Anda di halaman 1dari 9

UJIAN AKHIR SEMESTER TEKNOLOGI LAPISAN TIPIS

1. Tentukan proses deposisi lapisan tipis yang sesuai (evaporasi, sputtering, dsb.,

sumber, target, dsb.) untuk aplikasi beriut ini.

a. Melapisi sebuah cermin teleskop yang besar dengan Rh

b. Deposisi interkoneksi lapisan tipis Al-Cu-Si untuk rangkaian terintegrasi (IC)

c. Deposisi multilayer TiO 2 -SiO 2 pada mutiara buatan untuk meningkatkan kuliatas

warna dan reflektivitas

Jawab:

a. Melapis cermin teleskop yang besar dengan Rh

Metode yang sesuai adalah evaporasi dengan target Rhodium (Rh) dan sumber

adalah electron beam.

b. Deposisi interkoneksi lapisan tipis Al-Cu-Si untuk rangkaian terintegrasi (IC)

Metode yang sesuai adalah sputtering dengan target Al-Cu-Si, dan sumber

adalah ion.

c. Deposisi multilayer TiO 2 -SiO 2 pada mutiara buatan untuk meningkatkan kualitas

warna dan reflektivitas

Metode yang sesuai adalah sputtering dengan target TiO 2 dan SiO, dan sumber

adalah ion.

2. Suatu lapisan Al dideposit pada laju 1µm/menit di dalam vakum pada temperatur

25°C. Diperkirakan oksigen pada film sebesar 10 -3 , berapa tekanan parsial oksigen

di dalam sistem?

Jawab:

Φ 2 /

Φ

2 /

Φ 10

1

Φ

di dalam sistem? Jawab: Φ 2 / Φ 2 / Φ 10 1 Φ Meli Muchlian
di dalam sistem? Jawab: Φ 2 / Φ 2 / Φ 10 1 Φ Meli Muchlian
2,7 1 1,667. 10 cm/s 32 gram 0,032 kg/mol mol J 8,314 mol. K 25°C
2,7
1
1,667. 10 cm/s
32 gram
0,032 kg/mol
mol
J
8,314
mol. K
25°C 298 K

26,98 g/mol

Untuk gas Oksigen dalam lapisan tipis sebesar 10 -3 , maka tekanannya adala:

3.

0.001 2

sebesar 10 - 3 , maka tekanannya adala: 3. 0.001 2 0.001 2,7 1,667. 10 2

sebesar 10 - 3 , maka tekanannya adala: 3. 0.001 2 0.001 2,7 1,667. 10 2

0.001 2,7 1,667. 10 2 0,032 . 8,314

0.001 2,7 1,667. 10 2 0,032 . 8,314 298 10 26,98 / .     .

0.001 2,7 1,667. 10 2 0,032 . 8,314 298 10 26,98 / .     .
0.001 2,7 1,667. 10 2 0,032 . 8,314 298 10 26,98 / .     .
0.001 2,7 1,667. 10 2 0,032 . 8,314 298 10 26,98 / .     .

298

10
10

26,98 /

.

 
 

.

. 8,314 298 10 26,98 / .     . a. Jelaskan tentang metode evaporasi, elektrodeposisi,

a. Jelaskan tentang metode evaporasi, elektrodeposisi, XRD, XRF, dan plasma

induktif, bagaimana prinsip keja alatnya?

b. Jelaskan tentang sifat mekanik dan sifat listrik lapisan tipis, bagaimana metode

untuk menentukan sifat-sifat tersebut?

c. Jelaskan metode pengukuran ketebalan lapisan tipis yang anda ketahui!

Jawab:

a. 1.

Metode Evaporasi

Metode evaporasi adalah salah satu cara mendeposisi lapisan tipis

berbahan dasar logam dengan proses penumbuhannya yang dilakukan di

ruang vakum. Dalam ruang vakum tersebut terdapat molekul-molekul

gas baik yang berasal dari gas sisa maupun yang berasal dari sumber

evaporasi yaitu bahan logam yang diuapkan.

maupun yang berasal dari sumber evaporasi yaitu bahan logam yang diuapkan. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis
maupun yang berasal dari sumber evaporasi yaitu bahan logam yang diuapkan. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis

Prinsip kerja alat:

Dalam proses evaporasi, substrat ditempatkan di dalam ruang vakum tempat material sumber yang akan dievaporasi diletakkan. Kemudian bahan sumber tersebut dipanaskan sampai titik mendidih dan menguap. Kondisi vakum diperlukan untuk memungkinkan molekul untuk menguap bebas di ruangan, dan mengembun pada semua permukaan logam.

a.

2.

di ruangan, dan mengembun pada semua permukaan logam. a. 2. Elektrodeposisi Elektrodeposisi adalah proses pelapisan

Elektrodeposisi Elektrodeposisi adalah proses pelapisan bahan dalam bahan elektrolit pada suatu substrat dengan pemberian arus listrik eksternal. Komponen utama pada proses elektrodeposisi terdiri dari sumber arus searah (DC), larutan elektrolit, dan elektroda. Elektroda tersebut terdiri dari anoda dan katoda. Pada anoda akan terjadi reaksi oksidasi dan pada katoda terjadi reaksi reduksi.

Prinsip kerja alat:

Lapisan tipis yang akan di deposisi dimasukkan dalam larutan elektrolit dengan kadar molar tertentu, lalu dihubungkan pada sumber arus DC (anoda (+) dan katoda (-)), selanjutnya diatur waktu, kuat arus dan tegangannya, dengan tujuan untuk mengatur ketebalan lapisan tipis yang akan di buat.

dengan tujuan untuk mengatur ketebalan lapisan tipis yang akan di buat. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis
dengan tujuan untuk mengatur ketebalan lapisan tipis yang akan di buat. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis

a.

3.

a. 3. XRD XRD adalah instrumen yang digunakan untuk mengidentifikasi material kristalit maupun non-kristalit, sebagai

XRD XRD adalah instrumen yang digunakan untuk mengidentifikasi material kristalit maupun non-kristalit, sebagai contoh identifikasi struktur kristalit (kualitatif) dan fasa (kuantitatif) dalam suatu bahan dengan memanfaatkan radiasi gelombang elektromagnetik sinar X.

Prinsip kerja alat:

gelombang elektromagnetik sinar X. Prinsip kerja alat: Sinar-X dihasilkan di suatu tabung sinar katode dengan

Sinar-X dihasilkan di suatu tabung sinar katode dengan pemanasan kawat pijar untuk menghasilkan elektron-elektron, kemudian elektron- elektron tersebut dipercepat terhadap suatu target dengan memberikan suatu voltase, dan menembak target dengan elektron. Ketika elektron- elektron mempunyai energi yang cukup untuk mengeluarkan elektron- elektron dalam target, karakteristik spektrum sinar-X dihasilkan. Ketika

elektron dalam target, karakteristik spektrum sinar-X dihasilkan. Ketika Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 4
elektron dalam target, karakteristik spektrum sinar-X dihasilkan. Ketika Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 4

a.

4.

geometri dari peristiwa sinar-X tersebut memenuhi persamaan Bragg, interferens konstruktif terjadi dan suatu puncak di dalam intensitas terjadi. Detektor akan merekam dan memproses isyarat penyinaran ini dan mengkonversi isyarat itu menjadi suatu arus yang akan dikeluarkan pada printer atau layar komputer. XRF XRF adalah alat dalam aplikasi teknik analisis unsur suatu material dengan dasar interaksi sinar-X dengan material analit.

 

Prinsip kerja alat:

Pada teknik XRF, menggunakan sinar-X pada tabung pembangkit sinar- X digunakan untuk mengeluarkan electron dari kulit dalam sehingga menghasilkan sinar-X baru dari sample yang di analisis.

menghasilkan sinar-X baru dari sample yang di analisis. Gambar Peristiwa pada tabung X-ray   5. Plasma
menghasilkan sinar-X baru dari sample yang di analisis. Gambar Peristiwa pada tabung X-ray   5. Plasma

Gambar Peristiwa pada tabung X-ray

 

5.

Plasma induktif Metode Inductively Coupled Plasma (ICP) adalah metoda untuk meningkatkan penumbuhan kristal menggunakan plasma yang berasal

untuk meningkatkan penumbuhan kristal menggunakan plasma yang berasal Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 5
untuk meningkatkan penumbuhan kristal menggunakan plasma yang berasal Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 5

dari gas dengan atom terionisasi.

Prinsip kerja alat:

Perangkat ICP dirancang untuk menghasilkan plasma dari gas yang atomnya dalam keadaan terionisasi. ICP terdiri dari tiga tabung konsentris, paling sering dibuat dari silika. Tabung tersebut, loop luar, loop menengah, dan loop dalam, secara kolektif membentuk obor ICP. Obor terletak dalam kumparan air pendingin generator frekuensi radio (rf). Gas mengalir ke obor lalu medan rf diaktifkan dan gas pada kumparan dibuat konduktif elektrik. Ini adalah proses urutan terbentuknya plasma. Cahaya yang dipancarkan oleh atom-atom unsur dalam ICP harus dikonversikan ke sinyal listrik dengan memancarkan radiasi dan kemudian intensitas cahaya diukur menggunakan photomultiplier untuk mengetahui panjang gelombang yang sesuai.

photomultiplier untuk mengetahui panjang gelombang yang sesuai. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 6
photomultiplier untuk mengetahui panjang gelombang yang sesuai. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 6
photomultiplier untuk mengetahui panjang gelombang yang sesuai. Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 6

b.

1.

Sifat Mekanik

Sifat mekanik lapisan tipis adalah tegangan (gaya/luas penampang) dan

regangan (perubahan panjang/panjang awal). Perbedaan koefisien

ekspansi termal antara film dan substrat biasanya akan menyebabkan

stres mekanik. Efek stress dan adhesi, serta efek film intrinsik lainnya

dapat menyebabkan wafer membungkuk dan retak, terbentuk celah, dan

film terangkat yang semuanya dapat merusak kualitas film.

b.

2.

Metode menentukan sifat mekanik dengan difraksi Sinar-X:

Menggunakan metode difraksi Sinar-X. Sebagai contohnya pada film

tipis polycristalin yang diberi stress pada sumbu x dan y, maka akan

timbul koefisien epitaksial film sesuai dengan persamaan:

Dengan mengukur jarak kisi dalam film yang tertekan

dan juga

bulk kisi tanpa tekanan dengan Sinar-X kita dapat menentukan

secara langsung , dimana / . Karena

,sehingga :

Akurasi dari pengukuran dengan teknik Sinar-X ini diperluas dengan

dan yang

disebabkan ukuran butir, dislokasi, kesamaan, susunan, dan ketidak

seragaman tegangan mikro.

Sifat Listrik

Beberapa sifat listrik thin film diantaranya adalah resistivitas,

penentuan ketepatan kisi parameter, serta penentuan

konduktivitas, mobilitas pembawa muatan, konsentrasi pembawa

muatan, arus-tegangan, kapasitansi-tegangan. Dengan mengetahui sifat-

sifat elektris dari material kita secara langsung dapat mengetahui adanya

cacat kimia dan fisika dari kristal tersebut. Sebagai contoh, jika tipe

semikonduktor (carrier) dari material diketahui maka tahanan jenisnya

dapat digunakan untuk mencari konsentrasi rataan dari carrier

jenisnya dapat digunakan untuk mencari konsentrasi rataan dari carrier Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 7
jenisnya dapat digunakan untuk mencari konsentrasi rataan dari carrier Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal 7

mayoritas.

Metode menentukan sifat listrik dengan Four-Point Probe:

Four-Point Probe (probe 4 titik) adalah salah satu jenis alat yang digunakan untuk mengukur nilai resistivitas suatu lapisan bahan semikonduktor seperti Silikon (Si), Germanium (Ge), Gallium Arsenide (GaAs), juga bahan logam dalam bentuk thin film (lapisan tipis) yang dipergunakan dalam pembuatan piranti elektronika. Alat ukur ini didasarkan pada 4 buah probe dimana 2 probe berfungsi untuk mengalirkan arus listrik dan 2 probe yang lain untuk mengukur tegangan listrik sewaktu probe-probe tersebut dikenakan pada bahan (sampel). Untuk menentukan serta mengkaji sifat-sifat bahan tersebut dapat dilakukan dengan menentukan nilai resistivitas untuk suatu luasan dan ketebalan tertentu. Beberapa parameter lain yang dapat diperoleh dari pengukuran bahan dengan menggunakan peralatan ini antara lain adalah mengetahui jenis doping suatu bahan semikonduktor (positif atau negatif), mobilitas elektron dari suatu bahan.

(positif atau negatif), mobilitas elektron dari suatu bahan. Konfigurasi utama four point probe c. Salah satu

Konfigurasi utama four point probe

c. Salah satu metode untuk mengukur ketebalan lapisan tipis adalah dengan metode interferometri menggunakan perangkat interferometer. Penggunaan suatu interferometer memungkinkan untuk mengukur ketebalan film tipis. Metode ini menggunakan suatu sumber radiasi, sehingga memiliki skala ukur dengan limit orde panjang gelombang sinar laser. Interferometer juga dapat dapat digunakan untuk mengukur panjang atau perubahan panjang

juga dapat dapat digunakan untuk mengukur panjang atau perubahan panjang Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal
juga dapat dapat digunakan untuk mengukur panjang atau perubahan panjang Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis Hal

berdasarkan penentuan garis-garis interferensi karena alat ini menggunakan

sebuah sumber radiasi (laser) dengan panjang gelombang λ tertentu, serta

terdiri dari berbagai elemen optik sehingga memerlukan pengaturan yang

tepat dalam pengoperasiannya.

memerlukan pengaturan yang tepat dalam pengoperasiannya. Pengukuran lapisan tipis. garis-garis interferensi

Pengukuran lapisan tipis. garis-garis interferensi dihasilkan oleh refleksi

sinar dari permukaan film dan permukaan substrat.

Keterangan:

F

= Film

d

= ketebalan Film

LS

= sumber cahaya monokromatik

BS

= prisma pemecah berkas cahaya (beam-splitting prism

M

= cermin datar

MS

= mikroskop

S

= subtrat

t

= lapisan udara

datar MS = mikroskop S = subtrat t = lapisan udara Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis
datar MS = mikroskop S = subtrat t = lapisan udara Meli Muchlian Teknologi Lapisan Tipis