Anda di halaman 1dari 23

DIODA

Dioda adalah komponen kutub dua (Anoda dan Katoda) yang dibentuk dari hubungan bahan
semikonduktor tipe-p dan tipe-n (p-n juntion).

1. Konstruksi Dioda
 Dioda dibangun dari bahan semikonduktor tipe-n dan tipe-p yang dihubungkan
menjadi satu
 Hubungan p-n (p-n junction) merupakan dasar dari semua komponen elektronika
semikonduktor.

Tipe-p Tipe-n

- - - - + + + +
N

P - - - - + + + +
- - - - + + + +

Gambar (1) Gambar (2)

1.1 P-N Junction tanpa external bias


Tipe-p : konsentrasi hole > konsenterasi elektron (e-)
Tipe-n : konsentrasi elektron > konsentrasi hole
Hole dan elektron merupakan pembawa muatan yang akan berdifusi ke daerah yang
mempunyai konsentrasi rendah dan berkombinasi satu dengan yang lain,
 e- di tipe-n akan berdifusi ke daerah p → lalu berkombinasi dengan hole
 hole di tipe-p akan berdifusi ke daerah n
akibatnya:
e- bebas bergerak melalui junction untuk menghasilkan ion-ion negatif pada daerah p dan juga
ion-ion positif pada daerah n, antara ion positif dan negatif pada lapisan deplesi (lapisan
kosong) → timbul medan listrik → menghambat berlanjutnya proses difusi pembawa muatan.
Medan listrik tersebut disebut “barrier potential”

Elektronika 1
Pada temperatur kamar, besar potential untuk junction Ge adalah 0.3V dan Si adalah 0.7V.
Proses difusi terhenti bila konsentrasi pembawa muatan telah seimbang.

Kesimpulan : Tidak ada arus yang mengalir pada p-n junction tanpa external bias (prategangan
luar).
Tipe-p Tipe-n Daerah Netral Medan Listrik Daerah Netral

- - - + + + - - - - + + + +
- - - + + + - - - - + + + +
- - - + + + - - - - + + + +
I=0
I=0
p n p n
Tanpa
Eksternal Bias Lapisan Deplesi

(a) (b)

Gambar (3) (a). Difusi Pembawa Muatan Melalui Junction


(b). Setelah Difusi

1.2 Reverse Bias (Prategangan mundur) pada p-n Junction

Id = 0
Daerah deplesi
Is ≠ 0

Is = Arus oleh pembawa


- - - - + + + +
muatan minoritas
- - - - + + + +
Is
- - - - + + + + Is

Tipe-p External bias Tipe-n

Gambar (4)

 Ciri : - tipe p dihubungkan dengan negatif sumber


- tipe n dihubungkan dengan positif sumber
akibat :
 e- akan tertarik menuju terminal positif
 hole akan tertarik menuju terminal negatif
 zone depletion menjadi lebar
 potential barrier naik
maka tidak ada pembawa muatan mayoritas yang dapat melewati junction → I = 0 ;
kecuali pembawa minoritas yang berada dekat junction (Is ≠ 0)

Elektronika 2
Is = arus reverse saturasi (reverse saturation current)
Sifat Is:
 Disebabkan oleh pembawa muatan minoritas
 Besarnya relatif konstan → tidak terpengaruh oleh kenaikan tegangan reverse
bias.
 Is umumnya kecil → Si : (Is < 1μA)
→ Ge : (Is  10μA)

1.3 Forward Bias (Prategangan maju) pada p-n Junction

I mayority
Daerah deplesi Is

Id = If
- - - - + + + + = I mayority – Is
- - - - + + + + I may >> Is, maka
Is
- - - - + + + + Is
Id = If  Imayority

Tipe-p External bias Tipe-n

Gambar (5)

Ciri-ciri :
 Tipe p dihubungkan ke terminal positif sumber
 Tipe n dihubungkan ke terminal negatif sumber
akibat :
 Hole di daerah p akan ditolak oleh terminal positif akan ditarik oleh terminal
negatif melalui junction.
 Elektron di daerah n akan ditolak oleh terminal negatif dan ditarik oleh terminal
positif melalui junction.
 Zone depletion menyempit
 Potential barrier turun
maka :
 Pembawa muatan mayorits akan mudah melewati junction, Id ≠ 0
 Makin besar tegangan bias → Id makin besar

Elektronika 3
kV kV
If  Id  Is ( Exp )  Is  If  Is ( Exp 1)
T T

I mayority

If = Arus forward V = tegangan p-n junction


Is = Arus reverse saturasi T = temperatur (o K)
11600
k = 
→  = 1 untuk Ge
 = 2 untuk Si

Model persamaan yang lain:

If  Id  Is (ε V ηVT  1)
T
VT 
11600
Pada temperatur ruang T= 300 K  VT = 0.026 V = 26 mV

If  Id  Is (ε e V η k T  1)
 = eksponensial
e = muatan elektron = 1.602 x 10-19 Coulomb
k = konstanta Boltzman = 8,64x10-5 (eV/oK)
T = temperatur absolut (oK)

2. Simbol dan karakteristik dioda ideal

Simbol Karakteristik Analisa

Short circuit
+ Id A K A to K

Vd Id ISC
A + - K - + Vd
0
Open circuit
A K A K
Id Daerah
Reverse bias
Id Id = 0

Gambar (6)

Elektronika 4
Dari karakteristik dioda terlihat bahwa:
a. Bila Anoda lebih positif dari katoda ( VA > VK)
 Dioda dimodelkan sebagai saklar tertutup
 Tegangan jatuh pada dioda (Vd) sama dengan nol untuk setiap harga arus Id
 Keadaan ini dikatakan dioda mendapat forward bias atau forward conducting mode.
Vf 0
Keadaan forward : Rf    0Ω
If untuk setiap Id positif

Rf = Resistansi dioda saat forward


Vf = Tegangan (Vd) saat forward
If = Arus dioda (Id) saat forward
b. Bila Anoda lebih negatif dari katoda ( VA < VK)
 Dioda dimodelkan sebagai saklar terbuka
 Tidak ada arus yang mengalir pada dioda untuk setiap harga tegangan Vd
 Keadaan ini dikatakan dioda mendapatkan reverse bias atau reverse blocking mode
Vr  5,  20 ,...
Keadaan Reverse : Rr   atau berapapun tegangan reverse
Ir 0
=  (tak berhingga)
Rr, Vr dan Ir adalah resistansi, tegangan dan arus dioda saat reverse bias.

2.1 Karakteristik Dioda


Arus forward
Id(mA)
70
Typical Si (T = 25° C
60

50
Id = Is (Exp kV - 1)
T
40

30
Daerah
20 forward bias

10
VBR
Tegangan Vd(Volt)
reverse -40 -30 -20 -10 0 0.5 0.7 1 Tegangan forward
1µA
2µA
VThreshold
3µA
Daerah reverse bias
4µA

Arus
reverse (IR)

Gambar (7)

Elektronika 5
VBR = reverse break down voltage
BR terjadi bila tegangan reverse bias dinaikkan hingga pada suatu harga tertentu, sejumlah
besar pembawa muatan yang ada di atom-atom pada daerah deplesi melepaskan diri.
Penyebabnya : medan listrik dari potential barrier yang besar.

VT = Threshold Voltage adalah tegangan forward dioda saat kurva karakteristik berubah
mendekati linier secara tajam → istilah lainnya adalah V F (forward voltage) atau tegangan
lutut (knee voltage VK).
Untuk : Si → VT = 0.7 Volt
Ge → VT = 0.3 Volt
Perbedaan ini disebabkan oleh nilai  yang berbeda.

3. Resistansi Dioda
3.1. Resistansi DC atau Resistansi Statis
Nilai resistansi dioda pada suatu titik operasi, disebut resistansi DC atau resistansi statis.
Arus forward
Id(mA)
70

60

50 VD
R DC  Ω
40 ID
30

20

10
4
Vd(Volt)
-30 -20 -10 0 0.4 0.6 0.8
1µA
2µA
3µA

Gambar (8)

Contoh : Hitung Resistansi dc untuk Vd dan Id seperti pada gambar (7)


VD 0
ID = 20 mA R DC    0Ω (Ideal)
ID 20mA
ID = 60 mA VD 0.8
R DC    13.33 Ω
VD = 0.8 V ID 60mA
ID = 4 mA VD 0.4
R DC    100 Ω
VD = 0.4 V ID 4 mA

Elektronika 6
Untuk tegangan reverse :
VD VR
IR = 0V R DC  RR     Ω  ideal
ID 0

IR = 3 A VD 10 V
R DC  RR    3.33 M Ω
VR = 10 V ID 3 μA

Dengan diketahuinya RDC → model dioda dapat diganti dengan elemen resistor
60 mA RDC = 13.33 Ω 60 mA 13.33 Ω
+ - + -

0.8 V 0.8 V
V V
R R

Gambar (9)

3.2. Resistansi AC atau Dynamic Resistance


Adalah resistansi dioda pada suatu daerah kerja yang titik kerjanya berubah-ubah (misalnya
karena input adalah sinyal AC)
Arus forward
Δ VD Id(mA)
R AC  R D  Ω 70
Δ ID
60
Δ Vd1
R AC1  R D1  50
Δ Id1
40 D Id1
Δ Vd 2
R D2  30
Δ Id 2
20

10
D Id2
Metoda lain : 4
ΔI Vd(Volt)
Kemiringan grafik = tan  = -30 -20 -10 0 0.4 0.6 0.8
ΔV 1µA
2µA
1 3µA
R AC  D Vd1
tanα
D Vd2

  
V
ΔI  k
 I  Is (e
T
 1 ) Gambar (10)
ΔV V V  
I k
  I  Is 
V T

Elektronika 7
dI k 11600
Umumnya I >> IS   I dengan k =  untuk Si :  = 1, maka k =
dV T 

11600
Pada temperatur ruang  T = TC + 273 O = 25 O + 273 O = 298 O
k 11600
  38.93
T 298
dI dV 0.026
 38.93I  
dV dI I
dV 26mV
rd    ….....................................1)
dI I d ( mA)

berlaku untuk Ge dan Si

Kenyataannya kurva karakteristik dioda tidak sepenuhnya linier

oleh karena itu perlu ada faktor koreksi pada nilai Rd


dV 26 mV
b) rd    rB  …………………..2)
dI I d (mA)

dimana rB adalah faktor koreksi yang besarnya 0.1


Garis linier
s/d 2 (untuk high power diode s/d low power diode)
RB << rd  Nilar rd yang digunakan umumnya
berdasarkan persamaan 1)

Gambar (11)

Resistansi AC rata-rata (rv)


rv didefinisikan sebagai resistansi yg didapat dari
garis lurus yang ditarik antar dua titik yang
diamati.
A Δ Vd
rv = Δ Id point to point

C ΔVAB
rΔV grs AB

Δ I AB
B
Δ VCD
rΔV grsCD

D Δ I CD

Gambar (12)

Elektronika 8
4. Kapasitor transisi dan kapasitor difusi

Perangkat elektronika umumnya sensitif terhadap frekuensi tinggi. Efek kapasitansi dapat
diabaikan untuk frekuensi rendah karena pada frekuensi rendah reaktansi kapasitif
1
Xc = sangat besar (open circuit), tidak demikian halnya untuk frekuensi tinggi.
2πf C
Efek kapasitor internal pada dioda ada 2 jenis :
CT = kapasitor transisi
adalah efek kapasitansi daerah deplesi (di junction) saat reverse bias
Cd = kapasitansi difusi
adalah kapasitansi di junction saat forward bias
Besarnya kapasitansi junction = kapasitansi plat sejajar
A
C= 
d
Cd atau CT

Dioda dengan efek kapasitor junctionnya 

5. Model rangkaian ekivalen dioda

V Resistansi
rangkaian

Gambar (13)

1) Lengkap ( ekivalen dioda terdiri dari VT, Rd


dan Switch sebagai model pengganti dioda ideal)

VT rav
D ideal VT

2) R rangkaian >> rav

VT D ideal VT

Elektronika 9
3) V >> VT dan R >> rV

D ideal

4) Model ekivalen dioda dengan kapasitor Junction


 Pemodelan saat kondisi Reverse Efek kapasitor internal
saat forward
CT

RR

 Pemodelan saat kondisi forward VT


Saat
Cd Reverse

VT rav
D ideal

6. Reverse Recovery Time (trr)

Adalah respon waktu yang diperlukan dioda untuk berubah dari tingkat konduksi (forward
bias) ke tingkat nonkonduksi (reverse bias).
Id

I forward Pergantian dari tingkat ON ke OFF t=t1


Warna biru (Respon yg diinginkan)

t1

Warna merah(Respon sebenarnya)

I reverse ts = storage time


tt = interval transition

ts tt

trr

Gambar (14)

Elektronika 10
Keterangan:
 Mula-mula dioda forward  If = f(t)
 Selanjutnya dioda menuju reverse  timbul Ireverse = f(t) yang arahnya berlawanan
dengan If sebagai reaksi gerakan pembawa muatan minoritas yang berlawanan arah untuk
selang waktu ts.
 Kemudian arus reverse akan berkurang sampai dioda mencapai tingkat non konduksi,
selang waktu yang dibutuhkannya adalah tt (waktu transisi)
trr = ts + tt  trr menjadi penting bila dioda diaplikasikan sebagai switch
berkecapatan tinggi (high speed switching)

7. Efek temperature pada dioda

Id (mA) 200oC 100oC 25oC -75oC

I sat 12

10

8
Untuk If
konstan
6

Vd (volt)
60 50 40 30 20 10 0.7
-1

-2
Untuk Vd
konstan
-3

μA

Gambar (15)
Dari kurva terlihat bahwa :
 Kenaikan temperatur  mempertajam kemiringan kurva
 mempercepat tercapainya arus saturasi
 Untuk Vd konstan  If naik jika temperature naik
If konstan  Vd turun jika temperature naik
 Koefisien temperatur untuk tegangan forward p-n junction adalah:
Si  -1.8mV/oC Ge  -2.02 mV/oC

Elektronika 11
8. Pembacaan Data Sheets dioda
Ada 2 bentuk penyajian data dioda yang dikeluarkan oleh pabrik :
a) Umum  hanya menyajikan data-data karakteristik utama saja
b) Spesifik (lengkap) meliputi :
 grafik karakteristik
 notasi/konfigurasi
 aplikasi, dll
Umumnya informasi yang diberikan meliputi :
1. Tegangan forward maksimum (Vf max)  pada arus dan temperatur tertentu
2. Arus forward maksimum (If max)  pada temperatur tertentu
3. Arus reverse maksimum (IR max)  pada temperatur tertentu
4. Breakdown voltage (VBR)  pada temperature tertentu
 Peak reverse voltage (PRV)
 Peak inverse voltage (PIV)
5. Kapasitansi junction maksimum
6. Maksimum trr
7. Temperature kerja maksimum
Contoh penggunaan data sheet, hitung disipasi daya dioda IN463, bila data-data yang
diperoleh adalah sbb:
Data Texas instrument inc : IN463, If max = 1mA pada Vf = 1Volt
Dari data tersebut maka disipasi daya pada dioda adalah
PDmax = VD ID = (1) (1x10-3) = 1mW

Contoh data spesifikasi dioda:


a) Umum
Tabel-1
Maximum IR
Forward Current 25 o C 150 o C
Device Type If (mA) Vf VBR V A V A
(V) (V)
IN463 1.0 1.0 200 175 0.5 175 30
IN462 5.0 1.0 70 60 0.5 60 30
IN459A 100.0 1.0 200 175 0.025 175 5
T151 200.0 1.0 20 10 1 _ _
b) Spesifik
Contoh:

Elektronika 12
Gambar (17a)

Elektronika 13
Gambar (17b)

9. Notasi (simbol) Dioda


Notasi yang umum digunakan adalah dengan memberikan tanda titik, garis atau huruf k untuk
menandakan katoda, seperti ditunjukkan pada gambar (17) dan (18)

Gambar (18a)

Elektronika 14
Gambar (18b)

10. Pemeriksaan kondisi dioda


Kondisi baik/rusak dioda dapat dengan mudah diperiksa dengan menggunakan ohm meter.
a) Positif (+) ohm meter di anoda dan negatif (-) ohm meter di katoda, menunjukkan
kondisi forward dioda maka ohm meter akan menunjukkan resistansi forward (
relative kecil)  idealnya 0 .
b) Positif (+) ohm meter di katoda dan negatif (-) ohm meter di anoda, menunjukkan
kondisi reverse dioda ( relative besar)  idealnya  .

Gambar (19) Pemeriksaan dioda dengan Ohm meter

11. Teknik pembuatan dioda


Ada beberapa tahap yang harus dilalui dalam fabrikasi dioda,
a. Pemurnian bahan semikonduktor  membuat bahan semikonduktor (Ge atau Si)
dengan tingkat kemurnian yang diinginkan misal 1:10 9 (1 atom impurity dalam 109 atom
Ge atau Si).

Elektronika 15
Bahan semikonduktor misal Ge (tingkat kemurnian rendah) diletakkan diatas Graphite 
dimasukkan kedalam tabung kaca hampa atau berisi gas, tetapi tidak menimbulkan reaksi
kimia (langkah diatas untuk mencegah kontaminasi).
 Satu set RF (radio frekuensi) induksi coil dililitkan pada tabung
 Sinyal RF pada coil  menimbulkan arus induksi pada partikel bermuatan (arus Eddy)
dalam bahan semikonduktor (Sc)
 Amplituda sinyal RF naik maka temperature naik, bahan Sc sekitar coil melebur 
partikel impurity akan bergerak ke stadium yang lebih cair dalam bahan Sc tersebut
 Dengan menggerakkan coil ke kanan  partikel impurity juga bergerak mengikuti
arah gerak coil  bagian Sc disebelah kiri yang berubah kembali menjadi padat akan
mempunyai tingkat kemurnian yang lebih tinggi
 Proses dilakukan berulang-ulang sampai tingkat kemurnian yang diinginkan tercapai
 Bagian yang tingkat kemurniannya rendah dapat dipisahkan melalui proses
pemotongan

Gambar (20) Metoda pemurnian bahan Semikonduktor

Elektronika 16
b. Pembentukan kristal tunggal tipe p atau n  menggunakan proses czochralski (floating
zone technique).
 Polikristal Ge atau Si dicairkan dengan RF induction coil
 Benih kristal (impurity) dicelupkan ke dalam cairan Ge atau Si  terbentuk hubungan
kisi-kisi struktur kristal tunggal Ge atau Si dengan impurity
1 2.54
 Struktur kristal tunggal ”seed”dipotong dengan ukuran inc (  cm ) 
100 100

1
kira-kira tebal kertas menggunakan kawat tungsten  0.001 inc.
5

Gambar (21) Pembentukan kristal tunggal (Seed)

c. Pembentukan dioda
Metoda yang digunakan adalah :
1) Grow junction (penumbuhan p-n junction)
 Type p dan type n disambung dengan bantuan tabung yang dapat mencairkan batas
(junction) antara kedua type tersebut sehingga terbentuk hubungan antar keduanya

Elektronika 17
2) Teknik Alloy (campuran)
 p-n junction terbentuk dengan cara melelehkan type p diatas kristal type n atau
sebaliknya
 Lalu masuk ke stadium pendinginan
3) Teknik difusi
 Kristal semikonduktor type n dipanaskan dalam tabung yang berisi uap impurity
tipe p (akseptor) maka beberapa atom akseptor akan didifusikan (diserap) kedalam
kristal type n
 Beberapa permukaan type n diberi pelindung agar penyerapan dilakukan oleh satu
permukaan tertentu saja
4) Epitaxial Growth
 Bahan type n dipasang konduktor metal dari material yang tidak sama dengan type
p maupun type n semikonduktor yang digunakan
 Teknik difusi pada permukaan tertentu diterapkan agar terbentuk p-n junction
 Tambahkan konektor metal pada anoda
5) Dioda hubung titik (point contact diode)
Umumnya digunakan pada frekuensi tinggi seperti pada mixer
 Dioda hubung titik dibuat dengan menghubungkan per-phospor bronze (sebagai
type p) ke kristal tipe n
 Arus listrik sesaat cukup besar dialirkan melalui per tersebut sehingga sejumlah
atom mengalir dari kawat ke type n dan terbentuk daerah p pada kristal tipe n

22-a. Grown Jonction diode 22-b. Alloy process diode

Elektronika 18
(1) (2)
22-c. Diffusion process diode
(1)Solid Diffusion , (2)Gaseous Diffusion

22-d. Epitaxially grown semiconductor diode

12. Diode Array


Adalah dioda-dioda yang disusun (dirangkai) dalam bentuk barisan dioda.
Dioda array ada yang dalam kemasan berbentuk IC.

23 a. Monolithic diode array

Elektronika 19
23 b. Monolithic diode array data sheet

Elektronika 20
13. Kegunaan Dioda

1. Sebagai penyearah
a. Penyearah ½ gelombang
b. Penyearah gelombang penuh

Vi

Vm
Vdc = 0.312 Vm VM >> VT

+
D
t
Vi R Vo
Vi
_
Vm

t Vi

+ Vm
D2 Vdc = 0.636 Vm
D1
_ Vo
+
Vi
R Vo t
D3
_

2. Clippers  Rangkaian untuk memotong / menghilangkan level amplitudo sinyal sesuai


dengan referensi dc yang diinginkan

Ada 2 jenis Clipper : 1. Seri clipper


2. Paralel clipper

Vo

Vo
V

V D + +
R
Vi t
R D
Vo
Vm t

V V

- -
t

Vo
R

+ V1
D1 D2

Vi t

V1 V2
_

V1 > V2 V2

Elektronika 21
3. Clampers  Rangkaian untuk memindahkan/menggeser level amplituda sinyal ke batas dc
yang diinginkan
Vi
+ C + + C +
V D

D R R
VO1 VO2
2V t Vi
T
V1 V2
-V _ _
_ _

VO1 VO2

V1 2V

t
0
2V V2
t

4. Komponen rangkaian logika


Contoh
a. OR gate b. AND gate

V1
D1
D1
V2 Vo
Vo
D2
D2
R
R

V1 V1
Vo Vo
V2 V2

5. Sebagai elemen switch

A K

VA > VK  Dioda ekivalen dengan switch tertutup

A K K
VA < VK  Switch terbuka A

Elektronika 22
6. Pengaman rangkaian terhadap arus feed back

Rangkaian Rangkaian
I EC IF EC

7. Detektor puncak (peak detector)


Contoh untuk detector selubung pada modulasi AM

Elektronika 23