FISICA IV ITM

PRACTICA UNO

ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE SEMICONDUCTORES

OBJETIVO:
Al terminar esta practica el alumno estará en condiciones de determinar las
características eléctricas de dispositivos electrónicos mediante el uso de manuales.

NOCIONES TEORICAS:

Los fabricantes proporcionan especificaciones y datos relativos a dispositivos

semiconductores, la información se presenta generalmente en dos formas: una es una
breve descripción del dispositivo al que permitirá en unas cuantas páginas, una rápida
de todos los dispositivos disponibles.

La otra es una revisión completa de un dispositivo, incluyendo gráficas, aplicaciones,

etc., que suelen aparecer en cantidad de forma separada, sin embargo hay ciertos
datos que siempre aparecen en cualquiera de los dos.

Las características principales que se deben tomar en cuenta son la IF máxima;

corriente permisible sentido directo, máxima tensión inversa de pico VPI en condición
de polarización inversa, corriente de fuga, temperatura de operación, rapidez de
conmutación, ruido, clasificación de sobre tensión y la respuesta en frecuencia, así
como la ganancia.

MATERIALES:
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Manuales del fabricante y de reemplazo

Dispositivos electrónicos

DESARROLLO

1. Identifica los siguientes dispositivos semiconductores que se te dan a

continuación mediante el uso de manuales de fabricante, anotando la
identificación, simbología y características eléctricas de cada uno de ellos, la
máxima temperatura de operación, su capacitancia, su IF máxima, Vf máxima,
VPL., etc .

2. Busca en el manual la hoja de datos para el transistor.

3. Comparara la hoja de datos del diodo con la del transistor, a simple vista podrás
notar que la hoja de datos del transistor promociona mas información técnica,
esto se debe a que el transistor es un componente mas complejo que el diodo, y
entre más complejo sea un elemento mas datos técnicos serán necesarios para
su utilización.

4. De la hoja de datos del transistor y del SRC anota la menos 6 características y

procede a investigare la importancia de dichos datos.
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CUESTIONARIO:

VF Max: Voltaje de tensión Vf: Max corriente de tensión máxima

IR Max: corriente inversa máxima Io: Corriente de salida
If: corriente de tensión IF: corriente de tensión Max (en algunos casos)

CONCLUSIONES:

La manera en la que se manejan los términos electrónicos depende en su totalidad de

la función que se realice con ellos. Y es de vital importancia determinar con porcentajes
acertados la manipulación de sus funciones, ya que de ello depende el éxito de
nuestros proyectos. Nuestra percepción debe ser axiomática y lógica al momento de
asignar la comprensión adecuada; de lo contrario podríamos obtener resultados no
deseados. Pero, lo que es vital, es conocer los términos que se manejan, así nuestro
entendimiento de la funcionalidad de cada dispositivo, se encarnará en nosotros
mediante costras de conocimientos que nos permitirán plasmar las mejores
manifestaciones de nuestra creatividad.
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PRACTICA DOS

VARIACION DE LA RESISTENCIA ELECTRICA DE UN

SEMICONDUCTOR POR EFECTO DE LA TEMPERATURA.

OBJETIVO:

El alumno comprobará el efecto que ocasiona la temperatura en los dispositivos

semiconductores.

NOCIONES TEORICAS

El germanio y el silicio son los materiales mas utilizados en la fabricación de

dispositivos semiconductores, Los átomos de Germanio o de Silicio al combinarse entre
sí forman una estructura geométrica bien definida, a este patrón se le conoce como
retículo cristalino. Cada átomo tetravalente de Germanio o de Silicio comparte sus
electrones de valencia por medio de enlaces covalentes, de tal manera que, ahora
cada átomo tiene 8 electrones en su capa de valencia, estos ocho electrones producen
producen ene le átomo cierto grado de estabilidad química y se puede decir que se
comporta como aislante a bajas temperaturas. La temperatura ambiente provoca el
rompimiento de enlaces covalentes, con lo que algunos electrones adquieren energía
suficiente para circular al azar en el cristal. La salida del electrón deja un vacío en la
órbita de valencia a este se le denomina hueco. Cuanta más alta sea la temperatura
ambiente mayor será la cantidad de electrones – huecos libres que se generen,
ocasionando que la resistencia eléctrica del semiconductor disminuya. Los diodos
presentan baja resistencia cuando se encuentran polarizados de manera directa, tal y
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como se indica en la figura a). Si la polarización es inversa presentan una alta

resistencia y suelen comportarse como un circuito abierto, hasta cierto voltaje inverso.
Ver figura b).

Materiales:
1 protoboard
1 fuente de CD variable
1 diodo de Si 1N400(01-05) D1
! resistencia R1 de alambre de 2k 1w
1 resistencia de carbón de 1k 1 w
2 multimetros
1 encendedor

PROCEDIMIENTO:
• Con el multimetro en su función ohmetro mide la resistencia de R1 tal y como se
muestra en la fig. 1a. R1= a temperatura ambiental 2.75 kΩ
• Utilizando el encendedor caliente R1 y procede a medir su resistencia tal y como
se muestra en la fig. R1 = expuesto al
incremento de la temperatura 2.79 kΩ

• Compare los resultados de los puntos 1 y 2, anota tus

conclusiones.
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Al aplicarle calor notamos que R1 aumenta su resistencia debido a la

condición con la que fue fabricado; soportar al paso de una cantidad
considerada de intensidad de corriente.
• Realiza el circuito de la fig. 2, aplica un voltaje constante de 5 Vcd; procede a
medir corriente en A1. I en A1= 37.3 mA
• Caliente ligeramente a R1 y observa la lectura en A1. Anota el valor de la corriente
de A1. A1= 37.6 mA
• Compara los resultados de los puntos 4 y 5, y saca tus conclusiones.
Es evidente el aumento de la intensidad de corriente al aplicarle
calor, pues es una energía que termina por aumentar la excitación de
los electrones y eso provoca también algunos desprendimientos de
electrones de valencia; esto también ayuda a la movilidad y flujo de
electrones.
• Realiza los pasos del 1 al
5 incluyendo R1 y D1 tal
como se indica en la fig. 3.
Recuerda que el diodo es
un elemento que presenta
dos polaridades. En esta
ocasión se trabajara con
polaridad directa.
• I en A1= 17.8mA (a temperatura ambiente)
• I en A1= 18.5mA (aplicando calor).
• Conclusiones:
Cuando se manejan los dos dispositivos se hace claro la
combinación de los fenómenos anteriores mencionados, Existe un
incremento en la intensidad de corriente que es mantenido a la vez
por la resistencia imitadora que actúa como soporte en el circuito.
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CUESTIONARIO:
1. ¿Cual es el coeficiente de temperatura que presenta el germanio y cual el del
silicio?
• Germanio 230C y silicio 270C
2. ¿que pasa con la resistencia eléctrica de un conductor cuando en este
aumenta la temperatura?
• Para un resistencia de alambre aumenta para una de carbón disminuye.
3. ¿como afecta la variación de temperatura ambiente en un dispositivo
fabricado a partir de semiconductores?
• Si pensamos en niveles de energía pues claro que al existir un flujo de
energía calorífica provoca una mayor conductividad, mientras que cuando
disminuye la temperatura un semiconductor que carece de un buen
dopado pues sufrirá de momentos circunstanciales en el que será un
aislante.
4. ¿cuales son los limites de temperatura dentro de los cuales se recomienda el
uso de dispositivos electrónicos y por qué?
• En el germanio de 230C y en el silicio de 270C; se recomienda este rango
pues en estos momentos el semiconductor será aprovechado al máximo,
se obtendrán resultados satisfactorios y que beneficien nuestro trabajo.
5. ¿como o por cuales medios logramos reducir la temperatura de trabajo en los
dispositivos electrónicos?
• Siempre nos debemos adecuar a las especificaciones del fabricante para
aprovechar al máximo el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y
así obtener resultados óptimos.
6. ¿Que diferencia presenta la resistencia de carbón al aplicarle temperatura
con respecto a la resistencia de alambre?
• Las resistencias de alambres deben cumplir la función de soportar un flujo
alto de corriente, mientras que las de carbón están hechas para flujos de
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corriente un tanto mínimas; sin embargo la mayor diferencia estriba en el

hecho de que las primeras al aplicarles calor aumenta la resistencia,
mientras que las segundas disminuyen su resistencia.
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PRACTICA TRES

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

OBJETIVO: El alumno comprobará el comportamiento y funcionamiento del diodo.

NOCIONES TEORICAS:

El diodo es un dispositivo que se fabrica con un material impurificado con exceso de

cargas negativas, o de electrones (tipo N), y un material con impurezas positivas (tipo
P) lo que causa una deficiencia de electrones. Los materiales de tipo P o N se producen
impurificando químicamente un material semiconductor como el de germanio o el silicio.
En la unión PN (consulte la figura 1) se
forma una región de vaciamiento de
cargas conocida barrera o colima de
potencial, en ella los electrones en
exceso se combinan con los huecos que
se encuentran en la vecindad inmediata
de la unión PN (pero no en todo el
diodo) formando así la región de
vaciamiento.

Cuando se aplica una fuente de potencia negativo al material N, el exceso de

electrones repelidos de este material encontrará una trayectoria sin obstáculos a través
de la unión PN (reduciendo la barrera de potencial), hacia el material tipo P y finalmente
hacia la terminal de potencial mas positivo de la fuente. Este unión esta polarizada
directamente (baja resistencia a c.d.), de modo que fluirá la máxima corriente a través
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del diodo.
Cuando se aplica una fuente de potencial positivo al material tipo N (consulte la figura
2), los electrones se alejan de la unión PN en dirección de la terminal positiva de la
fuente (aumentando la barrera de potencial). Las cargas positivas del material tipo P se
mueven hacia la terminal negativa de la fuente. Los electrones no pueden fluir
fácilmente a través del diodo, de la terminal negativa hacia la positiva de la fuente,
debido a la acción interna en el material PN y a la mayor barrera de potencial. Este
unión esta polarizada inversamente (alta resistencia a c.d.) y fluirá muy poca o ninguna
corriente a través del diodo.
En la condición de polarización directa, los electrones fluyen siempre en dirección
opuesta a la indicada por la flecha del símbolo esquemático del diodo.
El diodo semiconductor se usa principalmente como rectificador , pero tiene muchas
aplicaciones en circuitos de conmutación, detección y regulación. Al seleccionar un
diodo semiconductor, debe especificarse la máxima corriente permisible en sentido
directo (IF) en la condición de
polarización directa , así como la
máxima tensión inversa de pico (VPI) en
la condición de polarización inversa.
Otras características importantes son la
corriente de fuga, temperatura de
operación, rapidez de conmutación, ruido, clasificación de sobretensión y la respuesta
de frecuencia.
MATERIALES:
1 fuente de variable 0-20Vcd
1 diodo de Ge D1 1N4001
2 multimetros digitales
1 resistencia R1 de 270 ohm, 2W
1 resistencia R2 de 1k ohm, ½ W
4 cables caimán-caimán
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PROCEDIMIENTO:
Construya el circuito de la fig 3. Asegúrese
de que observa la polaridad adecuada en el
miliamperimetro y en el diodo. La terminal
común del multimetro debe ir conectada a la
terminal de la fuente de energía.

Partiendo de cero aumente la tensión de la fuente y mida la corriente, los incrementos

son de 0.1V. Observe el amperímetro y anote en la siguiente tabla.

Es 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 V

Is 0 0 0 0.1 0.1 0.7 1.3 1.8 2.5 3.1 mA

Haga una gráfica de los datos obtenidos en el punto 2. Trace una curva continua que
toque todos los puntos marcados y designe a RL=0
mA
3

1.5

0 0.5 1
En Volts
Gráfica del diodo en polarización directa.
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Vuelva a la tensión de fuente a cero e invierta las conexiones del diodo de silicio.
Aumenta la tensión de la fuente a 20 voltios. ¿Cuál es la magnitud de la corriente
cuando se polariza inversamente el diodo?
IR= 0 mA
vuelve a la tensión de la fuente a cero.
Construya el circuito de la figura 4 asegurándose la polaridad adecuada en el
multimetro, el miliamperimetro y el
diodo. Ahora mediremos la corriente de
ánodo en sentido directo en función de
la tensión de la fuente, con un carga de
270 ohm.

Es 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V
Is 3.1 6.9 10.9 14.4 18.1 21.9 25.5 29.2 30 36.6 mA

Vuelva la tensión de la fuente a cero.

Sustituya la resistencia de 270 ohm (R1) por la de 1K(R2). Repita el punto 6 y registre
los resultados obtenidos en la siguiente tabla:

Es 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V
Is 0.67 1.34 2 2.6 3.3 4 4.7 5.3 6 6.7 mA

Haga la representación gráfica de las curvas utilizando los datos recabados en los
puntos 6 y 7, en la gráfica de las 2 tablas anteriores. Cuando dibuje la curva del punto
8, solo podrá marcar 3 o 4 puntos. Basándose en estos puntos y en los datos de la
tabla anterior, deberá tener una buena idea de la curva resultante. Marque cada una de
ellas de acuerdo con el valor de su resistencia de carga, es decir RL=0, RL=270 ohm y
RL= 1K ohm
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Visualización por medio de un gráfico de los valores de la variable en términos de

voltaje y corriente.

Variación de la corriente
Compare las curvas obtenidas.
con RL= 270 ohm y 1k ohm
¿cual es la más lineal? 18
16
La roja, pues la resistencia de 1K 14
12
ohm.
10
Aproximadamente ¿a qué tensión mA 8
6
se considera que el diodo está 4
2
totalmente polarizado en sentido
0
directo? 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V
Volts
A 0.7 voltios para el silicio y 0.3
voltios para el germanio

CUESTIONARIO
1. ¿cuales son las dos características que determinan la máxima condición de un
diodo semiconductor?
• La intensidad de corriente máxima y el voltaje de pico máximo.
2. ¿que quiere decir polarización directa y polarización inversa?
• Son las dos distintas formas de conectar el diodo entre las terminales.
3. ¿Qué es lo que determina la operación o función de un dispositivo
semiconductor?
• Sus características en cuanto a dopaje, la capacidad que tengan apara
trabajar en diversos estados de temperatura, y del material semiconductor
con el cual estén hechos.
4. ¿puede un semiconductor soportar una sobrecarga de corriente?
• Si, siempre y cuando no sea una sobrecarga que rebase sus limites
especificados por el fabricante o que no sea de manera constante.
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PRACTICA 4

FUENTE REGULABLE

NOCIONES TEORICAS
Todos los equipos electrónicos requieren de un suministro de energía lo más estable
posible (Vcd) como la proporcionada por una pila seca. Las pilas secas tienen un
periodo de vida, es decir que al estar conectadas a un equipo estas poco a poco van
disminuyendo nivel de voltaje de salida, esto depende del tamaño de la pila (A/Hr) y de
la demanda de energía de la carga. Existiendo la necesidad de reemplazarla o
someterla a un proceso de recarga. La utilización de pilas en equipos electrónicos
resulta de manera casi inmediata antieconómica. Por medio de dispositivos eléctricos y
electrónicos se construyen circuitos o equipos que proporcionan un tipo de energía casi
con las mismas características a la de una pila, estas son conocidas como fuentes de
alimentación de c.a. a c.d..
Estas fuentes pueden ser simples o complejas, esto estará en función de la aplicación
para las cuales se requieran. Una fuente de alimentación de c.a. A c.d. básicamente
consiste en las siguientes etapas:
1. Transformador
2. Etapa de rectificación
3. Etapa de filtrado
4. Etapa de regulación

El zener es un tipo especial de diodo, está

fuertemente dopado y presenta una alta
resistencia inversa, su corriente inversa es
insignificante hasta que alcanza un cierto
valor de tensión inversa, donde la corriente
inversa aumenta rápidamente
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permaneciendo casi constante su voltaje inverso.

Si la tensión inversa alcanza un valor predeterminado por el fabricante, la corriente

aumenta rápidamente con solo una pequeña tensión inversa adicional, a esto se le
conoce como “efecto zener” o región de ruptura por avalancha. El zener es utilizado
como regulador de tensión, gracias a esta característica de mantener una tensión
constante a grandes variaciones de corriente. Se puede decir que la resistencia de este
dispositivo varia inversamente en función de la corriente.
El valor de la ruptura que registre un diodo zener puede controlarse a través de un
amplio rango durante su proceso de fabricación

MATERIALES
1 transformador con tap de central con salidas de 12v y 24v
1 diodo zener
1 resistencia de 22 ohm a 10W
1 resistencia de 10 ohm a 10W
2 diodos 1N4001
1 protoboard
2 multimetros digitales
6 cables caimán – caimán

Construir el siguiente circuito regulable.

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Lo que se desea es que el circuito nos entregue un voltaje cercano al de 6v

Para ello debemos tomar en cuenta algunos cálculos:
RL= 22ohm
VL=6V entonces: IL=VL/RL = 6/22= 0.2727 A
RS debe ser la mitad de RL por ello consideramos a RS como de 10 ohm
Entonces determinamos el voltaje que nos
proporciona nuestro circuito rectificador. Para ello
calculamos como sigue:
Vrms = Vp(0.7071)
Vcd= Vp(0.636)
procedemos a calcular Vp con Vp= Vrms/0.7071=
12/0.7071=16.97Vp
Hay que recordar que Vrms es un valor que nos Ilustración 1: El voltaje debe ser
medido del tap central a alguna de
proporciona el transformador al medir su voltaje entre la otras dos terminales, esto para
el tap central y alguna de sus terminales (visualizar evitar obtener voltajes altos que
puedan dañar nuestra practica.
figura 1).
Lo que necesitamos es saber cual es el valor de la corriente directa que nos
proporciona el circuito. Para ello
Vcd=Vp(0.636)= (16.97)(0.636)= 10.79Vcd
Este valor de 10.79Vcd es el que va entrar por Rs y con ello determinamos IS como
sigue:
RS=10ohm
Vs=10.79V
entonces: Is= Vs/Rs = 10.79/10=1.079A
Notemos que ahora ya tenemos dos intensidades de corriente. La
primera que nos determino el circuito en IL y la otra que es Is
Ahora como Is=Iz+IL debido a que existe un nudo cerca del zener,
Ilustración 2:
por lo tanto. Medición en
Iz= Is – IL nuestras terminales
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Iz= 1.079 – 0.2727 = 0.8062A

Ahora procedemos a realizar las mediciones correspondientes para determinar si

estamos en lo cierto:
Tenemos que el circuito nos entrega 7.18 v de salida como se muestra en la ilustración
2.
Analizando los distintos puntos en los que se debe hacer énfasis al momento de medir,
encontramos nuestro primer error al principio del circuito, justo en las terminales del
transformador.

El voltaje que nos entregaba el

transformador entre tap y una de
sus terminales era de 13.05 como
se nota en la ilustración 3.
Ello modificaba todo el
procedimiento anterior y por
consiguiente no manifestaba la
propia regulación de la intensidad
de corriente.
Sin embargo con el correcto zener Ilustración 3: La detección de errores clasifica
se pudo obtener la imagen que nuestro nivel de atención.
queríamos, en donde el zener modificaba la onda para otorgarnos una gráfica de cd.
(ver ilustración 4).
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Ilustración 4: Gráfica final observada en un

osciloscopio
Conclusiones: La manera en que se trabaja durante una practica debe ser concisa y
conceptual, recordar los puntos importantes en una clase para un practica es lo mejor.
En este caso seleccionamos mal el zener por lógica incorrecta y batallamos para que
nos diera la gráfica anterior. Pero un poco de astucia y de atención, logró que
finalmente demostramos que el zener es un semiconductor complejo.