Hal 536 540 Kelompok 13

Gambar 10.35 Insertion loss untuk bandpass filter dari contoh 10.16

dan

Nilai transformasi ini ditunjukkan pada rangkaian bandpass filter pada gambar 10.34c. Untuk tampilan insertion loss bandpass filter, kita dapat menyederhanakan rangkaian seperti yang ditunjukkan pada gambar 10.34d dengan merubah kombinasi LC paralel dengan sebuah impedansi Z1 dan merubah kombinasi LC seri dengan sebuah impedansi Z2. Kemudian kita dapatkan :
R

Setelah melakukan beberapa perubahan kita dapatkan :

dan kemudian

Ini ditampilkan pada gambar 10.35 menggunakan ML1003.

%MATLAB 10.3 %M-File:ML1003 % %This routine plots the insertion loss versus %frequency for the bandpass filter of example 10.16 %wentworth, 12/2/02 % %variables %R real line impedance (ohms) %Lc inductance (from cap) (H) %Cc capacitance (from cap)(F) %LL inductance (from ind)(H) %CL capacitance (from ind)(F) %f freq, (GHz) %w ang, freq. (rad/s) %ZLc, ZCc, ZLL, ZCL %element impedances %Z1-Z6 impedance variables %PLR power loss ratio %IL insertion loss (dB) clc %clears the command window clear %clears variables %initialize variables R=50; Lc=0.80e-9; Cc=32e-12; LL=40e-9; CL=0.65e-12; f=0.5:0.005:1.5; w=2*pi*f*1e9; %Perform calculations ZLc=i*w*Lc; ZCc=-i./(w*Cc); ZLL=i*w*LL; ZCL=-i./(w*CL); Z1=parallel(ZLc,ZCc); Z2=ZLL+ZCL; Z3=parallel(Z1,R); Z4=Z3+Z2; Z5=parallel(Z1,Z4); Z6=Z5+R; PLR=(Z4.*Z6./(2.*Z3.*Z5)).^2; IL=10*LOG10(abs(PLR)); %generate plot plot(f,IL); grid on xlabel ('frequency (GHz)') ylabel ('IL(dB)')

Prosedur rancangan Chebyshev sangat cocok digunakan untuk mendesain filter yang menggunakan rangkaian komponen dikrit. Pada rangkaian mikrowave, komponenkomponen tersebut sering dirubah ke dalam bentuk T-line. Untuk melihat bagaimana rangkaian ini bekerja, para mahasiswa biasanya langsung mengacu pada tulisan dari Pozar, Ludwig, dan Bretchko di akhir bab ini. 10.5 AMPLIFIERS Amplifier mikrowave merupakan komponen penting dan biasanya dipakai pada tranceiver wireless. Amplifier mikrowave dibangun dari sebuah transistor mikrowave yang berada disekitarnya dari field effect transistor (FET) atau bipolar junction transistor (BJT). Untuk frekuensi tinggi, operasi dengan kecepatan tinggi, beberapa jenis transistor khusus telah dikembangkan termasuk silicon germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs), gallium arsenide field effect transistors (GaAs FETs), dan GaAs high electron mobility transistors (GaAs HEMTs). Kerja dari sebuah amplifier tentunya untuk menguatkan sebuah sinyal. Selanjutnya dijelaskan mengenai gain (G), yaitu merupakan hubungan antara output power Pout dengan input power Pin seperti persamaan berikut : (10.61)

Sebagai tambahan untuk gain, karakteristik dari amplifier antara lain rangenya dinamik (berubah-ubah), terdapat noise figure, dan VSWR pada setiap bagian. Range dinamik ditampilkan pada gambar 10.36. Pada dasarnya range dari gain amplifier adalah konstan (sebagai contoh output merupakan fungsi linear dari input). Perluasan range dari sinyal minimum dapat dilihat dari noise floor up pada titik kompresi 1 dB. Yang mana nilai outputnya menurun 1 dB dibawah nilai ideal. Pembuatan amplifier sering melibatkan level daya keluaran pada titik kompresi 1 dB, biasanya dalam (dBm). Pada grafik yang ditunjukkan gambar 10.36 merupakan gambaran daya absolut, perlu diingat bahwa dBm bernilai 1 mW sehingga 10 dBm level daya keluaran bernilai :

(10.62) atau

Gambar 10.36 Amplifier dynamic range