TRANSISTOR

8 Maret 2011
 Definisi
• Transistor adalah komponen • Transistor dapat
elektronik yang memiliki tiga
sambungan: berfungsi semacam
– Kolektor’ kran listrik, dimana
– Basis
– Emitor berdasarkan arus
• Transistor adalah alat inputnya (BJT) atau
semikonduktor yang dipakai
sebagai:
tegangan inputnya
– penguat, (FET), memungkinkan
– sirkuit pemutus dan penyambung
(switching),
pengaliran listrik yang
– stabilisasi tegangan, sangat akurat dari
– modulasi sinyal
– osilator
sirkuit sumber
– Dll listriknya.
 Transistor NPN
• Arus kolektor Ic adalah arus yg
masuk ke dalam kolektor
• Arus basis IB adalah arus yg
masuk ke dalam basis
• Arus emitor Ie adalah arus yg
keluar dari emitor
• Voltase kolektor atau voltase
kolektor-emitor, Vce adalah
voltase antara kolektor dan
emitor
• Voltase basis atau voltase
basis-emitor, Vbe adalah
voltase antara basis dan emitor.
 Transistor PNP
• Untuk transitor PNP
semua arus dihitung
terbalik dan voltase-
voltase harus menjadi
terbalik, berarti Vbe dan
Vce menjadi negatif
atau menjadi Veb
(voltase emitor-basis)
dan Vec (voltase emitor
kolektor) seperti pada
gambar
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus
yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar
yang melalui 2 terminal lainnya.

Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier

(penguat).

Rangkaian analog: pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat

sinyal radio.

Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai

saklar berkecepatan tinggi.

Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga

berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen
lainnya.
 Cara kerja transistor
• Tipe-tipe transistor modern:
– bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan
– field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara
berbeda.
• Transistor bipolar : kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas
pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik.
• Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas
dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan
kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
• FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis
pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET).
• Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor
bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama).
 Jenis-jenis transistor
• Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan:
– Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
– Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic,
Surface Mount, IC, dan lain-lain
– Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,
VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari
transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
– Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
– Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High
Power
– Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency,
RF transistor, Microwave, dan lain-lain
– Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan
Tinggi, dan lain-lain
Bipolar Junction Transistor
(BJT)

8
Stuktur divais dan cara kerja fisik

Struktur yang Disederhanakan dan Mode Operasi

Gambar 1. Struktur sederhana transistor npn

Gambar 2. Struktur sederhana transistor pnp

9
Mode kerja BJT
Mode EBJ CBJ
Cutoff Reverse Reverse
Active Forward Reverse
Reverse Reverse Forward
Active
Saturation Forward Forward

Cara Kerja Transistor npn Pada Mode Aktif

10
Gambar 3: Aliran arus pada transistor npn pada mode aktif
Operasi transistor npn dalam mode aktif
• Yang akan diperhatikan hanya aliran arus difusi saja.
• Dalam keadaan forward bias pada emitter – base junction akan
menyebabkan arus mengalir melalui junction.
• Arus ini terdiri dari 2 komponen, yaitu: elektron yang diinjeksikan
dari emitter ke base, dan holes yang diinjeksikan dari base ke
emitter.
• Diinginkan: elektron dari emitter ke base mempunyai level lebih
tinggi daripada holes dari base ke emitter. Diperoleh dengan
membuat bagian emitter di-doped lebih banyak (mempunyai
konsentrasi elektron yang tinggi), dan bagian base di-doped lebih
sedikit (mempunyai konsentrasi holes yang rendah).
• Arus yang mengalir melalui emitter – base junction akan
membentuk arus emitter, (lihat gambar 3), yang terdiri dari arus
elektron dan arus holes. Di sini arus elektron lebih dominan dari
arus holes.
• Elektron yang diinjeksikan dari emitter ke base akan menjadi
pembawa minoritas di daerah base jenis p.
• Bagian base ini biasanya sangat tipis, sehingga pada keadaan
mantap konsentrasi minoritas (elektron) pada base mempunyai
profil garis lurus seperti pada gambar 4.
• Konsentrasi elektron tertinggi di sisi emitter (np(0)), dan yang
terendah (nol) di sisi collector.
• Pada keadaan forward bias pada sebuah pn-junction:

n p  0  n p 0 e vBE / VT (1)

np(0) = konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron) pada base

vBE = tegangan forward bias base-emitter
VT = tegangan termal → 25 mV pada suhu ruangan.

• Konsentrasi elektron menjadi nol pada sisi collector, karena

tegangan positif pada collector vCB menyebabkan elektron
pada sisi ini tersapu melalui daerah deplesi CBJ
Gambar 4: Profil pembawa muatan minioritas pada base dan emitter pada
transistor npn yang bekerja pada mode aktif.

13
Pengurangan pembawa muatan minoritas menyebabkan elektron
yang disuntikkan ke base akan merembas melalui base ke collector.
Arus elektron ini, In, sebanding dengan koefisien arah dari profil
konsentrasi
dnp (x)
In  AEqDn
dx (2)
 np (0) 
 AEqDn   
 W 

AE = luas penampang base-emitter junction

q = muatan elektron
Dn = kemampuan difusi elektron pada base
W = lebar efektif base

Tanda (–) menunjukkan bahwa arah arus In adalah dari kanan ke kiri
(arah x negatif).

14
• Beberapa elektron yang merembas ke daerah base akan menyatu
dengan holes yang merupakan pembawa mayoritas pada base.
• Karena base ini tipis, elektron yang hilang karena proses
rekombinasi akan sangat kecil.
• Pengurangan elektron ini yang menyebabkan profil konsentrasi
elektron pada base tidak merupakan garis lurus. (lihat garis terputus
pada gambar 4).

Arus collector
• Dari penjelasan sebelumnya, sebagian besar elektron yang
merembas akan mencapai batas daerah deplesi base – collector.
• Karena collector lebih positif dari base, elektron yang ini akan
tersapu melalui daerah deplesi CBJ ke collector.
• Elektron ini yang akan membentuk arus collector iC.
• Jadi iC = In
Dengan menggunakan persamaan (1) dan (2) diperoleh:
iC  I S e vBE / VT (3)
I S  AE qDn n p 0 W
n p 0  ni2 N A
AE qDn ni2
IS  (4)
N AW
ni = kerapatan pembawa instrinsik
NA = konsentrasi doping pada base

Perhatikan: arus iC tidak tergantung dari vCB.

Arus jenuh IS berbanding terbalik dengan lebar base W.

IS sebanding dengan luas penampang EBJ → scale current.
IS mempunyai harga antara 10-18 A sampai 10-12 A.
IS sebanding dengan ni2 yang merupakan fungsi suhu, kira-kira
menjadi dua kali setiap kenaikan suhu 5°C 16
Arus Base
Terdiri dari iB1 yang disebabkan oleh holes yang disuntikkan dari
base ke emitter dan iB2 yang disebabkan oleh holes yang dicatu dari
rangkaian luar untuk menggantikan holes yang hilang akibat proses
rekombinasi.
AE qD p ni2
iB1  e vBE / VT (5)
N D Lp
Dp = kemampuan difusi holes di emitter
Lp = panjang difusi holes di emitter
ND = konsentrasi doping di emitter
Qn
iB 2  (6)
b
τb = waktu rata-rata bagi sebuah elektron (minoritas) ber-rekombinasi dengan
sebuah holes (mayoritas) di base. (disebut minority-carrier lifetime)
Qn = muatan pembawa minoritas yang ber-rekombinasi dengan holes pada
waktu τb
17
Pada gambar (4) Qn digambarkan dengan luas segitiga di bawah
distribusi garis lurus pada base.

Qn  AE q  12 n p  0 W
AE qWni2 vBE / VT
Qn  e (7)
2N A
1 AE qWni2 vBE / VT
iB 2  e (8)
2 bNA
 D p N A W 1 W 2  v /V
iB  I S   e BE T (9)
D N L 
 n D p 2 Dn b 

18
Bandingkan pers. (3) dan (9), iB dapat dinyatakan sebagai bagian
dari iC
iC
iB  (10)

I 
iB   S e vBE / VT (11)
 
 Dp N A W 1 W 2 
  1   

(12)
 Dn N D L p 2 Dn b 

β adalah suatu konstanta untuk transistor tertentu.

Untuk transistor npn, harga β berkisar antara 50 – 200. Untuk divais
khusus β bisa mencapai 1000.
β disebut penguatan arus common-emitter.

β dipengaruhi oleh: lebar dari daerah base, W, dan perbandingan

doping daerah base dan daerah emitter (NA/ND).

19
Arus Emitter
iE  iC  iB (13)
 1
iE  iC (14)

  1 vBE / VT
iE  ISe (15)

iC  iE (16)

 (17)
 1
iE   I S   e vBE / VT (18)

 (19)
1
20
α≈1
Perubahan yang kecil pada α menyebabkan perubahan yang besar
pada β.
α disebut penguatan arus common-base.

Karena α dan β menunjukkan karakteristik transistor yang bekerja

pada mode ‘forward active’, kadang dituliskan sebagai αF dan βF.

21
Rekapitulasi dan Model Rangkaian Pengganti
• Tegangan forward bias vBE menyebabkan arus iC mengalir ke
collector mempunyai hubungan eksponensial.
• Arus iC tidak tergantung dari tegangan vCB selama CBJ reverse bias,
vCB ≥ 0
• Pada mode aktif, collector berkelakuan seperti sebuah sumber arus
ideal yang konstan di mana harga arus ditentukan oleh vBE.
• iB = 1/βF x iC
• iE = iB + iC
• Karena iB << iC → iE ≈ iC
• iE = αF x iC
• αF ≈ 1
 Model orde satu dari transistor pada mode aktif ditunjukkan pada
gambar 5(a) dan 5(b)

Gambar 5: Model rangkaian pengganti sinyal besar untuk BJT npn yang bekerja
pada mode forward active.

23
Struktur Transistor

Gambar 6. Tampak melintang sebuah BJT jenis npn

Collector mengelilingi emitter sehingga sulit untuk elektron yang

disuntikkan ke base yang tipis untuk tidak terkumpul pada collector
→ αF ≈ 1 dan βF besar.

Divais tidak simetris berarti jika collector dan emitter ditukar dan
transistor bekerja pada mode reverse active, α = αR dan β = βR yang
mempunyai harga yang berbeda dengan αF dan βF.

24
 Karena divais dirancang untuk bekerja optimum pada mode
forward active, αR << αF dan βR << βF.
αR berkisar antara 0,01 – 0, 5 dan βR berkisar antara 0,01 – 1.

Gambar 7: Model transistor npn yang bekerja pada mode reverse active.

25
Struktur pada gambar (6) terlihat bahwa CBJ mempunyai luas yang
lebih besar dari EBJ.

Pada gambar 7 dioda DC menunjukkan CBJ yang mempunyai arus

skala ISC >> arus skala ISE dari dioda DE. Kedua arus ini berbanding
lurus dengan luas junction

αFISE = αRISC = IS (20)

ISC yang besar mempunyai dampak bahwa untuk arus yang sama,
CBJ mempunyai penurunan tegangan yang lebih kecil jika di-bias
maju daripada penurunan tegangan maju pada EBJ, VBE.

26
Model Ebers-Moll

Gambar 8: Model Ebers – Moll dari transistor npn

iE = iDE – αRiDC (21)
IC = –IDC + αFiDE (22)
IB =(1 – αF) iDE + (1 – αR) iDC (23) 27
 
iDE  I SE e vBE VT
1  (24)
iDC  I SC e v BC VT
 1 (25)
 IS 
iE    e v BE VT
 
 1  I S e vBC VT

1 (26)
F 
 I S  vBC VT

iC  I S e  1    e
v BE VT
 1   (27)
R 
 I S  vBE VT  I S  vBC VT
iB    e  1    e  1   (28)
 F   R 
F
F  (29)
1F
R
R  (30)
1R
Dari ketiga persamaan di atas, suku kedua dapat diabaikan.
28
Penggunaan pertama dari model EM adalah untuk memperkirakan
arus pada terminal dari transistor yang bekerja pada mode forward
active.
vBE positif antara 0,6 – 0,8 V dan vBC negatif.
ev BC VT kecil dan dapat diabaikan

 IS  vBE  1 
iE   e VT

 I S 1   (31)
F   F 
 1 
iC  I S e vBE VT

 IS   1 (32)
R 
I   1 1 
iB   S e vBE VT
 I S    (33)
 F   F R 

29
Selama ini, kondisi untuk cara kerja mode forward active adalah
vCB ≥ 0 agar CBJ dalam keadaan reverse bias. Pada
kenyataannya, sebuah pn junction tidak dalam keadaan forward
bias jika tegangannya tidak melebihi kira-kira 0,5 V.
Jadi cara kerja transistor npn pada mode forward active masih
tetap bisa dicapai bila vCB turun sampai mencapai –0.4 V.

Pada gambar 9 terlihat, arus iC tetap konstan pada αFiE untuk vCB
sampai –0,4 V
Di bawah harga ini,CBJ akan ‘on’ dan meninggalkan mode
forward active memasuki daerah kerja mode jenuh, di mana iC
menurun.

30
Gambar 9: Karakteristik iC – vCB dari transistor npn yang dicatu dengan arus
IE yang tetap.

31
Cara Kerja pada Mode Jenuh

Pada gambar 9 terlihat jika vCB berkurang sampai di bawah –0,4 V,

BJT memasuki cara kerja mode jenuh.
Pada keadaan ideal, dalam mode forward active, vCB tidak
mempengaruhi iC, tetapi pada mode jenuh, dengan meningkatnya
vCB ke arah negatif, iC berkurang.

I 
iC  I S e vBE VT   S e vBC VT (34)
R 

Suku pertama adalah hasil dari forward-biased EBJ, dan suku

kedua adalah hasil dari forward-biased CBJ.
Jika vBC melebihi 0,4 V, iC akan berkurang dan akhirnya mencapai
nol.

32
Gambar 10: Profil konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron) pada
base dari sebuah transistor npn

Karena CBJ forward biased, konsentrasi elektron pada sisi collector

v V
tidak nol, tapi sebanding dengan e BE T

Koefisien arah dari profil konsentrasi sebanding dengan pengurangan

iC 33
 Transistor pnp

Gambar 11: Aliran arus pada transistor pnp untuk bekeja pada mode forward
active.

34
Gambar 12: Model sinyal besar untuk transistor pnp yang bekerja pada
mode aktif.

Hubungan arus – tegangan pada transistor pnp sama dengan pada

transistor npn hanya vBE diganti dengan vEB.

Gambar 12 menunjukkan model rangkaian pengganti sinyal besar,

yang juga mungkin digantikan dengan sumber arus yang
dikendalikan sumber arus, CCCS, αFiE.

Transistor pnp dapat bekerja pada mode jenuh seperti pada

35
transistor npn
Karakteristik Arus – Tegangan

Gambar 13: Simbol rangkaian BJT

Gambar 14: Polaritas tegangan dan aliran arus dalam transistor yang di bias
dalam mode aktif
36
Ringkasan hubungan arus – tegangan dari BJT pada mode aktif
iC  IS ev BE VT
iC  IS  v BE VT
iB    e
  
iC  IS  v BE VT
iE    e
  
Catatan: untuk transistor pnp, gantilah vBE dengan vEB
iE
iC  i E i B  1    i E 
 1
iC   i B i E     1 i B
 
 
 1  1

VT = tegangan termal = kT/q ≈ 25 mV pada suhu kamar 37

Konstanta n

Untuk BJT, konstanta n mendekati satu kecuali pada kasus tertentu:

• pada arus yang tinggi, hubungan iC – vBE menunjukkan harga n
mendekati 2
• pada arus yang rendah, hubungan iB – vBE menunjukkan harga n
mendekati 2

Jika tidak disebutkan n=1

Arus balik collector – base (ICBO)

Adalah arus balik dari collector menuju base dengan emitter
hubung terbuka. Arus ini mempunyai harga dalam orde nanoamper.
ICBO mempunyai komponen arus bocor, dan harganya tergantung
dari vCB. ICBO sangat tergantung pada suhu, rata-rata harganya
menjadi dua kali lipat dengan kenaikan 10°C.

38
Contoh soal 1:

Gambar 15: Rangkaian untuk contoh soal 1

Transistor pada gambar (15.a) mempunyai β = 100 dan vBE = 0,7 V

pada iC =1mA.
Rancanglah rangkaian sehingga arus 2 mA mengalir melalui
collector dan tegangan pada collector = +5 V
39
Jawab:
VC = 5 V → CBJ reverse bias → BJT pada mode aktif
VC = 5 V → VRC = 15 – 5 = 10 V
IC = 2 mA → RC = 5 kΩ

vBE = 0,7 V pada iC = 1 mA → harga vBE pada iC = 2 mA:

2
VBE  0,7  VT ln   0,717 V
1
VB = 0 V → VE = –0,717 V

β = 100 → α = 100/101 =0,99

IC 2
IE    2,02 mA
 0,99
Harga RE diperoleh dari:
VE    15 
RE 
IE
 0,717  15
  7,07 k 40
2,02
Tampilan Grafis dari Karakteristik Transistor

Gambar 16: Karakteristik iC – vBE dari sebuah transistor npn

41
 iC  IS ev BE VT

Karakteristik iC – vBE identik dengan karakteristik i – v pada dioda.

Karakteristik iE – vBE dan iB – vBE juga exponensial dengan IS yang

berbeda: IS/α untuk iE dan IS/β untuk iB.
Karena konstanta dari karakteristik ekponensial, 1/VT, cukup tinggi
(≈ 40), kurva meningkat sangat tajam.
Untuk vBE < 0,5 V, arus sangat kecil dan dapat diabaikan. Untuk
harga arus normal, vBE berkisar antara 0,6 V – 0,8 V. Untuk
perhitungan awal, vBE = 0,7 V.
Untuk transistor pnp, karakteristik iC- vBE tampak identik, hanya vBE
diganti dengan vEB.

42
Gambar 17: Pengaruh suhu pada karakteristik iC – vBE

Seperti pada dioda silikon, tegangan pada junction base - emitter

menurun 2 mV untuk setiap kenaikan suhu 1°C pada arus yang
tetap.
43
Karakteristik Common – Base
Gambar (18.a) menunjukkan cara kerja BJT dengan membuat
kurva iC – vCB dengan iE yang berbeda.
Pada pengukuran ini tegangan base tetap dan base berperan
sebagai terminal bersama (common) masukan dan keluaran.
Jadi kurva ini disebut juga kurva karakteristik common – base

Gambar 18: karakteristik iC – vCB dari sebuah transistor npn

44
Gambar 18: karakteristik iC – vCB dari sebuah transistor npn

45
Dalam daerah aktif, vCB ≥ –0,4 V, kurva iC – vCB berbeda dengan
yang diharapkan karena:
– Kurva tidak datar tapi menunjukkan koefisien arah yang positif.
Hal ini disebabkan adanya ketergantungan iC terhadap vCB
– Pada harga vCB yang relatif besar, iC meningkat dengan cepat,
karena terjadinya ‘breakdown’

Pada gambar (18.b), setiap kurva karakteristik memotong sumbu

vertikal pada harga arus = αIE (IE konstan untuk setiap kurva).
α untuk sinyal besar = iC/iE yang merupakan penguatan arus
common-base.
α untuk sinyal kecil ≡ ∆iC/∆iE.

46
Dengan menggunakan persamaan Ebers-Moll, untuk daerah jenuh:
iE = IE:

 1  vBC

iC   E I E  I S    F e VT
(35)
 R 

CBJ lebih besar dari EBJ, penurunan tegangan vBC akan lebih kecil
dari vBE, sehingga menghasilkan tegangan vCE jenuh pada vCE = 0,1
V – 0,3 V.

47
Ketergantungan iC pada tegangan collector –
The Early effect

Gambar 19.(a): Rangkaian konseptual untuk mengukur karakteristik iC –

vCE dari sebuah BJT
(b): Karakteristik iC – vCE dari sebuah BJT
48
Ketergantungan linier iC terhadap vCE:
 vCE 
iC  I S e vBE VT
1   (36)
 VA 
Koefisien arah dari kurva iC – vCE yang tidak nol menunjukkan
bahwa resistansi keluaran dilihat ke arah collector mempunyai
harga tertentu (≠∞)
1
 i 
ro   C
 (37)
 vCE vBE  kons tan 
V V
ro  A CE (38)
IC

IC dan vCE adalah koordinat titik kerja BJT pada kurva iC – vCE .

VA
ro  (38.a)
I C'
I C'  I S e vBE VT (38.b)
49
Gambar 20: Model rangkaian pengganti sinyal besar dari BJT npn yang
bekerja di daerah aktif dalam konfigurasi common-emitter.

50
Karakteristik Common-Emitter

Gambar 21: Karakteristik common-emitter

51
Penguatan arus common-emitter β.

β didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus pada

collector dan total arus pada base.
β mempunyai harga yang konstan untuk sebuah transistor, tidak
tergantung dari kondisi kerja.

Pada gambar 21, sebuah transistor bekerja pada daerah aktif di titik
Q yang mempunyai arus collector ICQ, arus base IBQ dan tegangan
collector – emitter VCEQ. Perbandingan arus collector dan arus base
adalah β sinyal besar atau dc.
I CQ
 dc  (39)
I BQ
βdc juga dikenal sebagai hFE.

52
Pada gambar 21 terlihat, dengan tegangan vCE tetap perubahan iB
dari IBQ menjadi (IBQ + ∆iB) menghasilkan kenaikan pada iC dari ICQ
menjadi (ICQ + ∆iC)
iC
 ac  (40)
iB vCE  kons tan

βac disebut β ‘incremental’.

βac dan βdc biasanya berbeda kira-kira 10% – 20%.
βac disebut juga β sinyal kecil yang dikenal juga dengan hfe.
β sinyal kecil didefinisikan dan diukur pada vCE konstan, artinya
tidak ada komponen sinyal antara collector dan emitter, sehingga
dikenal juga sebagai penguatan arus hubung singkat common-
emitter

53
.

Gambar 22: Ketergantungan β pada IC dan suhu

54
Tegangan jenuh VCEsat dan Resistansi jenuh RCEsat

Gambar 23: Karakteristik common-emitter pada daerah jenuh

Pada daerah jenuh kenaikan β lebih kecil dibandingkan dengan di

daerah aktif.

Perhatikan titik kerja X di daerah jenuh → arus base IB, arus collector
ICsat dan tegangan collector – emitter VCEsat.
ICsat < βFIB 55
Karena harga ICsat ditentukan oleh perancang rangkaian, sebuah
transistor jenuh dikatakan bekerja pada ‘forced β’
I
 forced  Csat (41)
IB
 forced   F (42)

Perbandingan antara βF dan βforced disebut ‘overdrive factor’. Makin

besar ‘overdrive factor’, makin dalam transistor dipaksa ke daerah
jenuh dan makin kecil VCEsat.

Kurva iC – vCE pada daerah jenuh cukup tajam menunjukkan bahwa

transistor jenuh mempunyai resistansi collector – emitter,RCEsat yang
rendah:
vCE
RCEsat  (43)
iC iB  I B
iC  I Csat

RCEsat mempunyai harga berkisar beberapa ohm sampai beberapa

puluh ohm.
56
Gambar 24. (a) transistor npn beroperasi pada mode jenuh dengan arus
base yang tetap IB.
(b) Kurva karakteristik iC – vCE pada iB = IB dengan koefisien arah 1/RCEsat.
(c) Rangkaian ekivalen transistor jenuh
(d) Model rangkaian ekivalen yang disederhanakan dari transistor jenuh
57
Perhatikan pada gambar (24.b):
• kurva memotong sumbu vCE pada VTln (1/αR). Harga ini sama
untuk semua kurva iC – vCE
• tangent pada titik kerja X sama dengan 1/RCEsat. Jika
diekstrapolasikan, tangent ini akan memotong sumbu vCE pada
tegangan VCEsat yang mempunyai harga kira-kira 0,1V.

Pada gambar (24.c) pada sisi collector, transistor direpresentasikan

dengan RCEsat diserikan dengan sebuah batere VCEsat. Jadi:

VCEsat = VCEoff + ICsatRCEsat (44)

Harga VCEsat berkisar antara 0,1V – 0,3V.

Tegangan offset pada transistor jenuh menyebabkan BJT kurang
menarik untuk dijadikan saklar jika dibandingkan dengan MOSFET.

Gunakan model Ebers-Moll untuk menurunkan ekspresi analisis

untuk karakteristik sebuah transistor jenuh. 58
 I  I 
  
iB   S  e vBE VT  1   S  e vBC VT  1 
 F   R 
I 
  
iC  I S e vBE VT  1   S  e vBC VT  1 
R 

Gantikan iB = IB dan abaikan suku yang tidak mempunyai fungsi

eksponensial
I S vBE I S vBC
IB  e VT
 e VT
(45)
F R
I S vBC
iC  I S e vBE VT
 e VT
(46)
R

59
Bagilah persamaan IB dengan persamaan iC dan tulis vBE =vBC+vCE,
sehingga diperoleh:
 vCE VT 1 
e  

iC    F I B   R 
(47)
 vCE VT  F 
e 
  R 

Ini adalah persamaan kurva karakteristik iC – vCE yang diperoleh jika

base dipaksa dengan arus tetap IB.

60
Gambar 25: Plot iC (normalisasi) terhadap vCE untuk transistor npn dengan
βF = 100 dan αR = 0,1
61
Kurva dapat didekati dengan garis lurus pada titik βforced/βF = 0,5.
Koefisien arah pada titik ini kira-kira
10 V-1, tidak tergantung dari parameter transistor.

RCEsat = 1/10βFIB (48)

Ganti iC = ICsat = βforcedIB dan vCE = VCsat, diperoleh:

1    forced  1  R
VCEsat  VT ln (49)
1    forced  F 

62
Transistor breakdown

Tegangan maksimum yang dapat dipasangkan pada sebuah BJT

dibatasi oleh efek breakdown pada EBJ dan CBJ.

Pada konfigurasi common-base, karakteristik iC –vCB menunjukkan

bahwa untuk iE = 0 (emitter hubung terbuka), CBJ breakdown pada
tegangan BVCBO. Untuk iE > 0, breakdown terjadi pada tegangan
lebih kecil dari BVCBO. Biasanya BVCBO > 50 V

63
Untuk konfigurasi common-emitter, breakdown terjadi pada
tegangan BVCEO. Harga BVCEO kira-kira setengah harga BVCBO.
Pada lembaran data transistor, BVCBO disebut ‘sustaining voltage’,
LVCEO

Breakdown pada CBJ baik pada konfigurasi common-emitter atau

common-base tidak merusak selama daya disipasi pada divais
masih dalam batas normal.

Breakdown pada EBJ yang disebabkan fenomena avalanche

terjadi pada tegangan BVEBO yang jauh lebih kecil dari BVCBO.
Biasanya BVEBO berkisar antara 6 V – 8 V, dan breakdown ini
merusak dalam arti β dari transistor berkurang secara permanen.
Cara ini tidak mencegah pemakaian EBJ sebagai sebuah dioda
zener untuk menghasilkan tegangan rujukan dalam perancangan
IC. Dalam aplikasi ini tidak dilihat sebagai efek β-degeneration.

64
Ringkasan Karakteristik arus – tegangan dari BJT
Simbol rangkaian dan arah aliran arus
Transistor npn Transistor pnp

Cara kerja pada mode aktif (untuk pemakaian sebagai penguat)

Kondisi:
1. EBJ forward biased:
npn: vBE > VBEon; VBEon ≈ 0,5 V
biasanya vBE = 0,7 V
pnp: vEB > VEBon; VEBon ≈ 0,5 V
biasanya vEB = 0,7 V 65
2. CBJ reverse biased
npn: vBC ≤ VBCon : VBCon ≈ 0,4 V → vCE ≥ 0,3 V
pnp: vCB ≤ VCBon : VCBon : ≈ 0,4 V → vEC ≥ 0,3 V

Hubungan arus – tegangan:

npn: iC  IS ev BE VT
pnp: iC  IS ev EB VT

i B  iC   i C   i B
i E  i C   i C  iC
 
  
1   1

66
Model rangkaian ekivalen sinyal besar

npn:
I 
i B   S ev BE VT

 
 v CE 
iC  IS ev BE VT
1  
 VA 

ro  VA IS ev BE VT


pnp
 IS  v EB VT
i B   e
 
 v 
iC  IS ev EB VT 1  EC 
 VA 

ro  VA IS ev EB VT 
67
Model Ebers-Moll

npn pnp


i DE  ISE ev BE VT
1  
i DE  ISE ev EB VT  1 
i DC  ISC e v BC VT
 1 i DC  ISC e v CB VT
 1

 F ISE   RISC  IS
ISC  F luas CBJ
 
ISE  R luas EBJ
68
 Cara kerja pada mode jenuh
Kondisi:
1. EBJ forward biased:
npn: vBE > VBEon; VBEon ≈ 0,5 V
biasanya vBE = 0,7 – 0,8 V
pnp: vEB > VEBon; VEBon ≈ 0,5 V
biasanya vEB = 0,7 – 0,8 V
2. CBJ forward biased
npn: vBC ≥ VBCon : VBCon ≈ 0,4 V
biasanya: vBC = 0,5 – 0,6 V
→ vCE = VCEsat = 0,1 – 0,2 V
pnp: vCB ≥ VCBon : VCBon ≈ 0,4 V
biasanya: vCB = 0,5 – 0,6 V
→ vEC = VECsat = 0,1 – 0,2 V

Arus: ICsat = βforcedIB F

 Overdrive factor
 forced
βforced ≤ βF 69
Rangkaian ekivalen
npn pnp

1    forced  1  F 
VCEsat  VT ln  
 1   forced  F 

Untuk: βforced = βF/2; RCEsat = 1/10βFIB

70