Balasto Electronico

INDICE GENERAL
1. INTRODUCCIÓN
2. ESQUEMA ELECTRICO
3. CIRCUITO IMPRESO
4. LISTA DE COMPONENTES Y COSTOS
5. CALCULO DE LOS VALORES DE L y C
6. RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL CIRCUITO TANQUE
7. MICROCONTROLADOR Y SOFTWARE ASOCIADO
7.1. CARACTERÍSTICAS DEL MICRO
7.2. DIAGRAMA DE FLUJO
7.3. PROGRAMA
8. INSTRUMENTOS UTILIZADOS
9. MEDICIONES
9.1. TENSIÓN DE SALIDA
9.2. Ids
9.3. TENSIÓN SOBRE EL TUBO
9.4. CORRIENTE SOBRE EL TUBO
9.5. Vds y Ids
9.6. Vgs
9.7. Vgs(ON)
9.8. Ig
9.9. TIEMPO MUERTO ENTRE PULSOS
9.10. CORRIENTE ENTREGADA POR LA FUENTE
9.11. TIEMPOS DE CONMUTACIÓN .
10. CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS DEL MOSFET
11. COMO FUNCIONA EL BALASTO
12. TIPOLOGIA SEMIPUENTE
13. DRIVER 2110
14. PROBLEMAS DURANTE LAS MEDICIONES.
1
INFORME SOBRE EL BALASTO ELECTRÓNICO
1-Introducción:
Se pretende construir un circuito capaz de sustituir a los típicos balastos inductivos para
tubos fluorescentes alimentados con tensiones de 220v ef y de relativa baja potencia.
Este tipo de circuitos presenta la ventaja de su reducido tamaño en comparación con los
balastos inductivos que son elementos costosos y de gran peso, además de presentar un
tiempo de encendido mucho menor, también presentan un mayor factor de potencia de
alrededor de 0,95 sin necesidad de agregar ningún capacitor, posibilidad de utilizarlos
con diferentes frecuencias de la tensión de alimentación, 50 60 hz. , ya que de todas
formas el circuito la rectifica y filtra, hasta incluso es posible alimentarlos con tensión
continua como por ejemplo en una luz de emergencia, también seria factible utilizarlo
como dimmer, pudiendo regular la intensidad luminosa, esto no se hará en este circuito
pero es una posible aplicación.
Uno de los problemas que presenta es su costo mayor con respecto a los balastos
clásicos, y se debe tener especial cuidado en la instalación.
2-Esquema del circuito utilizado
2
3-circuito impreso
4-Lista de componentes utilizados
Producto Precio unitario Precio x100

IRF740 USS 1,150 USS 0,805
IR2110 USS 3,750 USS 2,625
MC908QT1ACPE USS 1,750 USS 1,225
CAP, POLIESTER 6.8n x 630v USS 0,150 USS 0,105
CAP. POLIESTER 68n x 400v USS 0,130 USS 0,091
CAP. ELECTROL. 47u x 400v USS 1,350 USS 0,945
CAP. ELECTROL. 1u x 50v USS 0,017 USS 0,012
puente rectificador kbu6m USS 0,700 USS 0,490
diodo pf107 USS 0,025 USS 0,018
diodo 1n4007 USS 0,017 USS 0,012
lm7805 USS 0,280 USS 0,196
lm7815 USS 0,350 USS 0,245
3
5-Calculo de los valores de L y C
Se utilizo una frecuencia de trabajo de 43Khz en trabajo permanente, y una frecuencia
máxima para el precalentamiento de 90 Khz, partiendo de un inductor de 1,2 mHy se
obtuvo el valor del capacitor asociado en serie para obtener la frecuencia de resonancia
necesaria, que se opto por una frecuencia cercana a los 55 Khz.
La frecuencia de resonancia de una circuito L-C serie que es la aproximación que se

hizo del circuito de salida, suponiendo que el tubo durante el calentamiento posee una
resistencia muy elevada, quedando un circuito serie.
1 1 1
ω0 = ⇒C = 2 = = 6,97 nF
LC ω0 L ( 2π *55 Khz )2 *1, 2mHy
se adopto un capacitor de 6,8 Nf
Dichas frecuencias se generan a partir de un microcontrolador partiendo de la frecuencia

de 90 Khz y posteriormente se comienza a reducir la frecuencia a razón de 5 Khz. en
aproximadamente 2 seg.
Para los valores de los capacitores C2 Y C3 se adoptan valores 10 veces mayores, es
decir 68nF, para que no intervengan en la resonancia del circuito de carga.
6-Respuesta en frecuencia del circuito tanque
Siendo la transferencia del circuito tanque:
4
V0 1
G( jw) = ( jw) =
Vi L
1 − ω 2 LC + jω
R
su frecuencia de resonancia y su Q responden a las siguientes expresiones
R
Q=
ω0 L
1
ω0 =
LC
Graficando dicha transferencia con los valores calculados del circuito tanque, teniendo
en cuenta que la resistencia de carga esta representada por el tubo fluorescente, teniendo
este un comportamiento diferente al de una resistencia fija como la que se utilizo para la
simulación, el tubo presenta una resistencia prácticamente infinita durante el
calentamiento y pasa a tener una baja resistencia luego de la ignición.
5
7-Software para la generación del barrido en frecuencia
7-1caracteristicas del micro utilizado

El microcontrolador utilizado en un MC908QY1ACP en formato DIP8 de la firma
Freescale. Dicho microcontrolador posee:
- 1.5Kbytes de memoria flash.
- 128 bytes de memoria RAM
- CPU HC08
- Oscilador interno seleccionable ( 1MHz, 2MHz, 3.2MHz)
- Inhibidor de baja tensión (LVI)
- 1 timer de 16bit con 2 canales seleccionable ( Input capture, output compare, PWM)
- 5 entradas/salidas y 1 entrada
7-2 diagrama de flujo
inicializa registros y puertos
inicializa timer en 2 segundos
Genera frecuencia de 90 KHz durante 2 segundos (

de calentamiento)
inicializa timer en 0.2 segundos
Genera frecuencia de 80 KHz durante 0.2 segundos (

comienza etapa de ignición)
6
de ignición )

de ignición )

de ignición )
Genera frecuencia de 43KHz

( etapa funcionamiento normal)
7
7-3programa utilizado
#include <hidef.h> /* for EnableInterrupts macro */

#include "derivative.h" /* include peripheral declarations */
#define SD PTA_PTA0
#define LIN PTA_PTA1
#define HIN PTA_PTA3
/*-------------------------------------------------------------------*/
void timer_2seg(void){
TSC = 0x30;
TMOD = 0xF424;
TSC = 0x06; // prescaler 64
}
/*-------------------------------------------------------------------*/
void ini_portA(void){
PTA = 0; // todas las salidas en bajo
DDRA = 0x0B; // HIN,LIN,SD como salidas
PTAPUE = 0x0B; // HIN,LIN,SD pull up habilitado
}
/*-------------------------------------------------------------------*/
void main(void) {
CONFIG2 = 0;
CONFIG1 = 0x31; // lvi y cop deshabilitado
OSCSC = 0xE2; // Fbus = Fxtal/4 = 5Mhz ,Fint=2Mhz
while(OSCSC_ECGST==0);
ini_portA();
SD = 1;
HIN = 0;
LIN = 0;
HIN = 1;
SD = 0;
timer_2seg();
HOT: // genera frecuencia de 90Khz

if(TSC_TOF == 1) goto IGN_1;
asm nop; // delay
HIN=0;
LIN=1;
asm nop;asm nop;asm nop; // delay
LIN=0;
HIN = 1;
goto HOT;
IGN_1:
TSC = 0x30; // activa timer
TMOD = 0x3D09; // activa flag a los 200mseg
IGN_80khz: // genera frecuencia de 80Khz
8
asm nop;asm nop;
HIN=0;
LIN=1;
asm nop;asm nop;
asm nop;asm nop
LIN=0;
HIN = 1;
goto IGN_80khz;
IGN_2:
asm nop;asm nop;asm nop;
asm nop;asm nop;
HIN=0;
LIN=1;
asm nop;
LIN=0;
HIN = 1;
goto IGN_70khz;
IGN_3:
asm nop;asm nop;
HIN=0;
LIN=1;
asm nop;
LIN=0;
HIN = 1;
goto IGN_60khz;
IGN_4:
9
if(TSC_TOF == 1) goto NORMAL1;
asm nop;asm nop;
HIN=0;
LIN=1;
asm nop;
LIN=0;
HIN = 1;
goto IGN_50khz;
NORMAL1:
HIN = 1;
LIN = 0;
NORMAL: // genera frecuencia de 43Khz
HIN=0;
LIN=1;
10
LIN=0;
HIN = 1;
goto NORMAL;
}
/*-------------------------------------------------------------------*/
8-Instrumentos utilizados en las mediciones

Los instrumentos utilizados para realizar las mediciones correspondientes para este informe son los
siguientes:
- Variak.
- Fuente regulable. (Digital) marca LG
- Tester. (Digital)
- Osciloscopio. (Analógico)Goldstar
- Osciloscopio (digital)Agilent
A continuación se observan las fotos de los instrumentos nombrados:
11
En las siguientes imágenes se observa el circuito diseñado del balasto ya terminado, o
sea armado y montado con todos sus componentes, y dando prueba que tal circuito
funciona se ha tomado una foto del tubo encendido por tal balasto.
12
9-MEDICIONES
9-1 – FORMA DE ONDA DE LA TENSIÓN DE SALIDA DEL SEMIPUENTE.
MEDICIÓN NUMERO 1.
Puntos de medición. Punto 1 y masa 1.
Punta. x 10
Escala en X. 10 MicroSeg / Div
Escala en Y. 5 V / Div.
Frecuencia. 50 Khz.
Tensión pico a pico. 150 V
Tensión de alimentación. 110 V
CIRCUITO DE MEDICION
13
9-2- Ids PARA Q1. (Parte baja).
MEDICIÓN NUMERO 2.
Puntos de medición. Punto 2 y masa 1.

Punta. x1
Escala en Y. 500 mV / Div.
Frecuencia. 50 KHz
Resistencia. 1 Ohm
Tensión pico a pico. 38 mV
Corriente Ids pico
14
MIRANDO UN SOLO CICLO DE ESTA SEÑAL
1 2 3
Según la topología semipuente que estamos utilizando puede verse que corresponde con la teoría vista,
ya que durante el periodo 1 el que conduce es el diodo D1 y durante el periodo 2 el que conduce dicha
corriente es Q1, cabe destacar que lo que se pretende medir es la corriente Ids del transistor, pero
debido a que este tiene integrado el diodo D1 no podemos medirla en forma aislada, por eso es que
aparecen las zonas con corriente negativa, es decir la zona 1 en el grafico.
9-3- TENSIÓN SOBRE LA CARGA, O SEA LA TENSIÓN SOBRE C6.
MEDICIÓN NUMERO 3.
Puntos de medición. Puntos 4 y 5
Punta. x 10
Escala en Y. 5 V / Div.
Frecuencia. 50 KHz
Tensión pico a pico. 175 V
15
9-4- CORRIENTE SOBRE LA CARGA, O SEA SOBRE R= 0,1 Ω.
MEDICIÓN NUMERO 4.
Puntos de medición. Puntos 1 y 3.
Punta. x1
Frecuencia. 50 KHz
Resistencia. 0,1 Ohm
Tensión pico a pico. 50 mV
16
9-5- Vds Y LA Ids DE Q2, CON DIODO Y RESISTENCIA DE 0,1 Ω.
MEDICIÓN NUMERO 5.
Puntos de medición. Vds Q2 y Ids Q2
Punta. x 10
Escala en X. (CH1 y CH2). 5 MicroSeg / Div
Escala en Y. CH1 500mV / Div.
CH2 5 v /Div.
Tensión pico a pico.
Frecuencia. 50 KHz
Resistencia. 0.1hm
17
9-6 – Vgs EN Q2.
MEDICIÓN NUMERO 6.
Puntos de medición. Masa y Gate de Q2.
Punta. x 10
Escala en Y. 0,5 V / Div.
Frecuencia. 50 KHz
Tensión pico a pico. 15v
18
9-7-Tensión de gate (vgs de Q2)
En el grafico del osciloscopio se observa la Vgs

del transistor Q4 donde aproximadamente en 10
volts se puede ver una pequeña meseta en las señal
dando cuenta de la tensión Vgs(on).
9-8– Ig EN Q2.
MEDICIÓN NUMERO 8.
Puntos de medición. R= 100 Ohm y Gate de Q1
Punta. x 10
Frecuencia. 50 KHz
Tensión pico a pico.
El pico positivo de la señal se debe a la carga del capacitor cgs del mosfet , se puede apreciar que el
pulso tiene un ancho mayor que el pico negativo, esto se debe a que el negativo es provocado por la
descarga de dicho capacitor que se hace a través del diodo colocado en el gate, esta descarga es mucho
mas rápida que la carga, por eso se puede puede ver esa diferencia en los anchos de cada pulso.
19
9-9 – MEDICIÓN DE TIEMPO MUERTO ENTRE PULSOS
MEDICIÓN NUMERO 9.
Puntos de medición. Entre las dos vgs
Punta. x 10
Escala en X. 500nSeg / Div
CH1=2 V / Div.
Escala en Y. CH2=200Mv/div
Frecuencia. 50 KHz
Tiempo muerto 800ns
El tiempo muerto entre pulsos es necesario debido a que si se conmutan los transistores en el mismo
instante se provoca por un lapso de tiempo un cortocircuito a la fuente de alimentación, ya que ambos
están en serie vistos desde la fuente, para evitar esto se deja un tiempo muerto, entre la desconexión de
q1 y la conexión de q2, este tiempo fue calculado en aproximadamente 800 us, y en la medición con el
oscilospio digital se puede ver que el valor es justamente ese.
20
9-10 – CORRIENTE ENTREGADA POR EL PUENTE SOBRE R= 0,1 Ω.
MEDICIÓN NUMERO 10.

Puntos de medición. R= 0,1 Ohm en serie con fuente
Punta. x 10
CH1=2 V / Div
Escala en Y. CH2=200Mv/div.-
Frecuencia. 50 KHz
Tensión pico a pico. 50mV
21
9-11-TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
En la medición sobre el encendido de uno de

los transistores se observo un tiempo de
conmutación de aproximadamente 100 ns
con una resistencia de gate de 100 ohms
La curva verde representa la vds y la amarilla
la Ids.
Para las mediciones solo sé tubo en cuenta
hasta el comienzo de la zona donde la
corriente presenta un comportamiento
oscilatorio, suponiendo que es ahí donde esta
toma su valor máximo
Durante el apagado con la misma

resistencia en el gate se obtuvo un tiempo
de apagado e aproximadamente 17 ns.
Al modificar la resistencia Rg se pudo
observar que los tiempos de encendido
del transistor se prolongaban, llegando a
tener con una resistencia de 1k un tiempo
de encendido de aproximadamente 900
ns, esto provoco un calentamiento
excesivo de los transistores, debido a que
al aumentar en tiempo de conmutación
CIRCUITO DE MEDICION también lo hace la potencia disipada por
el transistor en esos instantes, se opto por
una resistencia máxima de 100 ohms
22
10-Características eléctricas del transistor Mosfet
Los transistores MOSFET(metal oxido semiconductor), es un dispositivo similar al BJT, en el
hecho que se compone básicamente de 3 capas de semiconductor N y P pero con ciertas
modificaciones con lo cual se obtiene un dispositivo con características muy distintas.
Al igual que en un BJT también se obtienen dos tipos de dispositivos, de canal N y de canal P
,en este tipo de transistores los terminales se denominan S(source),D=(drain)Y G(gate),el gate
hace las veces de la base en un transistor bipolar solo que no existe conexión eléctrica entre la
compuerta y el material P . esta esta aislada por una capa de oxido aislante.
Básicamente un MOSFET es el resultado de combinar la estructura de un transistor BJT con la
operación de un condensador, dicho condensador se ubica entre la compuerta Gy la parte de la
fuente que esta en contacto con el material P o N.
El MOSFET funciona solo si se cumple que existe un voltaje positivo entre Compuerta y
Fuente, y un voltaje positivo entre drenador y fuente.
Con un voltaje de compuerta se crea un canal artificial que une a la fuente con el drenaje, el
ancho del canal será mayor mientras mayor sea el voltaje de compuerta, y por ende mayor será
la corriente entre fuente y drenador.
Parámetros del transistor Mosfet:
-Máxima corriente de drenador (IDMAX):Se encuentran valores desde 0.1 A a 200 A .

-Máximo voltaje drenaje fuente(VDSMAX): Este valor es muy importante cuando el MOSFET
trabaja como interruptor.
-Voltaje de umbral(VT): Este es el valor de tension minima necesaria entre Vgs para que el
transistor conduzca.
-Resistencia de encendido(rd_on): Representa la resistencia que presenta el canal artificial
cuando el MOSFET esta conduciendo, Su valor varia entre 5 miliohm a 10 ohm.
-Máxima potencia de disipación(PD): En general depende del tipo de empaque utilizado, su
valoer sé encuantra entre 0.1w y 150w.Debido a la baja resistencia de encendido los MOSFET
disipan menos potencia que los BJT.
Ventajas de los MOSFET
-Mayor velocidad de conmutación

-Menor perdida de potencia por calentamiento
-Facilidad para controlar el circuito de salida(control por voltaje)
-Menor tamaño de encapsulado para similares características de otros dispositivos.
Características de entrada
23
CARACTERISTICA DE SALIDA
24
CARACTERISTICAS DE CONMUTACION
VDS
VGG
VGS(ON
IDS
VGS(TH)
Twon VDS(ON)
Td(0n) tf
Potencias en un MOSFET
VDD * ID * tswon * f
Pwon =
2
VDD * ID * tswoff * f
Psoff =
2
Pcond = ID * RDSON * δ
2
con los valores obtenidos en la medición y los datos del fabricante podemos calcular estas
potencias
311* 400mA *100nS * 43KHz

Pwon = = 267 mW
2
311* 400mA *75nS * 43KHz
Pwoff = = 200mW
2
Pcond = 400mA2 *0,55Ω *0,5 = 44mW
25
En el IRF740 los valores característicos son los siguientes:
Potencia disipada(Pd)=125 w
Vgs=20v
Rds=0.55 ohm
Vgs(th)=2-4v
Td(on)=14ns
Tr=27ns
Td(off)=50ns
Tf=24ns
11-Como funciona el balasto

El circuito del balasto funciona sobre la base de un semipuente que genera una onda
cuadrada de 311v pico a pico, esto alimenta un circuito resonante formado por un
inductor y un capacitor en serie y el tubo como carga en paralelo al capacitor, por las
propiedades de resonancia en un circuito serie la tensión en el capacitor aumenta al
llegar al valor de la frecuencia de resonancia del circuito, esto es aprovechado en esta
aplicación.
El circuito para por tres etapas durante el encendido del tubo, la primera consiste en el
precalentamiento del filamento, esto lo hacemos a una frecuencia cercana a los 90 Khz.
durante aproximadamente un segundo.luego la frecuencia comienza a disminuir
alcanzando la frecuencia de resonancia del circuito tanque que se calculo en
aproximadamente 55khz. al llegar a ese punto la tensión en los extremos del capacitor,
que son los mismos que los del tubo. , hace que se produzca la ignición del gas en su
interior encendiéndolo, después de esto la frecuencia sigue bajando hasta los 43khz que
será la frecuencia normal de trabajo, se utilizo esta frecuencia en particular para que no
interfiera con sistemas de comunicación infrarrojos y su tercer armónico se encuentre
por debajo de los 150 Khz.
12-Topología semipuente
El circuito de potencia utilizado en el proyecto es el de un semipuente como el de la figura con

transistores MOS del tipo IRF740 , en el circuito siguiente se utilizaron transistores bipolares y
diodos colocados entre colector y emisor por simplicidad para la explicación, pero los Mosfet
tienen estos diodos integrados dentro de la mismo encapsulado, siendo la explicación teórica la
misma en ambos casos.
También se utilizo en el esquema una carga inductiva solo por simplicidad en la explicación.
26
La carga se alimenta desde el punto medio de los transistores y el otro extremo se toma del
punto medio de un divisor capacitivo formado por C2 y C3 en el esquema del balasto, esto
permite obtener una señal alterna cuadrada en su salida con Vd/2 como valor pico.
Los transistores están controlados por un driver del tipo IR2110 que es quien genera a partir de
señales lógicas provenientes de un microcontrolador los 15 v necesarios de Vgs para pasar de
corte a conducción los transistores. Mas adelante se explicara en detalle el funcionamiento del
driver.
Los transistores son puestos en conducción en forma alternada, es decir, cuando uno esta
habilitado para conducir el otro esta cortado, dejando un tiempo muerto entre pulsos para evitar
provocarle un cortocircuito a la fuente de alimentación.
Podemos ahora con estos datos construir el diagrama de actividades de los semiconductores y
obtener la forma de onda de tensión y corriente de salida.
Durante el sector 1 del grafico el que conduce es Q1 alimentado de la carga del capacitor C2,
luego debido a la carga inductiva que no permite que la corriente presente cambios bruscos en
su valor ni cambios de sentido de circulación, esta obligara a la corriente a seguir en las mismas
condiciones que venia circulando, por consiguiente al cortarse el transistor Q1, no queda otra
alternativa mas que siga circulando a través del diodo D2 ya que el transistor Q2 aunque esta
polarizado en conducción, este no puede conducir debido a que su colector es mas negativo que
la base por la presencia de energía almacenada en el inductor, esto se puede ver en el sector 2
del grafico, en el sector 3 como la inductancia ya elimino toda su energía almacenada a partir
del cruce por cero de la corriente, el transistor Q2 ya esta en condiciones de conducir y lo hace
alimentado por el capacitor C2, vemos que ahora la corriente cambio de sentido cargando a la
inductancia con una polaridad inversa a la que tenia en los casos anteriores, esta se cargara
hasta que el transistor Q2 deje de conducir, pero nuevamente debido a la presencia de un
inductor esta corriente debe seguir circulando en el mismo sentido, y aunque el transistor Q1
tiene su base polarizada no lo hace por lo antes expuesto, es el diodo D1 quien lo hace
descargando la inductancia a través del capacitor C1, y el ciclo comienza de nuevo, todo esto lo
podemos ver en el siguiente grafico.
27
formas de onda de tensión y corriente sobre la carga
Vo
Io
V/2
-V/2
1 2 3 4
El voltaje de salida en el caso del circuito del balasto depende de la carga conectada en paralelo
con el capacitor, por ejemplo si no se conecta el tubo el voltaje sobre el capacitor puede ser
muy alto ya que lo que lo limita justamente es el valor de resistencia en paralelo.
La corriente de salida del semipuente depende fundamentalmente del valor del inductor, por
consiguiente en caso de cortocircuito el inductor limitara el valor de la misma.
En el caso que se rompa el tubo incluyendo los filamentos, debido a la disposición circuital de
estos, quedara solo el inductor conectado al circuito, quedando el capacitor desconectado por
completo del resto, sin ningún perjuicio para el semipuente.
13-DRIVER IR2110
Debido a que el transistor Q1 tiene s emisor conectado a un punto donde la tensión no es fija,
en nuestro caso oscilara entre 0 y 311v no se pude tomar como referencia para la tensión vgs,
por tal motivo se utiliza una configuración llamada bootstraping para el transistor de la parte
alta del semipuente.
El bootstraping esta formado por el siguiente circuito:
28
El circuito funciona de la siguiente forma, durante el nivel lógico 0 de la señal de entrada esta
activo el transistor Q4 y cortado el transistor Q1 por lo tanto el punto flotante esta conectado a
tierra esto hace que el diodo D1 este polarizado en directa cargando al capacitor C1 con la
tensión +V que será de 15v a su ves si el transistor Q1 estaba en conducción en el instantes
antes su base se descargara a través del transistor Q4 hacia tierra. Mientras que durante el
encendido al recibir un nivel positivo de la señal de entrada se polariza el transistor Q3 y se
corta el Q4 al estar el transistor Q1 en conducción la tensión en el punto flotante será de +vcc
esto corta al diodo D1 poniéndolo en inversa pero como el capacitor C1 esta cargado con los
15v de la +v es este quien polariza la base de Q1 para mantenerlo en conducción.
El driver IR2110 utiliza este método para polarizar el transistor de la parte alta, mientras que
tiene un driver simple para la parte baja, ya que este no presenta el inconveniente del punto
flotante, este dispositivo es de uso general, no posee un oscilador interno como tienen otros
dispositivos de la misma familia como es el IR2153 o similares, por lo tanto los pulsos de
control hay que generarlos en forma externa.
Este dispositivo también cuenta con una entrada llamada SD que se utiliza para poner las dos
salidas en cero, se utiliza para inhibir el dispositivo, por ejemplo durante el encendido inicial
para evitar disparos erróneos o para inhibido durante algún periodo de tiempo si así lo requiere
la aplicación.
29
14-Problemas encontrados durante las mediciones
EL primer problema presentado fue durante las mediciones con el osciloscopio, no sé tubo en
cuenta que este tenia puesta a tierra conectada a las masas de las puntas, de esta forma se
produjo un cortocircuito entre el positivo de la fuente de 311 v y los cocodrilos de las puntas de
medición que estaban puestos a tierra, no habiendo ninguna aislacion galvanica entre ambos
circuitos se produjo una corriente de cortocircuito a través del circuito a medir, destruyendo
varios componentes incluidas pistas del circuito impreso.
Otro problema que surgió fue que al incluir una resistencia para la medición de la corriente Ids
del transistor de la parte baja del puente, no se presto atención donde estaba tomado el negativo
del circuito de excitación del IR2110, quedando esta resistencia en serie con el circuito de gate
del transistor, al circular la corriente Ids por esta provoco una caída de tensión que sé sumado a
los 15 v entregados por el 2110, la resistencia era de un valor excesivo (10 ohms)provocando
una caída de alrededor de 4 v, esto provoco que el gate del transistor estuviera sometido a una
tensión cercana a los 20, que es su máxima Vgs, esto provoco que se quemara ese transistor en
principio, luego el 2110 y posteriormente el resto de los componentes de la placa.
Esto se soluciono cambiando el punto de donde se tomaba el negativo del driver y además se
disminuyo los valores de las resistencias de medición de corriente a 1 ohm.
30

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INDICE GENERAL

2-Esquema del circuito utilizado

4-Lista de componentes utilizados

Producto Precio unitario Precio x100

La frecuencia de resonancia de una circuito L-C serie que es la aproximación que se

se adopto un capacitor de 6,8 Nf

Dichas frecuencias se generan a partir de un microcontrolador partiendo de la frecuencia

6-Respuesta en frecuencia del circuito tanque

Siendo la transferencia del circuito tanque:

su frecuencia de resonancia y su Q responden a las siguientes expresiones

7-1caracteristicas del micro utilizado

7-2 diagrama de flujo

inicializa registros y puertos

inicializa timer en 2 segundos

Genera frecuencia de 90 KHz durante 2 segundos (

inicializa timer en 0.2 segundos

Genera frecuencia de 80 KHz durante 0.2 segundos (

inicializa timer en 0.2 segundos

inicializa timer en 0.2 segundos

Genera frecuencia de 60 KHz durante 0.2 segundos (

inicializa timer en 0.2 segundos

Genera frecuencia de 50 KHz durante 0.2 segundos (

Genera frecuencia de 43KHz

#include <hidef.h> /* for EnableInterrupts macro */

HOT: // genera frecuencia de 90Khz

8-Instrumentos utilizados en las mediciones

A continuación se observan las fotos de los instrumentos nombrados:

Puntos de medición. Punto 2 y masa 1.

9-3- TENSIÓN SOBRE LA CARGA, O SEA LA TENSIÓN SOBRE C6.

9-4- CORRIENTE SOBRE LA CARGA, O SEA SOBRE R= 0,1 Ω.

9-5- Vds Y LA Ids DE Q2, CON DIODO Y RESISTENCIA DE 0,1 Ω.

9-6 – Vgs EN Q2.

En el grafico del osciloscopio se observa la Vgs

9-9 – MEDICIÓN DE TIEMPO MUERTO ENTRE PULSOS

9-10 – CORRIENTE ENTREGADA POR EL PUENTE SOBRE R= 0,1 Ω.

MEDICIÓN NUMERO 10.

En la medición sobre el encendido de uno de

Durante el apagado con la misma

Parámetros del transistor Mosfet:

-Máxima corriente de drenador (IDMAX):Se encuentran valores desde 0.1 A a 200 A .

Ventajas de los MOSFET

-Mayor velocidad de conmutación

311* 400mA *100nS * 43KHz

11-Como funciona el balasto

El circuito de potencia utilizado en el proyecto es el de un semipuente como el de la figura con

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311* 400mA 100nS 43KHz