Anda di halaman 1dari 6

CARA PEMBUATAN KRISTAL SILIKON BESERTA METODENYA

Disusun Oleh:
Cahyo Purnomo (H1C010059)
Dwi Haryanto ( H1C010066)
Prodi : Teknik Elektro’10

DEPARTEMEN PENDIDIKAN NASIONAL


UNIVERSITAS JENDERAL SOEDIRMAN
FAKULTAS SAINS DAN TEKNIK
JURUSAN TEKNIK
PRODI TEKNIK ELEKTRO
2010
TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR :
Mengenal Sekilas Pengolahan Material Silikon
Perindustrian teknologi semikonduktor merupakan industri yang
pertumbuhannya dinamis. Berkat produk-produk industri tersebut telah
ditemukan banyak penerapan dalam berbagai bidang industri dan telah memberi
jalan terbukanya industri-industri baru. Ledakan perkembangannya nampak
dengan adanya penggunaan semikonduktor. Aspek yang sangat berarti bagi
industri semikonduktor yaitu sejak transistor ditemukan pada tahun 1948.

Untuk mengantisipasi perkembangan ke arah masa depan beberapa perusahaan


semikonduktor di dunia membuat karakteristik perkembangan yang sudah
berjalan selama selang tahun 1980-1987. Setelah diambil solusi karakteristiknya
ternyata pada selang waktu tersebut tampak perkembangan penggunaan piranti-
piranti yang terbuat dari bahan semikonduktor bisa mencapai 150 kali. Dalam
hal ini perkembangan itu akan berlanjut lagi sebagai tantangan imajinatif dan
ujian panjang bagi semua personel teknisi atau insinyur elektro.

Teknologi Planar
Teknologi Planar merupakan satu-satunya teknologi yang menjadi dasar utama
dalam permulaan pengolahan bahan-bahan semikonduktor. Dengan adanya
teknologi planar telah memungkinkan terciptanya transistor stabil dan
mendorong pesatnya ndustri semikonduktor pada akhir tahun 1950-an. Pada
awal tahun 1960-an teknologi itu dikembangkan lagi menjadi sebuah piranti
baru yang berupa sirkuit terintegrasi yang merupakan kombinasi dari transistor,
resistor dan kapasitor.

Pada teknologi planar yang selalu menjadi perhatian serius saat ini adalah dalam
pengolahan bahan baku silikon semikonduktor menjadi bentuk wafer, yang
merupakan bahan yang siap dikonversi menjadi bentuk-bentuk piranti seperti IC.
Adapun proses yang termasuk menjadi langkah pembuatan wafer silikon yaitu
proses produksi silikon polikristalin, pengembangan kristal, serta pemotongan
dan pembentukan wafer.

Produksi Silikon Polikrista

Bahan permulaan untuk produksi silikon umumnya ada 2 macam bahan yang
berasal dari bumi, yaitu pasir (silikon dioksida) dan zat karbon yang telah
dibersikan (dari arang, batu bara, serpih-serpihan kayu, dan lain-lain). Jika
dkedua bahan tersebut bereaksi bersama pada temperatur tinggi dalam tungku
elektronik maka silikon dioksida akan terpisah dari oksidanya menjadi silikon
saja. Dalam reaksi ini elemen silikon merupakan asap yang terjadi dalam reaksi
pada temperatur tersebut. Kemudian dikondensasi sehingga kira-kira
memberikan hasil 98% bahan silikon bersih yang dikenal dengan istilah Silikon
Tingkat Metalurgi (metalurgical grade silicon).
SiO2 + 2-------> Si + 2CO
Dengan hanya berupa sebagian kecil fraksi dari metallurgical grade silicon yang
telah dibersihkan maka bahan ini dapat digunakan dalam berbagai macam
terapan dalam perakitan piranti-piranti untuk industri semikonduktor.

Proses pembersihan Metallurgical grade silicon diselesaikan dengan pengubahan


material ini ke dalam Trichlorosilane (SiHCl3), yaitu dengan cara fraksinasi
sederhana (atau bisa juga dengan distilasi) sehingga bahan silikon menjadi
bahan semikonduktor yang standar. Trichlorosilane kemudian dikurangi dengan
H2 supaya sekali lagi memberikan hasil suatu polycrystalline silicon. Reaksi
untuk membentuk SiHCl3 adalah sebagai berikut:

Si + 3HCI --------> SiH3 + H2


1250o C
[hasil reaksi lain +SiCiH4]

Fraksinasi terpisah SiHCl3 merupakan hasil utama dari reaksi SiCl3 (silicon
tetracloride), doping pengotor klorida (seperti fosfor, boron dan galium) dan
klorida logam (seperti besi dan tembaga).

Silikon tingkat semikonduktor (yaitu silikon yang kurang lebih terdiri dari 1
bagian per satu milyar impurotas/pengotor) sekarang bisa diproduksi dengan
pengurangan temperatur tinggi dari SiHCl3 yang telah bersih. Reaksi kimia ini
terjadi dalam suatu kamar yang disebut "decomposer". Reaksi pengurangan
yang merupakan reaksi balik dari reaksi di atas adlah sebagai berikut :

SiHCl3 + H2 --------> Si + 3HCl


100oC

Pengembangan Kristal

Ada tiga teknik yang secara komersial digunakan untuk pengembangan kristal
silikon, yaitu:

• teknik Czochralski

• teknik Float Zone

• teknik Bridgman.

PROSES DAN LANGKAH-LANGKAH SECARA GARIS BESAR


MEMBUAT SILIKON KRISTAL
Difusi : pelapisan bahan seperti oksida yang tumbuh atau
menyimpan ke kristal silikon(wafer silicon).
Coat/ pembakaran : perelawanan, lapis protektif dan peka terhadap cahaya,
menerapkan dan mengobati pada tempatnya.
align(penyejajaran) : reticule diposisikan melalui kristal silikon. cahaya
ultraviolet bersinar melalui porsi cerah reticule
membongkar ke pola melawan peka cahaya.
Develop : melawan membangun dan tidak dikehendaki melawan
dibasuh jauh.
Dry Etch : kering mengukir memindahkan oksida tidak tercakup
dengan melawan.
Wet Etch and Clean : remaining melawan disingkirkan di basah mengukir
menyatakan mencontoh oksida lapis. kemudian biskuit
wafer dibersihkan. proses diulang sampai 18 kali untuk
membuat macam lapisan yang penting bagi setiap bagian
untaian.

Spesifikasi Suhu Silicon


Suhu Gaya Penghantar(padat) 1.412 W/cm-K
Suhu Gaya Penghantar(cair) 4.3 W/cm-K
Panas Jenis 0.70 J/g-K
Keterbauran Termis. 9 cm**2/s
Titik-Lebur 1683 k
Titik-Didih 2628 k
temperatur kritis 5159 k
kepadatan (padat) 2.33 g/cm**3
kepadatan (cair) 2.53 g/cm**3
tekanan asap
1050c 1e-7 torr
1250c 1e-5 torr
kapasitas panas dalam molar 20.00 j/mol-k

PENUMBUHAN ATAU PEMBUATAN KRISTAL SILIKON

proses besar pembentukan kristal silikon yang


sempurna. kristal tumbuh dari ‘biji kristal’ menjadi
kristal sempurna. silikon yang disediakan di bentuk
bubuk berisi butir kecil, kemudian dilarutkan di
tempat pencarian logam. biji dibenamkan dengan
hati-hati ke tempat pencarian logam setelah itu larutkan silikon
ke dalamnya, kemudian tarik mundur secara perlahan.
Langkah pertama:memperoleh pasir
pasir yang digunakan untuk membuat kristal silikon harus sangat bersih. untuk alasan
ini tidak hanya beberapa pasir pantai yang digunakan untuk pembuatan kristal
silikon. Bahkan kebanyakan menggunakan pasir untuk pembuatan kristal silikon
harus mengapalkan dari pantai – pantai di australia.

Langkah kedua:mempersiapkan dan melarutkan larutan silikon


pasir (SiO2) mengambil dan memasuki tempat pencarian logam dan pemanasan kira-
kira sampai 1600O C (sedikit di atas nya titik-lebur). melarutkan pasir akan menjadi
sumber silikon yang akan menjadi kristal.

Langkah ketiga:membuat batang logam(kristal


silikon)
kristal biji silikon murni sekarang ditempatkan
untuk melarutkan pasir. kristal ini akan jadi dan
tertarik keluar secara perlahan karena adanya
perputaran dalam proses pembuatannya.
teknik dominan dikenal sebagai czochralski (cz
metode. hasil silender silikon murni yang
disebut batang logam. sebagai deskripsi atau
yang lain di czochralski metode tersedia
langkah ini berbuat menyediakan permukaan bersih baik untuk nanti memproses. jika
lapis silikon tumbuh ke puncak kristal silikon menggunakan metode kimia kemudian
lapis itu dari banyak lebih baik kualitas kemudian agak rusak atau lapis kotor silikon
di kristal silikon. epitaxial lapis dimana sebenarnya memproses akan [jadi] berbuat.
diameter batang logam silikon bertekad dengan variabel suhu sebaik tingkat di mana
batang logam menarik mundur. bila batang logam benar panjang, ini disingkirkan,
kemudian tanah ke seragam permukaan eksternal dan
diameter. setiap kristal silikon diberikan salah satu
derajat atau datar tepi yang akan digunakan kemudian
(dalam) mengorientasikan kristal silikon ke posisi eksak
untuk nanti prosedur. di dua ini sosok kamu dapat lihat
derajat (di atas) dan sepatu tumit rata. sepatu tumit rata di
gambar ini dilebihkan untuk kejernihan. Maka jadilah
kristal silikon.

Pengembangan Kristal
Ada tiga teknik yang secara komersial digunakan untuk pengembangan kristal
silikon, yaitu teknik Czochralski, teknik Float Zone dan teknik Bridgman.
Kebanyakan teknik solidifikasi kristal tunggal diturunkan dari metode
Bridgman dn czochralski. Pada metode Bridgman, sampel logam murni ditempatkan
dalam cetakan vertical terbuat dari grafit licin, tirus hingga membentuk titik ujung.
Cetakan perlahan-lahan diturunkan ke dalam dapur tabung dengan zona lelehan
sempit, kristal mulai tumbuh dari titik ujung cetakan. Pada metode czochralski, yang
sering disebut “penarikan kristal”, kristal benih ditarik perlahan-lahan dari
permukaan logam cair, sehingga lelehan bersolidifikasi dengan orientasi yang sama
dengan benih. Rotasi kristal selama penarikan menghasilkan kristal yang bulat.
Teknik ini dimanfaatkan untuk pembuatan in vacuo kristal Sid an Ge.

Kristal dapat juga dibuat dengan teknik “zona ambang” (floating zone). Batang
polikristal murni dijepit pada ujung atas dan bawah dengan jepitan yang didinginkan
oleh air dan diputar daam gas mulia atau vakum. Daerah lelehan kecil, yang
dihasilkan oleh kumparan frekuensi radio yang didinginkan dengan air atau yang
dihasilkan oleh penembakan electron yang berasal dari filament sirkular, dilewatkan
sepanjang sampel. Kemurnian yang tinggi dpat dihasilkan karena specimen tidak
berhubungan dengan sumber kontaminasi dan juga karena ada aksi pemurnian zona.