SULIT ARAHAN : Jawab EMPAT(4) dari ENAM(6) soalan. INSTRUCTION : Answer FOUR(4) out of SIX(6) questions.

SOALAN 1 a) b) c) d) e) Huraikan DUA (2) kelebihan litar bersepadu

E5163

(4 markah) Nyatakan TIGA (3) kelbihan transistor MOS berbanding transistor dwikutub (6 markah) Nyatakan TIGA (3) jenis struktur hablur dan lakarkan rajah yang sesuai bagi struktur hablur tersebut. (6 markah) Lakarkan gambarajah blok penyediaan polisilikon ultra tulen dari pasir serta nyatakan persamaan kimianya. (7 markah) Apakah kelebihan menggunakan saiz diameter jongkong silikon yang lebih besar bagi kaedah tumbesaran hablur tunggal. (2 markah) QUESTION 1 a) b) c) d) Describe 2 advantages Integrated Circuit. (4 marks) List 3 advantages MOS transistor compare with 2-poles transistor. (6 marks) List 3 types of crystals structures and sketch suitable figure for the structures. (6 marks) Sketch block diagram and means chemical equation for pure-ultra polysilicon process from sand. (7 marks) e) What is advantages using big size diameter compare with the biggest singlecrystal growth technique. (2 marks)

SULIT SOALAN 2 a) b) Nyatakan DUA (2) fungsi lapisan oksida.

E5163

(2 markah) i. ii. c) d) e) Berikan DUA (2) kelebihan pengoksidaan kering (2 markah) Tuliskan persamaan kimia yang terlibat dalam proses pengoksidaan basah (4 markah) Berikan DUA (2) fungsi lapisan epitaksi. (2 markah) Berikan DUA (2) kelemahan penanaman ion. (2 markah) Proses fabrikasi litar bersepadu melalui beberapa peringkat. Huraikan prosesproses berikut: i. Pengedopan ii. Fotolitografi iii. Pelogaman (9 markah) f) i. ii Apakah fungsi punaran? (2 markah) Kaedah punaran kering melibatkan tindakbalas plasma dengan bahan sasaran yang perlu disingkirkan. Apakah yang dimaksudkan dengan plasma. (2 markah)

SULIT

E5163

QUESTION 2 a) b) List TWO(2) functions Silicon Oxide. (2 marks) i. ii. c) d) e) Give TWO(2) dry oxidation process advantages. (2 marks) Write chemical equation which involved with wet oxidation process. (4 marks) Give TWO(2) epitaxy layer functions. (2 marks) Give TWO(2) ion implantation disadvantages. (2 marks) Integrated Circuit of Fabrication process has a few level of process. Explain below processes: i. Doping ii. Photolithography iii. Metallization (9 marks) f) i. ii. What is etching. (2 marks) Dry etching technique using plasma will reflect action with the target. What is plasma definition? (2 marks)

SULIT SOALAN 3 a) Senaraikan EMPAT (4) teknologi pembuatan CMOS

E5163

(4 markah) b) Dengan mengikut urutan, senaraikan tahap-tahap yang terlibat dalam pemprosesan transistor CMOS. (7 markah) c) Dengan bantuan gambarajah, terangkan kendalian latch-up yang ujud dalam CMOS (14 markah)

QUESTION 3 a) b) c) List FOUR(4) CMOS technology production. (4 marks) list levels which involved with CMOS transistor process by following steps. (7 marks) Explain CMOS latch-up operation with support diagram. (14 marks)

SULIT SOALAN 4 a) Nyatakan DUA (2) perbezaan antara cip ASICs dan cip kegunaan am / litar bersepadu piawai

E5163

(4 markah) b) i. Nyatakan DUA (2) kaedah yang digunakan dalam rekabentuk separa langganan (2 markah) ii. Dari segi ekonomi, metadologi rekabentuk manakah yang termurah dan kenapa? (3 markah) c) Bincangkan perbandingan antara rekabentuk langganan penuh dengan separa langganan dari segi:i. saiz serpih ii. bilangan topeng iii. masa merekabentuk iv. prestasi kendalian (8 markah) d) i. ii. e) Apakah maksudkan tatasusunan get? (2 markah) Lakarkan dan labelkan pelan lantai bagi sel tersebut. (4 markah) Nyatakan DUA (2) kelebihan sel-sel piawai. (2 markah)

SULIT QUESTION 4 a) b) List TWO(2) different between ASICs and standard chip integrated circuit.

E5163

(4 marks) i. ii. c) List TWO(2) technique which used in semi-custom design. (2 marks) Which methodology designs cheaper in economic aspect? Why? (3 marks) Discuss different between semi-custom and full-custom in below aspects : i. Chip size ii. Mask amount iii. Designing time iv. Operation capability (8 marks) d) i. ii. e) What is get array definition? (2 marks) Sketch and labels floor-plan for get array cell. (4 marks) List TWO(2) standard-cells advantages. (2 marks)

SULIT SOALAN 5 a) i. ii. Apakah yang dimaksudkan dengan peranti logik boleh aturcara (PLD) Berikan SATU (1) contoh penggunaan yang biasa.

E5163

(4 markah) b) Berikan TIGA (3) sebab mengapakah hokum rekabentuk perlu dipatuhi dalam merekabentuk satu bentangan fizikal bagi litar bersepadu. Berikan penjelasan ringkas mengenainya. (5 markah) c) d) Bandingkan PLD dengan litar bersepadu piawai dan litar bersepadu langganan. (6 markah) Laksanakan litar logic bagi F1 dan F2 dengan menggunakan PLD, lakarkan litar ini dan tentukan masukan dan keluaran dan nyatakan bilangan x intact fuse dan hard-wired. F1 = XYZ + XYZ + XYZ + XYZ F2 = XYZ + XYZ + XYZ + XYZ (10 markah) QUESTION 5 a) i. What is definition of Programmable Logic Device(PLD)? ii. Give ONE(1) example of the basic application. (4 marks) b) Give THREE(3) reasons why design rules should be follow in one integrated circuit physical layout. Explain shortly about it. (5 marks) Differentiate PLD between standard integrated circuit and custom integrated circuit. (6 marks) Develop logic circuit for F1 and F2 using PLD. Sketch the circuit, find out the output and input and list amount x intact fuse and hard-wired. F1 = XYZ + XYZ + XYZ + XYZ F2 = XYZ + XYZ + XYZ + XYZ (10 marks)

c) d)

SULIT SOALAN 6 a) b) Senaraikan TIGA(3) kelemahan CMOS.

E5163

(3 markah) i. ii. c) Takrifkan penyelakuan. (2 markah) Senaraikan DUA(2) kelebihan dan DUA(2) kelemahan penyelakuan. (4 markah) Terangkan dengan ringkas : i. CMOS ii. Litar penyongsang asas CMOS (6 markah) d) Terangkan kendalian litar penyongsang asas CMOS. (10 markah)

QUESTION 6 a) b) List THREE(3) CMOS disadvantages. (3 marks) i. ii. c) Definite simulation. (2 marks) List TWO(2) advantages and TWO(2) disadvantages simulation. (4 marks) Explain shortly below : i. CMOS ii. Basic CMOS Inverter circuit (6 marks) d) Explain Basic CMOS Inverter circuit Operation. (10 marks)