yang lain
b. Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada saat multimeter
digunakan untuk mengukur titik yang lain
3. Hubung singkatkan RE ( RE = 0). Berikan Vcc = 5V.

Petunjuk Praktikum EL 2008


Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

4. Atur RB2 pada nilai minimum agar arus IB minimum (idealnya = 0 uA). Atur RC pada
kondisi minimum. Dan JANGAN sambungkan Vin & Vout ke alat apapun (Vin=0).
5. Ubah nilai RC pada posisi tertentu. Lalu catat nilai IB, IC, VBE, dan VCE
6. Ulangi langkah no.5 untuk beberapa nilai RC
7. Ulangi langkah 4 s.d 6 dengan mengatur RB2 pada posisi putaran ½. dan pada putaran
penuh
8. Gambarkan hasil yang diperoleh dalam bentuk grafik

Pengaruh RE pada Rangkaian Bias


9. Lepaskan semua koneksi/kabel dalam kit rangkaian
10. JANGAN sambungkan Vin & Vout ke alat apapun (Vin=0).
11. Atur variabel resistor RC agar nilai resistor RC = 3K Ω
12. Atur variabel resistor RB2 agar nilai RB2 = 27K Ω
13. Pasang nilai resistor pada emittor (RE = 1K Ω) , sehingga rangkaian menjadi seperti pada
gambar 4.2 berikut ini, dan berikan Vcc = 5V.

Gambar 3.6 Pengukuran titik kerja transistor dengan RE

14. Ukur titik kerja transistor (IB, IC, dan VCE)


15. Ubah rangkaian di atas dengan mengganti resistor RE menjadi short circuit (RE = 0 Ω)
16. Ukur titik kerja transistor (IB, IC, dan VCE), dan bandingkan hasilnya dengan pengukuran
sebelumnya

Pengaruh Bias pada Kerja Transistor


17. Susunlah kit sehingga membentuk rangkaian seperti pada gambar 3.5
18. Atur RB2 pada nilai minimum. Atur RC pada nilai maksimum.
19. Sambungkan Vin ke generator fungsi sinus (F~1kHz) dengan Vpp = 50mV.
20. Sambungkan Vout ke Osiloskop.
21. Amati dan gambarkan bentuk gelombang Vin dan Vout. Lengkapi dengan nilai Vmax
masing-masing.
22. Lakukan langkah 18-21 dengan mengganti nilai RB2 menjadi pada nilai ½ dan pada nilai
maksimum.

Petunjuk Praktikum EL 2008


Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

Tugas Pendahuluan
1. Jelaskan istilah-istilah dalam transistor berikut ini:
a. Common Collector, Common Base, dan Common Emitter
b. Breakdown voltage: BVCEO, BVCBO, dan BVEBO
c. Early effect
d. Active reverse
e. Garis beban
2. Apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan karakteristik output pada rangkaian
transistor!
3. Dengan mengasumsikan β=75, VBE=0.7, tentukan mode kerja dari rangkaian transistor
pada gambar 5!

Petunjuk Praktikum EL 2008


Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

(template) JURNAL III


KARAKTERISTIK TRANSISTOR DAN RANGKAIAN BIAS

A. Tabel & grafik hasil pengukuran langkah no. 4, 5, dan 6


IB IC VBE VCE
(uA) (mA) (volt) (volt)

B. Pengukuran titik kerja transistor dengan RC = 3KΩ dan RB2 = 27KΩ


Re = 1KΩ Re = 0Ω
IB
IC
VCE
Beta (β)
Alpha (α)

Petunjuk Praktikum EL 2008


Percobaan III Karakteristik Transistor dan Rangkaian Bias Laboraturium Dasar Teknik Elektro STEI-ITB

C. 1. Bentuk sinyal Vin dan Vout di daerah saturasi :

C. 2. Bentuk sinyal Vin dan Vout di daerah aktif :

C. 3. Bentuk sinyal Vin dan Vout di daerah cut-off :

D. Analisa :

E. Kesimpulan :

Petunjuk Praktikum EL 2008