P. 1
Konduktor

Konduktor

|Views: 369|Likes:
Dipublikasikan oleh Irma Rahmawati

More info:

Published by: Irma Rahmawati on Jan 20, 2011
Hak Cipta:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PPT, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

11/07/2014

pdf

text

original

KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR

Teori Pita (Band Theory) Kerusakan Dalam Struktur Kristal (Crystal Defect)

Model lautan elektron Ikatan Logam

2

TEORI PITA

Teori pita (Band Theory) ; untuk menjelaskan mengapa suatu zat dapat bersifat konduktor, semikonduktor atau insulator Landasan teori pita ; teori orbital molekul

3

Pita valensi 3s (berisi elektron valensi) terdelokalisasi berbatasan dengan orbital 3p yang kosong 4 . dan 2p tetap terlokalisasi di sekeliling inti.Teori pita dapat menjelaskan mengapa logam “kehilangan” elektron valensinya ketika membentuk padatan Pita orbital 1s. 2s.

  Sejumlah orbital atom yang berasal dari sub kulit yang sama dan mempunyai tingkat energi hampir sama membentuk orbital molekul. Orbital-orbital molekul tersebut saling berdekatan dan hampir kontinu. Kelompok orbital molekul yang kontinu disebut pita (band). Pita tersebut dipisahkan oleh pita kesenjangan (band gap). yaitu pada tingkat energi di mana tak ada orbital (non bonding) 5 .

Teori Pita . Penerapan untuk Na Orbital-orbital s dari atom-atom Na dapat berinteraksi menghasilkan sejumlah N orbital molekul yang saling bertumpang tindih (overlapping) membentuk pita. 6 .

Diagram orbital Na Pita konduksi: 3s antibonding (kosong) Tak ada gap Pita valensi: 3s bonding (penuh) 7 .

Diagram Orbital Mg berdasarkan Teori Pita Pita konduksi: kosong Tak ada gap: konduktor Pita valensi: penuh Pita 3s saling bertumpangtindih dengan pita 3p yang kosong Konduktor 8 .

dan 2p tetap terlokalisasi di sekeliling inti. Tingkat fermi juga merupakan lapisan batas dimana tak ada satupun elektron yang dapat melampaui lapisan. 2s. Pita valensi 3s (berisi elektron valensi) terdelokalisasi berbatasan dengan orbital 3p yang kosong Orbital 3p yang kosong disebut pita konduksi 9 . Orbital atom 3s dari tiap atom Mg terisi 2 elektron. sehingga seluruh pita orbital molekul yang berenergi lebih rendah akan terisi penuh. Pita 3s yang berisi penuh dengan 2 elektron disebut pita valensi Tingkat energi tertinggi dari pita valensi disebut tingkat fermi (energi fermi).Penjelasan       Magnesium mempunyai konfigurasi elektron 1s2 2s2 2p6 3s2 Orbital 1s. kecuali bila ada aliran energi yang cukup hingga elektron dapat mencapai pita konduksi.

10 .

elektronelektron yang berada di dekat tingkat Fermi mendapat gangguan medan listrik. serta logam lain yang bersifat konduktor 11 . karena tidak ada arus elektron mengalir. Terjadilah arus elektron melalui pita konduksi Hal yang sama terjadi pada Li dan Na. jika dihubungkan dengan sumber arus.Bagaimana Mg dapat menjadi konduktor yang baik ??? Pada magnesium : pita kosong 3p over lapping dengan pita valensi 3s yang penuh. Namun. Elektron dalam pita valensi bergerak ke segala arah secara acak. sehingga meningkat energi kinetiknya dan dapat pindah ke pita konduksi.

Kesenjangan (gap) itu disebut juga zona terlarang (forbidden zone) 12 .Insulator    Tak dapat menghantarkan listrik Kesenjangan (gap) energi yang besar antara pita valensi (yang berisi elektron valensi) dengan pita konduksi (kosong) mencegah insulator menghantarkan listrik.

13 .

5 eV 1.67 eV Band gap Semiconductor 14 .1 eV 0.Perbandingan Pita gap semikonduktor dan insulator Pita gap Intan Si Ge 5.

5 eV ≈ 530 kJ/mol Konduktor Insulator 15 .Contoh Non logam yang bersifat konduktor dan Insulator Grafit Intan Tak ada gap Pita gap = 5.

karena eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi dapat terjadi setelah diberi energi Konduktivitas semikonduktor konduktor Suhu 16 . Konduktivitas listrik bertambah sesuai dengan kenaikan suhu.Semikonduktor   Konduktivitas rendah pada suhu kamar. Hal ini karena adanya gap energi yang kecil antara pita valensi dan pita konduksi.

Kisi kristal akan mengalami perubahan karena ada perpindahan itu. sehingga meninggalkan lubang yang kekurangan elektron Pita energi Si 17 . semakin banyak elektron yang dapat tereksitasi ke pita konduksi.Contoh Semikonduktor : Si    Pada semua suhu di atas titik nol mutlak . beberapa elektron valensi kristal silikon memiliki probabilitas menyebrangi gap menuju pita konduksi (300 K) Pada suhu tinggi.

18 . namun dengan jumlah elektron valensi yang berbeda. Ada dua jenis semikonduktor hasil doping.Doping Semikonduktor   Sifat listrik semikonduktor dapat diubah dengan menambahkan sejumlah atom yang berukuran hampir sama. yaitu semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n. Pengubahan itu disebut doping.

.Semikonduktor Tipe p    Semikonduktor tipe p diperoleh dengan cara mendoping atomatom yang bervalensi lebih rendah ke dalam semikonduktor Penambahan pengotor bervalensi tiga seperti B. Al atau Ga (akseptor elektron) ke dalam semikonduktor intrinsik (Si) menghasilkan defesiensi elektron valensi yang disebut ‘lubang’ (bermuatan positif) Defesiensi elektron atau lubang tersebut berada pada tingkat fermi. sehingga aliran elektron dapat mencapai pita konduksi 19 . Elektron pada pita valensi akan mengisi rongga tersebut.

Kekosongannya digantikan oleh elektron dari pita valensi. Akibatnya konduktifitas semikonduktor instrinsik bertambah. As atau P menyumbangkan elektron bebas (donor free elektron).Semikonduktor Tipe n    Semikonduktor tipe n diperoleh dengan cara mendoping atomatom bervalensi lebih tinggi ke dalam semikonduktor. Penambahan pengotor bervalensi lima seperti Sb. Elektron bebas itu berada pada tingkat fermi dan dapat masuk ke pita konduksi. sehingga terjadi aliran elektron. 20 .

21 .

maka terjadi semiconductor tipe-n. karena arus listrik dibawa oleh elektron Jika silikon didoping oleh boron. maka terjadi semikonduktor jenis p. karena arus listrik dibawa oleh rongga bermuatan positif 22 .Efek Doping Silikon Oleh Posfor dan Boron Jika silikon didoping oleh Fosfor.

Rectifier adalah alat yang dapat mengalirkan arus listrik ke satu arah. Semikonduktor seperti itu dapat dibentuk langsung pada chip silikon dan banyak digunakan pada peralatan seperti komputer dan kalkulator Penggabungan semikonduktor tipe p dengan tipe-n menghasilkan gabungan p-n yang berfungsi sebagai rectifier. namun tidak ke arah sebaliknya 23 .Penggunaan Semikonduktor     Transistor dibuat dari semikonduktor jenis n dan p.

24 .Gabungan p-n sebagai suatu rectifier.

Batere silikon bertenaga sel surya atau solar sel adalah semikonduktor jenis p dan n yang ditumpuk bersama-sama. 25 . Elektron-elektron yang mengabsorpsi energi surya dapat bergerak melalui sambungan p-n sehingga menghasilkan arus listrik yang melalui kawat penghantar ((label “+” dan “-”).

Sel Photovoltaic 26 .

2. 3. Pengotoran : Adanya ion atau atom asing di dalam bagian kisi.Kerusakan/Cacat Kisi (Lattice Defects)    Kerusakan/cacat kisi adalah penyimpangan kristal zat padat dari kisi sempurna Cacat kisi berpengaruh terhadap konduktivitas zat Cacat kisi dapat terjadi akibat : 1. Frenkel defect: Adanya atom atau ion dalam ruang atau celah di antara bagian-bagian kisi (intersisi) akibat bermigrasi ke posisi tidak normal. Schottky defects: Adanya bagian kisi yang tidak diisi atau dihuni. Pengotoran dapat disengaja karena doping 27 .

Kerusakan Schottky Kerusakan Frenkel 28 .

Nama yang diberikan untuk zat padat bersifat demikian adalah : -Elektrolit padat (solid elektrolytes) -Fast Ion conductor -Superionic conductor 29 . Hampir semua elektrolit adalah larutan atau lelehan garam.Pengaruh kerusakan kisi terhadap konduktivitas zat padat Elektrolit – suatu substansi yang menghantarkan listrik melalui gerakan ion. tetapi beberapa elektrolit berupa zat padat dan zat padat kristalin.

Cacat Kristal (Defects) Konduktivitas ionik hanya dapat terjadi jika ada cacat kristal. Kerusakan Schottky Kerusakan Frenkel 30 . Dua jenis cacat (defect) adalah Schottky defect dan Frenkel defect.

Konduktivitas Ionik vs. Elektronik Marilah kita bandingkan sifat-sifat konduktor ion dengan konduktifitas elektronik pada logam Logam Rentang konduktivitas = 10 S/cm < σ < 105 S/cm Electron-elektron yang membawa arus listrik  Solid Electrolytes Rentang konduktivitas = 10-3 S/cm < σ < 10 S/cm Ion-ion yang membawa arus listrik  31 .

Migrasi Ion pada Schottky Defects Na Cl Cl Na Cl Na Cl 32 .

Ag Cl Ag1 Cl Ag Cl Ag Cl Cl Ag2 Ag Ag Cl Cl Ag Ag Ag Cl Ag1 Cl Ag Cl Cl Ag2 Ag Cl Direct Interstitial Jump Ag Cl Ag1 Cl Ag Cl Ag2 Ag Cl Ag Ag Cl Cl Ag Cl Cl Cl Ag Ag Ag2 Ag1 Ag 33 Cl Cl Ag Cl Interstitialcy Mechanism .Migrasi ion pada Frenkel Defect Frenkel defects pada AgCl dapat berpindah melalui dua mekanisme.

→ Useful elektrokimia.Penerapan Konduktor Ionik Ada sejumlah aplikasi praktis dari konduktor ionik yang semuanya berdasarkan sele. konduktor ionik diperlukan untuk elektrolit atau elektrode atau Anode untuk kedua-duanya. Cathode 34 . antara lain : Power Batere Sel Bahan Bakar Electrolyte Pada sel tersebut.

Diagram Sel Bahan bakar oksida padat 35 .

ulang Li 36 .

…) -x -y    Konduktor ion F.:  PbF2 & AF2 (A = Ba. Sr. La 2 2 5 1 CaxMnO3 .: Kristal kubus ZrO2 (YxZr1-x O2-x/2 . Ca) 37 . LiNiO2  LiMnO 2   Konduktor ion Li+ : Konduktor ion O2. CaxZr1-x O2-x )  δ -Bi O 2 3  Perovskites (Ba In O .Contoh Elektrolit Padat  Konduktor ion Ag+:  AgI & RbAg4I5  Konduktor ion Na+ :  natrium β -Alumina (contoh : NaAl11 O17 . Na2Al16 O25 )  NASICON (Na Zr PSi O ) 3 2 2 1 2 LiCoO2.

You're Reading a Free Preview

Mengunduh
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->