TUGAS ARSITEKTUR DAN ORGANISASI KOMPUTER I

FeTRAM

Disusun Oleh : Nama NIM : Revi Aulia Yudhistira : 123100035

Dosen : Hidayatulah Himawan S.T., M.T.

JURUSAN TEKNIK INFORMATIKA FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI UPN VETERAN YOGYAKARTA 2012

FeTRAM

FeTRAM adalah memori non-volatile yang dapat menyimpan data bahkan setelah itu dimatikan. Meskipun nama, FeTRAM adalah memori feroelektrik tetapi memory ini tidak terpengaruh oleh medan magnet karena tidak ada bahan besi (besi) dalam chip. FeTRAM memerlukan konsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan dengan Flash Memory, DRAM, EEPROM bahkan FeRAM. Sama Halnya dengan FeRAM, Teknologi FeTRAM ini tidak mengalami siklus refresh seperti yang terjadi pada DRAM. FeTRAM ini memungkinkan pembacaan yang tidak destruktif, artinya informasi dapat dibaca tanpa menghilangkannya. Pembacaan non-destruktif ini dimungkinkan dengan menyimpan informasi menggunakan transistor feroelektrik, bukan kapasitor, yang digunakan dalam FeRAM konvensional. Dari segi ketahanan dan masa pakai, memory FeTRAM ini lebih baik bila dibandingkan dengan FeRAM, yakni mampu menyimpan data antara 10-20 tahun, hal ini berbeda dengan memory FeRAM yang hanya menyimpan data kurang lebih sampai 10 tahun.

FeTRAM generasi masa depan, salah satu tujuan utamanya adalah mengurangi disipasi daya listrknya. Mungkin juga akan jauh lebih cepat daripada bentuk lain memori komputer yang disebut SRAM. Teknologi FeTRAM memenuhi tiga fungsi dasar dari memori komputer yakni : 1. 2. 3. Menulis informasi Membaca informasi Tahan dalam jangka waktu yang panjang.

Gambar 1. Memory FeTRAM

Para peneliti tengah mengembangkan sebuah jenis baru memori komputer yang bisa lebih cepat daripada memori komersial yang ada saat ini dan penggunaan listrik yang jauh lebih sedikit dari perangkat memori flash. Teknologi ini mengkombinasikan kawat nano silikon dengan polimer feroelektrik, bahan yang mengaktifkan polaritas ketika medan listrik dialirkan, memungkinkan tipe baru dari transistor feroelektrik.

Gambar 2. Ilustrasi FeTRAM

Diagram ini menunjukkan tata letak jenis baru memori komputer yang bisa lebih cepat daripada memori komersial yang ada saat dan penggunaan daya listrik yang jauh lebih sedikit dari perangkat memori flash. (Kredit: Pusat Nanoteknologi Birck, Universitas Purdue) Transistor feroelektrik yang mengubah polaritas dibaca sebagai 0 atau 1, operasi yang diperlukan bagi sirkuit digital untuk menyimpan informasi dalam kode biner yang terdiri dari

urutan satu dan nol. Teknologi baru ini disebut FeTRAM, untuk memori transistor feroelektrik akses acak. FeTRAM telah mengembangkan teori serta melakukan eksperimen dan juga menunjukkan cara kerjanya dalam sebuah sirkuit. Temuan yang rinci dalam makalah penelitian ini muncul dalam Nano Letters, dipublikasikan oleh American Chemical Society. Teknologi FeTRAM memiliki penyimpanan non-volatile, artinya ini tetap berada di dalam memori meski komputer sudah dimatikan. Perangkatnya bisa berpotensi menggunakan energi 99 persen lebih rendah dari memori flash, chip penyimpanan komputer nonvolatile dan bentuk dominan memori di pasar komersial. Teknologi baru ini juga kompatibel dengan proses industri manufaktur untuk semikonduktor oksida logam komplementer, atau CMOS, yang digunakan untuk memproduksi chip komputer. Ini memiliki potensi untuk menggantikan sistem memori konvensional.

FeRAM sendiri memerlukan waktu yang lebih cepat dalam penulisan. Waktu yang sebenarnya untuk menulis sebuah sel memori FeRAM kurang dari 50ns. Dengan berbagai keunggulannya tersebut, Teknologi baru FeTRAM ini diproyeksikan mengantikan FeRAM di berbagai sektor pengunaanya (tidak terbatas pada metering elektronik), tetapi juga otomotif (misalnya Black Box, air bags), Bisnis mesin (misalnya printer, disk RAID controller), instrumentasi, peralatan medis, mikrokontroler industri, dan identification tags frekuensi radio.

Chip FeRAM berisi film tipis feroelektrik titanat zirkonat timbal [Pb (Zr, Ti) O3], sering disebut sebagai PZT. Pada Zr / Ti atom dapat mengubah polaritas dalam medan listrik, sehingga menghasilkan sebuah saklar biner. Tidak seperti perangkat RAM, FeRAM mempertahankan memori data bila daya dimatikan atau terputus, karena polaritas kristal PZT mempertahankan. FeRAM memiliki daya tahan 10.000 kali lebih besar dan 3.000 kali lebih sedikit konsumsi daya dari perangkat EEPROM dan hampir memiliki kecepatan 500 kali lipat dalam kecepatan tulis.

F-RAM menggabungkan dari RAM dan ROM ke dalam sebuah paket tunggal yang melebihi nonvolatile lain dengan sangat cepat menulis, daya tahan tinggi dan ultra-rendah konsumsi daya.