Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 

ISBN : 978‐979‐98010‐6‐7

Kajian Teoritik Analisis Pita Energi Bahan Semikonduktor Si dan Ge

dengan Pengotor In

Hiras M Sitanggang
Universitas Sumatera Utara,
Jln. Bioteknologi No.1, Padang Bulan Medan 20155
e-mail : hims61@gmail.com

Abstrak

Semikonduktor adalah bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara
konduktor dan isolator yakni sebesar 10-6 sampai dengan 104 ohm.m. Contoh
semikonduktor adalah Silikon dan Germanium. Pada kajian ini digunakan In sebagai
pengotor yang berfungsi sebagai aseptor. Ge dan Si digunakan sebagai bahan yang akan
diamati. Pada pengotoran ini, akan menimbulkan hole yang berfungsi sebagai pembawa
muatan mayoritas dan elektron akan berfungsi sebagai pembawa muatan minioritas.
Diperoleh hasil analisis bahwa pada penambahan akseptor In pada bahan semikonduktor
Ge dan Si akan menimbulkan tambahan tingkat energi sedikit di atas pita valensi dan
meningkatkan konduktivitas, serta menghasilkan konduktor dengan carrier dominan
elektron maupun hole.

Kata kunci : semikonduktor, hole, pita energi.

PENDAHULUAN
Atom terdiri dari inti dan elektron yang terikat pada inti tersebut. Elektron –
elektron tersebut bergerak di atas lintasan tertentu dan memiliki nilai – nilai yang tertentu
juga. Hal inilah dikatakan energi terkuantisasi. Elektron yang terikat pada atom memiliki
energi negatif dibandingkan dengan energi pada elektron bebas. Karena adanya energi
ikatan yang membuat energi elektron lebih rendah dari pada elektron bebas, maka hal ini
menyebabkan elektron tetap pada inti masing – masing dan tidak melepaskan diri dari inti,
karena setiap sistem fisik selalu masuk ke dalam keadaan energi yang paling rendah. Pada
suatu molekul, elektron – elektron luar dari atom – atom dipakai sebagai elektron ikatan.
Pada penggabungan atom –atom dapat dilakukan degan berbagai jenis ikatan, diantaranya
adalah ikatan ion, ikatan kovalen dan ikatan logam.
Dalam semikonduktor, semua elektron valensi dipakai untuk ikatan pasangan
dengan atom lain. Semikonduktor merupakan atom dari golongan IVA dalam sistem
periodik unsur. Berarti, atom semikonduktor memiliki 4 (empat) elektron valensi atau
dengan kata lain ada 4 (empat) elektron luar yang bisa dipakai untuk berikatan dengan

213 
214 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010

atom lain. Karena elektron valensi yang berjumlah 4 (empat), maka struktur Kristal dari
semikonduktor tersebut adalah struktur tetraeder atau struktur intan. Semikonduktor yang
paling sering digunakan adalah Silikon (Si), Germanium (Ge) dan Galliumarsenide
(GaAs).

METODOLOGI PENELITIAN
Kajian teoritik ini meliputi tentang kajian pita energi pada semikondukto Silikon
(Si) dan Germanium (Ge) dengan cara mengotorinya dengan menggunakan atom Indium
(In). Silikon (Si) dan Germanium (Ge) merupakan atom dari golongan IVA dalam sistem
periodik unsur sedangkan Indium (In) meupakan atom dari golongan III A. Karena Ge dan
Si berasal dari golongan IV A, maka elektron valensinya berjumlah 4 (empat) buah, dan In
mempunyai elektron valensi sebanyak 3 (tiga) buah. Selanjutnya elektron valensi tersebut
akan berikatan satu dengan yang lain melalui ikatan kovalen. Saat Indium (In) berikatan
dengan Silikon (Si) maupun Germanium (Ge), maka terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap
dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan. Muatan positif
ini disebut dengan lubang (hole) . Hole ini akan cenderung untuk menarik sebuah elektron
lain untuk menjadi atom yang stabil. Lubang (hole) baru tersebut akan diisi oleh elektron
tetangga sebelahnya, yang juga meninggalkan lubang baru ditempatnya semula, yang
kemudian diisi oleh elektron tetangga sebelahnya juga. Hal ini akan berlangsung sampai
seterusnya. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor
tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom
pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor
(acceptor).

HASIL DAN PEMBAHASAN

1. Semikoduktor
Semikonduktor adalah bahan padat yang sifat hantaran listriknya terletak antara
bahan konduktor dan bahan isolator. Pada suhu rendah berprilaku seperti bahan isolator,
dan pada suhu tinggi berprilaku seperti bahan konduktor. Pita konduksi dan pita valensi
terisi sebagian serta band gapnya cukup sempit. Semikonduktor juga dapat diartikan
sebagai bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni
sebesar 10-6 sampai dengan 104ohm.m. semikonduktor dapat juga diartikan bahan yang
  H.M. Sitanggang, Kajian Teoritik Analisis Pita Energi Bahan Semikonduktor .....................  215 

memiliki pita energi terlarang terlarang (forbidden band) atau energi gap (EG) yang relatf
kecil kira-kira sebesar 1 eV.

Gambar 1.1. Energi gap ( EG ) pada bahan semikonduktor. [3]

Jenis–jenis semikonduktor dapat dibedakan menjadi dua bentuk, yaitu

semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik.

1.1 Ge Dan Si Sebagai Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor Intrinsik Merupakan semikonduktor murni dan tidak cacat yang
belum mengalami pengotoran, contohnya adalah silikon dan germanium murni. Pada suhu
yang cukup tinggi, elektron pada pita valensi dapat pindah pada pita konduksi sehingga
pada pita valensi terdapat tempat kosong. Tempat – tempat kosong. Tempat – tempat yang
ditinggal elektron dapat dipandang sebagai muatan positif yang disbut dengan hole.
Gambar 1.1 di bawah ini menunjukkan suatu semikonduktor intrinsik
Germanium (Ge) dan silikon dan ( Si) merupakan dua buah semikonduktor
intrinsik yang pasling sering digunakan. Kedua semikonduktor ini mempunyai jumlah
elektron pada kulit terluar sebanyak 4 ( empat ) buah dan struktur kristalnya berbentuk
tetrahedral.
216 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010

Gambar 1.2. Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi [4].

1. 2. Pengotoran Si Dan Ge Dengan Menggunakan In Sebagai Semikonduktor

Entrinsik
Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang memperoleh pengotoran atau
penyuntikan (doping) oleh atom asing. Pada semikonduktor jenis ini akan menghasilkan
dua jenis semikonduktor, yaitu :
1. Semikonduktor ekstrinsik yang bertipe n dan bertipe p.
Pada semikonduktor yang bertipe n, biasanya pengotorannya dilakukan oleh atom –
atom pentavalen seperti Fosfor (P), Arsenikum (As), dan Antimon (Sb).
2. Sedangkan pada semikonduktor bertipe p, biasa pengotornya dilakukan oleh atom–
atom trivalent seperti Indium (In), Boron (Br) dan Galium (Ga).

Silikon (Si) dan Germanium (Ge) merupakan atom dari golongan IVA dalam
sistem periodik unsur sedangkan Indium (In) meupakan atom dari golongan III A. Karena
Ge dan Si berasal dari golongan IV A, maka elektron valensinya berjumlah 4 (empat) buah,
dan In mempunyai elektron valensi sebanyak 3 (tiga) buah. Elektron valensi tersebut akan
berikatan satu dengan yang lain melalui ikatan kovalen.

Gambar 1.3. Struktur ikatan Ikatan Gemanium (Ge) dan Silikon (Si) dengan Indium (In).
[3]
  H.M. Sitanggang, Kajian Teoritik Analisis Pita Energi Bahan Semikonduktor .....................  217 

Ikatan Indium (In) berikatan dengan Silikon (Si) maupun Germanium (Ge),
Germanium dan silikon digunakan sebagai semikonduktor intrinsik yang akan dikotori,
sedangkan Germaniumdigunakan sebagai pengotor (doping). Pada ikatan ini akan
terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon
yang tidak berpasangan. Muatan positif ini disebut dengan lubang (hole) . Hole ini akan
cenderung untuk menarik sebuah elektron lain untuk menjadi atom yang stabil. Lubang
(Hole) baru tersebut akan diisi oleh elektron tetangga sebelahnya, yang juga meninggalkan
lubang baru ditempatnya semula, yang kemudian diisi oleh elektron tetangga sebelahnya
juga. Hal ini akan berlangsung sampai seterusnya.. Material yang dihasilkan dari proses
pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan
negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka atom
pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor).
Pada pengotoran Germanium ( Ge) dan Silikon ( Si ) dengan menggunakan Indium
( In ) akan menghasilkan semikonduktor bertipe-p dan menimbulkan lubang (hole) dan
elektron. Dalam hal ini, hole berfungsi sebagai pembawa muatan mayoritas dan elektron
berfungsi sebagai pembawa muatan minoritas.

2. Pita Energi Si dan Ge

Pita energi adalah kumpulan garis pada tingkat energi yang sama akan saling
berimpit. Berdasarkan pengisian elektron, pita energi dapat dibedakan menjadai dua jenis,
yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah pita energi teratas yang terisi
penuh oleh elektron, sedangkan pita konduksi adalah pita energi yang berada di atas pita
valensi yang terisi oleh sebagian atau tidak terisi sama sekali oleh elektron. Pada umumnya
diantara pita valensi dan pita konduksi terdapat suatu celah yang disebut dengan celah
energi ( hole ).[1]
Energi celah pita atau yang sering juga disebut dengan Energi gap (Eg) dapat
dihitung dengan persamaan :
Eg = hv ……………………………………… ( 1 )
dimana h adalah konstanta Planck.
Panjang gelombang radiasinya juga dapat dicari denngan persamaan :

λ = ……………………………………….. ( 2 )

persamaan (1) kita subsitusikan ke persamaan dua, maka akan diperoleh :

218 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010

λ= ……………………………………… ( 3 )

dimana c adalah kecepatan cahaya dalam ruang bebas.

Gambar 1.4 Tingkat energi (a) pada atom tunggal dan (b) pita energi pada Kristal.

Penentuan pita energi secara rinci dibicarakan difisika kuantum, namun secara
sederhana, akan ditunjukan sebagai contoh penentuan struktur pita energi pada bahan padat
Kristal. Pada gambar 1.5 dibawah ini dapat dilihat ilustrasi pita energi untuk Kristal
semikonduktor. pada keadaan kesetimbangan (equilibrium), pita energi terbagi menjadi
dua bagian dan dipisahkan oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak atau
beroperasi, daerah ini disebut daerah terlarang (forbidden gap atau band gap). Pita atas
dinamakan pita konduksi, dan pita bagian bawah dinamakan pita valensi.

Gambar 1.5 Struktur pita energi bahan semikonduktor. [3]

Banyaknya electron pada setiap pita energi dapat dihitung dengan menggunakan
persamaan :

∑e = 2(2l +1)N …………………………………………………… ( 4 )

  H.M. Sitanggang, Kajian Teoritik Analisis Pita Energi Bahan Semikonduktor .....................  219 

dimana l menyatakan bilangan kuantum orbital (0, 1, 2, 3, ...) dan N menyatakan

banyaknya atom yang saling berdekatan.
220 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010

3. Pita Energi Si dan Ge saat dikotori dengan In

Menurut teiori pita energi, lubang aseptor ini menempati tingkat energi akeptor
yang berada dalam pita terlarang, sedikit diatas pita valensi.

Gambar 1.6 Diagram tingkat energi untuk sebuah semikonduktor jenis p. [6]

Pada saat elektron valensi Germanium (Ge) maupun silikon (Si) berikatan dengan
elektron valensi Indium (In), maka akan menghasilkan daerah terlarang. Daerah terlarang
ini terdiri dari dua pita, yaitu pita valensi dan pita konduksi. Elektron –elektron dalam pita
valensi memiliki energi termal yang cukup pada suhu kamar (250C) untuk mengisi tingkat
aseptor ini, lalu meninggalkan suatu lobang baru pada pita valensi. Lubang baru pada pita
valensi akan diisi oleh elektron tetangga sebelahnya. Aliran elektron dalam pengotoran
tersebut adalah lubang bermuatan positif yang bergerak berlawan arah dengan gerakan
elektron. Oleh sebab itu, maka lubang (hole) yang bergerak dalam valensi merupakan
pembawa muatan mayoritas, sedangkan pembawa muatan minoritas adalah elektron yang
bergerak dalam pita konduksi.

Gambar 1.7 Struktur pita energi Germanium (Ge) maupun silikon (Si) sewaktu berikatan
dengan elektron valensi Indium (In).[6]
  H.M. Sitanggang, Kajian Teoritik Analisis Pita Energi Bahan Semikonduktor .....................  221 

Jadi hasil dari pengotoran Germanium (Ge) dan Silikon (Si) dengan menggunakan
Indium (In) adalah semikonduktor tipe-p. Dimana pita terlarang untuk Germanium (Ge)
memiliki lebar 0,7 eV sedangkan pada Silikon, lebar pita terlarangnya adalah sebesar 1,1
eV. Hal ini disebabkan karena pengotoran ini menghasilkan pembawa muatan negatif pada
indium (In) dan Germanium (Ge) yang merupakan Kristal yang netral. Hal ini memenuhi
persamaan :
pn = pini = ni2................................................................ ( 5 )
persamaan di atas dinamakan hokum mass-action.

KESIMPULAN
1. Pada penambahan akseptor In pada Ge dan Si akan menimbulkan tambahan tingkat
energi sedikit di atas pita valensi dan meningkatkan konduktivitas,
2. Pada pengotoran Silikon (Si) dan Germanium (Ge) dengan menggunakan Indium (In),
akan menghasilkan material semikonduktor bertipe-p.
3. Jika semikonduktor intrinsik di-doping dengan sejumlah kecil atom trivalent, maka
setiap atom doping akan mengkontribusikan tiga elektron dan menyisakan satu hole
pada ikatan kovalen. Hole yang terbentuk adalah pembawa muatan mayoritas
sedangkan electron adalah pembawa muatan minoritas.
4. Saat Indium (In) berikatan dengan Silikon (Si) maupun Germanium (Ge), maka
terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap dan tersisa sebuah muatan positif dari atom
silikon yang tidak berpasangan. Muatan positif ini disebut deangan hole atau lubang.
5. Hole yang terbentuk dari ikatan antara Indium (In) berikatan dengan Silikon (Si)
maupun Germanium (Ge) akan cenderung untuk menarik sebuah elektron lain untuk
menjadi atom yang stabil. Lubang (hole) baru tersebut akan diisi oleh elektron tetangga
sebelahnya yang juga meninggalkan lubang baru ditempatnya semula dan kemudian
diisi oleh elektron tetangga sebelahnya juga. Hal ini akan berlangsung sampai
seterusnya.

DAFTAR PUSTAKA
[1]. Supiyanto, M.Si, Drs. 2002 ,Fisika SMA untuk SMA Kelas XII. Erlangga Jakarta
[2]. http://azkamiru.files.wordpress.com/2010/01/fis-25_semikonduktor.pdf
[3]. http://blog.unsri.ac.id/userfiles/5%20-%20Semikonduktor.pdf
[4]. http://oc.its.ac.id/ambilfile.php?idp=141
222 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010

[5]. Rio, S Reka. 1999, fisika dan teknologi semikonduktor. PT Pradnya Paramita Jakarta
[6]. Kanginan, Marthen. 2004. Fisika Untuk SMA Kelas XII. Erlangga.Jakarta