Anda di halaman 1dari 14

Transistor pertemuan dwikutub

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Transistor pertemuan dwikutub Transistor pertemuan


dwikutub (BJT) adalah salah
satu jenis dari transistor. Ini
adalah peranti tiga-saluran yang
terbuat dari bahan semikonduktor
terkotori. Dinamai dwikutub
karena operasinya menyertakan

Simbol baik elektron maupun lubang


elektron, berlawanan dengan
transistor ekakutub seperti FET
yang hanya menggunakan salah
Tipe Komponen aktif
satu pembawa. Walaupun
Kategori Transistor
John Bardeen, Walter Houser Brattain dan sebagian kecil dari arus transistor
Penemu
William Shockley (Desember 1947) adalah pembawa mayoritas,
Pembuatan
Laboratorium Telepon Bell hampir semua arus transistor
pertama
Komponen adalah dikarenakan pembawa
FET
sejenis minoritas, sehingga BJT
Kemasan 3 kaki (basis, kolektor, emitor)
Kotak ini: lihat • bicara diklasifikasikan sebagai peranti
pembawa-minoritas.

1
Perkenalan

NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur

Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua dioda adu punggung tunggal anoda. Pada
penggunaan biasa, pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basis-
kolektor dipanjar mundur. Dalam transistor NPN, sebagai contoh, jika tegangan positif
dikenakan pada pertemuan basis-emitor, keseimbangan diantara pembawa terbangkitkan
kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang,
memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Elektron tersebut
mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor
menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. Elektron pada basis dinamakan pembawa
minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa
mayoritas pada basis. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis, sehingga pembawa
tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa
minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali
sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Untuk memastikannya, ketebalan basis
dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. Pertemuan kolektor-basis
dipanjar terbalik, jadi sedikit sekali injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis,
tetapi elektron yang menyebar melalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor
oleh medan pada pertemuan kolektor-basis

Pengendalian tegangan, arus dan muatan

2
Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus)
atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). Pandangan tersebut berhubungan dengan
hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor, yang mana hanya merupakan kurva
arus-tegangan eksponensial biasa dari dioda pertemuan p-n.[1] Penjelasan fisika untuk
arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis.[1][2][3] Model
mendetail dari kerja transistor, model Gummel–Poon, menghitung distribusi dari muatan
tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat.[4]
Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto, dimana
pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton, dan menangani
pematian dinamik atau waktu pulih, yang mana bergantung pada penggabungan kembali
muatan di daerah basis. Walaupun begitu, karena muatan basis bukanlah isyarat yang
dapat diukur pada saluran, pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan
pada desain dan analisis sirkuit. Pada desain sirkuit analog, pandangan kendali arus
sering digunakan karena ini hampir linier. Arus kolektor kira-kira βF kali lipat dari arus
basis. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan
emitor-basis kira-kira tetap, dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis.
Walaupun begitu, untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan,
diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model Ebers–Moll)[1]. Model
kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan, tetapi
jika ini dilinierkan, transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi, seperti
pada model Ebers–Moll, desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial menjadi masalah
linier, jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. Untuk sirkuit translinier,
dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi, transistor biasanya dimodelkan
sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor.

Tundaan penghidupan, pematian dan penyimpanan

3
Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan dan
dimatikan. Hampir semua transistor, terutama transistor daya, mengalami waktu simpan
basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pensakelaran.
Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan
penggenggam Baker.

Parameter alfa (α) dan beta (β) transistor

Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran
dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada
daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis
daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Penguatan arus moda tunggal
emitor diwakili oleh βF atau hfe, ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor
dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk
transistor isyarat kecil, tapi bisa sangat rendah, terutama pada transistor yang didesain
untuk penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggal-
basis, αF. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke
kolektor dalam daerah aktif-maju. Perbandingan ini biasanya mendekati satu, diantara 0,9
dan 0,998. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor
NPN):

Struktur

4
Irisan transistor NPN yang disederhanakan

Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34, basis dan emitor disambungkan
melalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda
pengotorannya, yaitu daerah emitor, daerah basis dan daerah kolektor. Daerah-daerah
tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n
pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga
dinamai emitor (E), basis (B) dan kolektor (C). Basis secara fisik terletak diantara emitor
dan kolektor, dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi.
Kolektor mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungkin untuk
mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri,
membuat harga α sangat dekat ke satu, dan juga memberikan β yang lebih besar. Irisan
dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dari pertemuan
kolektor-basis. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor lainnya karena
biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor
dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada
moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktif-
maju, mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur
jauh lebih kecil dari harga operasi maju, seringkali α bahkan kurang dari 0.5. Buruknya
simetrisitas terutama dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor.
Emitor dikotori berat, sedangkan kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan

5
panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-
basis dipanjar terbalik pada operasi normal. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk
memperbesar efisiensi injeksi, yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan
oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang tinggi,
hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari
emitor. Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-
emitor menyebabkan arus yang mengalir diantara emitor dan kolektor untuk berubah
dengan signifikan. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus
masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan, lebih sederhana
dianggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus, dikarenakan rendahnya
impedansi pada basis. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir
semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium
arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.

NPN

Simbol NPN BJT.

Struktur dasar transistor NPN

6
NPN adalah satu dari dua tipe BJT, dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa
muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang
digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh
lebih tinggi daripada pergerakan lubang, memungkinkan operasi arus besar dan
kecepatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p diantara dua
lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di
keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih
tinggi daripada emitor. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan
menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar maju).

PNP

Jenis lain dari BJT adalah PNP.

Simbol PNP BJT.

Struktur dasar transistor PNP

7
Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n diantara dua lapis semikonduktor
tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada
keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah
daripada emitor. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk
kedalam.

Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis

Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. Penghalang menunjukkan elektron


untuk bergerak dari emitor ke basis, dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke
emitor. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan
BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus
GHz. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat, terutama sistem RF.[5][6]
Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap
unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih
besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang
lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp), dan
penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). Susunan penghalang ini
membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitor-
basis dipanjar terbalik, dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan
efisiensi injeksi emitor. Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki
memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan resistansi yang lebih
rendah untuk mengakses elektroda basis. Dalam BJT tradisional, atau BJT pertemuan-
sejenis, efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh
perbandingan pengotoran diantaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori
ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi, membuat resistansioya relatif
tinggi. Sebagai tambahan, pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki

8
karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit. Pembedaan
tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara
progresif pada transistor SiGe, menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral
(ditunjukkan sebagai ΔφG), memberikan medan terpatri didalam yang membantu
pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan
sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu
pemindahan melewati basis. Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-
germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan
untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi, seperti
epitaksi fasa uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler.

Daerah operasi

Batas operasi aman transistor, biru: batas IC maksimum, merah: batas VCE maksimum,
ungu: batas daya maksimum

Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan
oleh panjar yang diberikan:

• Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan
basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk
mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (βF) dalam moda aktif-
maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa
kali lipat lebih besar dari arus basis.
• Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran
pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada

9
moda ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT
didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal, βF pada moda
terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor ini jarang digunakan,
dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis
logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih
rendah pada moda ini.
• Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan
memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini
berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup.
• Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh
(semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan
demikian berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.
• Tembusan bandang

Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup
besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil
(kurang dari beberapa ratus milivolt).

Transistor dalam moda aktif-maju

Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju

Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber


tegangan. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E, VBE harus
diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. Tegangan potong
biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang, tetapi ini juga bisa
berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. Tegangan yang

10
dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan
memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada moda aktif, medan listrik yang
terdapat diantara basis dan kolektor (disebabkan oleh VCE) akan menyebabkan mayoritas
elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk
membentuk arus kolektor IC. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang
yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui
sambungan basis untuk membentuk arus basis, IB. Seperti yang diperlihatkan pada
diagram, arus emitor IE, adalah arus transistor total, yang merupakan penjumlahan arus
saluran lainnya (IE = IB + IC). Pada diagram, tanda panah menunjukkan arah dari arus
konvensional, aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada moda aktif,
perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan
arus DC. Pada perhitungan, harga dari penguatan arus DC disebut dengan hFE, dan harga
penguatan arus AC disebut dengan hfe. Walaupun begitu, ketika cakupan frekuensi tidak
diperhitungkan, simbol β sering digunakan. Perlu diperhatikan bahwa arus emitor
berhubungan dengan VBE secara eksponensial. Pada suhu ruang, peningkatan VBE sebesar
kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. Kerena arus
basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor, ini juga berubah dengan
fungsi yang sama. Untuk transistor PNP, secara umum cara kerjanya adalah sama,
kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan
mayoritas adalah lubang elektron.

Transistor PNP dalam moda aktif-maju

Transistor PNP moda aktif

Sejarah

11
Transistor pertama

Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Telephone


Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley.
Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. Setelah menjadi peranti pilihan untuk
berbagai rangkaian, sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET, baik
pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET).

Transistor germanium

Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. Karena
transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah, membuatnya cocok untuk
beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Transistor ini memiliki kemungkinan
lebih besar untuk mengalami thermal runaway

Teknik produksi

Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan

• Transistor pertemuan tumbuh, teknik pertama untuk memproduksi transistor


pertemuan dwikutub[10]. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23
Juni 1948[11]. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948.
• Transistor pertemuan, butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis.
Dikembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951.

12
o Transistor paduan mikro, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan
paduan. Dikembangkan oleh Philco[13].
o Transistor paduan mikro terdifusi, tipe kecepatan tinggi dari transistor
pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco.
o Transistor paduan terdifusi tonggak, tipe kecepatan tinggi dari transistor
pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philips.
• Transistor tetroda, varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14]
atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis.
• Transistor penghalang permukaan, transistor penghalang logam kecepatan tinggi.
Dikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17].
• Transistor medan-alir, transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi.
Diciptakan oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications
Technology of the German Postal Service pada tahun 1953.
• Transistor difusi, transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototip[20]
dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954.
o Transistor basis terdifusi, implementasi pertama dari transistor difusi.
o Transistor Mesa, dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957.
o Transistor planar, teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit
terpadu monolitik secara masal. Dikembangkan oleh Dr. Jean Hoerni[21] di
Fairchild Semiconductor pada tahun 1959.
• Transistor epitaksial[22], transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan
deposisi fasa uap epitaksi. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan
gradien secara teliti.

Penggunaan

BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit,
karena tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi
kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. BJT juga dipilih untuk sirkuit
analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit
frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan

13
MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk
membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor.

Sensor suhu

Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor
yang dapat dihitung, sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan
menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan
perbandingan yang diketahui.[23].

Pengubah logaritmik

Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor
dan kolektor-emitor, sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan
anti-logaritma. Sebuah dioda sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini, tetapi
transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar.

Kerawanan

Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. Radiasi menyebabkan


penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan
kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor
kehilangan penguatan.

BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder.
Pada moda kegagalan ini, beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas
dikarenakan arus yang mengalirinya. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa
lebih mudah bergerak. Sebagai hasilnya, bagian terpanas dari kepingan semikonduktor
menghantarkan lebih banyak lagi arus. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga
transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan.

14