BAB II

SISTEM MEMORY

Memori (atau lebih tepat disebut memori Iisik) merupakan istilah generik yang merujuk
pada media penyimpanan data sementara pada komputer. Setiap program dan data yang sedang
diproses oleh prosesor akan disimpan di dalam memori Iisik. Data yang disimpan dalam memori Iisik
bersiIat sementara, karena data yang disimpan di dalamnya akan tersimpan selama komputer tersebut
masih dialiri daya (dengan kata lain, komputer itu masih hidup). Ketika komputer itu direset atau
dimatikan, data yang disimpan dalam memori Iisik akan hilang. Oleh karena itulah, sebelum
mematikan komputer, semua data yang belum disimpan ke dalam media penyimpanan permanen
(umumnya berbasis disk, semacam hard disk atau floppy disk), sehingga data tersebut dapat dibuka
kembali di lain kesempatan. Memori Iisik umumnya diimplementasikan dalam bentuk Random
Access Memory (RAM), yang bersiIat dinamis (DRAM). Mengapa disebut Random Access, adalah
karena akses terhadap lokasi-lokasi di dalamnya dapat dilakukan secara acak (random), bukan secara
berurutan (sekuensial). Meskipun demikian, kata random access dalam RAM ini sering menjadi salah
kaprah. Sebagai contoh, memori yang hanya dapat dibaca (ROM), juga dapat diakses secara random,
tetapi ia dibedakan dengan RAM karena ROM dapat menyimpan data tanpa kebutuhan daya dan tidak
dapat ditulisi sewaktu-waktu. Selain itu, hard disk yang juga merupakan salah satu media
penyimpanan juga dapat diakses secara acak, tapi ia tidak digolongkan ke dalam Random Access
Memory.

Sistem Memory
Dalam perangkat keras suatu sistem komputer diperlukan suatu device penyimpanan data atau
memori, memori dalam sistem komputer dibagi menjadi dua macam yaitu memori internal dan juga
memori eksternal.
2.1.1. Read Only Memory(ROM)
Read only memori (ROM) atau terkadang disebut Iirmware adalah jenis memori
yang isinya tidak hilang ketika tidak mendapatkan aliran listrik dan pada awalnya isinya
hanya bisa dibaca. ROM pada komputer disediakan oleh vendor komputer dan berisi
program atau data. Didalam PC, ROM biasanya disebut BIOS(basic input/output system)
atau ROM BIOS. Instruksi dalam BIOS inilah yang akan dijalankan oleh mikroprosesor
ketika komputer mulai dihidupkan. Umumnya prosesor yang terkandung dalam BIOS
secara berurutan adalah sebagai berikut :

O Memeriksa CMOS.
O Membuat penangananan instruksi dan pengendali piranti.
O Menginisialisasi register dan manajemen daya listrik.
O Melakukan pengujian perangkat keras (POST) atau the power on selI test untuk
memastikan suatu perangkat keras berjalan dengan baik.

O Menampilkan pangaturan-pengaturan pada sistem.

O Menentukan piranti yang akan digunakan untuk menjalankan program
(misalnya hardis).
O Mengambil isi boot sector. Boot sector juga merupakan suatu program kecil
oleh bios program ini dimuat ke RAM dan kemudian mikroprosesor akan
mengeksekusi perintah-perintah yang sudah ada dalam RAM tersebut.

2.1.2. Random Acces Memory (RAM)
RAM( random acces memori) adalah jenis memori yang isinya dapat diganti-ganti
selama komputer dihidupkan dan mempunyai siIat bisa mengingat data atau program
selama terdapat arus listrik. Selain itu, ram mempunyai siIat dapat menyimpan dan
mengambil data dengan sengat cepat. Tipe RAM pada PC sangat bermacam-macam yaitu:
O DRAM (dynamic ram) jenis RAM yang secara berkala harus disegarkan oleh
CPU agar data yang terkandung didalamnya tidak hilang.
O DORAM (extendded data out RAM) adalah jenis memori yang digunakan
pada sistem yang menggunakan pentium. Cocok digunakan yang memiliki bus
dengan kecepatan sampai 66Mhz.
O SDRAM (syncronous dynamic RAM) adalah jenis ram yang palinng Umum
digunakan pada PC jaman sekarang. RAM ini di syncronisasi oleh clock system
dan memiliki kecepatan lebih tinggi dari DRAM. Cocok untuk sistem dengan
bus yang memiliki kecepatan sampai 100Mhz.
O SRAM (static RAM) adalah jenis memori yang tidak perlu penyegaran oleh
CPU agar data yang terdapat didalam tetap tersimpan dengan baik. RAM jenis
ini memiliki kecepatan yang lebih tinggi dari SDRAM.

RAM pada PC dinyatakan dengan satuan megabyte dan dijual dalam bentuk modul
misal 512 MB atau 1GB. Modul RAM bisa dalam bentuk SIMM atau DIMM.
O SIMM ( single inline memori module) memiliki cip ram hanya pada satu sisi
papan.
O DIMM (doubleinline memori module) memiliki cip ram tidak hanya pada satu
sisi papan melainkan pada dua sisinya.
irarki Memory
ierarki Memori atau Memory ierarchy dalam arsitektur komputer adalah sebuah pedoman
yang dilakukan oleh para perancang demi menyetarakan kapasitas, waktu akses, dan harga memori
untuk tiap bitnya. Secara umum, hierarki memori terdapat dua macam yakni hierarki memori
tradisional dan hierarki memori kontemporer

ierarki memori memang disusun sedemikian rupa agar semakin ke bawah, memori dapat mengalami
hal-hal berikut:
O peningkatan waktu akses (access time) memori (semakin ke bawah semakin lambat, semakin
ke atas semakin cepat)
O peningkatan kapasitas (semakin ke bawah semakin besar, semakin ke atas semakin kecil)
O peningkatan jarak dengan prosesor (semakin ke bawah semakin jauh, semakin ke atas
semakin dekat)
O penurunan harga memori tiap bitnya (semakin ke bawah semakin semakin murah, semakin ke
atas semakin mahal)

Karakteristik Memory
Untuk mempelajari sistem memori secara keseluruhan, harus mengetahui karakteristik
karakteristik kuncinya. Karakteristik penting sistem memori disajikan dalam tabel berikut :



Dilihat dari lokasi, memori dibedakan menjadi beberapa jenis, yaitu register, memori
internal dan memori eksternal. Register berada di dalam chip prosesor, memori ini diakses langsung
oleh prosesor dalam menjalankan operasinya. Register digunakan sebagai memori sementara dalam
perhitungan maupun pengolahan data dalam prosesor. Memori internal adalah memori yang berada
diluar chip prosesor namun mengaksesannya langsung oleh prosesor. Memori internal dibedakan
menjadi memori utama dan cache memori. Memori eksternal dapat diakses oleh prosesor melalui
piranti I/O, memori ini dapat berupa disk maupun pita.

Karakteristik lainnya adalah kapasitas. Kapasitas memori internal maupun eksternal biasanya
dinyatakan dalam mentuk byte (1 byte 8 bit) atau word. Panjang word umumnya 8, 16, 32 bit.
Memori eksternal biasanya lebih besar kapasitasnya daripada memori internal, hal ini disebabkan
karena teknologi dan siIat penggunaannya yang berbeda.
Karakteristik berikutnya adalah satuan tranfer. Bagi memori internal, satuan tranIer sama dengan
jumlah saluran data yang masuk ke dan keluar dari modul memori. Jumlah saluran ini sering kali
sama dengan panjang word, tapi dimungkinkan juga tidak sama. Tiga konsep yang berhubungan
dengan satuan transIer :

Word, merupakan satuan 'alami organisasi memori. Ukuran word biasanya sama dengan
jumlah bit yang digunakan untuk representasi bilangan dan panjang instruksi.
Addressable units, pada sejumlah sistem, adressable units adalah word. Namun terdapat
sistem dengan pengalamatan pada tingkatan byte. Pada semua kasus hubungan antara panjang
A suatu alamat dan jumlah N adressable unit adalah 2A N.

Unit of tranfer, adalah jumlah bit yang dibaca atau dituliskan ke dalam memori pada
suatu saat. Pada memori eksternal, tranfer data biasanya lebih besar dari suatu
word, yang disebut dengan block.

Perbedaan tajam yang terdapat pada sejumlah jenis memori adalah metode access-nya.
Terdapat empat macam metode :

$equential access, memori diorganisasi menjadi unit unit data yang disebut record. Akses
harus dibuat dalam bentuk urutan linier yang spesiIik. InIormasi mengalamatan yang
disimpan dipakai untuk memisahkan record record dan untuk membantu proses pencarian.
Terdapat shared read/write mechanism untuk penulisan/pembacaan memorinya. Pita
magnetik merupakan memori yang menggunakan metode sequential access.
Direct access, sama sequential access terdapat shared read/write mechanism. Setiap blok
dan record memiliki alamat unik berdasarkan lokasi Iisiknya. Akses dilakukan langsung pada
alamat memori. Disk adalah memori direct access.
Random access, setiap lokasi memori dipilih secara random dan diakses serta dialamati
secara langsung. Contohnya adalah memori utama.

Associative access, merupakan jenis random akses yang memungkinkan pembandingan
lokasi bit yang diinginkan untuk pencocokan. Jadi data dicari berdasarkan isinya bukan
alamatnya dalam memori. Contoh memori ini adalah cache memori yang akan dibahas di
akhir bab ini.

Berdasarkan karakteristik unjuk kerja, memiliki tiga parameter utama pengukuran unjuk
kerja, yaitu :

Access time, bagi random access memory, waktu akses adalah waktu yang dibutuhkan untuk
melakukan operasi baca atau tulis. Sedangkan untuk memori non-random akses merupakan
waktu yang dibutuhkan dalam melakukan mekanisme baca atau tulis pada lokasi tertentu.
Memory cycle time, konsep ini digunakan pada random access memory dan terdiri dari
access time ditambah dengan waktu yang diperlukan transient agar hilang pada saluran sinyal.
Transfer rate, adalah kecepatan data transIer ke unit memori atau dari unit memori. Pada
random access memory sama dengan 1/(cycle time). Sedangkan untuk non random access
memory dengan perumusan :



TN = waktu rata rata untuk membaca atau menulis N bit
TA = waktu akses rata rata
N = jumlah bit
R = kecepatan transfer dalam bit per detik (bps)


Jenis tipe fisik memori yang digunakan saat ini adalah memori semikonduktor dengan
teknologi VLSI dan memori permukaan magnetik seperti yang digunakan pada disk dan pita
magnetik.

Berdasarkan karakteristik fisik, media penyimpanan dibedakan menjadi volatile dan
nonvolatile, serta erasable dan nonerasable. Pada volatile memory, inIormasi akan hilang apabila
daya listriknya dimatikan, sedangkan non-volatile memory tidak hilang walau daya listriknya hilang.
Memori permukaan magnetik adalah contoh no-nvolatile memory, sedangkan semikonduktor ada
yang volatile dan non-volatile. Ada jenis memori semikonduktor yang tidak bisa dihapus kecuali
dengan menghancurkan unit storage-nya, memori ini dikenal dengan ROM (Read Only Memory).

Teknologi terbaru
Dalam elektronik engineering, DDR3 SDRAM atau double-data-rate tiga sinkronis dinamis
random akses memori acak memori akses, teknologi bandwidth tinggi untuk penyimpanan data kerja
dari komputer atau digital perangkat elektronik.
DDR3 adalah bagian dari SDRAM keluarga dan teknologi adalah salah satu dari banyak
DRAM (Dinamis Random Akses Memori) implementasi. DDR3 SDRAM adalah perbaikan atas para
pendahulu, DDR2 SDRAM. Keuntungan Utama DDR3 adalah kemampuan untuk mentransIer I / O
data di delapan kali data tingkat memori berisi sel, sehingga memungkinkan bus lebih tinggi dan
harga lebih tinggi dari harga sebelumnya puncak teknologi memori. Selain itu, standar DDR3
memungkinkan chip kapasitas 512 megabits hingga 8 gigabits, eIektiI memungkinkan maksimum
ukuran modul memori 16 gigabyte.
Memori DDR3 memberikan pengurangan konsumsi daya lebih dari 30 dibandingkan DDR2
modul karena DDR3 dari 1,5 V pasokan tegangan, dibandingkan dengan DDR2 dari 1,8 V atau 2,5 V.
Pasokan tegangan bekerja dengan baik dengan 90 nanometer pembuatan teknologi yang digunakan
dalam asli DDR3 keripik. Beberapa produsen lebih mengusulkan menggunakan 'dual-gate
Transistor untuk mengurangi kebocoran dari sekarang.
Keuntungan utama DDR3 berasal dari bandwidth tinggi dimungkinkan oleh DDR3 dari 8 bit
deep preIetch buIIer, kontras untuk DDR2 dari 4 bit preIetch buIIer atau DDR s 2 bit buIIer.
Secara teori, kecepatan yang dimiliki oleh RAM ini memang cukup memukau. Ia mampu
mentransIer data dengan clock eIektiI 800-1600 Mz. Pada clock 400-800 Mz, jauh lebih tinggi
dibandingkan DDR2 sebesar 400-1066 Mz (200-553 Mz) dan DDR sebesar 200-600 Mz (100-
300 Mz).
Produk ini muncul pada pertengahan tahun 2007, bersamaan dengan motherboard yang menggunakan
chipset Intel P35 Bearlake. Walau sebenarnya sudah diperkenalkan sejak awal tahun 2005. Di
motherboard ber-Chipset P35, sudah mendukung slot DIMM Memory DDR3- 1600. Selain memiliki
catudaya yang berbeda dengan DDR2, letak key notch pada keduanya berbeda namun sama-sama
memiliki 240 pin.
Corsair mengklaim sebagai perusahaan yang paling cepat memproduksi memori DDR3 RAM.
Memori RAM terbaru yang dirilis adalah Dominator DDR3 RAM yang memiliki kecepatan Irekuensi
2133 Mz. Memori yang memiliki nomor TW3X2G2133C9DF ini akan dipasarkan seharga US$ 575
(sekitar Rp 5 juta). Kapasitas yang tersedia mulai 2 GB yang terdiri dari sepasang modul 1 GB. RAM
tersebut beroperasi dengan menggunakan hitunan waktu 9-9-9-24 pada Irekuensi 1.333 Mz. Memori
tersebut telah diuji coba pada motherboard NVIDIA 790i yang menggunakan kecepatan FSB 2133
Mz. Penyimpan data yang menggunakan sistem pendingin Dual-Path eat Xchange ini akan
menggantikan standar RAM DDR2.
Kingston Technology Company, Inc., mengumumkan peluncuran Modul memori yperX
DDR3 high perIormance 1800 Mz dan 1625 Mz Low-Latency. Keduanya mengembangkan
teknologi DDR3. CAS Latency yang lebih rendah umumnya menawarkan perIorma yang lebih baik
bahkan jika kecepatan modul itu sendiri tergolong lamban tanpa meningkatkan suhu yang
membutuhkan pendinginan ekstra, terutama dalam sistem berIrekuensi tinggi. Peluncuran Kingston
yperX 1625Mz low-latency memory menandai debut ketiga Kingston dalam arena overclocking
DDR3 low-latency.

Perbedaan antara RAM DDR2 dan RAM DDR3

2.4.1. Kelebihan RAM DDR3
O Bandwidth lebih tinggi (sampai dengan 1600 Mz)
O Peningkatan perIorma pada daya yang lebih kecil.
O Pada laptop, baterai akan lebih tahan lama.
O Operasional memritambahan untuk meningkatkan kinerja, eIisiensi dan margin timing
O Memungkinkan beberapa kepadatan tinggi, rendah tegangan modul pilihan untuk server,
desktop, notebook dan aplikasi.
2.4.2. Kekurangan RAM DDR3
O Modul memori DDR3 tidak kompatibel ke belakang untuk motherboard berbasis DDR2.
O arga yg mahal dibandingkan RAM DDR2.

2.4.3. RAM DDR 4

Samsung lectronics telah mengumumkan bahwa mereka telah menyelesaikan
pengembangan modul DRAM DDR4 pertama di dunia industri elektronik bulan lalu. Pengembangan
ini menggunakan teknologi proses kelas 30nm, dan menyediakan unbuIIered modul memori dual in-
line (UDIMM) 1.2V 2GB DDR4 ke pembuat controller untuk pengujian.



Modul DRAM DDR4 baru ini dapat mencapai kecepatan transIer data 2.133Gbps 4.266Gbps di
1.2V, lebih hemat daya dan lebih cepat bila dibandingkan dengan 1.35V dan 1.5V DRAM DDR3
pada teknologi proses 30nm yang setara , dengan kecepatan hingga 1.6Gbps.

Dalam notebook, modul DDR4 akan mengurangi konsumsi daya sebesar 40 persen
dibandingkan dengan modul DDR3 1.5V. Modul ini menggunakan Pseudo Terbuka Drain (POD)
teknologi, yang memungkinkan DRAM DDR4 untuk mengkonsumsi hanya setengah arus listrik dari
DDR3 saat membaca dan menulis data. Dengan menggunakan arsitektur sirkuit baru, DDR4 Samsung
akan dapat dijalankan pada sampai 3.2Gbps, dibandingkan dengan kecepatan khas hari ini dari 1.6
Gbps untuk DDR3 dan 800Mbps untuk DDR2.

Samsung kini berencana untuk bekerja sama dengan sejumlah pembuat server untuk
membantu memastikan penyelesaian standarisasi JDC teknologi DDR4 pada semester kedua tahun
ini. Samsung mengembangkan DRAM DDR pertama di industri tahun 1997, DRAM DDR2 pertama
di tahun 2001, dan DRAM DDR3 pertama yang menggunakan teknologi kelas 80nm pada tahun
2005.