Anda di halaman 1dari 6

KARAKTERISTIK BJT

Praktikan: Nicholas Melky S Sianipar (13206010)


Asisten: Deden
Waktu Percobaan: 17 Maret 2009
EL2140 – Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Sekolah Teknik Elektro dan Informatika – ITB

Abstrak 2. Dasar Teori


Pada praktikum ini praktikan mencoba kit 2.1 Transistor BJT
praktikum yang berisi rangkaian percobaan Transistor merupakan salah satu komponen
karakteristik BJT yaitu transistor beserta elektronika paling penting. Terdapat dua
resistor-resistor variabelnya. Dengan jenis transistor berdasarkan jenis muatan
menggunakan 3 buah multimeter, penghantar listriknya, yaitu bipolar dan
praktikan dapat memahami dan mengamati unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari
karakteristik transistor yaitu tegangan dan transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri
arus diantara diketiga kakinya. Dengan atas dua jenis, bergantung susunan bahan
mengubah-ubah kondisi rangkaian, seperti yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP.
resistansi yang akan mengakibatkan Simbol hubungan antara arus dan tegangan
perubahan tegangan, maka praktikan dapat dalam transistor ditujukkan oleh gambar
memproyeksikan data-data tersebut pada berikut ini.
kurva yang dapat menghasilkan beberapa
kesimpulan. Namun juga, praktikan
mencoba rangkaian-rangkaian lainnya
seperti rangkaian percobaan early effect
dan pengaruh bias pada kerja transistor.
Dan dari hasil pengamatan tersebut,
praktikan dapat mengamati bagaimana
hasil output rangkaian pada bermacam- Transistor BJT NPN
macam mode kerja transistor.
1. Pendahuluan

Pada Praktikum Elektronika EL2140 yang


kedua ini, bertujuan agar praktikan dapat
melakukan percobaan dan pengamatan
secara langsung mengenai komponen
elektrik, yaitu transistor. Jenis transistor Transistor BJT PNP
yang digunakan pada praktikum adalah Gambar 2.1–1 Simbol Hubungan pada Transistor

Bipolar Junction Transistor / BJT yang


bertipe 2N2222. Dan karakteristik yang Terdapat suatu hubungan matematis antara
diukur praktikum ini adalah IB, IC, VBE, dan besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB),
VCE dari transistor. Dari data-data pecobaan dan arus emitor (IE), yaitu beta (β) =
praktikan akan mencoba memamahai penguatan arus DC untuk common emitter,
keterkaitan antara kondisi karakteristik alpha (α)= penguatan arus untuk common
arus-tegangan tersebut. Untuk tegangan basis, dengan hubungan matematis sebagai
berikut [1].
Halaman

yang digunakan adalah VCC sebesar 10V


dari power supply. Dan untuk percobaan dan
memahami teknik bias dengan sumber arus IC IC
konstan, digunakan sumber arus/ current β= α=
source yang telah tersedia. Sedangkan IB IE
1

untuk pengaruh bias pada berbagai mode sehingga [2]


kerja transistor, Vin adalah sebesar 50 Vpp
dengan frekuensi 1KHz. Dengan berbagai
rangkaian tersebut, diharapkan praktikan β α
dapat memahami karakteristik BJT dan
α= β=
β +1 1−α
aplikasinya.

Karakteristik sebuah transistor biasanya


diperoleh dengan pengukuran arus dan
tegangan pada rangkaian dengan
konfigurasi common emitter (kaki emitter
terhubung dengan ground), seperti 1.2 Kurva Karakteristik IC-VCE
ditunjukkan pada gambar berikut ini. Arus kolektor juga bergantung pada
tegangan kolektor‐emitor. Titik kerja (mode
kerja) transistor dibedakan menjadi tiga
bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut‐
off. Persyaratan kondisi ketiga mode kerja
ini dapat dirangkum dalam tabel berikut ini.

Tabel 2.3–1 Tabel Karakteristik Mode Kerja Transistor

Mode IC VCE VBE VCB Bias Bias


Kerja B-C B-E
Aktif =βI =VBE+VC ~ 0 Revers Forwar
B B 0.7 e d
V
Satura Ma ~ 0V ~ - Forwar Forwar
si x 0.7 0.7V<VCE d d
V <0
Cut- ~0 =VBE+VC 0 0 - -
Off B

Dalam kurva IC‐VCE mode kerja transistor ini


Gambar 2.1–2 Rangkaian Transistor BJT ditunjukkan pada area‐area dalam gambar
berikut ini.
Dari karakteristik tersebut terdapat dua
buah kurva karakteristik yang dapat diukur
dari rangkaian diatas, yaitu:
• Karakteristik IC ‐ VBE
• Karakterinstik IC ‐ VCE

1.1 Kurva Karakteristik IC-VBE


Arus kolektor merupakan fungsi
eksponensial dari tegangan VBE, sesuai
dengan persamaan [3]:

I C = α I ES eVBE /η kT
Persamaan ini dapat digambarkan sebagai
kurva seperti ditunjukkan pada gambar Gambar 2.2–1 Daerah Mode Kerja Transistor

berikut ini.
2. Metodologi

Gambar 3–1 Metodologi Percobaan

Pada kit praktikum telah tersedia komponen


yang akan dilakukan pada percobaan.
Praktikan dipermudah karena cukup
menghubung-hubungkan komponen
tersebut sesuai model rangkaian beserta 3
buah multimeter yang dipakai untuk
mengukur arus dan tegangan pada kaki
Halaman

transistor. Power supply disetting sebesar


10V sebagai VCC rangkaian. Untuk VIN pada
rangkaian bias, akan telebih dahulu
dilakukan kalibrasi osiloskop, dan
pengukuran amplitude dan frekuensi sinyal
2

Gambar 2.2–1 Fungsi Eksponensial VBE


dari generator sinyal yang tepat.
Dari kurva di atas juga dapat diperoleh
transkonduktansi dari transistor, yang
merupakan kemiringan dari kurva di atas,
yaitu [4]
∆I C
gm =
∆VBE
3. Hasil dan Analisis 3.2 Karakteristik Output Transistor IC-VCE

3.1 Karakteristik Input Transistor IB-VBE

Gambar 4.2–1 Rangkaian Percobaan Karakteristik IC-VCE

Gambar 4.1–1 Rangkaian Percobaan Karakteristik IB-VBE


Pada praktikum ini sudah terdapat sumber
arus/current source yang besarnya dapat
Hasil pengukuran dari rangkaian dipilih dan telah terukur. Oleh sebab itu
karakteristik transistor pada Gambar 4.1-1 tidak diperlukan lagi pengukuran IB
dilakukan dengan mengubah-ubah resistor menggunakan multimeter. Jadi dengan
variable RB2 yang mana RB2 sebagai mengubah-ubah tegangan VCE dari power
pembagi tegangan VCC menjadi VBE. Akibat supply, dapat diukur perubahan IC untuk
perubahan pada VBE, dapat diukur setiap besar arus IB yang berbeda-beda,
perubahan IC dan IB. Data yang diperoleh seperti pada tabel berikut.
dapat dilihat pada tabel berikut.
Tabel 4.2–1 Karakteristik Output Ic-VCE
Tabel 4.1–2 Karakteristik Input IB-VBE
IC (mA)
VCE
IB=0m IB=0.2m IB=0.4m IB=0.8m IB=1.2m IB=1.6m
VBE (V) IB (mA) IC (mA) (F)
A A A A A A
0 0 0
0 0 0 0 0 0 0
0.2 0 0
0.1 0 13.15 14.71 15.6 29.5 45.3
0.4 0 0.24
0.2 0 16.42 17.63 18.56 40.7 70.6
0.5 0.03 0.67
0.3 0 16.71 18.00 18.72 42.8 77.7
0.54 0.08 0.67
0.4 0 16.79 18.10 18.89 43.4 80.9
0.58 0.19 0.67
0.5 0 16.90 18.26 18.99 43.5 82.7
0.62 0.37 0.67
1.0 0 17.46 18.93 19.42 45.7 89.2
0.66 0.72 0.67
2.0 0 19.41 20.28 21.11 49.1 94.1
0.70 1.6 0.67
5.0 0 21.55 22.00 22.90 62.2 -
0.72 1.97 0.67
10. 0 28.60 29.70 31.15 - -
0

Apabila data karakteristik diatas


diproyeksikan dalam sebuah kurva, Apabila data tabel diatas diproyeksikan
diperoleh kurva sebagai berikut. dalam sebuah kurva, diperoleh kurva
sebagai berikut.

Gambar 4.1–2 Kurva Karakteristik IB-VBE


Gambar 4.2–2 Kurva Karakteristik IB-VCE

Dari data diatas dapat diamati bahwa arus


IC meningkat apabila VBE meningkat juga. Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus
Arus IC meningkat dengan cepat ketika VBE IC meningkat sangat cepat sampai ketika
diantara 0,5V-0,7V. Peningkatan ini terlihat VCE disekitar 0.2V. Namun ketika VCE bernilai
jelas secara eksponensial. Hal ini sesuai lebih besar dari 0.2V kurva IC meningkat
Halaman

dengan perhitungan matematis antara IC dengan lambat dengan suatu kemiringan /


dan VBE seperi pada [3] yang mana sifat ini slope yang lebih kecil. Namun yang paling
menyerupai dioda. Dan VBE antara 0V-0,45V dapat diamati perbedaannya adalah untuk
merupakan tegangan cut-off yang suatu nilai IB menghasilkan suatu kurva IC
tersendiri yang mana semakin besar nilai IB
3

ditunjukan dengan nilai IB nol. Dan besar


trankonduktansi transistor tersebut sesuai maka nilai IC beserta slopenya juga semakin
perhitungan pada [4] diperoleh Gm sebesar besar. Dari sifat ini dapat disimpulkan
8,75 mA/V. Pada gambar juga ditampilkan bahwa IC bergantung / merupakan fungsi
grafik IC untuk membandingkan antara dari nilai IB. Ini adalah sifat dari transistor
kedua karakteristik arus ini. Dapat dilhat pada keadaan active. Untuk itu daerah
bahwa IC hanya merupakan fungsi lemah kerja transistor terlihat jelas yaitu
dari VBE. saturation region sampai pada VCE = 0,2V
dan daerah cut-off seperti pada kurva IC
untuk IB = 0mA yang nilainya nol / sejajar
sumbu datar kurva tersebut. Hal ini sesuai dari pengukuran ini disebabkan hal yang
dengan landasan teori 2.3 dan kurva pada sama yaitu akibat dari pengaruh suhu.
gambar 2.2-1.
1.1 Pengaruh Bias Pada Kerja Transistor
Pada praktikum tingkat akurasi dan presisi Pada percobaan ini rangkaian disusun
sangat diperlukan karena dalam seperti pada gambar berikut.
pengukuran nilai tersebut berubah-ubah.
Hal ini karena β dari transistor merupakan
fungsi dari suhu. Ketika dinyalakan dan
transistor bekerja pada keadaan active,
apabila diberi IC dan VCE yang agak tinggi
(tidak melebihi disipasi) suhu transistor
meningkat, dan pengukuran pun berubah.
Untuk itu kami mencatat pengukuran pada
saat pengamatan pertama agar
peningkatan suhu pada beberapa selang
waktu berikutnya tidak mengurangi akurasi
pengukuran. Dan pada saat praktikum
berlangsung, praktikan juga diingatkan
akan kemampuan disipasi maksimum
transistor yaitu sebesar 500 mW. Apabila IC Gambar 4.4–1 Rangkaian Pengaruh Bias Pada Kerja
dan VCE yang diukur diperkirakan akan Transistor

melebih daya disipasi tersebut maka tidak Pada percobaan ini tidak dilakukan pada kit
akan dilakukan pengukuran (seperti pada praktikum akan tetapi dirangkai pada
tabel 4.1-2 untuk IB=1.6mA dan VCE=10V). Breadboard. Untuk itu pemasangan
komponen sangat rentan / mudah lepas dan
3.3 Early Effect mempengaruhi pengamatan. VIN rangakaian
diinput dari generator sinyal dengan
gelombang sinusoid VPP sebesar 50mV
1KHz. Karena amplitude sinyal tersebut
sangat kecil digunakan fungsi tombol -20dB
pada generator sinyal dan pengukurannya
dilakukan di osiloskop. Karena current
source sama seperti sebelumnya sudah
memiliki nilai tertentu, maka pengukuran IB
tidak perlu dilakukan dengan multimeter.
Gambar 4.3–1 Grafik Ektrapolasi Early Effect
Dan dengan mengubah-ubah resistor
variable seperti gambar diatas, maka
Untuk mendapatkan tegangan early VA
tegangan VCE dapat diatur supaya mengikuti
dilakukan ekstrapolasi seperti pada gambar
daerah kerja transistor yang diinginkan.
diatas. Dalam percobaan ini hanya diamati
Hasil tegangan output pada ketiga daerah
ektrapolasi dari dua buah kurva saja (untuk
kerja transistor (saturasi, aktif, dan cut-off)
dua buah nilai IB) seperti pada tabel berikut.
dapat dilihat pada tabel berikut.
Tabel 4.3–1 Pengukuran Percobaan Early Effect
Tabel 4.4–1 Tabel Pengaruh Bias Pada Kerja Transistor
IC (mA)
VCE (V) VIN dan VOUT
IB = 25µA IB = 50µA
9 11.73 18.14
10 12.43 19.40

Daerah
Halaman

Apabila data tersebut diproyeksikan dalam Saturasi


IB = 1.2 mA
kurva akan diperoleh kurva berikut. IC = 11.28
mA
VCE = 0.1 V
VBE = 0.7 V
Gambar 4.3–2 Kurva IC-VCE Percobaan Early Effect
4

Dari garis kurva diatas dapat diperoleh


persamaan garis:
• y =1.26x + 6.8 Daerah Aktif
• y = 0.7x +5.43 IB = 1.2 mA
yang apabila dilakukan ektrapolasi maka di IC = 45.7mA
VCE = 1 V
dapat diperoleh tegangan early dari VBE = 0.7V
persamaan tersebut VA1=-5.4V dan VA2=-
7.7V. Maka dapat disimpulkan tegangan
early VA sekitar -6.5V. Kurangnya presisi
penguatan dari IB sebesar β. Transistor
memiliki 3 wilayah kerja yaitu saturation
Daerah Cut-
Off region, active region dan cut-off region
IB = 0.2 mA yang dapat diperoleh dari sifat karakteristik
IC = 11.28
mA IC terhadap VCE. Tegangan early dapat
VCE = 0.5 V diperoleh dengan ektrapolasi dari suatu
VBE = 0V
kurva IC untuk nilai IB tertentu pada
transistor keadaan aktif. Pengaruh bias
kerja dapat mengaplikasikan transistor
sebagai penguat, switch, atau cut-off (open-
Pengaruh bias pada daerah saturasi circuit).
diperoleh ketika VBE ~ 0,7 V,RC besar. Pada
daerah ini transisitor dapat di 3. Daftar Pustaka
implementasikan sebagai sakelar karena
dengan memberikan tegangan junction [1] A. S. Sedra et.al., Microelectronic
pada base-emmiter sebesar cut-innya Circuits 5th Ed, Hal. 377-458, Oxford
beban dapat langsung di drive oleh University Press, New York, 2004
tegangan yang hanya dikurangi oleh VCE.
Nilai VCE cenderung kecil. Namun arus yang [2] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk
masuk di kaki base juga harus besar, Praktikum Elektronika EL-2140, Hal
karena IC diset dengan menentukan IB pada 13-24, Laboratorium Dasar Teknik
rangkaian base-emmiter. Pada rangkaian, Eletro STEI-ITB, Bandung, 2009
input berupa tegangan sinusoidal yang
berpengaruh pada tegangan VBE, dan juga
berpengaruh pada pergeseran nilai IB. Dari
gambar sinyal pada osiloskop, terlihat
bahwa sinyal output lebih cembung,
dikarenakan penguatan penguatan melebihi
batas (dekat daerah saturasi), sehingga
kenaikan sinyal input tidak berbanding
lurus pada kenaikan sinyal output. Telihat
pada grafik, penguatan terbesar adalah
pada daerah aktif. Sedang pada daerah
saturasi, kenaikan arus base tidak
memberikan pengaruh banyak pada
kenaikan arus colector.

Pengaruh bias pada daerah aktif diperoleh


ketika VBE ~ 0,7 V, RC kecil. Pada daerah ini
transistor diimplementasikan sebagai
penguat. Pada daerah kerja ini arus IC
mengalami penguatan sebesar β dari IB
sehingga apabila pada input diberi
tegangan sinusoidal, maka secara
penguatan linear, didapat tegangan output
yang sinusoidal pula, namun dengan
amplitudo yang jauh lebih tinggi.
1.
Pengaruh bias pada daerah cut-off
Halaman

diperoleh ketika VBE < 0,7 V. Pada daerah


ini tidak ada arus IC yang mengalir
sehingga pada bentuk sinyal output ada
bagian yang terpotong. Sebagian sinyal
tegangan input membuat transisitor
5

junction menjadi keadaan cut-off, sehingga


tegangan output (VCE) menjadi tetap
(maksimum atau VCC) karena IC = 0, maka
VRC = 0.
2. Kesimpulan

Transistor memiliki karakteristik yang unik


yatiu arus IB yang merupakan fungsi dari VBE
dan arus IC yang merupakan fungsi
2. Lampiran

Kit EL-2140 'Karakteristik Transistor & Rangkaian Bias'

Halaman
6

Current Source EL-2140