Anda di halaman 1dari 31

Tugas Pendahuluan

1. Dasar teori

Dioda

Dalam elektronika, dioda adalah komponen aktif bersaluran dua


(dioda termionik mungkin memiliki saluran ketiga sebagai pemanas). Dioda
mempunyai dua elektroda aktif dimana isyarat listrik dapat mengalir, dan
kebanyakan dioda digunakan karena karakteristik satu arah yang dimilikinya.
Dioda varikap (VARIable CAPacitor/kondensator variabel) digunakan
sebagai kondensator terkendali tegangan.

Sifat kesearahan yang dimiliki sebagian besar jenis dioda seringkali


disebut karakteristik menyearahkan. Fungsi paling umum dari dioda adalah
untuk memperbolehkan arus listrik mengalir dalam suatu arah (disebut
kondisi panjar maju) dan untuk menahan arus dari arah sebaliknya (disebut
kondisi panjar mundur). Karenanya, dioda dapat dianggap sebagai versi
elektronik dari katup pada transmisi cairan.

Dioda sebenarnya tidak menunjukkan kesearahan hidup-mati yang


sempurna (benar-benar menghantar saat panjar maju dan menyumbat pada
panjar mundur), tetapi mempunyai karakteristik listrik tegangan-arus taklinier
kompleks yang bergantung pada teknologi yang digunakan dan kondisi
penggunaan. Beberapa jenis dioda juga mempunyai fungsi yang tidak
ditujukan untuk penggunaan penyearahan.

Awal mula dari dioda adalah peranti kristal Cat's Whisker dan tabung
hampa (juga disebut katup termionik). Saat ini dioda yang paling umum
dibuat dari bahan semikonduktor seperti silikon atau germanium.
Sejarah

Walaupun dioda kristal (semikonduktor) dipopulerkan sebelum dioda


termionik, dioda termionik dan dioda kristal dikembangkan secara terpisah
pada waktu yang bersamaan. Prinsip kerja dari dioda termionik ditemukan
oleh Frederick Guthrie pada tahun 1873 Sedangkan prinsip kerja dioda kristal
ditemukan pada tahun 1874 oleh peneliti Jerman, Karl Ferdinand Braun.

Pada waktu penemuan, peranti seperti ini dikenal sebagai penyearah


(rectifier). Pada tahun 1919, William Henry Eccles memperkenalkan istilah
dioda yang berasal dari di berarti dua, dan ode (dari ὅδος) berarti "jalur".

Prinsip Kerja

Prinsip kerja dioda termionik ditemukan kembali oleh Thomas Edison


pada 13 Februari 1880 dan dia diberi hak paten pada tahun 1883 (U.S. Patent
307031), namun tidak dikembangkan lebih lanjut. Braun mematenkan
penyearah kristal pada tahun 1899. Penemuan Braun dikembangkan lebih
lanjut oleh Jagdish Chandra Bose menjadi sebuah peranti berguna untuk
detektor radio.

Penerima Radio

Penerima radio pertama yang menggunakan dioda kristal dibuat oleh


Greenleaf Whittier Pickard. Dioda termionik pertama dipatenkan di Inggris
oleh John Ambrose Fleming (penasihat ilmiah untuk Perusahaan Marconi dan
bekas karyawan Edison) pada 16 November 1904 (diikuti oleh U.S. Patent
803684 pada November 1905). Pickard mendapatkan paten untuk detektor
kristal silikon pada 20 November 1906 (U.S. Patent 836531).

Dioda Termonik

Dioda termionik adalah sebuah peranti katup termionik yang


merupakan susunan elektroda-elektroda di ruang hampa dalam sampul gelas.
Dioda termionik pertama bentuknya sangat mirip dengan bola lampu pijar.

Dalam dioda katup termionik, arus listrik yang melalui filamen


pemanas secara tidak langsung memanaskan katoda (Beberapa dioda
menggunakan pemanasan langsung, dimana filamen wolfram berlaku sebagai
pemanas sekaligus juga sebagai katoda), elektroda internal lainnya dilapisi
dengan campuran barium dan strontium oksida, yang merupakan oksida dari
logam alkali tanah. Substansi tersebut dipilih karena memiliki fungsi kerja
yang kecil. Bahang yang dihasilkan menimbulkan pancaran termionik
elektron ke ruang hampa. Dalam operasi maju, elektroda logam disebelah
yang disebut anoda diberi muatan positif jadi secara elektrostatik menarik
elektron yang terpancar.
Walaupun begitu, elektron tidak dapat dipancarkan dengan mudah dari
permukaan anoda yang tidak terpanasi ketika polaritas tegangan dibalik.
Karenanya, aliran listrik terbalik apapun yang dihasilkan dapat diabaikan.

Dalam sebagian besar abad ke-20, dioda katup termionik digunakan


dalam penggunaan isyarat analog, dan sebagai penyearah pada pemacu daya.
Saat ini, dioda katup hanya digunakan pada penggunaan khusus seperti
penguat gitar listrik, penguat audio kualitas tinggi serta peralatan tegangan
dan daya tinggi.

Dioda Semikonduktor

P N

Anoda Katoda

Sisi P disebut Anoda dan sisi N disebut Katoda. Lambang dioda


seperti anak panah yang arahnya dari sisi P ke sisi N. Karenanya ini
mengingatkan kita pada arus konvensional mudah mengalir dari sisi P ke sisi
N. Dalam pendekatan dioda ideal, dioda dianggap sebagai sebuah saklar
tertutup jika diberi bias forward (maju) dan sebagai saklar terbuka jika diberi
bias reverse (balik). Artinya secara ideal, dioda berlaku seperti konduktor
sempurna (tegangan nol) jika dibias forward dan seperti isolator sempurna
(arus nol) saat dibias reverse.

Untuk pendekatan kedua, dibutuhkan tegangan sebesar 0,7 V sebelum


dioda silikon konduksi dengan baik. Dioda dapat digambarkan sebagai suatu
saklar yang diseri dengan tegangan penghambat 0,7 V. Apabila tegangan
sumber lebih besar dari 0,7 V maka saklar akan tertutup. Sebaliknya apabila
tegangan sumber lebih kecil dari 0,7 V maka saklar akan terbuka.

Dalam pendekatan ketiga akan diperhitungkan hambatan bulk


(RB). Rangkaian ekivalen untuk pendekatan ketiga ini adalah sebuah saklar
yang terhubung seri dengan tegangan 0,7 V dan hambatan RB. Saat tegangan
dioda lebih besar dari 0,7 V maka dioda akan menghantar dan tegangan akan
naik secara linier dengan kenaikan arus. Semakin besar arus, akan semakin
besar tegangan dioda karena tegangan ada yang jatuh menyebrangi hambatan
bulk.

Operasi semua komponen benda padat seperti dioda, LED,


Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya
(solid state) didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Secara umum
semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara
sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun
isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan
magnit, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.

Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat


kimia dan fisika yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel
dasar, yaitu: neutron, proton, dan elektron. Dalam struktur atom, proton dan
neutron membentuk inti atom yang bermuatan positip dan sedangkan
elektron-elektron yang bermuatan negatip mengelilingi inti. Elektron-elektron
ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom dengan model Bohr dari bahan
semikonduktor yang paling banyak digunakan, silicon dan germanium.
Seperti ditunjukkan pada gambar 1.3 atom silikon mempunyai
elektron yang mengorbit (yang mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom
germanium mempunyai 32 elektron. Pada atom yang seimbang (netral)
jumlah elektron dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti. Muatan
listrik sebuah elektron adalah: - 1.602-19 C dan muatan sebuah proton adalah:
+ 1.602-19 C.

Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron


valensi. Atom silikon dan germanium masing-masing mempunyai empat
elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium
disebut juga dengan atom tetra-valent (bervalensi empat). Empat elektron
valensi tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron
valensi akan membentuk ikatan kovalen dengan elektron valensi dari atom-
atom yang bersebelahan. Struktur kisi-kisi kristal silicon murni dapat
digambarkan secara dua dimensi guna memudahkan pembahasan.
Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa
saja electron valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah
konduksi apabila diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut cukup
kuat untuk memisahkan elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut
menjadi bebas atau disebut dengan electron bebas. Pada suhu ruang terdapat
kurang lebih 1.5 x 1010 elektron bebas dalam 1 cm3 bahan silikon murni
(intrinsik) dan 2.5 x 1013 elektron bebas pada germanium. Semakin besar
energi panas yang diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang
keluar dari ikatan kovalen, dengan kata lain konduktivitas bahan meningkat.

Kristal-kristal Silikon

Ketika atom-atom silikon bergabung. Menjadi satu kesatuan,


mereka membentuk dirinya sendiri menjadi sebuah bentuk yang dinamakan
sebuah kristal. Masing-masing atom silikon membagi elektron-elektronnya
dengan 4 atom yang berdampingan dan mempunyai 8 elektron dalam orbit
valensi. Lingkaran bayangan mewakili inti silikon. Meskipun, inti atom
sebenarnya mempunyai 4 elektron di dalam orbit valensinya, sekarang inti
atom mempunyai delapan.
Ikatan Kovalen

Masing-masing atom yang berdekatan membagi sebuah elektron


dengan atom inti. Dalam hal ini inti atom mempunyai empat elektron
tambahan, memberikan seluruh 8 elektron kedalam orbit valensi. Elektron-
elektron tersebut tidak begitu lama menjadi atom tunggal. Masing-masing inti
atom dan atom yang berdampingan membagi elektron-elektron, hal itu juga
terjadi pada atom-atom silikon yang lain. Dengan kata lain setiap bagian
sebuah kristal silikon mempunyai 4 yang berdampingan.

Penyatuan Valensi

Setiap atom didalam kristal silikon mempunyai 8 elektron didalam orbit


valensinya. 8 elektron tersebut menghasilkan sebuah stabilitas kimia yang
mengakibatkan bahan silikon menjadi padat. Tidak ada seorangpun yang
yakin bagaimana orbit paling luar dari seluruh elemen mempunyai
kecendrungan memiliki 8 elektron. Ketika 8 elektron tidak berada dalam
sebuah elemen, maka menjadi sebuah kecendrungan bagi elemen untuk
mengkominasikan dan membagi elektron-elektron menjadi atom lainnya
sehingga memiliki 8 elektron dalam orbit.

Bias Maju

Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang dihasilkan oleh pusat
sumber negatif dihubungkan dengan bahan tipe-n dan pusat positif
dihubungkan dengan bahan tipe-p.
V +
_p
n+ _ _
⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕
+ + _ _
⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕
Dalam gambar, baterai mendorong lubang-lubang dan elektron-
elektron bebas menuju sambungan. Jika tegangan baterai lebih kecil
dibandingkan hambatan potensial, elektron bebas tidak mempunyai cukup
energi untuk melintasi lapisan deplesi (daerah hampa muatan). Ketika mereka
masuk lapisan deplesi, ion-ion tersebut akan mendorongnya kembali menuju
daerah n, oleh karena itu, tidak ada arus yang melintasi dioda.

Ketika sumber tegangan dc lebih besar dibandingkan dengan


hambatan potensial. Baterai mendorong kembali lubang-lubang dan elektron-
elektron bebas menuju ke sambungan. Pada saat tersebut elektron bebas
mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan deplesi dan bergabung
dengan lubang-lubang. Dengan kata lain elektron bebas menjadi sebuah
elektron valensi. Sebagai elektron valensi, elektron tersebut terus berjalan ke
kiri melalui satu lubang selanjutnya ia sampai ke ujung kiri dioda. Ketika
elektron tersebut meninggalkan ujung kiri dioda, lubang baru muncul dan
proses tersebut berulang kembali. Karena terdapat miliaran elektron yang
mengalami perjalanan yang sama, maka arus akan terus-menerus melintasi
dioda.

Sekali potensial (lapisan deplesi) ini terlewati, resistansi dari dioda


turun ke suatu nilai yang amat rendah dan kenaikan yang sangat kecil pada
tegangan catu mengakibatkan suatu arus yang amat besar pada dioda. Dimana
arus mengalir dengan mudah dalam bias maju dioda. Sepanjang penerapan
tegangan lebih besar dibandingkan tegangan potensial, maka akan terjadi arus
kuat secara terus-menerus dalam sirkuit.

Dalam daerah maju, tegangan pada saat arus mulai naik secara cepat
disebut sebagai tegangan kaki (tegangan ambang) dari dioda. Tegangan ini
sama dengan tegangan penghalang. Analisis rangkaian dioda biasanya
menentukan apakah tegangan dioda lebih besar atau lebih kecil dari tegangan
kaki. Apabila lebih besar, maka dioda akan menghantar dengan mudah. Jika
lebih kecil, maka dioda tidak menghantar dengan baik. Tegangan kaki untuk
dioda silikon:
VK ≈ 0,7 V

(Catatan: lambang (≈) artinya mendekati sama dengan)

Untuk itu, kita harus mengatasi terlebih dahulu tegangan ambang 0,7 V
sebelum dioda dapat menghantar. Penting untuk diperhatikan bahwa tegangan
ambang hampir tidak tergantung pada arus, berlawanan dengan tegangan
pada resistor. Jadi, semikonduktor tidak mengikuti hukum Ohm. Untuk
mengukur tegangan ambang dapat digunakan rangkaian pembagi tegangan.
Dioda pembagi tegangan merupakan sumber tegangan yang sangat stabil.

Bias Mundur

Bias mundur (reverse bias) adalah hubungan yang terjadi saat pusat
negatif baterai dihubungkan pada sisi-p dan pusat positif baterai dihubungkan
dengan sisi-n.

Jika panjaran mundur diterapkan ke suatu pertemuan P-N, tegangan


panjaran mundur menambah lapisan deplesi. Akibatnya jumlah pembawa
muatan gerak di dalam daerah hubungan dikosongkan lebih lanjut, sehingga
menambah lebar daerah pengosongan, yang berarti kedua daerah dari dioda
tetap terisolasi satu dengan lainnya.

Perluasan daerah lapisan deplesi adalah proporsional dengan tegangan


reverse. Karena tegangan reverse meningkat, lapisan deplesi bertambah lebar.

Setelah lapisan deplesi stabil, ada sebuah arus kecil berada pada
reverse bias. Mengulang kembali bahwa energi panas secara terus-menerus
menciptakan sepasang elektron-elektron dan lubang-lubang. Hal ini berarti
bahwa sedikit pembawa minoritas berada pada kedua sisi sambungan.
Sebagian besar bergabung dengan pembawa mayoritas. Tetapi yang berada di
dalam lapisan deplesi berada lebih lama untuk melintasi sambungan. Ketika
hal ini terjadi, sebuah arus yang kecil mengalir dalam rangkaian luar.
Gambar mengilustrasikan gagasan tersebut. Asumsikan bahwa energi
panas menciptakan sebuah elektron bebas dan lubang di dekat sambungan.
Lapisan deplesi mendorong elektron bebas ke kanan dan memaksa satu
elektron meninggalkan ujung kanan kristal. Lubang pada lapisan deplesi
didorong ke kiri. Lubang extra pada sisi p membiarkan satu elektron
memasuki ujung kiri kristal dan jatuh kedalam lubang. Karena energi panas
terus-menerus mengasilkan sepasang elektron lubang di dalam lapisan
deplesi, sebuah arus kecil secara terus-menerus mengalir dalam rangkaian

n + +
_+
pV _ _
⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕
+ + _ _
⊝ ⊝ ⊝ ⊕ ⊕ ⊕

luar.
Arus reverse disebabkan oleh panas yang menghasilkan minoritas
disebut juga sebagai arus jenuh. Persamaannya, arus jenuh disimbolkan
dengan dengan IS (dimana S adalah saturation). Nama saturation berarti kita
tidak dapat mendapatkan arus pembawa minoritas lebih banyak daripada
diproduksi oleh energi panas. Dengan kata lain, kenaikan tegangan reverse
tidak akan menaikkan jumlah sifat panas yang menciptakan pembawa
minoritas.

Di samping sifat thermal memproduksi arus pembawa minoritas, ada


arus lain yang berada dalam sebuah dioda bias balik yaitu arus permukaan
bocor yang merupakan arus kecil yang mengalir pada permukaan kristal.

Nilai arus bocor dalam dioda sinyal normalnya adalah beberapa puluh atau
ratus nanoamper (1nA = 10-9 A), dan mungkin beberapa miliamper dalam
dioda daya. Arus bocor lebih disebabkan oleh arus intrinsik yang timbul dari
pasangan-pasangan hole-elektron secara termal di dalam daerah
pengosongan. Sebagai tambahan terhadap arus ini, sejumlah kecil arus bocor
disebabkan oleh kebocoran pada permukaan dioda. Nilai arus bocor tetap
cukup konstan sampai tegangan kerja mundur dari dioda.
Karakteristik arus–tegangan

Karakteristik arus–tegangan dari dioda, atau kurva I–V, berhubungan


dengan perpindahan dari pembawa melalui yang dinamakan lapisan penipisan
atau daerah pemiskinan yang terdapat pada pertemuan p-n diantara
semikonduktor. Ketika pertemuan p-n dibuat, elektron pita konduksi dari
daerah N menyebar ke daerah P dimana terdapat banyak lubang yang
menyebabkan elektron bergabung dan mengisi lubang yang ada, baik lubang
dan elektron bebas yang ada lenyap, meninggalkan donor bermuatan positif
pada sisi-N dan akseptor bermuatan negatif pada sisi-P. Daerah disekitar
pertemuan p-n menjadi dimiskinkan dari pembawa muatan dan karenanya
berlaku sebagai isolator.
Walaupun begitu, lebar dari daerah pemiskinan tidak dapat tumbuh
tanpa batas. Untuk setiap pasangan elektron-lubang yang bergabung, ion
pengotor bermuatan positif ditinggalkan pada daerah terkotori-n dan ion
pengotor bermuatan negatif ditinggalkan pada daerah terkotori-p. Saat
penggabungan berlangsung dan lebih banyak ion ditimbulkan, sebuah medan
listrik terbentuk didalam daerah pemiskinan yang memperlambat
penggabungan dan akhirnya menghentikannya. Medan listrik ini
menghasilkan tegangan tetap dalam pertemuan.

Jenis-jenis diode

Secara umum, diode yang banyak dijual dipasaran adalah diode kristal, diode
zener, LED (Ligth Emiting Diode), diode kapasiansi variabel dan diode
bridge.

1) Diode Kristal
Diode kristal ini terdiri dari 2 jenis yaitu diode silikon (Si) dan diode
germanium (Ge). Berikut penjelasan dari masing-masing jenis diode tersebut

a. Diode Silikon (Si)

Disamping oksigen, silikon adalah elemen yang banyak dalam


dunia. Satu dari masalah tersebut terselesaikan, keuntungan silikon segera
membuatnya menjadi pilihan semikonduktor. Tanpa itu elektronika
modern, komunikasi dan komputer tidak dapat bekerja.

Sebuah atom silikon terisolasi mempunyai 14 proton dan 14


elektron. Orbit yang pertama mengandung 2 elektron dan orbit yang
kedua mempunyai 8 elektron. 4 elektron yang tersisa terdapat dalam orbit
valensi.

Pada saat diode silikon ini dibias maju, agar arus dapat mengalir
maka tegangan harus sebesar 0,7 Volt. Apabila tidak mencapai tegangan
minimal tersebut, arus yang datang dari anoda tidak akan mengalir ke
katoda. Apabila tegangan tersebut sudah mencapai tegangan minimal,
maka arus akan naik dengan cepat seperti yang terlihat pada gambar 1.4
yaitu kurva karakteristik diode silikon ini. Dimana pada kurva terlihat,
saat tegangan mencapai 0,7 Volt, maka arus akan naik dengan cepat.

V(tegangan
I0,7
(arus)
V

b. Diode Germanium (Ge)


Konduktor terbaik (perak, tembaga dan emas) mempunyai satu
elektron valensi dimana insulator terbaik mempunyai delapan elektron
valensi. Sebuah semikonduktor adalah sebuah elemen dengan kemampuan
listrik diantara sebuah konduktor dan insulator. Seperti yang mungkin anda
pikirkan, semikonduktor yang terbaik mempunyai empat elektron valensi.

Germanium adalah contoh dari sebuah semikonduktor. Ia mempunyai


empat elektron dalam orbit valensi. Beberapa tahun yang lalu germanium
adalah satu-satunya bahan yang cocok untuk membuat peralatan
semikonduktor. Tetapi peralatan germanium mempunyai sebuah kekurangan
yang fatal yaitu arus balik yang sangat besar dimana insinyur tidak dapat
mengatasinya. Akhirnya semikonduktor lain dinamakan silikon menjadi
sesuatu yang dipakai dan membuat germanium menjadi usang dalam sebagian
besar pemakian elektronik. Untuk jenis diode germanium (Ge), arus akan
dilewatkan apabila tegangan harus mencapai tegangan 0,3 Volt. Jadi, pada
prinsipnya sama seperti diode silikon, apabila tegangan belum mencapai 0,3
Volt maka arus tidak akan dilewatkan. Jika tegangannya sudah mencapai
tegangan minimal sebesar 0,3 Volt, maka arus sudah dapat dilewatkan.

2) Diode Zener
Katoda
Anoda

Diode zener atau juga dikenal sebagai voltage regulation diode


adalah silicon PN junction yang bekerja pada reverse bias yang di daerah
breakdown. Simbol dari suatu zener diode ditunjukkan pada gambar 1.5
dibawah ini. Tegangan zener Vz adalah tegangan reverse di mana terjadi
breakdown. Bila tegangan reverse VD kurang dari VZ tahanan zener diode
di sekitar 1 megaohm atau lebih.

Bila VD naik sedikit saja di atas Vz arus reverse akan naik dengan
cepat, oleh karena itu di dalam permakaian zener diode selalu digunakan suatu
tahanan seri untuk mencegah terjadinva arus yang berlebihan.
Bila tegangan reverse dihubungkan pada PN-junction, lebar depletion
layer akan bertambah karena elektron dan hole tertolak dari junction. Lebar
depletion layer tergantung dari kadar doping, bila digunakan silicon dengan
doping tinggi akan dihasilkan depletion layer yang tipis. Sehingga bila
tegangan reverse dihubungkan akan menimbulkan medan listrik yang kuat
di dalam dioda dan jika tegangan reverse mencapai tegangan zener Vz maka
medan listrik yang dibangkitkan demikian kuatnya sehingga sejunilah besar
elektron akan terlepas dan daya tarik intinya diikuti dengan kenaikan arus
reverse secara mendadak. Peristiwa inilah yang disebut dengan Zener
breakdown.

Jadi zener diode sebenarnya adalah PN junction dengan doping


tinggi hingga menghasilkan depletion layer tipis; biasanya zener breakdown
terjadi di bawah tegangan 5 volt dan masih tergantung pada temperatur. Di
bawah pengaruh medan listrik yang kuat, atom-atom lebih mudah
melepaskan elektronnya menjadi ion-ion bila temperatumya naik. Jadi Vz
turun bila temperatur zener diode naik.

PN junction diode yang dibuat dengan doping rendah depletion


layernya lebih lebar. Medan listrik harus lebih kuat untuk menghasilkan
zener breakdown. Tetapi sebelum zener breakdown terjadi elektron-elektron
minority carriers sudah akan memperoleh tenaga kinetik demikian besarnya
hingga pada saat menabrak atom akan menimbulkan ionisasi yang
menimbulkan elektron baru. Elektron-elektron baru akan ikut bergerak
akibatnya tabrakan akan berlangsung secara berantai sehingga makin banyak
elektron yang dihasilkan dan arus reverse naik dengan cepat. Peristiwa
semacam ini disebut avalanche breakdown. Bila temperatur dioda naik laju
gerakan elektron dalam depletion layer menurun sehingga diperlukan
tegangan yang lebih besar untuk memberikan kecepatan yang cukup bagi
elektron-elektron.

Jadi kita mengenal zener breakdown yaitu ionisasi karena kekuatan


medan listrik dan avalanche breakdown yaitu ionisasi karena tabrakan.
Yang pertama terjadi pada bahan dengan tahanan jenis rendah (doping
tinggi) yang dipisahkan oleh depletion layer tipis yaitu untuk Vz di bawah 5
volt. Yang kedua terjadi pada bahan dengan tahanan jenis tinggi (doping
rendah) yang dipisahkan oleh depletion layer lebar untuk Vz di atas 5 volt.
Meskipun demikian dalam prakteknya kedua type di atas tetap dinamakan
zener diode. Karena alasan inilah maka zener diode dibuat dari silikon.

Data-data zener diode yang perlu diketahui adalah:

1. Tegangan zener Vz terletak antara 3,3 Volt sampai 200 Volt. Tiap
zener mempunyai Vz.tertentu dengan toleransi 5 sampai 10 persen.

2. Arus zener Iz ialah arus yang mengalir pada saat breakdown. Iz minimum
adalah besarnya Iz tepat pada knee. I z maksimum adalah arus yang tidak
boleh dilampaui, karena dapat menimbulkan panas yang berlebihan.
Misalkan sebuah zener diode dengan: Vz = 5,8 volt, I z min = 1 mA dan Iz
mak = 50 mA pada temperatur 40° C.

3. Tahanan zener rz ialah suatu nilai yang menunjukkan perbandingan


perubahan tegangan zener (Vz) terhadap perubahan arus zener (I z).

rZ =
ΔVZ
ΔIZ

Tahanan zener minimum sekitar 10 ohm bila VZ nya sekitar 6 volt.


Tahanan ini akan naik bila Vz lebih atau kurang dari 6 volt. Hubungan antara VZ
dan rZ ini dapat dilihat pada gambar 1.6 dibawah.
100
200
RV
20
10
zz
(ohm)
(volt)

Oleh karena itu penggunaan zener sebagai stabilisator Vz yang terbaik


adalah sekitar 6 volt. Bila tegangan yang akan distabilkan lebih dari 6
volt dapat digunakan bcberapa zener yang dihubungkan seri.

a. Karakteristik maju dioda Zener


b. Karakteristik balik dioda Zener

3) LED (Ligth Emiting Diode)

LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda, merupakan


komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk
temuan lain setelah dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi
belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan P-N juga
melepaskan energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED dibuat agar
lebih efisien jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkna emisi cahaya
pada semikonduktor, doping yang pakai adalah galium, arsenic dan
phosporus. Jenis doping yang berbeda menghasilkan warna cahaya yang
berbeda pula. Berikut simbol LED dalam skema rangkaian.
Anoda
Katoda
Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah,
kuning dan hijau.LED berwarna biru sangat langka. Pada dasarnya semua
warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak efisien.
Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja, arus
maksimum dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga
bermacam-macam, ada yang persegi empat, bulat dan lonjong.

4) Diode kapasiansi variabel

Dioda Kapasiansi Variabel yang disebut juga dioda varicap atau dioda
varactor. Sifat dioda ini ialah bila dipasangkan menurut arah terbalik akan
berperan sebagai kondensator.Kapasitansinya tergantung pada tegangan yang
masuk. Dioda jenis ini banyak digunakan pada modulator FM dan juga pada
VCO suatu PLL (Phase Lock Loop). Berikut adalah simbol diode varicap
dalam skema rangkaian.
Katoda
Anoda

5) Diode Bridge

Untuk membuat penyearah pada power supply, di pasaran banyak


terjual dioda bridge.Dioda ini adalah dioda silicon yang dirangkai menjadi
suatu bridge dan dikemas menjadi satu kesatuan komponen. Di pasaran
terjual berbagai bentuk dioda bridge dengan berbagai macam kapasitasnya.
Ukuran dioda bridge yang utama adalah voltage dan ampere maksimumnya.

Penyearah Setengah Gelombang

a. Penyearah Setengah Gelombang dengan Kapasitor

Untuk mendapatkan suatu tegangan DC yang baik dimana bentuk tegangan


hasil penyearahan adalah mendekati garis lurus maka tegangan keluaran dari
suatu rangkaian penyearah seperti terlihat pada gambar 1.12 dihubungkan
dengan suatu kapasitor secara paralel terhadap beban seperti pada gambar
1.13 dimana arus dari keluaran rangkaian penyearah selain akan melewati
beban juga akan mengisi kapasitor sehingga pada saat tegangan hasil
penyearahan mengalami penurunan maka kapasitor akan membuang
muatannya kebeban dan tegangan beban akan tertahan sebelum mencapai nol.
Hal ini dapat dijelaskan pada gambar berikut: Hasil penyearahan yang tidak
ideal akan mengakibatkan adanya ripple seperti terlihat pada gambar diatas
dimana tegangan ripple yang dihasilkan dapat ditentukan oleh persamaan
berikut : Ripple (peak to peak) = Idc . (T / C) Dimana Idc dalam hal ini
adalah tegangan keluaran dibagi dengan R beban. T adalah periode tegangan
ripple (detik) dan C adalah nilai kapasitor (Farad) yang digunakan.

b. Penyearah Setengah Gelombang dengan bridge dioda

Penyearah Gelombang Penuh


1. Gambar rangkaian
A. Dioda Varaktor
a)

Pada rangkaian di atas, diode varaktor digunakan untuk pembangkit


frekuensi.
b)
Pada rangkaian di atas, diode varaktor digunakan untuk mengontrol
oscillator.

B. Dioda Zener
a) Pengujian dioda zener membutuhkan catu daya dc variabel.
Rangkaian seperti pada gambar di bawah ini :

Pada sirkuit di atas, catu daya variabel digunakan untuk mengatur


tegangan input ke nilai yang cocok untuk dioda zener sedang diuji.
Resistor R1 membatasi arus yang melalui dioda. Dengan zener dioda
terhubung seperti yang ditunjukkan pada gambar di atas tidak ada arus
akan mengalir sampai tegangan pada dioda sama dengan tegangan
zener. Jika dioda terhubung dalam arah yang berlawanan, arus akan
mengalir pada tegangan rendah, biasanya kurang dari 1 volt. Aliran
arus listrik pada tegangan rendah di kedua arah menunjukkan bahwa
dioda zener rusak.
b)
Dioda Zener biasanya digunakan secara luas dalam sirkuit elektronik.
Fungsi utamanya adalah untuk menstabilkan tegangan. Pada saat
disambungkan secara parallel dengan sebuah sumber tegangan yang
berubah-ubah yang dipasang sehingga mencatu-balik, sebuah dioda
zener akan bertingkah seperti sebuah kortsleting (hubungan singkat)
saat tegangan mencapai tegangan rusak diode tersebut. Hasilnya,
tegangan akan dibatasi sampai ke sebuah angka yang telah diketahui
sebelumnya.

Sebuah dioda zener juga digunakan seperti ini sebagai regulator


tegangan shunt (shunt berarti sambungan parallel, dan regulator
tegangan sebagai sebuah kelas sirkuit yang memberikan sumber
tegangan tetap.

Sumber :

1. irianto.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/4630/bab2.pdf
2. http://elka.ub.ac.id/praktikum/de/de.php?page=1
3. id.wikipedia.org/wiki/Dioda
4. http://tk.unikom.ac.id/tk-files/download/modul%20praktikum
%20eldas/modul%20IV.pdf
5. http://ilmu-elektronika.co.cc/index.php/komponen-elektronika/dioda.html
6. http://sunny.staff.gunadarma.ac.id/Downloads/files/2537/BAGIAN+3.pdf