Transistor Bipolar

Pengertian
• Bipolar Junction Transistor
(BJT) dapat dinyatakan
dengan sebuah struktur dua
buah dioda n-p-n atau p n-p
• BJT memiliki 3 buah kaki
yaitu emitor, basis and
kolektor.
• Arah panah menunjukkan
arah arus yang mengalir
melalui transistor
Susunan transistor N-P-N
Bagaimana Transistor Bekerja
Bagaimana Transistor Bekerja
 Parameter-Parameter
• VBB : tegangan sumber pada basis
• VCC : tegangan sumber pada kolektor
• VEE : tegangan sumber pada emitor
• IB : arus yang melalui kaki basis
• IC : arus yang melalui kaki kolektor
• IE : arus yang melalui kaki emitor
• VBE : tegangan antara kaki basis dan emitor
• VCE : tegangan antara kaki kolektor dan emitor
• VBC : tegangan antara kaki basis dan kolektor
• β = hFE : perbandingan arus kolektor terhadap basis
• α : perbandingan arus kolektor terhadap emitor
Parameter-Parameter
 Keadaan transitor
• Saturasi
• Aktif
• Cut off
 Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah
pada daerah aktif, dimana arus IC konstans
terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini
diperlihatkan bahwa arus IC hanya
tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja
ini biasa juga disebut daerah linear (linear
region).
• Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan
dan arus diterapkan pada loop kolektor
(Rangkaian CE), maka dapat diperoleh
hubungan :
VCE = VCC - ICRC
• Dapat dihitung dissipasi daya transistor
adalah : 
PD = VCE.IC 
• Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi
daya transistor adalah tegangan kolektor-
emitor dikali jumlah arus yang melewatinya
Dissipasi daya ini berupa panas yang
menyebabkan naiknya temperatur transistor.
Umumnya untuk transistor power sangat
perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.
Spesifikasi ini menunjukkan temperatur
kerja maksimum yang diperbolehkan agar
transistor masih bekerja normal. Sebab jika
transistor bekerja melebihi kapasitas daya
PDmax, maka transistor dapat rusak atau
terbakar. 
 Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0
volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor
silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-
base yang mana tegangan VCE belum
mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran
elektron.
 Daerah Cut-Off

Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan

perlahan-lahan, sampai tegangan VCE
tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada
saat perubahan ini, daerah kerja transistor
berada pada daerah cut-off yaitu dari
keadaan saturasi (On) menjadi keadaan mati
(Off). Perubahan ini dipakai pada system
digital yang hanya mengenal angka biner 1
dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan
oleh status transistor OFF dan ON.  
Rumus-rumus
Menghitung Parameter
Transistor
Jika
VBB =5 V
VCC =12V
VBE =0,7V
β =10
RB =10 KOhm
RC =1 KOhm
Tentukan
IB
IC
IE
VCE
VBC
Menghitung Parameter
Transistor
IB=(VBB-VBE)/RB
IB=(5-0,7)/10000
IB=430 uA

IC=β.IB
IC=10.430uA=4,3mA

IE=IB+IC=430uA+4300uA=4730uA
IE=4,73mA

VCE=VCC-IC.RC
VCE=12-4.3mA.1000
VCE=12-4,3=7,7 volt

VBC=VBE-VCE=0,7-7,7= -7 volt
Menghitung Parameter
Transistor
Jika
VBB =5 V
VCC =12V
VBE =0,7V
β =10
RB =10 KOhm
RC =1 KOhm
RE =1 kOhm
Tentukan
IB
IC
IE
VCE
VBC
Menghitung Parameter
Transistor
VBB=IB.RB+VBE+IE.RE
VBB=IB.RB+VBE+(β+1).IB.RE
VBB-VBE=IB.(RB+(β+1).RE)
IB=(VBB-VBE)/(RB+(β+1).RE)
IB=(5-0,7)/(10000+(10+1).1000)
IB=4,3/(21000)=204,8uA

IC=β.IB
IC=10.204,8uA=2,048mA

IE=IB+IC=204,8uA+2048uA=2252,8uA
IE=2,2528mA

VCE=VCC-IC.RC-IE.RE
VCE=12-2,048mA.1000-2,253mA.1000
VCE=12-2,048-2,253=7,7 volt

VBC=VBE-VCE=0,7-7,7= -7volt
Menghitung Parameter
Transistor
Jika
VBB =5 V
VCC =12V
VBE =0,7V
β =10
RB =10 KOhm
RC =1 KOhm
Tentukan
IB
IC
IE
VCE
VBC
Menghitung Parameter
Transistor
Jika
VBB =5 V
VCC =12V
VBE =0,7V
β =10
RB =10 KOhm
RC =1 KOhm
Tentukan
IB
IC
IE
VCE
VBC