MEMORI AKSES RAMBANG

[RANDOM-ACCESS MEMORY (RAM)]

Oleh: Heri Adhi Nugraha

RAM merupakan singkatan dari Random Access Memory ditemukan oleh

Robert Dennard dan diproduksi secara besar-besaran oleh Intel pada tahun 1968,
jauh sebelum PC ditemukan oleh IBM pada tahun 1981.
RAM berfungsi untuk menyimpan program dan data dari pemakai
komputer dalam bentuk pulsa-pulsa listrik, sehingga seandainya listrik yang ada
dimatikan maka program dan data yang tersimpan akan hilang. Biasanya RAM
dapat ditulis dan dibaca, berlawanan dengan memori baca saja (read only
memory).
RAM digunakan untuk penyimpanan primer (memori utama) dalam
komputer untuk digunakan dan mengubah beberapa jenis RAM untuk
menyediakan penyimpanan sekunder jangka panjang.
RAM adalah suatu larik sel-sel penyimpanan yang dapat menghafal
informasi dalam bentuk biner. Dalam memori seperti ini, berlainan dari suatu
ROM (read only memory), informasi dapat dibaca dari masing-masing elemen
penyimpannya menurut keperluan yang timbul, dan karena itu diberi nama
memori akses-rambang atau memori tulis/ baca (read/ write). Sel penyimpanan
monolitik yang merupakan unsur dasar adalah penahan data (latch) atau flip-flop.

Gambar 1. Memori baca/ tulis (RAM) 1-bit

 Untuk memahami cara operasi suatu RAM, marilah kita kaji rangkaian
flip-flop SR 1 bit yang sederhana dengan saluran-saluran untuk masukan dan
keluaran data seperti terlihat pada gambar di atas. Jelas terlihat pada Gambar 1
bahwa untuk membaca data dari atau menuliskan suatu data ke dalam sel tersebut,
saluran alamat yang bersangkutan harus diberi eksitasi (X=1). Untuk
melaksanakan operasi menulis data, saluran enabel tulis [atau menjalankan
penulisan (write enable)] harus diberikan eksitasi pula. Jika masukan pada
terminal menulis adalah harga logika 1(0), maka S=1(0) dan R=0(1). Sebagai
akibatnya Q=1(0), dan ini berarti data yang dibaca adalah 1(0), sesuai dengan apa
yang dituliskan ke dalam memori.
Untuk lebih memahami secara jelas mengenai cara kerja RAM di atas,
perlu adanya pemahaman mengenai memori satu bit. Rangkaian dasar dari
memori satu bit, atau latch tersaji pada gambar berikut:

Gambar 2. Flip-flop dasar atau latch

Latch terdiri dari dua buah gerbang NOT (gerbang NAND dengan masukan
tunggal) G1 dan G2, keluaran dari gerbang diumpan balikkan ke masukan pada
gerbang yang lain. Kombinasi umpan balik ini disebut flip-flop. Sifat penting
yang dimiliki flip-flop adalah flip-flop tersebut hanya memiliki dua kadaan stabil
(Q=1, Q’=0, dan Q=0, Q’=1). Sebagai contoh, jika keluaran dari G1 adalah Q=1,
maka B, masukan ke G2 juga pada logika 1. Gerbang G2, yang berfungsi sebagai
pembalik, akan menghasilkan keluaran Q’ pada logika 0. Karena Q’ dihubungkan
dengan A, maka masukan ke G1 juga 0, dan keluaran Q pada logika 1, yang
sesuai dengan keadaan awal. Maka Q=1, Q’=0 merupakan salah satu
kemungkinan keadaanb stabil. Dengan cara yang sama dapat dibuktikan bahwa
Q=0, Q’=1 juga merupakan keadaan stabil yang lain. Tetapi Q dan Q’ tidak
mungkin mempunyai keadaan yang sama (keduanya pada logika 1 atau 0).
Dari keterangan di atas jelaslah bahwa flip-flop anya mempunyai satu dua
keadaan stabil, sehingga sering disebut dengan untai biner atau untai bistabil
(bistable circuit). Selain itu, karena flip-flop menyimpan satu bit informasi (Q=0
atau Q’=1), maka flip-flop disebut sebagai satuan memori satu bit atau sel. Lebih
lajut, karena informasi tersebut terkunci di dalamnya, maka dalam hal ini flip-flop
bertindak sebagai latch.
Umpamannya sekarang kita hendak membaca/ menulis 16 kata dari 8-bit.
Sistem ini memerlukan delapan saluran keluaran data. Jadi untuk itu harus
digunakan sejumlah 16 x 8 = 128 sel penyimpanan. Dari jumlah tersebut akan
dibentuk baris-baris horizontal, masing-masing terdiri dari 8 sel, semua sel dari
suatu baris akan menerima eksitasi melalui saluran alamat yang sama. Dengan
demikian, seluruhnya terdapat 16 baris seperti itu, masing-masing memiliki
saluran alamat tersendiri. Dengan kata lain, pemanggilan alamat dilakukan dengan
memberi harga eksitasi 1 kepada 16 saluran tersebut.
Memori 1-bit pada gambar 1 memerlukan saluran membaca dan saluran
menulis yang terpisah. Untuk RAM dwikutub atau RAM MOS dapat dibuatkan
suatu flip-flop yang memiliki terminal sekutu untuk kedua operasi tersebut,
seperti terlihat pada gambar berikut ini:

Gambar 3. Penjelasan tentang penentuan alamat scara koinside untuk lokasi/ bit
dari suatu memori 16-kata. Masing-masing kotak persegi kelabu menggambarkan
secara skematik suatu sel penyimpanan atau unit memori.
 Konfigurasi ini tidak hanya memerlukan penggunaan terminal untuk
menuliskan data W (write 1), tetapi juga komplemennya W’(write 0). Bila
terminal sel diberi masukan W (W’), maka pada terminal membaca atau
mengindera (read or sense0 akan diperoleh keluatan data S (S’). untuk memori
seperti ini diperlihatkan secata skematik dalam gambar di atas. Untuk sistem ini
diperlukan sejumlah empat jalur masuka/ keluaran yang dihubungkan dengan sel
memori, dua untuk sekeksi X-Y dan dua untuk saluran baca/ tulis data (baik data
maupun komplemenya).
Unsur-unsur dasar dalam pembuatan RAM diperlihatkan oleh gambar
berikut ini:

Sel penyimpanan X-Y

alamat

Gambar 4. Suatu sel penyimpanan dasar dapat dibuat dengan masukan-maukan

dan keluaran-keluaran komplementer dan degan peguat-penguat terminal baca dan
trminal tulis dipertemukan pada suatu titik simpul sekutu (1) untuk datanya dan
(2) untuk komplemennya.

Unsur-unsur ini meliputi larik (array) persegi empat dari sel-sel

penyimpanan, dekoder-dekoder X-Y; penguat-penguat tulis untuk mengiperasikan
memori, dan penguat-penguat baca untuk deteksi (membaca) informasi digital
yang tersimpan. Beberapa jenis RAM tertentu mengandung pula suatu masukan
enabel tulis (write ebable). Untuk unit seperti ini, penguat-peguat tulis dari
gambar di atas merupakan gerbang AND dua masukan seperti halnya pada
gambar di atas. Masung-masing kata yang disimpan diberi identifikasi menurut
nomor matriks X-Y untuk sel memori (kotak kelabu) yang bersagkutan. Untuk
kata M-bitakan diperlukan M buah bidang matriks seperti ditunjukkan pada
gambar.
Teras magnetik (magnetik core) telah lama digunakan sebagai elemen
penyimpanan. Namun memori semikonduktor menjadi makin populer sekarang.
RAM monolitik dibuat dengan teknologi rangkaian terpadu dan menggunakan
transistor dwi kutub atau MOS untuk rangkaian-rangkaian penyipanan maupun
pendukungnya. Keuntungan-keuntungan memori semikonduktor terhadap memori
teras adalah biaya yang rendah, ukuran yang kecil dan ara membaca memori yang
nondestruktif. Dipihak lain, kerugiannya adalah kelemahan terhadap penguapan
data yang disimpan (storage volaitility) yang berarti bahwa semua indormasi yang
disimpan menjadi hilang bila catu dayanya terputus. Kerugian lain adalah disipasi
daya yang diperlukan untuk mempertahankan informasidalam flip-flop.

DAFTAR REFERENSI
Bishop, Owen. 2004. Dasar-dasar Elektronika. Jakarta: Erlangga.
Ibrahim, KF. 1996. Teknik Digital. Penerbit Andi: Yogyakarta.
Millman, Jacob dan Halkias, Christos C. 1985. Elektronika Terpadu: Rangkaian
dan Sistem Analog dan Digital Jilid 2. Jakarta: Erlangga.
http://b0n4nz4.wordpress.com/2010/03/21/random-access-memory-ram