Nama : M.

Syahrul Akbar
Nrp : 11-2008-067
Tugas : Divais Mikroelektronika
TUGAS 3
1. Hitunglah ideal reverse saturation current pada sebuah diode silicon dengan luas
penampang 2x1014 cm2 dengan parameter sebagai berikut
NA = 5x1016 cm-3 , ND = 1016 cm-3, ni = 9,65x109 cm-3 , Dn = 21 cm2/s, DP = 10 cm2/s , τp =
τn = 5 x 10-7s.

2. Sebutkan dan jelaskan perbedaan BJT dan FET ?

Jawab :

q . n2i . D P q . n2i . Dn
1. J=
LP N D
+
Ln N A
…………….(1)

LP = √ D P . τ P = √ 10 x 5 x 10−7 = 2,24 . 10-3 cm

Ln = √ Dn . τ n = √ 21 x 5 x 10−7 = 3,24 . 10-3 cm

Sehingga dari persamaan (1) maka diperoleh :

10 21
J = 1,6 x 10-19 x 9,65x109 [ −3
2,24. 10 x 10 16
+
3,24. 10−3 x 5.1016 ]
= 148,996.10-1 x 5,77.10-13
= 859,67.10-14 A

2. Perbedaan BJT dan FET adalah

 Pada BJT terdiri dua jenis yaitu NPN dan PNP. Prinsip kerja transistor BJT adalah
arus bias base-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter. Ada tiga
cara yang umum untuk memberi arus bias pada transistor, yaitu rangkaian CE
(Common Emitter), CC (Common Collector) dan CB (Common Base). Daerah
kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstans
terhadap berapapun nilai VCE. Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt
sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon). Jika tegangan V CC dinaikkan
perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan.
Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu
dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON).
  FET adalah suatu device yang dikontrol oleh tegangan. Fet juga merupakan
transistor unipolar, yang terdiri dari 2 jenis yaitu kanal n dan kanal p.

FET
No Keterangan
Kanal n Kanal p

 1.   Simbol

 2.   Kurva Karakteristik

 3.   Rumus ID

 4.   Kurva Tracer

 5.   Mode Operasi Depletion