Anda di halaman 1dari 11

LAPORAN PRAKTIKUM R-LAB

KARAKTERISTIK V I SEMIKONDUKTOR

Nama / NPM

: Nur Aisyah al-Anbiya / 1006660913

Fakultas / Program studi : Teknik / Teknik Lingkungan Kode Praktikum Tanggal Praktikum : LR03 : 28 September 2011

Laboratorium Fisika Dasar Unit Pelaksana Ilmu Pengetahuan Dasar (UPP-IPD) Universitas Indonesia

KARAKTERISTIK V I SEMIKONDUKTOR

Tujuan Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor

Peralatan 1. Bahan semikonduktor 2. Amperemeter 3. Voltmeter 4. Variable power supply 5. Camcorder 6. Unit PC 7. DAQ dan perangkat pengendali otomatis

Landasan teori Semikonduktor adalah suatu material yang sifatnya diantara konduktor dan insulator. Karena karakter energi gap semikonduktor yang berada diantara konduktor dan isolator. Tentunya untuk masing-masing atom atau senyawa memiliki besar energi yang berbeda. Semikonduktor sangat bergantung dengan temperatur. Pada temperatur tinggi semikonduktor dapat menghantarkan listrik atau bertindak sebagai konduktor, namun daya hantar atau konduktivitasnya lebih rendah dibandingkan dengan konduktor. Pada temperatur yang sangat rendah, material semikonduktor akan memiliki karakter seperti insulator. Penambahan jumlah impuritas pada material semikonduktor juga dapat menambah sifat konduktivitas listriknya.

Berikut ini merupakan beberapa elemen kimia dan senyawa yang merupakan material semikonduktor, silicon (Si), germanium (Ge), dan galium arsenit (GaAs). Sifat konduktivitas listrik dari material semikonduktor dapat bertambah selain karena adanya impuritas juga disebabkan karena adanya efek dari temperatur dan cahaya. Konduktivitas bertambah akibat dari penambahan jumlah elektron valensi di dalam material semikonduktor tersebut. Elektron valensi atau biasa disebut sebagai elektron yang berada di kulit terluar merupakan pembawa arus listrik.

Asumsikan terdapat material semikonduktor murni (intrinsic) seperti Si, Si memiliki jumlah elektron valensi sebanyak 4 buah, elektron-elektron tersebut berpasangan dan membentuk ikatan kovalen dengan elektron dari atom lainnya. Dalam keadaan ini elektron-elektron valensi tidak dapat bebas bergerak seperti halnya elektron bebas yang menghasilkan arus listrik. Bila diberikan temperatur tertentu atau cahaya, akan menyebabkan elektron tereksitasi keluar dari ikatan tersebut. Sebagai akibatnya elektron akan lebih bebas bergerak danmenghasilkan arus listrik. Ketika elektron tadi tereksitasi, elektron akan meninggalkan kekosongan posisi atau yang biasa dikenal sebagai hole. Hole juga dapat bergerak di lokasi tersebut dan memberikan kontribusi adanya aliran listrik. Elektron dapat tereksitasi tentunya temperatur atau cahaya tadi memiliki energi yang lebih besar dari energi ikatan elektron di dalam struktur.

Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas. Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan mengakibatkan perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor , pertambahan kalor / panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa dispasi panas dan perubahan resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.

Gambar 1. Rangkaian tertutup semikoduktor

Cara Kerja 1. Masuk ke halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor (http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory) 2. Memberikan beda potensial dengan memberi tegangan V1. 3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya. 4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan! 5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8 6. Mencatat semua data

Hasil Data :
Tegangan No 1 2 3 4 5 rata-rata V(volt) 0.46 0.46 0.46 0.46 0.46 0.46 I(mA) 3.58 3.26 3.58 3.26 3.26 3.39

V1

Tegangan

V2

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95 0.95

I(mA) 6.84 6.84 6.84 6.84 6.84 6.84

Tegangan

V3

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40 1.40

I(mA) 10.43 10.10 10.10 10.10 10.10 10.17

Tegangan

V4

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 1.89 1.89 1.90 1.89 1.89 1.89

I(mA) 14.34 14.01 14.01 14.01 14.34 14.14

Tegangan

V5

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 2.31 2.31 2.31 2.31 2.31 2.31

I(mA) 17.92 17.60 17.60 17.92 18.25 17.86

Tegangan

V6

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 2.91 2.91 2.91 2.90 2.90 2.91

I(mA) 23.13 23.13 23.79 23.79 24.11 23.59

Tegangan

V7

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 3.24 3.24 3.23 3.22 3.22 3.23

I(mA) 26.39 26.39 27.37 28.02 28.02 27.24

Tegangan

V8

No 1 2 3 4 5 rata-rata

V(volt) 3.69 3.68 3.67 3.67 3.66 3.67

I(mA) 31.61 32.26 32.58 32.91 33.56 32.58

Pengolahan data:

V 1 2 3 4 5 6 7 8

V RATA-RATA 0,46 0,95 1,4 1,89 2,31 2,91 3,23 3,67

I RATA-RATA 3,39 6,84 10,17 14,14 17,86 23,59 27,24 32,58

Grafik perbandingan V dan I :

Perbandingan V dan I
35 30 25 I rata-rata 20 15 10 5 0 0 1 2 V rata-rata 3 4 6.84 3.39 10.17 32.58 y = 9.0048x - 1.9564 R = 0.9915 27.24 23.59 17.86 14.14 Series1 Linear (Series1)

no 1 2 3 4 5 6 7 8 total

xi 0,46 0,95 1,4 1,89 2,31 2,91 3,23 3,67 16,82

yi 3,39 6,84 10,17 14,14 17,86 23,59 27,24 32,58 135,81

xi2 0,2116 0,9025 1,96 3,5721 5,3361 8,4681 10,4329 13,4689 44,3522

yi2 11,4921 46,7856 103,4289 199,9396 318,9796 556,4881 742,0176 1061,456 3040,588

Analisa: Analisa percobaan: Pada percobaan Karakteristik V dan I semikonduktor yang bertujuan untung

mengetahui perubahan beda tegangan dan kuat arus pada semikonduktor alat-alat yang dibutuhkan adalah bahan semikonduktor, amperemeter, voltmeter, variable power supply, camcorder ,unit PC ,DAQ, dan perangkat pengendali otomatis.

Percobaan dimulai dengan masuk ke halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor (http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory) lalu mengaktifkan video streaming agar

dapat melihat tegangan awal sampai mencapai nilai nol, kemudian memberikan beda potensial dengan memberi tegangan V1 setelah itu mengaktifkan power supply atau baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya. Selanjutnya mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan yang ditampilkan oleh komputer. Akhirnya mengulangi langkah tersebut untuk beda potensial V2 hingga V8, Mencatat semua data dan mengolahnya.

Analisa hasil pengolahan data : Dari hasil percobaan, didapatlah hasil:


V 1 2 3 4 5 6 7 8 V RATA-RATA 0,46 0,95 1,4 1,89 2,31 2,91 3,23 3,67 I RATA-RATA 3,39 6,84 10,17 14,14 17,86 23,59 27,24 32,58

Menurut data dan grafik yang dihasilkan V dan I pada semikonduktor berbanding lurus, sama-sama naik secara bertahap. Hal ini dikarenakan adanya faktor yang berpengaruh

yaitu sifat atau properti semikonduktor yang agak sensitif,arus dalam semikonduktor cepat hilang, dan adanya hambatan yang diberikan. Adapun nilai lain yang didapat dari pengolahn data: b= 9.004 : kemiringan =m a= -1.956 y = bxa y = 9.004x-1.956

Analisa kesalahan :

Kesalahan literatur dari percobaan ini mencapai 96 %. Tingginya faktor kesalahan ini dimungkinkan adanya kesalahan dari alat yang digunakan,berhubung percobaan dilakukan secara otomatis sehingga praktikan tidak bisa mengecek adanya kesalahan alat(error) sehingga tidak dapat meminimalisir kesalahan literatur.

Kesimpulan: Pada praktikum kali ini dapat disimpulkan bahwa : Kenaikan beda potensial dan kuat arus semikonduktor berbanding lurus,naik secara bertahapan.sesuai rumus
V = I.R

Keterangan : V: tegangan (Volt) I : kuat arus (A) R : hambatan (ohm)

Referensi : 1. www.siliconfareast.com 2. H. Ibach and H. Luth, Solid State Physics, 2nd edition, Springer, 1995 3. Giancoli, D.C. Physics for Scientists & Engeeners, Third Edition, Prentice Hall, NJ, 2000. 4. Halliday, Resnick, Walker. Fundamentals of Physics, 7th Edition, Extended Edition, John Wiley & Sons, Inc., NJ, 2005.