Mtodos de Fabricacin de Materiales Policristalinos y Monocristalinos

Definicin
Monocristales: Cuando la disposicin atmica de un solido cristalino es perfecta, sin interrupciones, a lo largo de toda la muestra, el resultado es un monocristal. Todas las celdillas unidad estn entrelazadas o unidas del mismo modo y tinen la misma direccin. Los monocristales existen en la naturaleza, pero tambin se pueden generar artificialmente. El crecimiento de estos ltimos es, por lo general, difcil ya que el medio se debe controlar cuidadosamente. Si los extremos de un monocristal crecen sin impedimientos externos, el cristal adquiere una forma geomtrica regular con caras planas, como las que presentan algunas piedras preciosas. La forma refleja la estructura cristalina. En los ltimos aos los monocristales han aquirido extraordinaria importanciaen la moderna tecnologa, sobre todo en microelectronica, que emplea monocristales de silicio y de otros materiales. Policristalinos: La mayora de los solidos cristalinos son un conjunto de muchos cristales pequeos o granos. Este tipo de material se denomina policristalino. Se Esquematiza varias etapas de la solidificacin de una muestra policristalina. Al principio, aparecen pequeos cristales o nucleos en distintas posiciones. Estas orientaciones cristalogrficas son completamente al azar y estn indicadas por cuadros. Los granos pequeos crecen por la sucesiva adiccin a la estructura de atomos del liquido subenfriado. Los extremos de granos adyacentes interaccionan entre si al finalizar el proceso de solidificacin. Tambien existen algunas irregularidades en la disposicin atmica en la regin donde se unen dos granos.

Proceso de Fabricacion
De forma muy resumida, el proceso de fabricacin de una clula mono o policristalina se puede dividir en las siguientes fases:

Primera Fase: Obtencin del Silicio

A partir de las rocas ricas en cuarzo (formadas principalmente por SiO2, muy abundantes en la naturaleza) y mediante el proceso de reduccin con carbono, se obtiene Silicio con una pureza aproximada del 99%, que no resulta suficiente para usos electrnicos y que se suele denominar Silicio de grado

metalrgico.
La industria de semiconductores purifica este Silicio por procedimientos qumicos, normalmente destilaciones de compuestos colorados de Silicio, hasta que la concentracin de impurezas es inferior al 0.2 partes por milln. El material as obtenido suele ser llamado Silicio grado semiconductor y aunque tiene un grado de pureza superior al requerido en muchos casos por las clulas solares, ha constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del abastecimiento de las industrias de fabricacin de clulas.

Sin embargo, para usos especficamente solares, son suficientes (dependiendo del tipo de impureza y de la tcnica de cristalizacin), concentraciones de impurezas del orden de una parte por milln. Al material de esta concentracin se le suele denominar Silicio grado solar. Existen actualmente tres posibles procedimientos en distintas fases de experimentacin para la obtencin del Silicio grado solar, que proporcionan un producto casi tan eficaz como el del grado semiconductor a un coste sensiblemente menor.

Segunda Fase: Cristalizacin

Una vez fundido el Silicio, se inicia la cristalizacin a partir de una semilla. Dicha semilla es extrada del silicio fundido, este se va solidificando de forma cristalina, resultando, si el tiempo es suficiente, un monocristal. El procedimiento ms utilizado en la actualidad es el convencional mtodo Czochralsky, pudindose emplear tambin tcnicas de colado. El Silicio cristalino as obtenido tiene forma de lingotes. Tambin se plantean otros mtodos capaces de producir directamente el Silicio en lminas a partir de tcnicas basadas en la epitaxia, en crecimiento sobre soporte o cristalizacin a partir de Si mediante matrices. Se obtienen principalmente dos tipos de estructuras: una la monocristalina (con un nico frente de cristalizacin) y la otra la policristalina (con varios frentes de cristalizacin, aunque con unas direcciones predominantes). La diferencia principal radica en el grado de pureza del silicio durante el crecimiento/recristalizacin.

Tercera Fase: Obtencin de Obleas

El proceso de corte tiene gran importancia en la produccin de las lminas obleas a partir del lingote, ya que supone una importante perdida de material (que puede alcanzar el 50%). El espesor de las obleas resultantes suele ser del orden de 2-4mm.

Cuarta Fase: Fabricacion de la Celula y los Modulos

Una vez obtenida la oblea, es necesario mejorar su superficie, que presenta irregularidades y defectos debidos al corte, adems de retirar de la misma los restos que puedan llevar (polvo, virutas), mediante el proceso denominado decapado. Con la oblea limpia, se procede al texturizado de la misma (siempre para clulas monocristalinas, ya que las clulas policristalinas no admiten este tipo de procesos), aprovechando las propiedades cristalinas del Silicio para obtener una superficie que absorba con ms eficiencia la radiacin solar incidente. Posteriormente se procede a la formacin de un unin PN mediante deposicin de distintos materiales (compuestos de fsforo para las partes N y compuestos de boro para las partes P, aunque normalmente, las obleas ya estn dopadas con boro), y su integracin en la estructura del silicio cristalino.

El siguiente paso es la formacin de los contactos metlicos de la clula , en forma de rejilla en la cara iluminada por el Sol, y continuo en la cara posterior. La formacin de los contactos en la cara iluminada se realiza mediante tcnicas serigrficas, empleando ms reciente mente la tecnologa lser para obtener contactos de mejor calidad y rendimiento. El contacto metlico de la cara sobre la cual incide la radiacin solar suele tener forma de rejilla, de modo que permita el paso de la luz y la extraccin de corriente simultneamente. La otra cara est totalmente recubierta de metal. Una clula individual normal, con un rea de unos 75cm2 y suficientemente iluminada es capaz de producir una diferencia de potencial de 0.4V y una potencia de 1W. Finalmente, puede procederse a aadir una capa antirreflexiva sobre la clula, con el fin de mejorar las posibilidades de absorcin de la radiacin solar. Una vez concluidos los procesos sobre la clula, se procede a su comprobacin, previamente a su encapsulado, interconexin y montaje en los mdulos. En cuanto a la eficiencia de las diferentes tecnologas fotovoltaicas se pueden indicar ciertos valores aproximados. Para el caso del Silicio monocristalino sta se sita en, aproximadamente entre un 16 y un 25% mientras que en el policristalino actualmente es del 12-13% siendo posible que se eleve a corto plazo en un nivel similar al alcanzado ya para el monocristalino. Como resumen, en relacin a la tecnologa solar del silicio mono o policristalino, se puede indicar que su situacin es madura, pero no obstante existe un amplio aspecto de posibles mejoras, muchas de ellas analizadas y verificadas en profundidad en laboratorios. Otros posibles materiales para la fabricacin de clulas solares es el Silicio amorfo. Esta tecnologa permite disponer de clulas de muy delgado espesor, lo cual presenta grandes ventajas. Adicionalmente su proceso de fabricacin es, al menos tericamente, ms simple y sustancialmente ms barato. La eficiencia es comparativamente algo menor que en los casos anteriores (6-8%) y todava no se dispone de datos suficientes en cuanto a su estabilidad. Su principal campo de aplicacin en la actualidad son los relojes, juguetes, calculadoras y otras aplicaciones de consumo. Dentro de las aplicaciones energticas equivalentes a las de la tecnologa del Silicio cristalino, su versatilidad es muy adecuada para la confeccin de mdulos semitransparentes empleados en algunas instalaciones integradas en edificios.