Anda di halaman 1dari 5

PENGUAT FET

Praktikan: Nicholas Melky S Sianipar (13206010)


Asisten: Saiful
Waktu Percobaan: 8 April 2009
EL2140 – Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Sekolah Teknik Elektro dan Informatika – ITB

Abstrak 2. Dasar Teori


Pada praktikum ini praktikan mencoba kit 2.1 Transistor FET
praktikum yang berisi rangkaian percobaan Transistor FET adalah transistor yang
karakteristik FET yaitu transistor FET dan bekerja berdasarkan efek medan elektrik
komponen rangkaian penguat yang dihasilkan oleh tegangan yang
berkonfigurasi lainnya. Dengan diberikan pada kedua ujung terminalnya.
menggunakan 3 buah multimeter, Mekanisme kerja transistor ini berbeda
praktikan dapat memahami dan mengamati dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
karakteristik transistor yaitu tegangan dan arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain
arus diantara diketiga kakinya. Dengan (analogi dengan kolektor pada BJT),
mengubah-ubah kondisi rangkaian, seperti dilakukan oleh tegangan antara Gate dan
tegangan yang akan mengakibatkan Source (analogi dengan Base dan Emiter
perubahan arus, maka praktikan dapat pada BJT). Bandingkan dengan arus pada
memproyeksikan data-data tersebut pada Base yang digunkan untuk menghasilkan
kurva yang dapat menghasilkan beberapa arus kolektor pada transistor BJT. Jadi,
kesimpulan. Namun juga, praktikan dapat dikatakan bahwa FET adalah
mencoba rangkaian-rangkaian penguat FET transistor yang berfungsi sebagai
seperti rangkaian percobaan common “konverter” tegangan ke arus.
source dan kedua konfigurasi penguat Transistor FET memiliki beberapa keluarga,
lainnya. Dan dari hasil pengamatan yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini
tersebut, praktikan dapat mengamati akan digunakan transistor MOSFET
bagaimana karakteristik rangkaian penguat walaupun sebenarnya karakteristik umum
FET dan bermacam-macam output ketiga dari JFET dan MOSFET adalah serupa.
penguat berkonfigurasi ini. Karakteristik umum dari transistor MOSFET
dapat digambarkan pada kurva yang dibagi
1. Pendahuluan menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID vs
VGS dan kurva karakteristik ID vs VDS. Kurva
Pada Praktikum Elektronika EL2140 yang karakteristik ID vs VGS diperlihatkan pada
keempat ini, bertujuan agar praktikan dapat gambar di bawah ini. Pada gambar tersebut
melakukan percobaan dan pengamatan terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang
secara langsung mengenai komponen menyebabkan arus mulai mengalir.
elektrik, yaitu transistor. Jenis transistor Tegangan tersebut dinamakan tegangan
yang digunakan pada praktikum adalah threshold, Vt. Pada MOSFET tipe depletion,
Field Effect Transistor / FET yang bertipe Vt adalah negative, sedangkan pada tipe
CD4007UB. Dan karakteristik yang diukur enhancement, Vt adalah positif.
praktikum ini adalah ID, Vt, VGS, VDS dan gm
dari transistor. Dari data-data pecobaan
praktikan akan mencoba memamahai
Halaman

keterkaitan antara kondisi karakteristik


arus-tegangan tersebut. Untuk tegangan
yang digunakan adalah VCC sebesar 10V
dari power supply. Dan untuk percobaan
memahami penguat common source, Vin
1

adalah sebesar 50 mVpp dengan frekuensi


10KHz. Dengan berbagai rangkaian
tersebut, diharapkan praktikan dapat
memahami karakteristik FET dan
aplikasinya. Gambar 2.1–1 Karakteristik Transistor FET (VGS – ID)

Pada gambar tersebut terlihat bahwa


terdapat VGS minimum yang menyebabkan
arus mulai mengalir. Tegangan tersebut
dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada Gambar 3–1 Metodologi Percobaan

MOSFET tipe depletion, Vt adalah negative,


sedangkan pada tipe enhancement, Vt Pada kit praktikum telah tersedia komponen
adalah positif. yang akan dilakukan pada percobaan.
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan Praktikan dipermudah karena cukup
oleh gambar di bawah ini. Pada gambar menghubung-hubungkan komponen
tersebut terdapat beberapa kurva untuk tersebut sesuai model rangkaian beserta 3
setiap VGS yang berbeda‐beda. Gambar ini buah multimeter yang dipakai untuk
digunakan untuk melakukan desain mengukur arus dan tegangan pada kaki
peletakan titik operasi/titik kerja transistor. transistor. Power supply disetting sebesar
Pada gambar ini juga ditunjukkan daerah 10V sebagai VCC rangkaian. Untuk VIN pada
saturasi dan Trioda. rangkaian bias, akan telebih dahulu
dilakukan kalibrasi osiloskop, dan
pengukuran amplitude dan frekuensi sinyal
dari generator sinyal yang tepat.

2. Hasil dan Analisis


2.1 Kurva Karakteristik Transistor MOSFET

Gambar 2.1–2 Karakteristik Transistor FET (VDS – ID)

2.2 Penguat FET


Untuk menggunakan transistor MOSFET
sebagai penguat, maka transistor harus
berada dalam daerah saturasinya. Hal ini
dapat dicapai dengan memberikan arus ID
dan tegangan VDS tertentu. Cara yang
Gambar 4.1–1 Rangkaian Pengukuran VGS – ID
biasa digunakan dalam mendesain penguat
adalah dengan menggambarkan garis Hasil pengukuran dari rangkaian
beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu karakteristik transistor pada Gambar 4.1-1
ditentukan Q point‐nya yang akan dilakukan dengan mengubah-ubah
menentukan ID dan VGS yang harus tegangan VGS. Akibat perubahan pada VGS,
dihasilkan pada rangkaian. dapat diukur perubahan ID. Data yang
Setelah Q point dicapai, maka transistor diperoleh dapat dilihat pada tabel berikut.
telah dapat digunakan sebagai penguat,
dalam hal ini, sinyal yang diperkuat adalah Tabel 4.1–1 Karakteristik ID-VGS
sinyal kecil (sekitar 40‐50 mVp‐p dengan
VGS (V) ID (mA)
frekuensi 1‐10 kHz). 0 0
Terdapat 3 konfigurasi penguat pada 1.5 0
2 0.12
transistor MOSFET, yaitu 2.5 0.39
1. Common Source 3 0.81
4 1.92
2. Common Gate 5 3.44
3. Common Drain 7.5 8.23

Ketiganya memiliki karakteristik yang


berbeda‐beda dari faktor penguatan, Apabila data karakteristik diatas
resistansi input, dan resistansi output. Tabel diproyeksikan dalam sebuah kurva,
Halaman

berikut ini merangkum karakteristik dari diperoleh kurva sebagai berikut.


ketiga konfigurasi tersebut.
Gambar 4.1–2 Kurva Karakteristik ID-VGS

Dari data diatas dapat diamati bahwa arus


2

ID meningkat apabila VGS meningkat juga.


Arus ID meningkat dengan cepat ketika VBE
diantara 0,25V-0,7V. Peningkatan ini
Gambar 2.2–1 Rangkuman Karakteristik Ketiga
Konfigurasi
terlihat jelas secara eksponensial. Hal ini
sama dengan perhitungan matematis pada
sifat yang menyerupai transistor BJT. Dan
1. Metodologi VGS antara 0V-0,25V merupakan tegangan
cut-off yang ditunjukan dengan nilai ID nol.
Dan besar tegangan threshold adalah disimpulkan bahwa ID bergantung /
sebesar 0.25 V. merupakan fungsi dari nilai VGS. Ini adalah
sifat dari transistor pada keadaan active.
Untuk itu daerah kerja transistor terlihat
jelas yaitu trioda region sampai pada VDS =
4V dan daerah cut-off seperti pada kurva ID
untuk VDS = 0V yang nilainya nol / sejajar
sumbu datar kurva tersebut.
2.2 Desain Q-Point

Gambar 4.2–1 Rangkaian Percobaan Karakteristik ID-VDS

Pada praktikum ini digunakan dua sumber


tegangan yang besarnya dapat dipilih untuk
menentukan tegangan pada kaki-kaki
transistor. Oleh sebab itu tidak diperlukan
lagi pengukuran tegangan menggunakan
multimeter karena telah tertampil pada Gambar 4.2–1 Merancang Load Line (garis beban)
power supply. Jadi dengan mengubah-ubah
tegangan VDS dari power supply, dapat
diukur perubahan ID untuk setiap besar
tegangan VGS yang berbeda-beda, seperti
pada tabel berikut.

Tabel 4.2–1 Karakteristik Output Ic-VCE

ID (mA)
VDS
VGS= VGS= VGS= VGS= VGS= VGS= VGS=
(V)
2V 2.5V 3V 4V 5V 7V 9V
0 0 0 0 0 0 0 0
0.2 0.1 0.23 0.35 0.51 0.66 0.91 1.12
Gambar 4.2–2 Menentukan Q Point pada kurva
5
0.5 0.13 0.35 0.61 0.99 1.29 1.94 2.33
1 0.13 0.4 0.8 1.55 2.19 3.59 4.16
2 0.13 0.41 0.83 1.82 3.1 5.57 7.45
Pada kurva karakteristik ID vs. VDS setelah
3 0.13 0.41 0.84 1.86 3.23 6.61 9.53 dirancang load line (garis beban) seperti
4 0.13 0.42 0.84 1.87 3.26 6.91 10.7
3 pada Gambar 4.2-2 dapat kita hitung gm
5 0.14 0.42 0.84 1.88 3.28 6.97 11.1 dengan terlebih dahulu mencari nilai K
4
6 0.14 0.42 0.85 1.89 3.29 7.0 11.2 berdasarkan formula dan perhitungan
7 0.14 0.42 0.85 1.9 3.31 7.02
3
11.2
berikut.
7
8 0.14 0.42 0.86 1.91 3.31 7.04 11.2
7
iD = K (vGS − Vt )2
9 0.14 0.43 0.86 1.91 3.32 7.05 11.2
8
3.23x10−3 = K (5 − 0.25)2
Apabila data tabel diatas diproyeksikan
dalam sebuah kurva, diperoleh kurva
K = 0.00014316
sebagai berikut.

Dan setelah diketahui konstanta K dapat


Gambar 4.2–2 Kurva Karakteristik ID-VDS diperhitungkan nilai gm seperti berikut.
Halaman

Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus g m = 2 K ( vGS − Vt )


ID meningkat sangat cepat sampai ketika
VDS disekitar 0.4V. Namun ketika VDS bernilai
lebih besar dari 0.4V kurva ID meningkat g m = 0.00028632(5 − 0.25)
3

dengan lambat dengan suatu kemiringan /


slope yang lebih kecil. Fenomena ini hampir g m = 1.36 x10 −3
sama pada penguat BJT yaitu Early Effect.
Namun yang paling dapat diamati
perbedaannya adalah untuk suatu nilai VGS
menghasilkan suatu kurva ID tersendiri yang
mana semakin besar nilai VGS maka nilai ID
beserta tegangan thresholdnya juga
semakin besar. Dari sifat ini dapat
Gambar 4.2–3 Merancang Q-Point dengan menentukan
gm dari gradien
Gambar 4.3–2 Hasil Output penguat FET

Namun karena keterbatasan waktu


kelompok kami hanya sempat melihat
sekilas hasil output penguat FET dan tidak
mengukur resistansi input atau outputnya.
Dari gambar dapat dilihat bahwa penguatan
cukup besar (hamper menyerupai penguat
BJT berkonfigurasi Common Base).

Gambar 4.2–4 Menghitung Gradien pada kurva ID-VGS


untuk mendapatkan gm 3. Kesimpulan

Pada gambar dapat diketahui gm dengan Transistor FET memiliki juga karakteristik
menghitung gradien pada rancangan Q- yang unik seperti transistor BJT yatiu arus ID
Point sebelumnya yaitu pada titik VGS = 5V. yang merupakan fungsi dari VGS dan arus ID
Hasil gm tersebut adalah sebagai berikut. yang merupakan fungsi penguatan dari VDS
sebesar β. Transistor FET juga memiliki 3
3.44 −1.92 wilayah kerja yaitu trioda region, saturation
gm = = 1.52x10 −3
5−4 region dan cut-off region yang dapat
diperoleh dari sifat karakteristik ID terhadap
Dapat dilihat hasil kedua perhitungan gm VGS. Tegangan threshold dapat diperoleh
hampir mendekati sama. Sedikit ketika transistor memulai bersifat konduksi
perbedaaan tersebut disebabkan beberapa yang dapat dilihat pada saat ID lebih dari
hal, salah satu diantaranya karena ketidak 0A. Dari perhitungan tersebut dapat dicari
linier nya kurva pada saat pengukuran yang pula karakteristik gm-nya. Transistor FET
disebabkan kurangnya presisi pada saat dapat digunakan pula sebagai penguat
pengukuran. dengan berbagai konfigurasi seperti pada
2.3 Penguat Common Source penguat BJT.

4. Daftar Pustaka

[1] A. S. Sedra et.al., Microelectronic


Circuits 5th Ed, Hal. 377-458, Oxford
University Press, New York, 2004
Halaman

[2] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk


Praktikum Elektronika EL-2140, Hal
13-24, Laboratorium Dasar Teknik
Eletro STEI-ITB, Bandung, 2009
4

Gambar 4.3–1 Rangkaian Penguat Berkonfigurasi


Common Source
Halaman 5