Quantum Dot

Suhufa Alfarisa (08306144005)

Pendahuluan

Kemajuan teknologi fabrikasi semikonduktor saat ini memungkinkan untuk dapat memfabrikasi suatu sistem yang sangat kecil bersala nanometer yang dapat mengandung hanya satu elektron saja. Salah satu sistem yang telah banyak dibuat dan dikembangkan oleh para ahli adalah Quantum Dot. Quantum Dot dapat dianggap sebagai atom buatan, karena ia menunjukkan sifat-sifat sis yang mirip dengan atom sebenarnya namun ukuran Quantum Dot jauh lebih besar. Atom buatan merupakan sistem yang berukuran cukup kecil yang muatan dan energinya terkuantisasi seperti atom sebenarnya serta memiliki muatan inti yang dapat dikontrol dengan elektroda logam [2]. Quantum Dot itu sendiri adalah material semikonduktor buatan berukuran nano yang membatasi gerak elektron dalam ruang 3 dimensi dengan spektrum energi diskret. Gerak elektron tersebut dibatasi oleh suatu potensial pengungkung yang dihasilkan oleh veriasi tegangan.

Gambar 1: Foto SEM (Scanning Electron Microscope)Quantum Dot dengan perbesaran meningkat [3]

Banyak cara yang digunakan untuk memfabrikasi Quantum Dot antara lain dengan Nanokristal, teknik litogra, efek medan (Field-eect),Self-assembled Quantum Dots dan lain sebagainya.

Gambar 2: Beberapa fabrikasi Quantum Dot a) Teknik litogra logam. b) Suspensi Kimia. c) Quantum Dot lateral dengan gerbang elektrik heterostruktur. (d) Quantum Dot vertikal dengan teknik mengetsa struktur sumur kuantum. e) Quantum Dot piramid melalui penumbuhan self-assembled. f) trench quantum wire [8] Sedangkan untuk model Quantum Dot yang banyak digunakan dalam penelitian adalah Quantum Dot vertikal yang dibuat dengan teknik mengetsa dan Quantum Dot lateral yang dibuat dengan teknik induksi-medan.

Gambar 3: a) Vertikal Quantum Dot [4] b) Lateral Quantum Dot [5] Seigo Tarucha dan rekan-rekannya di NTT Jepang, Leo Kouwenhoven dan rekannya di Universitas Det, Belanda telah mempelajari apa yang terjadi dalam struktur Quantum Dot vertikal pada Gambar 3a. Struktur ini mengandung Quantum Dot dengan diameter beberapa ratus nanometer dan memiliki tebal 10 nm [6]. Dot berada dalam lapisan semikonduktor InGaAs, diapit antara dua lapisan perintang non-konduksi ( lapisan AlGaAs ) yang memisahkannya dari meterial konduksi di bagian atas dan bawahnya ( lapisan n-GaAs )[4,6]. Dengan memasang tegangan negatif pada elektroda gerbang (gate), diameter dot bisa dikecilkan, jumlah elektron dikurangi dalam dot satu persatu karena elekton konduksi akan meninggalkan lapisan dot (InGaAs) tersebut [4,6,7]. 2

Bentuk Quantum Dot jenis ini bisa beragam yang didapatkan dengan cara mengetsa pilar perintang ganda heterostruktur.

Gambar 4: Foto SEM pilar Quantum Dot berbagai bentuk [4] Sedangkan untuk Quantum Dot lateral, elektron dikurung dalam gas elektron 2 dimensi (2DEG) karena adanya tegangan luar. Lapisan logam n-substrate pada bagian dasar berperan sebagai elektroda gerbang, dan di atasnya terdapat lapisan semikonduktor (contoh GaAs) yang berada di atas lapisan isolator (AlGaAs). Kemudian di bagian atas lapisan GaAs diletakkan elektroda. Ketika dipasang tegangan positif pada gerbang bagian dasar, maka elektron dalam lapisan semikonduktor GaAs akan terjebak dalam lapisan 2 dimensi pada bagian dasar lapisan GaAs yang diketahui sebagai gas elektron 2 dimensi. Lalu ketika tegangan negatif dipasang pada elektroda bagian atas, maka gas elektron 2 dimensi tersebut akan terkurung secara lateral dan melalui proses inilah kita dapatkan Quantum Dot lateral [7]. Quantum Dot lateral ini bisa mengandung 50 hingga beberapa ratus elektron, sedangkan untuk menjelaskan Quantum Dot yang mengandung lebih sedikit elektron ( N 20) lebih mudah dijelaskan dengan jenis Quantum dot vertikal [9]. Salah satu keistimewaan dari Quantum dot adalah, setiap kita menambahkan atau mengurangi satu elektron tunggal ke atau dari dalam dot akan memiliki pengaruh yang cukup besar terhadap sifat dari Quantum Dot. Banyak sifat Quantum Dot yang telah dipelajari lewat terobosan elektron, seperti halnya pada sumur kuantum yaitu efek kuantum yang memungkinkan elektron untuk bisa menerobos potensial perintang yang tidak dapat dilewati secara klasik. Jika terobosan dot lemah, ketika potensial perintang cukup tinggi jumlah elektron di dalam dot didenisikan dengan N [6]. Adanya gaya tolak Coulomb antar dot, memberi arti bahwa energi dari dot yang mengandung sejumlah N + 1 elektron lebih besar daripada yang mengandung N elektron. Energi tambahan yang dibutuhkan untuk menambahkan satu elektron ke dalam dot dikenal sebagai Perintang Coulomb (Blockade Coulomb). Arus hanya akan mengalir ketika elektron memiliki energi yang cukup untuk menempati keadaan energi terendah yang mungkin untuk N + 1 elektron dalam dot. Ini dilakukan dengan cara merubah tegangan gerbang, menghasilkan puncakpuncak arus yang terukur seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6a. Jarak antar puncak dalam grak pada gambar 6a tidak konstan karena dibutuhkan energi yang lebih tinggi untuk menambahkan elektron ke-2, 6 dan 12. Dibandingkan dengan energi atom, energi tambahan untuk Quantum Dot mirip dengan energi ionisasi dan anitas elektron [4].

Gambar 5: Diagram energi elektron menerobos dari keadaan yang terisi di drain melalui dot ke keadaan kosong di source [4].

Gambar 6: Arus yang mengalir dalam Quantum Dot pada suhu 0,1 K diukur dengan memvariasi tegangan gerbang. a) Puncak pertama menandakan tegangan pada saat elektron pertama masuk ke dalam dot dan jumlah elektron meningkat 1 tiap puncak selanjutnya. b) Penambahan elektron tunggal ke dalam Quantum Dot dapat digambarkan dalam orbit melingkat. Kulit pertama bisa mengandung 2 elektron, kulit kedua bisa mengandung hingga empat elektron. Itulah mengapa dibutuhkan energi untuk menambahkan elektron ke-3 dan ke-7. c) Tabel periodik unsur 2-dimensi. Kulit yang penuh menunjukkan bilangan magic N =2,6,12,20 dst, sedangkan kulit yang terisi sebagian ( N =4,9,16,dst ) menunjukkan keadaan spin maksimum [4,6]

2
2.1

Teori
Model Interaksi Konstan

Model yang paling sederhana untuk menggambarkan sistem Quantum dot adalah model Interaksi Konstan. Model ini mengasumsikan bahwa interaksi antar elektron tidak bergantung pada jumlah elektron N tapi dijelaskan melalui kapasitansi dot, C, dan energi tambahan diberikan oleh Eadd = e2 /C + E, dimana e2 /C adalah energi pengisian muatan e dalam kapasitor dot dan E adalah perbedaan energi antara satu keadaan kuantum dengan keadaan selanjutnya. Model ini mendekati keadaan energi dasar total, U (N ) dari N elektron dengan [4] U (N ) = [e(N N0 ) Cg Vg ]2 /2C + N En,l (B) (1) dimana N = N0 untuk Vg = 0. Suku Cg Vg adalah variabel kontinu dan merepresentasikan muatan yang diinduksikan ke dot dengan besar tegangan gerbang Vg dan kapasitansi gerbang Cg . C adalah total kapasitansi antara dot dan source, drain dan gerbang, C = Cs + Cd + Cg . Suku kedua merupakan penjumlahan untuk keadaan yang terisi En,l (B) yang merupakan solusi dari persamaan Schrdinger, tergantung pada medan magnet. o Besarnya potensial elektrokimia dot didenisikan sebagai dot (N ) = U (N ) U (N 1) [4,7]. Dari persamaan (1), kita dapatkan dot (N ) = (N N0 )e2 /C 2e(Cg /C)Vg + EN Energi tambahan Eadd = (N ) diberikan oleh (N ) = dot (N + 1) dot (N ) = e2 /C + (EN +1 EN ) = e2 /C + E (3) (2)

Mirip dengan energi atom dimana A = U (N )U (N +1) untuk anitas elektron dan I = U (N 1) U (N ) untuk energi ionisasi. Hubungannya dengan energi tambahan adalah (N ) = I A. Potensial elektrokimia berubah secara linier dengan faktor kesebandingan = (Cg /C) (persamaan (2)). Faktor- juga berkaitan dengan jarak puncak dalam tegangan gerbang untuk energi tambahan : = e(VgN +1 VgN ) dimana VgN dan VgN +1 adalah tegangan gerbang untuk puncak Coulomb ke-N dan ke-(N + 1).

Pustaka
[1] Ashoori,R.C.(1996). Electrons in articial atoms, Nature. [2] Kastner,Marc A.(1993). Articial atoms, Physics Today. [3] Patel, S.R. (2002). Electronic groundstate properties of coulomb blockade quantum dots, Standford University. [4] Kouwenhoven,dkk. (2001). Few-electron quantum dots, UK:IOP Publishing Ltd. [5] http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/wasshuber/node53.html diakses pada 25 Januari 2012. [6] Kouwenhoven,dkk. (1998). Quantum dots, Physics World. [7] Darmawan,Denny. On the electronic structure of quantum dots. [8] https://engineering.purdue.edu/gekcogrp/scienceapplications/optoelectronics/quantum-dots/whats-qdot.phpdiakses 25 Januari 2012. pada

[9] Kouwenhoven,dkk. (1997). Electron transport in quantum dots, Advanced Study Institute.