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Difetti estesi:

•Dislocazioni
•Bordi grano

A.A. 05/06 Chimica dei materiali I (II mod.) Docente: Simona Binetti
Corso di laurea in Scienza dei materiali
Difetti nei solidi: classificazione
•0D: difetti di punto (vacanze, interstiziali, impurezze)
•1D: difetti lineari (dislocazioni,)
•2D: difetti planari (stacking faults, bordi grano (presso i
quali cambia interamente l'orientamento dei piani di
reticolo da un grano all'altro)
•3D: difetti di volume (difetti estesi, voids, inclusioni,
segregazioni)

Le dislocazioni sono i difetti maggiormente studiati


(1930) Le dislocazioni permettono di spiegare come mai i metalli sono
sperimentalmente più soffici delle previsioni teoriche. Calcoli di resistenza
alla deformazione di metalli danno valori di 4 ordini di grandezza superiori a
quelli sperimentali .

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Il concetto di dislocazione : da dove proviene
Quando un solido viene deformato, localmente su ogni punto
si esercitano delle pressioni : Stress ( σ) (N.m2 o Pa)
1. Uniaxial stresses (forze normali alla superficie)
2. Shear stresses (forze tangenti alla superficie)

Strain
∆l
ε=
l

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Elasticità- Plasticità dei materiali

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b

Applicazioni della legge di Hooke

σ = Eε E = modulo di Young

τ = Gγ G = modulo di scorrimento (modulo di shear)

dl
=ν ν rapporto di Poisson

A.A. 05/06
l
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Edge dislocation

b perpendicolare alla linea


dislocazione
Screw dislocation

A.A. 05/06 b // linea dislocazione


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Vettore di Burger

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Dislocazione mista

A.A. 05/06 o posizione atomica sopra il piano di scorrimento


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Movimento di una dislocazione

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Moto di Glide e Climb

Il processo di climb è un moto non conservativo e consiste in un movimento della dislocazione


al di fuori del suo piano di scorrimento,in direzione perpendicolare a tale piano (difetti di
punto)

Il processo di glide di una dislocazione viene detto conservativo, cioè non implica un aumento
o una diminuzione degli atomi del cristallo, ma solo un loro diverso riarrangiamento.

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Si muove parallela

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Dislocazioni

• Slip System

{111} 12 slip System


FCC <110>

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12 4x 3

12
12
24

3
3
6

A.A. 05/06
Più fragili
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Distribuzione delle dislocazioni
Le dislocazioni sono dispose in 3D network-

Densità di dislocazioni di un materiale è definita come la


lunghezza totale della dislocazione in un volume unitario

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Considerazioni termodinamiche, relative alle dislocazioni:
non sono un difetto di equilibrio.

Energia associata alla dislocazione è in grado di spiegare :

perché la ricottura rende più tenero un materiale


perché le dislocazioni in cristalli FCC si scindano in dislocazioni parziali
perché le figure di attacco indicano la presenza di dislocazioni
Perché le dislocazioni interagiscono tra di loro
Perché le dislocazioni “attirano” impurezze

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Energia elastica della dislocazione screw

Compressione

Trazione

θ
1 r1
E= 2
Gb log
4π r0
Dove:
•G è il modulo di shear
•b il vettore di Burger
b •ro = 10-9 m
r
•G =1010 N/m2
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Energia elastica della dislocazione screw

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z  b
2 r dr γ= tg θ

stress    z  G  z
G  mod ulo di shear
energia di deformazione per unità di volume é

2
dE 1 1  b 
   z  z  G  
dV 2 2  2 r 
2
1 r1  b  1 r1
E = ∫ r0 G   2π rdr =
2
Gb log
A.A. 05/06
2  2π r  4π r0
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y
  tg 
zo

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1 2
E = kx
2
y
  tg 
zo

F = − Kx
σ = Gγ

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Dislocazioni edge
• Se si vuole calcolare l'energia per unità di lunghezza si
deve tenere conto anche che sono in gioco stress
compressivi 2
1 b r1
E= G log
4π 1 − v r0
(3k − 2G )
v=
2(3K + G )
ν= modulo di Poisson,
K modulo elastico di bulk
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R
ln = 4π
r0
E ≅ lGb 2

lGb 2
E≅
1 −ν

• Energia elastica per unità di


lunghezza al di fuori del core
della dislocazione
• r0= 10-9 m e r1 l’intero cristallo
• G= 4x1010 Nm-2
• b = 2.5 10-10 m Se n = 1/3 l’energia di una dislocazione lineare è circa 3/2 di quella
• Cristallo di 0.01 mm di una dislocazione elicoidale della stessa lunghezza

• E= 3.2 10-9 Jm-1


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Un dislocazione curva avrà una tensione lineare

δE
T= ≅ Gb 2

δl

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Distribuzione delle dislocazioni
Le dislocazioni sono dispose in 3D network-

Densità di dislocazioni di un materiale è definita come la


lunghezza totale della dislocazione in un volume unitario

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•Dislocazioni si attraggono o si respingono tra di loro
•Impurezze interstiziali tendono a migrare verso la regione
in trazione di una dislocazione lineare, abbassando in tal modo
l’energia di deformazione
•Impurezze sostituzionali migrano verso la regione in compressione

•L’energia di un cristallo può essere diminuita se queste si allineano


una sopra l’altro provocando bordi grano

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• Reazioni tra dislocazioni : e’ favorita se
b12  b22  b32

• Dissociazione di una dislocazione se :


b12  b22  b32

• Incrudimento e indurimento per precipitazione

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Locking di una dislocazione
Ci sono, quindi solo due modi per fare un cristallo resistente alla deformazione :
• 1. fare un cristallo perfetto privo di dislocazioni (e ciò è praticamente
impossibile da realizzare)
• 2. oppure impedire il moto delle dislocazioni

Locking da parte di una impurezza


Strain-hardening e ricottura

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Meccanismo di generazioni di dislocazioni : sorgente
di Frank Read
BC si muove , perchè la
tensione è sul piano di
scorrimento
Si flette fino ad equilibrare
la tensione applicata
AB e CD rimangono fissi
(perchè non c’è tensione sul
loro piano)
Ho 2 dislocazioni elicoidali
che si attraggono e si annulano

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Incrudimento :
All’aumentare della densità delle dislocazioni
aumenta la frequenza di intersezione delle dislocazioni
e quindi necessaria una tensione via via crescente per provocare ulteriore
deformazione

Ricottura: riscaldato ad alta temperatura (> temperatura di fusione)


Annealing: migrazione alla supeficie, interazioni , annullamenti,

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Dislocazioni e difetti di punto

• La condensazione di vacanze può creare


dislocazioni

•Moto di climb

Supersaturazione di Vacanze - Precipitazione

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Dislocazioni e stacking fault
• Stacking fault = difetto di impacchettamento:
ABABABABCABAB

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Eteroepitassia: mismatch reticolare : dislocazioni

Misfit dislocations compensate for differences in the lattice constants


by concentrating the misfit in one-dimensional regions - the dislocation lines

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• Misfit dislocation networks
arise in thin films to relieve
the lattice mismatch
Elastically strained between film and substrate.
thin film If the lattice mismatch is
small enough, or the film is
thin enough, the full film
can be elastically strained
preventing the formation of
misfit dislocations. This is
not the case for many
metal/metal systems even
Film with misfit for one layer films.
dislocations

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Metodi per individuare la presenza di dislocazioni

Metodi superficiali
Metodi di decorazione
TEM
Diffrazione raggi X

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Metodi sperimentali
• Etching chimici
• TEM
• SEM + EBSD (Electron Beam spectroscopy
Refection)

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Metodi per individuare la presenza di dislocazioni

Attacchi chimici

Densità di dislocazioni < 1010m-2


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Silicio:

Tungsteno:

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Metodi di “decorazione”
1958 Amelinckx rilevò dislocazioni in KCl introducendo AgCl

•Utilizzo di luce polarizzata per visualizzare fenomeni di birifrangenza


indotti dalle dislocazioni
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Topografia a raggi X

applicabile per D < 1010m-2

Si: Il campione viene orientato in modo che un set di piani sia in


condizione di Bragg e si raccolga l’intensità diffratta

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TEM (Transmission Electron Microscopy)

E= 100keV
Spessore = 100nm – 1000nm

λ= 3.7 pm at 100 keV

Risoluzione: 0.2 –0.4 nm

Bright field :Fascio trasmesso dal


campione
Dark field: fascio diffratto
Immagine TEM di una lega di titanio
51450X

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Quasi tutti i materiali naturali o artificiali sono aggregati di grani
cristallini di diverse dimensioni, con diversa orientazione cristallina,
separati da “bordi di grano”.
Tutti i materiali di interesse ingegneristico sono complesse misture di
diverse specie atomiche, aggiunte di proposito o
presenti come impurezze.
Il livello della microstruttura è quello dove il material scientist
ottimizza e ingegnerizza le proprietà finali del materiale, usando un
mix di regole empiriche e intuizione chimico-fisica.
Le deviazioni dalla cristallinità, come bordi di grano, inclusioni,
dislocazioni, impurezze, formano la microstruttura.
Determinano durezza, duttilità, proprietà elettroniche e magnetiche, di una
lega o di un composto.
La microstruttura dipende dalla storia termica e dalla sequenza dei
trattamenti (o processing, fusione, annealing, lavorazioni
meccaniche, ricristallizzazione) del materiale.

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Bordi grano
• Il bordo di grano è definito come l'interfaccia di separazione tra due
grani A e B dello stesso materiale cristallino

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Bordi grano e dislocazioni

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Spazio tra le due edge dislocazioni : D= b/sinθ = b/θ
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Un bordo grano (Gb) generalmente è un misto tra un tilt e un twist gb

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θ> 10−15 ° Random High Angle Grain Boundary:
E non dipende più da θ

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Twin Boundary

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Coincidence Site Lattice: Σ
• Definition:
The relation between the number of lattice
points in the unit cell of a CSL and the
number of lattice points in a unit cell of the
generating lattice is called Σ (Sigma); it is
the unit cell volume of the CSL in units of
the unit cell volume of the elementary cells
of the crystals

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Corso di laurea in Scienza dei materiali
 Σ indice di coincidenza , rappresenta la densità reciproca
dei siti coincidenti ,

 Σ=1
 Σ = 3 twin boundary

• Bassi valori di Σ sono i più diffusi

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Bordi grano :
• Sono direttamente “coinvolti”in :
– Proprietà meccaniche
– Fenomeni di trasporto
– Proprietà elettriche
– Reazioni chimiche

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Fattori che influenzano la diffusione
• Temperatura
• Meccanismo di diffusione ( I , V)
• Natura delle specie
• Microstruttura

Autodiffusione di Ag

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