MODUL DIODA

Disusun oleh

Faisal Ibrahim

Kelas XI SCI/13

SEKOLAH MENENGAH ATAS NEGERI 78

Tahun Ajaran 2010/2011

 Dioda
A. TEORI DASAR

Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung
pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming
(1849-1945) pada tahun 1904.

Struktur Dioda

Struktur dan skema dari dioda dapat dilihat pada gambar di atas. Pada dioda, plate
diletakkan dalam posisi mengelilingi katoda sedangkan heater disisipkan di dalam katoda.
Elektron pada katoda yang dipanaskan oleh heater akan bergerak dari katoda menuju plate.

B. PENGERTIAN DIODA
Diode merupakan alat yang hanya bisa mengalirkan arus DC dalam satu arah saja,
sedangkan pada arah lain yang berlawanan ia tidak akan bisa untuk menghantarkan arus
tersebut. Diode memiliki bentuk fisik yang kecil dan ia memiliki dua buah kutub (kaki) di
masing-masing ujungnya seperti halnya tahanan (resistor). Dimana salah satu ujungnya
adalah positif sedangkan ujung kaki yang lainnya adalah negatif. Kaki-kaki dari diode ini
disebut dengan katode dan anode. Diode juga dapat digunakan untuk mengubah arus AC
(arus bolak-balik) menjadi arus DC (arus searah) dan lain sebagainya tergantung dari jenis
diodenya. Diode memiliki bermacam-macam bentuk, ada yang silinder, bundar pipih,
berbentuk peluru dan lain sebagainya. Sifat dari diode di dalam suatu rangkaian ditentukan
oleh kedudukannya atau letak elektroda-elektrodanya

1
.
C. LAMBANG DAN BENTUK KOMPONEN DIODA
Di dalam suatu skema rangkaian, diode dilambangkan seperti pada gambar dibawah ini.

P N

Anoda Katoda

Lambang dari Diode

Dari lambang ini sudah dapat dilihat bahwa arah dari arus mempengaruhi sifat dari
diode. Satu sisi dari dioda disebut anoda, dan yang lainnya disebut katoda. Katoda ada pada
ujung depan dari segitiga. Apabila anode dihubungkan ke kutub yang positif sedangkan
anoda dihubungkan ke kutub yang negatif maka arus listrik akan mengalir dari anode menuju
ke katoda. Namun apabila hubungan tersebut dibalikan maka tidak akan ada arus listrik yang
mengalir melalui dioda. Jadi dioda hanya dapat dialiri oleh arus listrik pada saat anoda
memiliki potensial lebih tinggi dari pada katode. Komponen dari dioda sering berbentuk
silinder kecil dan biasanya diberi lingkaran pada katode untuk menunjukan posisi dari garis
di dalam lambang dioda tersebut.

D. SIFAT DIODA
Sebagai pendekatan pertama dapat dikatakan bahwa diode mengijinkan arus untuk
dapat mengalir ke satu arah saja. Ketika anode mendapatkan voltase yang lebih positif
daripada katode, maka arus bisa saja mengalir dengan bebas. Di dalam situasi seperti ini
dapat dikatakan dioda dibias maju. Kalau voltase dibalikan, berarti katode yang positif
terhadap anode, maka arus tidak akan dapat mengalir kecuali suatu arus yang sangat kecil.
Dalam situasi ini dikatakan diode dibias balik atau dibias mundur. Arus yang mengalir
2
ketika diode dibias balik disebut dengan arus balik atau arus bocor dari diode dan arus itu
begitu kecil sehingga di dalam kebanyakan rangkaian dapat diabaikan. Arus bisa mengalir
kearah segitiga dalam lambang skema rangkaian. Kalau voltase lebih kecil daripada batas-
batas tersebut maka sebenarnya terdapat pula arus namun jumlahnya sangat kecil. Hubungan
antara arus dan voltase bisa digambarkan seperti gambar dibawah ini.

Pendekatan untuk sifat dari suatu diode

Namun perlu diperhatikan bahwa sifat ini hanya merupakan suatu pendekatan,
walaupun pendekatan ini cukup baik untuk dipakai di dalam banyak situasi, yang berarti sifat
dari sebagian besar rangkaian dapat dimengerti oleh pendekatan ini. Kalau memakai
pendekatan ini, sifat dari diode dapat dimengerti juga dengan memakai satu rangkaian
pengganti, yaitu satu sakelar yang terbuka ketika diode dibias balik dan tertutup ketika diode
dibias maju.

Rangkaian Pengganti yang Mendekati Sifat Dioda

Untuk mendapatkan voltase yang dibutuhkan supaya arus dapat mengalir, maka
sakelar tersebut dirangkai secara seri dengan satu sumber voltase sehingga terdapat rangkaian
pengganti.
Jadi sifat dari diode berbeda jika arah voltase pada sambungannya berbeda. Sifat yang
mengijinkan arus mengalir hanya ke satu arah saja dapat digunakan sebagai suatu pengubah

3
arus bolak-balik menjadi arus searah. Salah satu contoh rangkaian sederhana yang
menghasilkan sifat ini diperlihatkan pada gambar dibawah ini.

Gambar 5 Contoh Rangkaian Sederhana

Kalau sifat dari diode yang dibias terus maju diteliti lebih rinci dengan arus yang tidak
terlalu besar, maka terdapat sifat yang hamper persis yang sesuai dengan rumus.

I = Ib (T).[exp Vt(mVtr)-1 - 1]

Dimana:
Ib = Arus diode pada arah bias balik, berarti arus bocor
T = Suhu diode
Vt = Konstanta fisik : Vt = KT e0-1 setara dengan 1.40-1 (pada suhu 200 C)
M = Satu konstanta antara 1 dan 2

E. DIODA SEMIKONDUKTOR
a. Bahan Semikonduktor
Bahan semikonduktor adalah bahan yang mempunyai level konduktiviti (kemampuan
menghantarkan arus listrik) diantara bahan konduktor dan isolator. Kebalikan dari
konduktiviti adalah resistansi , yaitu kemampuan menahan arus listrik. Semakin tinggi
level konduktiviti maka semakin rendah level resistansi. Istilah resistivity (rho, yunani)
biasanya digunakan untuk membandingkan level resistansi material. Resistivity suatu
material diukur dalam satuan Ω-m atau Ω-cm.

4
 Tabel berikut menunjukkan beberapa nilai resistivity bahan-bahan konduktor,
semikonduktor dan isolator.
Tabel Nilai Resistivitas Beberapa Material

Jenis Bahan Resistivitas

Konduktor Tembaga 10-6 Ώ-cm

Semi konduktor Silikon 50 x 10-3 Ώ-cm

Germanium 50 Ώ-cm

Isolator Mika 1012 Ώ-cm

Jadi, bahan semikonduktor mampu menghantarkan listrik lebih baik daripada

isolator, tapi lebih rendah dibandingkan konduktor.
Dilihat dari struktur atom, atom terdiri dari sejumlah elektron, proton, dan neutron.
Nukleus (inti-atom) mengandung proton ( bermuatan positif) dan neutron ( tidak
bermuatan). Elektron (bermuatan negatif) beredar di sekeliling nukleus. Setiap atom
cenderung mempunyai jumlah elektron dan proton yang sama. Model Bohr dari dua
bahan semikonduktor yang paling umum, germanium (Ge) dan silikon (Si), ditunjukkan
pada gambar 1.1.

5
 Walaupun ikatan kovalen menghasilkan ikatan yang lebih kuat antara elektron
valensi dengan inti atomnya, tapi masih memungkinkan bagi elektron valensi untuk
menyerap cukup energi kinetik dari lingkungannya yang mengakibatkan putusnya ikatan
tersebut. Energi ini bisa berasal dari cahaya dalam bentuk energi photon atau energi
panas dari lingkungan sekitarnya. Akibatnya elektron akan berada dalam kondisi bebas.
Dalam kondisi bebas ini, pergerakan elektron menjadi sensitif terhadap medan listrik

yang diberikan. Pada suhu kamar, ada sekitar 1,5 x 10 10 elektron sebagai carrier bebas

dalam 1 cm3 silikon intrinsik.

Intrinsik material adalah semikonduktor yang telah dimurnikan untuk mengurangi
impurities (pengotoran oleh atom lain).

Pada suhu yang sama, germanium memiliki sekitar 2,5 x 10 13 elektron bebas. Jadi
pada suhu kamar, germanium adalah konduktor yang lebih baik dibandingkan silikon.
Tapi, dalam kondisi intrinsik, keduanya masih merupakan konduktor yang buruk.
Meningkatnya jumlah elektron dalam bahan semikonduktor akan meningkatkan level
konduktansinya. Peningkatan ini bisa dilakukan dengan menaikkan suhu bahan atau
dengan melakukan penyinaran pada bahan.

6
b. Ekstrinsik Material
Metode yang paling baik untuk meningkatkan konduktansi bahan semikonduktor
adalah dengan pemberian impurities (pengotoran kemurnian oleh atom lain) pada bahan
semikonduktor intrinsik. Proses seperti ini disebut dengan proses doping. Impurities ini,

walaupun diberikan hanya satu dalam 10x106 atom silikon akan menaikkan

konduktansinya dengan faktor 105 pada suhu kamar. Peningkatan level konduktansi
adalah sebanding dengan jumlah atom impurities per unit volume.
Bahan semikonduktor yang telah dikenakan proses doping disebut material extrinsik.

Ada dua tipe material ektrinsik yang sangat penting dalam fabrikasi piranti
semikonduktor, yaitu tipe-n dan tipe-p.
c. Material Tipe-n
Material ekstrinsik tipe-n diperoleh dengan pemberian atom impurities dengan 5
elektron valensi (pentavalent), seperti antimony, arsenic, dan phosphorus pada kristal
murni silikon atau germanium. Efek dari doping semacam ini ditunjukkan pada gambar
berikut (menggunakan antimony sebagai impurity dalam basis silikon).

7
d. Material Tipe-p
Material tipe-p dibentuk dengan memberikan doping pada kristal silikon ataupun
germanium murni dengan atom impurities yang mempunyai 3 elektron valensi
(trivalent). Elemen yang paling umum digunakan adalah boron, gallium, dan indium.
Efek dari salah satu elemen ini (boron pada basis silikon) ditunjukkan pada gambar 1.4
berikut.

Perlu ditekankan bahwa walaupun dalam material ekstrinsik terdapat sejumlah besar
carrier bebas, secara elekrik bahan tersebut masih netral, karena jumlah muatan positif
proton dalam nukleus/inti atom masih sama dengan jumlah muatan negatif elektron yang
bebas dan yang masih terikat dengan intinya. Dan lagi, jika impurities tipe-n dan tipe-p
dalam jumlah yang sama diberikan pada suatu kristal silikon murni, tidak akan
memberikan dampak terhadap konduktivitas karena kedua tipe muatan carrier akan
berekombinasi.

Jika suatu elektron valensi mendapat cukup energi kinetik untuk memutuskan ikatan
kovalennya dan mengisi kekosongan yang diciptakan oleh hole, maka suatu
kekosongan/hole yang baru akan terbentuk pada ikatan kovalen yang ditinggalkan oleh
elektron tersebut. Karena itu, arah pergerakan elektron dan hole akan berlawanan. Kalau
ada elektron bergerak ke kiri, maka ada hole yang bergerak ke kanan. Untuk arus listrik,

8
 arah arus yang digunakan adalah arah konvensional yang sesuai dengan arah pergerakan
hole.
Dalam kondisi intrinsik, jumlah elektron bebas dalam silikon dan germanium hanya
sedikit, yaitu elektron valensi yang lepas dari intinya karena memperoleh cukup energi
dari suhu lingkungannya ataupun dari cahaya. Kekosongan yang ditimbulkan dalam
struktur ikatan kovalen memberikan hanya sedikit holes. Dalam material tipe-n, jumlah
holes tidak mengalami perubahan berarti dibandingkan dengan dalam kondisi intrinsik,
sehingga jumlah elektron jauh melebihi jumlah hole. Untuk alasan ini :
Dalam material tipe-n, elektron disebut majority carrier dan hole disebut minority
carrier. Sebaliknya untuk material tipe-p, hole adalah majority carrier dan elektron
adalah minority carrier.
Kalau ada elektron kelima dalam atom donor meninggalkan atom induknya, maka
atom akan menjadi bermuatan positif, dan disebut ion donor. Sebaliknya dalam material
tipe-p, atom yang menerima elektron baru menjadi bermuatan negatif dan disebut ion
acceptor.

F. TRANSISTOR SEMIKONDUKTOR

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai
fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus
inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di
satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor
adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian
analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi
pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian
digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga
dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan
komponen-komponen lainnya.

9
 a. Cara kerja transistor semikonduktor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,
bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET),
yang masing-masing bekerja secara berbeda.

Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya

menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus
listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas
dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan
tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa
muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama
mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya
(dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik
utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan
tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat
artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

G. DIODA ZENER

Diode zener merupakan salah satu dari beberapa jenis diode khusus yang juga dapat
untuk mengalirkan arus ke arah sebaliknya. Diode ini merupakan sambungan dari silikon
yang sering digunakan sebagai pengatur ataupun penstabil dari tegangan. Meskipun arus dari
AC yang dirubah ke dalam bentuk arus searah (DC) berubah-ubah, namun tidak akan
berpengaruh pada diode zener ini.Bentuk dari diode zener biasanya sama dengan diode biasa,
sedangkan lambang dan contoh dari diode zener dapat kita lihat pada gambar dibawah ini.

Lambang Dioda Zener

10
 Sifat dari diode zener hampir sama dengan diode biasa, hanya saja diode zener
dirancang untuk memiliki voltase break thought pada voltase tertentu. Berikut ini adalah
beberapa sifat daripada diode zener diantaranya:
Tegangan maksimum yang bisa dicapai oleh diode zener kurang lebih sebesar 0,7
sampai dengan 12 Volt. Hanya dapat tahan terhadap arus kecil saja (dengan batas maksimum
antara 1 sampai dengan 50 miliampere). Hampir tidak ada tegangan yang hilang jika
melewati diode zener ini. Memiliki bentuk fisik yang kecil.

Voltase break through pada diode zener biasanya disebut dengan Voltase Zener.
Diode zener biasanya dipakai pada arah balik sehingga voltase pada diode ini konstan yaitu
sebesar voltase zenernya. Diode zener juga memiliki beberapa keistimewaan diantaranya.

a. Tegangannya dapat ditentukan, misalnya sebesar 4V, 8V,atau 10V

b. Besar dari pada tegangannya tidak tergantung pada tegangan inputnya sendiri.
Diode zener juga memiliki beberapa fungsi diantaranya:
a. Stabilisator tegangan
b. Sebagai Clipper pada sirkit pulsa.
Berikut ini adalah contoh dari catu daya yang menggunakan regulator diode zener yang dapat
kita lihat pada gambar dibawah ini.

Catu Daya dengan Menggunakan Regulator Diode Zener

Bila tegangan yang melalui diode pada arah yang berlawanan yang melebihi tingkat tertentu,
diode juga akan menjadi suatu penghantar. Tingkat tegangan ini dikenal sebagai tegangan
zener, dan di dalam diode biasa nilainya biasanya sangat tinggi (100 V untuk tipe 1N4148 )
sehingga arus yang ditimbulkannya dapat saja merusak diode. Meskipun demikian, dapat
dibuat diode dengan tegangan zener tertentu pada tingkat tegangan yang sangat rendah.
Hasilnya adalah suatu diode yang nantinya dapat menjadi sumber tegangan yang sangat
stabil, yang sering kita sebut dengan Diode Zener.

a. Resistansi Zener

11
 Bila dioda zener sedang beroperasi di daerah dadal, kenaikan arus menghasilkan
sedikit kenaikan tegangan. Ini berarti bahwa dioda zener mempunyai resistansi ac yang
kecil. Lembaran data menentukan resistansi zener ( sering disebut impedansi zener) pada
arus pengujian IZT yang sama dengan yang digunakan untuk mengukur VZ. Resistansi
zener pada arus pengujuian ini ditandai dengan RZT ( atau ZZT). Misalnya, lembaran
data 1N3020 mencantumkan data-data sebagai berikut: VZT = 10 V, IZT = 25 mA, dan
ZZT = 7 . Ini memberi informasi kepada kita bahwa dioda zener mempunyai tegangan 10
V dan resistansi zener 7 bila arus 25 mA.

b. Regulator Zener
Diode zener sering disebut juga voltage-regulator diode (dioda pengatur tegangan)
karena mempertahankan tegangan output tetap konstan meskipun arus yang melaluinya
berubah.Pada operasi normal,kita harus memberikan bias mundur (reverse bias) pada
diode zener.Lebih lanjut untuk memperoleh opersi breakdown,tegangan Vs harus lebih
besar daripada tegangan breakdown zener Vz.Resistor se Rs selalu digunakan untuk
membatasi arus zener agar lebih kecil daripada tingkatan arus maksimumnya.Jika
tidak,diode zener terbakar.
Regulator (pengatur) tegangan dengan diode zener terlihat pada gambar berikut.

Pengatur Tegangan pada Diode Zener

Tegangan Vs adalah tegangan searah yang tak teratur yang dapat bersal dari
penyearah gelombang penuh yang bertapis.Tegangan sumber Vs dan resistor R dipilih
sedemikian sehingga diode bekerja didaerah dadal (break down) yaitu di Vz dan Iz.
Diode kemudian mengatur tegangan beban terhadap perubahan arus beban dan
tegangan sumber.Didaerah dadal perubahan yang besar arus diode hanya mengakibatkan
perubahan yang kecil pada tegangan diode zener.Pengaturan ini terjadi selama arus diode
lebih besar daripada Izk.

12
c. Diode Zener Ideal
Untuk perbaikkan dan perancangan mula, kita dapat menganggap daerah dadal
sebagai garis yang vertikal. Artinya, tegangannya tetap meskipun arusnya berubah, yang
artinya sama dengan mengabaikan resistansi zener. Gambar 1.3 (a) menunjukkan
pendekatan ideal dioda zener. Ini berarti bahwa dioda zener yang sedang beroperasi di
daerah dadal berlaku seperti sebuah batere. Artinya dalam suatu rangkaian, dalam
bayangan dioda zener dapat diganti dengan sumber tegangan Vz, asalkan dioda zener
sedang beroperasi di daerah dadal.

d. Regulator Zener dengan Beban

Diode zener ini beroperasi pada daerah breakdown dan menjaga agar tegangan
beban tetap konstan. Meskipun sumber tegangan berubah atau resistansi beban berubah-
ubah, namun tegangan akan selalu tetap dan sama dengan tegangan zener.
e. Operasi Breakdown
Bagaimana anda dapat mengatakan apakah diode zener dioperasikan pada diode zener
atau tidak?. Tegangan Thevenin pada diode adalah sebagai berikut.

Ini merupakan tegangan yang ada ketika diode zener diputuskan dari rangkaian,
dimana tegangan theveninnya haruslah lebih besar dari pada tegangan zener karena jika
terjadi hal yang sebaliknya maka kondisi dari operasi breakdown tidak akan memenuhi
ketentuan.

f. Arus Seri
Misalkan dioda zener sedang beroperasi di daerah dadal, kita teruskan sebagai berikut.
Arus yang mengalir ,melalui tahanan seri diberikan oleh.

Ini adalah Hukum Ohm yang diterapkan pada tahanan pembatas arus.

g. Arus Beban

13
 Karena resistansi zener biasanya hanya menimbulkan pengaruh yang sangat kecil, kita
dapat mendekati tegangan beban dengan

(Lambang berarti “hampir sama daripada”). Ini memungkinkan kita untuk

menggunakan hukum Ohm untuk menghitung arus beban.

h. Arus Zener
Karena rangkaian dua simpal maka arus seri terbelah pada persambungan dioda zener
dan tahanan beban. Dari hukum Kirchhoff diperoleh.

IS = IZ + IL

Kita dapat mengatur kembali persamaan ini untuk mendapatkan hubungan arsu zener.
IZ = IS – IL

i. Pengujian Diode Zener

Untuk melakukan pengujian terhadap diode zener maka langkah pertama yang harus
kita kerjakan adalah menghubungkan diode zener pada arah maju, dengan katode menuju
ke arah negatif. Diode akan menghantar seperti biasa apabila tegangan ambangnya kira-
kira sebesar 0,7 V, dan bila tegangan catunya ditingkatkan oleh potensiometer. Langkah
berikutnya adalah membalikan diode zener. Biasanya diode tidak akan dapat menghantar
arus bila tegangan belum mencapai tingkat tegangan sebesar 2,7 Volt. Tingkat tegangan
ini akan tetap stabil, berapapun tegangan potensiometer, namun diode akan berhenti
menghantarkan arus apabila tegangan pada potensiometer jatuh dibawah tegangan zener
2,7 Volt.
Diode zener tersedia dalam beberapa nilai tegangan zener, diode ini sering digunakan
di dalam stabilisasi catu daya atau untuk melindungi komponen laindari tegangan yang
sifatnya berlebihan. Peristiwa yang terjadi pada diode pada tegangan zener ini adalah
sesuatu yang menarik. Dimana di dalam peristiwa ini akan terjadi pertemuan antara
kutub positif dengan kutub negatif yang sama-sama memiliki ketebalan kira-kira sebesar
1 μm = 0,000 001 m. Dengan menganggap ketebalan antara pertemuan antara P-n

14
sebesar 0,3 μm dan diterapkan tegangan mundur 6 volt, maka perbandingan antara
tegangan dengan panjang jalur 9biasanya lebih dikenal dengan kekuatan medan listrik
atau E) adalah.

Sehingga apabila konduktor-konduktor dari sebuah sIstem tegangan tinggi sama

dengan 380 kV dan terpisah sejauh 19mm, maka kekuatan medan akan sama dengan
yang terdapat di dalam diode.

15