Anda di halaman 1dari 47

P HYSICAL VAPOR D EPOSITION ( PVD )

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
2 D EPOSISI

 Deposisi adalah sebuah proses di mana gas


berubah menjadi padat (juga dikenal sebagai
desublimasi).

 Deposisi merupakan proses yang melepaskan


energi atau eksotermik saat berubah fasa.

 Proses Deposisi bisa diamati saat pembentukan


salju di awan.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


3 D EPOSISI U AP

 Deposisi Uap adalah proses yang digunakan


secara luas dalam semikonduktor dan
industri bioteknologi untuk menyimpan
lapisan tipis dari berbagai material untuk
memodifikasi permukaan suatu benda.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


4 J ENIS D EPOSISI U AP

 PVD ( Physics Vapor Deposition)


Lapisan dibentuk oleh atom yang secara langsung
dipindahkan dari sumber ke substrat pada saat
fase gas.

 CVD (Chemical Vapor Deposition)


Lapisan dibentuk dari reaksi kimia yang terjadi
pada permukaan substrat.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


5 J ENIS D EPOSISI U AP

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


6
P HYSICS VAPOR D EPOSITION
( PVD )

 Physics Vapour Deposition (PVD) adalah teknik


dasar pelapisan dengan cara penguapan, yang
melibatkan transfer material pada skala
atomik. PVD merupakan proses alternatif dari
elektroplating.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


7 C ARA K ERJA PVD

Proses PVD terjadi pada kondisi vakum.


Proses PVD meliputi :
1. Evaporasi
2. Transportasi
3. Reaksi
4. Deposisi

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


8 E VAPORASI

 Pada tahap ini, sebuah target yang


mengandung material yang ingin
diendapkan, dibombardir menjadi bagian-
bagian kecil akibat sumber energi yang tinggi
seperti penembakan sinar elektron. Atom–
atom yang keluar tersebut akhirnya
menguap.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


9 T RANSPORTASI

 Proses ini secara sederhana merupakan


pergerakan atom-atom yang menguap dari
target menuju substrat yang ingin dilapisi
dan secara umum bergerak lurus.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


10 R EAKSI

 Pada beberapa kasus, pelapisan mengandung


logam Oksida, Nitrida, Karbida dan material
sejenisnya. Atom dari logam akan bereaksi
dengan gas tertentu selama proses perpindahan
atom. Untuk permasalahan di atas, gas reaktif
yang mungkin adalah Oksigen, Nitrogen dan
Metana.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


11 D EPOSISI

 Merupakan proses terjadinya pelapisan pada


permukaan substrat.
 Beberapa reaksi terjadi antara logam target
dan gas reaktif mungkin juga terjadi pada
permukaan substrat yang terjadi serempak
dengan proses deposisi.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


12
K RITERIA P EMILIHAN
P ROSES PVD
 Jenis material yang akan diendapkan

 Tingkat pengendapan

 Keterbatasan yang dimiliki oleh substrat, seperti


temperatur deposisi maksimum, ukuran dan bentuk.

 Adhesi dari deposisi ke substrat.

 Kekuatan lompatan (tingkat dan distribusi ketebalan


proses deposisi, contohnya semakin tinggi kekuatan
lompatan, semakin baik kemampuan proses untuk
melapisi benda-benda yang berbentuk tidak beraturan
dengan ketebalan seragam).
TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011
13
K RITERIA P EMILIHAN
P ROSES PVD

 Kemurnian bahan pelapis


 Persyaratan peralatan dan ketersediaan
 Biaya
 Pertimbangan ekologi
 Kelimpahan bahan endapan

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


14 J ENIS J ENIS PVD

 Penguapan ( Evaporation )  Pemercikan ( Sputtering )

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


15 E VAPORASI

 Thermal Evaporation
 Electron Beam Evaporation

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


16 T HERMAL E VAPORATION

 Meletakkan material target


yang ingin diendapkan pada
sebuah kontainer.

 Panaskan kontainer tersebut


hingga suhu yang tinggi.

 Material target menguap

 Uap dari material target


tersebut bergerak dan
menempel pada permukaan
substrat.

 Uap pelapis mendingin dan


melekat di permukaan
substrat.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


17 T HERMAL E VAPORATION

Wafers

Aluminum
Charge Aluminum Vapor

10-6 Torr

To Pump High Current Source


1 Torr = 133.322 Pa = 1 mmHg
TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011
18 T HERMAL E VAPORATOR

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


19 T HERMAL E VAPORATION

Foil Dimple Boat Alumina Coated


Foil Dimple Boat

Cr Coated Tungsten Rod

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


20
E LECTRON B EAM
E VAPORATION
 Teknik ini menyebabkan
penguapan dari material oleh
tembakan sinar elektron yang
dipusatkan pada permukaan
dari material. Uap dari
material tersebut akan terurai
dan akan menuju permukaan
dari substrat

 Dipanaskan pada tekanan uap


yang tinggi oleh penembakan
elektron pada keadaan vakum

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


21
E LECTRON B EAM
E VAPORATION

Wafers

Aluminum
Aluminum Vapor
Charge Electron
Beam
10-6 Torr

To Pump Power Supply


1 Torr = 133.322 Pa = 1 mmHg
TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011
22
E LECTRON B EAM
E VAPORATION

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


23 E-B EAM E VAPORATOR

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


24 E-B EAM E VAPORATOR

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


25
P ERBANDINGAN E VAPORASI
T HERMAL DAN E-B EAM
Evaporasi Material Jenis Evaporan Pengotor Range Biaya
Suhu

Thermal Logam atau Au, Ag, Al, Cr, Sn, Sb, Tinggi ~ 1800 0C Rendah
material Ge, In, Mg, Ga
dengan titik CdS, PbS, CdSe, NaCl,
lebur rendah KCl, AgCl, MgF2, CaF2,
PbCl2

E-Beam Logam dan Logam-logam di atas, Rendah ~ 3000 0C Mahal


Dielektrik ditambah :
Ni, Pt, Ir, Rh, Ti, V, Zr, W,
Ta, Mo
Al2O3, SiO, SiO2, SnO2,
TiO2, ZrO2

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


26
M ASALAH S TOIKIOMETRI
P ROSES E VAPORASI

 Beberapa senyawa material rusak pada


temperatur tinggi.

 Masing-masing komponen memiliki tekanan uap


yang berbeda-beda, sehingga laju deposisi yang
dihasilkan pada lapisan substrat berbeda dengan
sumber material.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


27
J ENIS -J ENIS WADAH
P ROSES E VAPORASI PVD

Logam Refraktori
Material Titik Lebur (0C) Suhu ketika Tekanan
Uap 10 mTorr (0C)
Tungsten (W) 3380 3230
Tantalum (Ta) 3000 3060
Molybdenum (Mo) 2630 2530
Keramik Refraktori
Karbon Grafit 3799 2600
Alumina (Al2O3) 2030 1900
Boron Nitrida (BN) 2500 1600

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


28 S PUTTERING

 Sputtering diperoleh
dengan melewatkan ion
inert (Ar+) menggunakan
arus DC atau RF di dalam
plasma melalui gradien
potensial untuk
menghancurkan
permukaan logam yang
ditargetkan.

 Lalu material target


tersebut terpercik dan
terdeposisi pada substrat
yang diletakkan di anoda.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


29 S PUTTERING

Ar+

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


30 DC D IODE S PUTTERING

 DC Diode sputtering, sering dikenal sebagai


cathode sputtering, terjadi sebagai hasil
sputtering dari elektrode negatif oleh gas ion
positif karena adanya beda potensial yang tinggi
antara 2 elektrode yang dipisahkan oleh gas pada
tekanan 1 – 10 Pa.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


31 DC D IODE S PUTTERING

-V

Target

Argon Plasma

Wafer Chuck

Metal film Wafer

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


32 C OLLIMATED S PUTTERING

 Digunakan untuk deposisi Ti dan TiN

 Collimator membuat atom logam atau molekul


untuk tetap bergerak pada arah vertikal

 Mencapai celah yang sempit di bawah / melalui


lubang

 Meningkatkan cakupan permukaan bawah

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


33 C OLLIMATED S PUTTERING

Magnets

Target

Plasma

Collimator

Film

Via holes

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


34
P ERBANDINGAN T HERMAL
E VAPORATION DAN S PUTTERING

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


35 E NDURA ® PVD S YSTEM

PVD
Target

PVD
Chamber
CVD
Chamber

---DERSUN---
36 K EGUNAAN P ELAPISAN PVD

Alasan utama penggunaan pelapisan PVD adalah


untuk:

 Meningkatkan kekerasan dan ketahanan


terhadap aus

 Mengurangi gesekan

 Meningkatkan ketahanan oksidasi

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


37 K EGUNAAN P ELAPISAN PVD

 Penggunaan pelapisan seperti ini bertujuan


meningkatkan efisiensi melalui kinerja yang
meningkat dan masa pemakaian komponen yang
lebih lama.

 Pelapisan ini juga memungkinkan komponen


yang dilapis untuk beroperasi pada lingkungan di
mana komponen yang tidak dilapis tidak bisa
bekerja.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


38 K EUNTUNGAN P ROSES PVD

 Material yang telah dilapisi memiliki sifat yang


lebih baik jika dibandingkan dengan material
sebelumnya.

 Prosesnya lebih ramah lingkungan daripada


proses electroplating.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


39 K ERUGIAN P ROSES PVD

 Sulit untuk medapatkan permukaan lapisan yang


seragam.

 Biaya produksi yang tinggi.

 Beberapa prosesnya beroperasi pada kondisi


vakum dan temperatur yang tinggi sehingga
memerlukan operator yang terampil.

 Prosesnya memerlukan panas dalam jumlah yang


besar dan sistem pendinginan yang tepat.

 Laju pengendapan pelapisannya biasanya lambat.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


40 T EKNIK P ENGUKURAN PVD

 Calo tester : pengujian ketebalan pelapisan

 Scratch tester : pengujian adhesi pelapisan

 Pin on disc tester: pengujian koefisien aus dan


gesekan

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


41 C ALO T ESTER

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


42 P IN O N D ISC T ESTER

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


43 S CRATCH T ESTER

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


44 A PLIKASI PVD

 Aerospace
 Otomotif
 Alat-alat medis
 Cetakan untuk pemrosesan material
 Alat pemotong
 Senjata api (Fire Arms)

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


45
P ERBANDINGAN
PVD DAN CVD

PVD CVD
Tidak ada reaksi kimia pada Terjadi reaksi kimia pada
permukaan. permukaan.
Kualitas lebih baik karena Selalu terdapat pengotor pada
lapisan yang dihasilkan lebih lapisan yang dihasilkan.
murni.
Konduktivitas lebih baik. Konduktivitas rendah.
Mudah untuk mengendapkan Sulit mengendapkan alloy.
alloy.

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


46 REFERENSI

 http://en.wikipedia.org/wiki/Deposition

 http://en.wikipedia.org/wiki/Deposition_physics

 http://en.wikipedia.org/wiki/Physical_vapor_deposition

 http://www.yieldengineering.com/default.asp?page=232

 http://www.azom.com/Details.asp?ArticleID=1558

 http://205.153.241.230/P2_Opportunity_Handbook/1_5.h
tml

Semua sumber diakses pada tanggal 30/10/2009

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011


47

TUGAS ELEKTROKIMIA 4/4/2011

Anda mungkin juga menyukai