Anda di halaman 1dari 15

Laporan Awal

Sel Surya

Nama NPM Partner NPM Hari / Tanggal Waktu Asisten

: Bori Andes Putra : 140310090049 : Enang Saipuloh : 140310090006 : Selasa, 15 Nopember 2011 : 10.00 12.00 WIB :

Laboratorium Fisika Lanjut Jurusan Fisika Fakultas Matematika Dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Padjadjaran 2011

LEMBAR PENGESAHAN

Nilai

Jatinangor, 25 Oktober 2011

Asisten Laboratorium

BAB I. PENDAHULUAN
Latar belakang Sel surya adalah divais semikonduktor yang jika dikenai cahaya akan menyebabkan adanya arus. Foton yang merupakan partikel cahaya akan menyebabkan electron terlepas sehingga menimbulkan arus listrik. Saat ini sudah banyak sekali pemanfaatan dari teknologi sel surya ini, diantaranya untuk penerangan rumah, jalan dan lain-lain. oleh sebab itu di percobaan sel surya ini kita akan mencoba mempelajari apa itu sel surya, karakteristiknya, mempelajari efek fotovoltanik yang menjadi pondasi dari sel surya, dan mencari efisiensi dari sel surya.

Identifikasi masalah Tidak semua cahaya matahari yang masuk pada sel surya berubah menjadi energi listrik, ada energi yang terbuang. Oleh sebab itu masih diperlukan penelitian dan pengembangan lebih lanjut agar pemanfaatan energi matahari bisa optimal menjadi energi listrik.

Tujuan percobaan 1. Mempelajari efek fotovoltaik 2. Menentukan Karakteristik Sel Surya 3. Optimalisasi Konversi Energi Surya menjadi Energi Listrik

BAB II TINJAUAN PUSTAKA


Listrik tenaga surya diperoleh dengan melalui sistem photo-voltaic. Photo-voltaic terdiri dari photo dan voltaic. Photo berasal dari kata Yunani phos yang berarti cahaya. Sedangkan voltaic diambil dari nama Alessandro Volta (1745 - 1827), seorang pelopor dalam pengkajian mengenai listrik. Sehingga photo-voltaic dapat berarti listrik-cahaya. Belakangan ini, photo-voltaic lebih sering disebut solar cell atau sel surya, karena cahaya yang dijadikan energi listrik adalah sinar matahari. Bila sel surya itu dikenakan pada sinar matahari, maka timbul yang dinamakan elektron dan hole. Elektron-elektron dan hole-hole yang timbul di sekitar p-n junction bergerak berturut-turut ke arah lapisan n dan ke arah lapisan p. Sehingga pada saat elektronelektron dan hole-hole itu melintasi pn junction, timbul beda potensial pada kedua ujung sel surya. Jika pada kedua ujung sel surya diberi beban maka timbul arus listrik yang mengalir melalui beban. Bahan Semikonduktor o Semi konduktor intirinsik Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atom-atom tetangganya. Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator. Gambar dibawah memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi.

Pada temperatur ruang (300K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas.

Semi konduktor ekstrinsik Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima dalam tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni. Dioda merupakan suatu komponen elektronika yang dapat melewatkan arus pada satu arah saja. Ada berbagai macam dioda, yaitu dioda tabung, dioda sambungan p-n, dioda kontak titik (point-contact diode) dan sebagainya. Bentuk dioda yang lazim digunakan terdiri dari semikonduktor jenis p yang dibuat bersambung dengan semikonduktor jenis n. Penyambungan ini dilakukan waktu penumbuhan kristal. Secara skematis dioda sambungan p-n dapat dilukiskan seperti pada gambar berikut:

Bila bahan jenis -p bersambung dengan bahan jenis n, electron bebas pada bahan jenis n akan berdifusi melalui sambungan, masuk ke dalam bahan jenis p, dan terjadi rekombinasi dengan lubang lubang yang ada dalam bahan p. Sebaliknya juga terjadi, yaitu lubang bahan jenis p berdifusi masuk ke dalam bahan n, dan berrekombinasi dengan electron dan saling meniadakan muatan. Akibatnya tepat pada sambungan p-n terjadi daerah tanpa muatan bebas, yang disebut daerah pengosongan (depletion region). Oleh karena muatan positif terpisah dari muatan negative, maka dalam daerah pengosongan terjadi medan listrik, yang melawan proses difusi selanjutnya. Dengan adanya medan listrik ini terjadi beda potensial listrik (bukit potensial) antara bagian p dan bagian n dalam daerah pengosongan.

Semi konuktor tipe-n Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silicon dalam kisi

kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan. Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi electron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor. Gambar semikonduktor tipe n:

Semi konduktor tipe-p Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor trivalen (aluminium, boron, galium atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan (lihat gambar) yang disebut lubang (hole). Karena atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor). Gambar semikonduktor tipe-p :

Sel surya Sel surya adalah devais elkektronik yang dapat mentransformasikan energi cahaya menjadi energi listrik, Fenomena ini dikenal dengan efek fotovoltaik. Proses fotovoltaik merupakan proses yang berkaitan dengan fenomena persambungan semikonduktor (semiconductor junction). Hal ini terjadi apabila seberkas foton dengan energi yang memadai jatuh pada daerah deplesi sambungan p-n. Apabila hal ini terjadi, penyerapan foton memberikan kepada elektron energi yang cukup untuk berpindah ke pita konduksi, dalam proses ini sebuah lubang tercipta pada pita Valensi. Kerja solar sel ditentukan oleh karakteristik elektik dari persambungan ini yang dapat dipelajari melalui pita energi seperti yang diperlihtkan pada gambar.
ECB p

qVo

EF p
EVB p

ECB n

EF n
ECB p

ECB n

qVo qVoc
ECB n

EF n
ECB p

qVoc

EF n
ECB p

Diagram pita energi sambungan p-n yang terjadi pada semikonduktor dengan didalamnya mengandung tingkat energi Fermi. Perbedaan konsentrasi elektron dan hole didaerah-p dan daerah-n menyebabkan difusi elektron ke daerah-p dan hole ke daerah n. Atom-atom pengotor akan membentuk daerah arus muatan terbatas (charge-limited-current). Arus difusi dan field current offset dalam keseimbangan satu sam lain. Potensial difusi pada sambungan p-n tergantunng pada jumlah doping dan berkaitan dengan perbedaan tingkat energi Fermi pada daerah p dan n pada keadaan terpisah.

Efisiensi Sel Surya Jika g jumlah pasangan electron hole yang dihasilkan persatuan luas dan jika U tegangan yang diberikan antara sambungan p-n, akan dihasilkan arus electron dan hole dengan kerapatan : J = e(exp eU/kT-1) (no De.t/L2e + po Dh / Lh ) e.g (1)

Dengan e muatan electron, k konstanta Boltzman, T temperature, L panjang difusi electron and hole, no dan po konsentrasi pembawa muatan minoritas pada keadaan setimbang. Rapat arus hubung singkat: J = -e . g (2)

Pada temperature tetap, arus sebanding dengan intensitas cahaya. Kenaikan temperature akan meningkatkan arus sekitar 0,01 %/K dan menurunkan tegangan terbuka sekitar -2,3 mV/K, karena konsentrasi seimbang no dan po naik terhadap temperature n0 ecp. (-E/2kT) (3)

Karakteristik sel surya dinyatakan oleh beberapa parameter antara lain efisiensi konversi () dan stabilitas. Efisiensi diefinisikan sebagai :

Pm ax x100 % Pm

(4)

Pm adalah Daya Input dan Pmax adalah daya maksimum yang didapat

aspek

yang

menjadi perhatian utama dalam proses konversi energi (energi matahari/cahaya) oleh sel surya. Daya maksimum dapat dinyatakan dalam Fill Factor (FF) yang didefinisikan sebagai :

FF =

Vm ax.I m ax x100 % VOC .I SC

(5)

Dalam besaran ini daya maksimum menjadi Pmax = Vmax . Imax = VOC . ISC . FF VOc adalah tegangan saat arus minimum (Tegangan terbuka) Isc adalah arus saat tegngannya minimum (mendekati nol) (Arus Hubung Singkat)

Pemanfaatan Sel Surya Saat ini dengan teknologi yang semakin canggih telah mampu memanfaatkan energi matahari sebagai salah satu sumber energi listrik. Banyak sekali pemanfaatan listrik yang berasal dari cahaya matahari atau sel surya ini, diantaranya untuk lampu penerangan rumah, lampu pada jalan-jalan, untuk televisi dan alat-alat rumah tangga lainnya.

Tugas Pendahuluan 1. Pelajari prinsip kerja dan karakteristik sambungan p-n secara umum, bahas bagaimana sambungan p-n dapat berfungsi sebagai dioda biasa (penyearah), fotodioda, foto detektor, LED dan sel surya p-n: 2. Buat/ turunkan perumusan untuk menentukan daya maksimum dan efisiensi konversi sebuah sel surya

Jawab: 1. Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom pentavalen

menempati posisi atom silicon dalam kisi kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan. Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi electron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor. Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n,

semikonduktor tipe-p dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor trivalen (aluminium, boron, galium atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan (lihat gambar) yang disebut lubang (hole). Karena atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor).

Dioda merupakan suatu komponen elektronika yang dapat melewatkan arus pada satu arah saja. Ada berbagai macam dioda, yaitu dioda tabung, dioda sambungan p-n, dioda kontak titik (point-contact diode) dan sebagainya. Bentuk dioda yang lazim digunakan terdiri dari semikonduktor jenis p yang dibuat bersambung dengan semikonduktor jenis n. Penyambungan ini dilakukan waktu penumbuhan kristal. Secara skematis dioda sambungan p-n dapat dilukiskan seperti pada gambar berikut:

Bila bahan jenis -p bersambung dengan bahan jenis n, electron bebas pada bahan jenis n akan berdifusi melalui sambungan, masuk ke dalam bahan jenis p, dan terjadi rekombinasi dengan lubang lubang yang ada dalam bahan p. Sebaliknya juga terjadi, yaitu lubang bahan jenis p berdifusi masuk ke dalam bahan n, dan berrekombinasi dengan electron dan saling meniadakan muatan. Akibatnya tepat pada sambungan p-n terjadi daerah tanpa muatan bebas, yang disebut daerah pengosongan (depletion region). Oleh karena muatan positif terpisah dari muatan negative, maka dalam daerah pengosongan terjadi medan listrik, yang melawan proses difusi selanjutnya. Dengan adanya medan listrik ini terjadi beda potensial listrik (bukit potensial) antara bagian p dan bagian n dalam daerah pengosongan.

2. Efisiensi Sel Surya Jika g jumlah pasangan electron hole yang dihasilkan persatuan luas dan jika U tegangan yang diberikan antara sambungan p-n, akan dihasilkan arus electron dan hole dengan kerapatan : J = e(exp eU/kT-1) (no De.t/L2e + po Dh / Lh ) e.g (1)

Dengan e muatan electron, k konstanta Boltzman, T temperature, L panjang difusi electron and hole, no dan po konsentrasi pembawa muatan minoritas pada keadaan setimbang. Rapat arus hubung singkat: J = -e . g (2)

Pada temperature tetap, arus sebanding dengan intensitas cahaya. Kenaikan temperature akan meningkatkan arus sekitar 0,01 %/K dan menurunkan tegangan terbuka sekitar -2,3 mV/K, karena konsentrasi seimbang no dan po naik terhadap temperature n0 ecp. (-E/2kT) (3)

Karakteristik sel surya dinyatakan oleh beberapa parameter antara lain efisiensi konversi () dan stabilitas. Efisiensi diefinisikan sebagai :

Pm ax x100 % Pm

(4)

Pm adalah Daya Input dan Pmax adalah daya maksimum yang didapat

aspek

yang menjadi perhatian utama dalam proses konversi energi (energi matahari/cahaya) oleh sel surya. Daya maksimum dapat dinyatakan dalam Fill Factor (FF) yang didefinisikan sebagai :

FF =

Vm ax.I m ax x100 % VOC .I SC

(5)

Dalam besaran ini daya maksimum menjadi Pmax = Vmax . Imax = VOC . ISC . FF VOc adalah tegangan saat arus minimum (Tegangan terbuka) Isc adalah arus saat tegngannya minimum (mendekati nol) (Arus Hubung Singkat)

BAB III METODOLOGI PERCOBAAN


Alat Percobaan

1. Modul Sel Surya 2. Rheostat/Potensiometer 3. Multimeter digital 2 buah 4. Power Supply 5. Sumber cahaya 6. Detektor Cahaya (Thermopile) 7. Air Blower 8. Perlengkapan lainnya

Prosedur Percobaan 1. Menentukan intensitas cahaya : 2. Menentukan arus hubung singkat dan tegangan terbuka

Gambar 7. Rangkaian untuk menentukan karakteristik Sel Surya 3. Menentukan Ketergantungan Arus Hubung Singkat dan Tegangan Terbuka terhadap Temperatur. 4. Menentukan Kurva karakteristik pada intensitas cahaya yang berbeda. 5. Menentukan Kurva karakteristik pada kondisi lingkungan yang berbeda. 6. Menggunakan sumber cahaya yang berbeda (untuk mengetahui pengaruh panjang gelombang terhadap rapat arus). tidak dilakukan. 7. Menggunakan sinar matahari langsung. tidak dilakukan

BAB IV DAFTAR PUSTAKA

www.wikipedia.com//sel surya Krane, Kenneth.1992. Fisika Modern.Jakarta : UI press Sutrisno. 1987. Elektronika Dasar Jilid 1. Bandung: Penerbit ITB